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arXiv 1111.3523cond-mat.supr-con

压力对铁硫族超导体 FeSe$_{1-x}$Te$_x$ 电子结构的影响

The Pressure Effects on Electronic Structure of Iron Chalcogenide Superconductors FeSe$_{1-x}$Te$_x$

A. Ciechan, M. J. Winiarski, M. Samsel-Czekała

AI总结:

基于密度泛函理论研究 FeSe$_{1-x}$Te$_x$,揭示压力和 Te 取代均减弱空穴—电子 Fermi 面嵌套,可能提升超导临界温度。

摘要:

我们在密度泛函理论框架内研究铁基超导体 FeSe$_{1-x}$Te$_x$ 的电子结构。我们特别关注压力对 Fermi 面(FS)拓扑的影响,该拓扑似乎与铁硫族和铁磷族化合物的超导临界温度 TC 相关。观察到随着压力增加,空穴圆柱与电子圆柱之间的 FS 嵌套减弱,这可能导致更高的 TC 值。碲取代硒位点所产生的 FS 变化与压力效应相似。

英文摘要:

We study the electronic structure of iron-based superconductors FeSe$_{1-x}$Te$_x$ within the density functional theory. We pay particular attention to the pressure effects on the Fermi surface (FS) topology, which seem to be correlated with a critical superconducting temperature TC of iron chalcogenides and pnictides. A reduction of the FS nesting between hole and electron cylinders with increasing pressure is observed, which can lead to higher values of TC . The tellurium substitution into selenium sites yields FS changes similar to the pressure effect.

机构、总结、中文摘要均由AI分析而来,可能存在错误,请以论文正文为准。

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