Tensile-Strain Dependent Spin States in Epitaxial LaCoO$_3$ Thin Films
钙钛矿型LaCoO $_3$中Co $^{3+}$离子的自旋态受电子-晶格相互作用和强电子关联的复杂影响，由于缺乏直接检测的实验技术，至今仍存在争议。在这封信中，我们揭示了拉伸应变依赖的自旋态，$i. e.$的高，低自旋态的比例，在外延薄膜和块状晶体的LaCoO $_3$通过共振非弹性软X射线散射。当拉伸应变小于1.0%时，可以实现与体相不同的自旋态。
2017-08-30 cond-mat.str-el
All Oxide Ferromagnet/Semiconductor Epitaxial Heterostructures
基于氧化物的铁磁体/半导体异质结构为自旋电子学提供了实质性的优势。我们用脉冲激光沉积法在ZnO（0001）和Al_2 O_3（0001）衬底上生长了（111）取向的Fe_3 O_4薄膜和Fe_3 O_4/ZnO异质结构。高品质的结晶膜与马赛克蔓延小至0.03度，尖锐的接口，和均方根表面粗糙度为0.3纳米。磁化强度测量表明，具有3.2 μ B/f. u的饱和磁化强度的磁铁矿层的明确的铁磁行为。30万我们的研究结果表明，Fe 3 O 4/ZnO系统是一个有趣的和有前途的候选人实现多功能异质结构。
2008-08-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Epitaxial antiperovskite/perovskite heterostructures for materials design
我们展示了氮化物反钙钛矿Mn $_{3}$ GAN和氧化物钙钛矿（La $_{0.3}$ Sr $_{0.7}$）（Al $_{0.65}$ Ta $_{0.35}$）O $_{3}$（LSAT）和SrTiO $_{3}$之间原子级尖锐界面的制造，作为氮化物-反钙钛矿/氧化物-钙钛矿异质结构的范例。结合使用扫描透射电子显微镜（STEM）、原子分辨率光谱技术和第一性原理计算，我们研究了原子尺度的结构、组成和界面结合。我们发现，反钙钛矿和钙钛矿化合物之间的外延生长介导的一个连贯的界面单层，连接两个反结构。我们预计我们的研究结果将是开发功能性反钙钛矿/钙钛矿异质结构的重要一步，以利用其功能特性的组合，包括超低功耗应用的拓扑特性。
2019-12-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Combining half-metals and multiferroics into epitaxial heterostructures for spintronics
本文报道了用脉冲激光沉积法在SrTiO_3（001）衬底上外延生长La_2/3Sr_1/3MnO_3（LSMO）半金属铁磁体和BiFeO_3（BFO）多铁性双层薄膜。这两层的生长模式是二维的，这导致在单位细胞光滑的表面。我们表明，这两种材料保持其性质内的异质结构，即LSMO层（11 nm厚）是铁磁性的居里温度为~ 330 K，而BFO膜显示铁电性下降到非常低的厚度（5 nm）。不同BFO厚度的BFO/LSMO双层的导电尖端原子力显微镜映射揭示了BFO膜的高且均匀的电阻状态，因此可以用作基于半金属的隧道结中的铁电隧道势垒。
2005-10-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Interrelation of epitaxial strain and oxygen deficiency in La0.7Ca0.3MnO3-δ thin films
从结构和功能特性两方面研究了La_（0.7）Ca_（0.3）MnO_（3-δ）薄膜的外延应变与氧缺陷的关系。使用配备RHEED设备和高温膜温度控制的PLD系统制备厚度为1000 μ m的膜。采用SrTiO_3、（LaAlO_3）_（0.3）-（Sr_2AlTaO_6）_（0.7）和LaSrAlO_4三种不同的衬底，在0.27 ~ 0.1mbar的氧压范围内，对薄膜的外延应变和氧缺陷进行了系统的调节。可以证明，氧掺入依赖于外延应变：氧空位诱导，以适应拉伸应变，而压缩应变抑制氧空位的产生。
2014-12-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Ferromagnetism in CaRuO3 thin films by efficient route of tensile epitaxial strain
我们表明，正交CaRuO3中的铁磁（FM）有序可以通过拉伸外延应变的方式建立和稳定，CaRuO3是FM系统SrRuO3的非磁性和同构类似物。在不同程度的应变CaRuO3薄膜的结构和磁性能的相关性的研究表明，FM力矩增加与拉伸应变。这是一个实验验证的理论预测的缩放的拉伸外延应变和磁序在该系统中。我们的研究进一步确立了拉伸应变比化学途径更有效地诱导FM秩序在CaRuO3的磁矩在这些应变膜是大于化学改性的CaRu 0.9Cr 0.1O3膜。
2013-01-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Strain-dependent Insulating State and Kondo Effect in Epitaxial SrIrO$_{3}$ Films
该研究通过外延应变调控 SrIrO$_3$ 薄膜电子行为，发现压缩应变呈金属性、轻微拉伸应变呈绝缘性，并观察到近藤效应在更薄且压缩应变较小的薄膜中更强，揭示了应变调控近藤绝缘态和量子临界点的潜力。
2024-04-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Strain-mediated metal-insulator transition in epitaxial ultra-thin films of NdNiO3
我们分别在SrTiO $_3$（001）和$_{3}$（001）上，采用拉应变和压应变的逐层生长方式，制备了NdNiO $_{3}$超薄膜。结合X射线衍射，温度依赖的电阻率，和软X射线吸收光谱已被应用于阐明样品的电子和结构特性。在相反的散装NdNiO $_{3}$，金属-绝缘体的过渡下的压缩应变被发现是完全淬火，而过渡下的拉伸应变，虽然修改的散装行为。
2010-03-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Epitaxial strain effects on magnetic ordering and spin-phonon couplings in the (SrMnO$_3$)$_1$/(LaMnO$_3$)$_1$ superlattice from first principles
本文从第一性原理出发，研究了外延应变对1：1 SrMnO $_3$ /LaMnO $_3$超晶格中磁有序以及自旋与极性声子耦合的影响。观察到由外延应变引起的超晶格的磁相变，与以前的报道一致。我们发现，氧八面体旋转降低基态能量，但不破坏由应变引起的磁相变。我们计算区中心的声子频率和本征矢量作为外延应变和磁有序的函数。拉伸应变的自旋和最低频率的极性模式之间的耦合强度的大幅增加。这种增加可以归因于不同的相对耦合的各种极性模式的外延应变导致的最低模式的字符的变化。最后，自旋-声子耦合强度计算在海森堡形式主义。这种分析直接揭示了交换耦合的变化，由于特定的原子位移或声子模式，以及在整个氧化镧层和SrO层的面外交换耦合的不等价性，后者是在超晶格中的人工结构的结果。
2013-05-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tuning of crystal structure and magnetic properties by exceptionally large epitaxial strains
在具有固有结构不稳定性的材料中，通过外延应变可以实现晶格的巨大变形。通过在七种不同衬底上的共格生长，50 nm厚的Fe_（70）Pd_（30）薄膜的面内晶格常数连续变化。最大外延应变达到相对于fcc晶格的8.3%。面内晶格应变导致显著的四方畸变，范围从c/abct = 1.09到1.39，覆盖了从fcc到bcc晶体结构的大部分Bain转变路径。这对磁性键的性质产生了巨大的影响。磁性测量和X射线圆二色性（XMCD）测量表明，居里温度，轨道磁矩，磁晶各向异性在很宽的范围内调整。
2009-11-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Epitaxial-strain-induced multiferroicity in SrMnO$_{3}$ from first principles
第一性原理密度泛函计算揭示了立方SrMnO $_{3}$中大的自旋-声子耦合，铁磁有序产生极性不稳定性。通过这种耦合与钙钛矿的应变-极化耦合特性的组合，体反铁磁顺电基态SrMnO $_3$示出被驱动到以前未报道的多铁性铁电-铁磁状态，通过增加外延应变，拉伸和压缩。这种状态具有计算的极化和估计的居里温度高于54 $μ$ C/cm $^2$和92 K。预测在相界附近的大的混合的磁-电-弹性响应。
2009-12-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Epitaxially Strained BiMnO3 Films: High-Temperature Robust Multiferroic Materials with Novel Magnetoelectric Coupling
铁电和铁磁有序共存的多铁性材料是磁电应用的理想材料。不幸的是，只有很少的铁电-铁磁多铁性（具有低磁临界温度）被发现。在这里，我们进行第一性原理计算的外延应变沿赝立方[001]方向生长的BiMnO 3薄膜的性能的影响进行调查。与具有中心对称C2/c空间群的体相基态不同，拉伸外延应变稳定了具有大极化（P > 80 μC/cm 2）和高居里温度（Tc预计在169 K和395 K之间）的铁磁和铁电Cc态。更重要的是，在多铁性Cc态中存在一种新颖的本征磁电耦合，易磁化轴可由外部电场控制。
2013-08-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic orders of LaTiO$_3$ under epitaxial strain: a first-principles study
超导LaTiO $_3$块材是一种典型的Mott绝缘体，具有G型反铁磁序。本文研究了双轴应变对不同衬底上生长的LaTiO $_3$薄膜的基态磁序的影响。在压应变作用下，生长在LaAlO $_3$、LaGaO $_3$和SrTiO $_3$衬底上的LaTiO $_3$薄膜发生了从G型反铁磁到A型反铁磁的相变.其基本的物理机制是应变引起的晶格畸变。而对于拉伸应变，BaTiO $_3$和LaScO $_3$衬底表现出LaTiO $_3$向C型反铁磁体转变的趋势。此外，我们的计算发现，在外延应变下的磁性转变不改变的绝缘事实的LaTiO $_3$。
2013-10-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effect of epitaxial strain on ferroelectric polarization in multiferroic BiFeO3 films
采用脉冲激光沉积法在SrTiO 3（001）衬底上以SrRuO 3为底电极生长了厚度为40 ~ 960 nm的BiFeO 3多铁性外延薄膜。X射线衍射分析表明，随着薄膜厚度的增加，薄膜的结构由c/a ~ 1.04的角畸变四面体转变为c/a ~ 1.01的块状畸变菱面体。尽管有这种显著的结构演变，但如从沿法线方向的测量计算的，沿着扭曲的伪立方晶胞的体对角线的铁电极化几乎没有变化。
2007-12-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Epitaxial strain induced magnetic transitions and phonon instabilities of the tetragonal SrRuO3
利用密度泛函理论计算了四元SrRuO 3（SRO）在外延应变影响下的磁性和动力学性质。研究发现，在xy平面上的拉伸和压缩应变都能引起Ru原子磁矩的突变。特别地，在面内约4%的压缩应变下，诱导铁磁到铁磁转变。当拉伸应变大于3%时，Ru的磁矩随应变的增加而逐渐下降，表现为弱铁磁状态。我们发现，这种磁转变可以定性地解释的Stoner模型。此外，在Γ点的冻结声子计算表明，结构不稳定性可以发生在压缩和拉伸应变。这种不稳定性是非常相似的铁电钙钛矿氧化物，即使SRO仍然是金属在我们研究的范围内。这可能对以SRO为组分的氧化物超电池的物理性质产生影响。
2012-12-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tuning the metal-insulator transition in d^1 and d^2 perovskites by epitaxial strain: a first principles-based study
我们研究了外延应变对过渡金属（TM）阳离子具有d^1和d^2电子构型的钙钛矿体系中Mott金属-绝缘体转变（MIT）的影响。我们首先讨论由外延应变引起的晶场分裂和跳跃参数变化所预期的总体趋势。我们认为，应变引起的晶体场分裂一般有利于莫特绝缘状态，而应变引起的跳跃参数的变化有利于金属状态下的压缩应变和拉伸应变下的绝缘状态。因此，这两种效应在压缩应变下可以有效地相互抵消，而它们通常在拉伸应变下合作，在这种情况下有利于绝缘状态。然后，我们通过使用密度泛函理论（DFT）和动力学平均场论（DMFT）的组合对几种d^1和d^2钙钛矿进行电子结构计算来验证这些一般考虑。我们隔离的应变引起的变化，无论是跳频或晶体场的个别影响进行DMFT计算，我们固定一种类型的参数，相应的无应变DFT值。这些计算证实了我们对SrVO_3（d^1）和LaVO_3（d^2）的一般考虑，而LaTiO_3（d^1）的情况明显不同，这是由于下面的钙钛矿晶体结构中八面体倾斜畸变的强烈影响。我们的研究结果表明，通过使用外延应变，这使得可以控制的电子相关性的强度和附近的莫特MIT的相关TM氧化物的电子性质的调整的可能性。
2016-08-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tunable Ferromagnetism in LaCoO3 Epitaxial Thin Films
铁磁绝缘体在自旋电子学低耗散量子磁器件的发展中起着至关重要的作用。外延LaCoO 3薄膜是一种重要的铁磁绝缘体，在外延应变的作用下，LaCoO 3薄膜呈现出强的铁磁有序性。虽然很明显，强的自旋-晶格耦合诱导铁磁性，报道的外延应变LaCoO 3薄膜的铁磁性是高度一致的。例如，即使在很大程度上调制的应变下，所报道的外延应变LaCoO 3薄膜的居里温度在80-85 K之间，没有太大的偏差。在这项研究中，实质性的增强（~18%）的居里温度的外延LaCoO 3薄膜证明通过晶体取向依赖性。通过改变薄膜的晶向，降低了晶场能量，增强了Co和O轨道之间的电荷转移。这些修改导致了相当大的增强的铁磁性能（包括居里温度和磁化），尽管相同的名义程度的外延应变。这项研究的结果提供了深入了解通过结构对称性控制LaCoO 3的铁磁性能的轻便可调性。
2022-06-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Orbital Occupancy and Hybridization in Strained SrVO$_3$ Epitaxial Films
氧在过渡金属氧化物中的包裹决定了金属-氧杂化和金属轨道上的电子占据。钒酸锶（SrVO $_3$）在$3d$轨道中具有单个电子，被认为是强关联金属氧化物的最简单的例子。在这里，我们确定的SrVO $_3$薄膜的电子性质的外延应变的影响，其中的金属氧化物亚晶格是角连接。使用X射线吸收和X射线线性二色性在V $L_{2,3}$和O $K$ -边缘，它被观察到，拉伸或压缩外延应变改变层次的轨道内的$t_{2g}$和$e_g$流形。数据显示了显著的$2p-3d$杂交，以及应变诱导的V $3d$（$t_{2g}$，$e_g$）轨道重排。后者本身伴随着随后的杂交变化，其调节混合$π^*$和$σ^*$轨道以及金属离子处的载流子群，挑战刚性带图片。
2021-08-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Structural and electronic properties of epitaxially-strained LaVO_3 from density functional theory and dynamical mean-field theory
采用密度泛函理论和动力学平均场论研究了外延应变对LaVO 3晶体结构和电子性质的影响。两种不同的生长取向的晶体被认为是，一个保持体Pbnm空间群对称性和另一个引起的对称性降低到P2_1/m。在CFDFT结构中，对于这里考虑的所有拉伸应变，以及对于小于-3%的压缩应变，两种生长取向同样有利。对于较强的压缩应变，P2_1/m取向是有利的，并显示出完全抑制八面体倾斜沿面外方向。磁有序结构没有显示出完全的倾斜抑制，但趋势表明在压缩应变下平面外V-O-V键角类似地减小。我们的DMFT计算表明，在符合室温实验，体顺磁性莫特绝缘状态的LaVO_3是强大的对外延应变可达到的薄膜，因为轨道波动的抑制抵消了带宽增加的效果与压缩应变。在较强的压缩应变下，P2_1/m几何构型中的V-O-V键的拉直干扰了轨道波动的抑制，因此更强烈地扰动Mott相，尽管不足以实现金属相。
2015-10-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effect of substrate-induced strain on transport and magnetic properties of epitaxial La_0.66Sr_0.33MnO_3 thin films
研究了在不同衬底上外延生长的La_（0.66）Sr_（0.33）Mn O_3薄膜的电输运和磁性质。电输运和磁性质都与Jahn-Teller应变有很强的相关性。我们的研究表明，一个足够大的Jahn-Teller应变引起明显的半导体/绝缘状态的LSMO薄膜，即使低于各自的顺铁磁居里温度Tc，这是在矛盾与建立的Sr掺杂锰氧化物的相图。我们已经提出了一个微观模型来分析我们的数据，而不是通常在文献中使用的围绕未失真状态的扩展。该模型结合了两个相关的e_g轨道（及其排序）和Jahn-Teller和体应变通过双交换对转变温度的影响。
2007-08-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tailoring the interfacial magnetic interaction in epitaxial La$_{0.7}$Sr$_{0.3}$MnO$_3$/Sm$_{0.5}$Ca$_{0.5}$MnO$_3$ heterostructures
本文通过构建LSMO/SCMO外延异质结构，发现增加界面数量可调节交换偏置并模拟电子相分离，利用理论模型揭示了界面处铁磁与反铁磁自旋在电荷有序下的复杂相互作用。
2023-03-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic properties of bilayer Sr$_3$Ir$_2$O$_7$: role of epitaxial strain and oxygen vacancies
用{ \it ab initio}方法研究了SrIridates Ruddlesden-Popper系列SrPDMATHABMO Ir $_{m}$ O $_{3m+1}$，双层结构SrPDMATHABMR Ir $_2$ O $_7$的磁性随外延应变和氧空位的变化.与单层化合物Sr $_2$ IrO $_4$不同，其表现出稳健的面内磁序，Sr $_3$ Ir $_2$ O $_7$中的面内和面外磁序之间的能量差小得多，并且预计小的外部扰动可以诱导磁跃迁。我们的研究结果表明，外延应变产生的自旋翻转转变，这是由之间的交叉层$J_1$和层间$J_2$磁交换相互作用压缩应变。$J_1$对应变效应基本上不敏感，而$J_2$的强度在拉伸应变$\geq$ 3~ 1%时变化一个数量级。此外，我们的研究澄清了不寻常的平面内观察到的磁响应在Sr $_3$ Ir $_2$ O $_7$的应用程序时的外部磁场源于由于氧空位，倾斜的八面体网络的局部磁矩的倾斜-从而允许非共线的自旋配置。
2016-12-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic In-Plane Strain and Transport in Epitaxial Nd(0.2)Sr(0.8)MnO(3) Thin Films
报道了Nd（0.2）Sr（0.8）MnO（3）外延a轴取向薄膜的结构、形貌和电学性能，厚度为10 nm ≤ t ≤ 150 nm。薄膜生长与拉伸和压缩应变在各种基板上。据发现，在两种应变状态下的所有厚度的薄膜的拉长的晶体学的c轴保持充分应变的基板。由于高度各向异性的热膨胀，在拉伸应变下生长的膜在a和b轴上观察到松弛，从而形成单轴裂纹阵列（沿c轴）。对于后者的膜，室温面内电阻率各向异性，rho_b/rho_c，增加膜厚度的值~1000在最厚的膜研究，近似呈指数增加。张力下的膜的尼尔温度提高了约25 K的厚度无关，一致的铁磁交换沿其扩展的c轴的增强。
2009-10-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in CaVO$_3$ thin films: interplay between epitaxial strain, dimensional confinement, and surface effects
本文利用密度泛函理论和动态平均场论（DFT+DMFT）研究了$_3$薄膜金属-绝缘体相变（MIT）的多个调控参数。我们专注于分离基板引起的外延应变从那些相关的薄膜厚度减少的影响。我们表明，约3-4%的拉伸外延应变是足够的诱导过渡到一个顺磁莫特绝缘相。这对应于可以在SrTiO $_3$衬底上实现的应变水平。使用独立的平板模型，我们然后证明，减少膜厚度也可以导致MIT在CaVO $_3$，然而，只有厚度小于4钙钛矿单位。我们的计算表明，MIT在这样的超薄膜的结果主要来自表面诱导的晶体场分裂之间的$t_{2g}$ -轨道，有利于形成轨道极化的莫特绝缘体。这种表面诱导的晶场分裂与拉伸外延应变引起的晶场分裂是同一类型的，因此这两种效应也可以合作。此外，我们的计算证实了在膜表面的相关效应的增强，导致在最外层的准粒子的光谱重量减少，而批量样的性能恢复在只有几层远离表面。
2018-01-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Impact of epitaxial strain relaxation on ferromagnetism in a freestanding La2/3Sr1/3MnO3 membrane
本文利用外延剥离技术研究独立La2/3Sr1/3MnO3薄膜，发现拉伸应变弛豫导致晶胞体积收缩，进而增强了其饱和磁化强度与铁磁转变温度，展示了该材料在柔性电子学中的应用潜力。
2023-08-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tuning electronic structures via epitaxial strain in Sr2IrO4 thin films
我们已经在各种衬底上合成了外延Sr2IrO4薄膜，并研究了它们的电子结构作为晶格应变的函数。在拉伸（压缩）应变，增加（减少）的Ir-O-Ir键角预计将导致增加（减少）的电子带宽。然而，我们已经观察到，两个光学吸收峰附近的0.5 eV和1.0 eV的拉伸（压缩）应变移动到更高（更低）的能量，表明电子相关能也受到影响的面内晶格应变。晶格修正下电子结构的有效调整为研究强自旋轨道耦合和电子关联共存的物理提供了重要的视角。
2013-03-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Epitaxial growth and thermodynamic stability of SrIrO3/SrTiO3 heterostructures
获得高质量的5d过渡金属氧化物薄膜对于探索由强电子关联和自旋轨道耦合相结合而产生的奇异半金属和拓扑相是必不可少的。在这里，我们表明，SrIrO3薄膜的传输特性，通过脉冲激光沉积生长，可以通过考虑SrIrO3靶表面的激光诱导改性的效果进行优化。我们进一步表明，裸露的SrIrO3薄膜在空气中受到降解，是高度敏感的光刻处理。原位沉积的结晶SrTiO3帽层在保持膜质量方面是有效的，使我们能够测量厚度低至4个晶胞的膜中的金属输运行为。此外，SrTiO 3封装能够在不改变薄膜特性的情况下制造霍尔条等器件，从而可以对微米和纳米级器件进行精确的（磁）输运测量。
2016-08-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Giant Tuning of Electronic and Thermoelectric Properties by Epitaxial Strain in p-Type Sr-Doped LaCrO3 Transparent Thin Films
研究了外延应变对p型透明掺锶LaCrO 3薄膜的结构、电学和热电性能的影响。为此，高品质的全应变La 0.75 Sr 0.25 CrO 3（LSCO）外延薄膜生长在三个不同的（伪）立方（001）取向的钙钛矿氧化物衬底：LaAlO 3，（LaAlO 3）0.3（Sr 2AlTaO 6）0.7，和DyScO 3的分子束外延。LSCO薄膜和衬底之间的晶格失配引起了范围从-2.06%（压缩）到+1.75%（拉伸）的面内应变。电导率可以控制在2个数量级以上，范围从0.5 S/cm（拉伸应变）到35 S/cm（压缩应变）。因此，塞贝克系数S可以从127微V/K（压缩应变）到208微V/K（拉伸应变）以几乎2的因子精细地调节。有趣的是，我们表明，热电功率因数可以因此调整了近2个数量级。的压缩应变产生了显着的增强的3倍，2%的压缩应变相对于几乎放松的膜。这些结果表明，外延应变是一个强大的杠杆，以控制LSCO的电性能，并提高其热电性能，这是非常感兴趣的各种设备和关键应用，如热能采集器，冷却器，透明导体，光催化剂，和自旋电子存储器。
2021-08-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el physics.app-ph
Strain-induced atomic-scale building blocks for ferromagnetism in epitaxial LaCoO3
尽管在过去十年中进行了大量的研究，但应变诱导铁磁性的起源仍然是个谜，无论LaCoO 3（LCO）薄膜中的应变类型和程度如何，应变诱导铁磁性都是强大的。在这里，通过结合扫描透射电子显微镜与从头算密度泛函理论加U计算，我们报告说，铁磁性不直接从应变本身出现，而是从铁弹性形成的双壁域内的压缩结构单元的创建。压缩的结构单元具有岩盐型高自旋/低自旋有序的磁活性。我们的研究强调了铁磁结构单元的铁弹性质对于理解LCO薄膜中有趣的铁磁性质是重要的。
2021-05-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
