Substrate suppression of oxidation process in pnictogen monolayers
本文通过第一性原理计算研究As、Sb和Bi单层，发现SiC基底能显著抑制氧化过程并增强材料的抗氧化鲁棒性。
2023-06-30 cond-mat.mtrl-sci
Doping Dependence of Thermal Oxidation on n-type 4H-SiC
研究了掺杂对n型4 H-SiC干热氧化速率的影响。对于氮掺杂在6.5e15/cm ~ 3至9.3e18/cm ~ 3范围内的样品，在1000 ℃至1200 ℃的温度范围内进行氧化，显示出明显的掺杂依赖性。具有较高掺杂浓度的样品显示出较高的氧化速率。使用修改后的Deal-Grove模型解释结果。线性和抛物线速率常数和活化能提取。增氮使线性速率常数指前因子从10- 6 m/s增加到10- 2 m/s，抛物线速率常数指前因子从10 e9 m2/s增加到10 e6 m2/s。线性速率常数的增加归因于掺杂引起的晶格失配的缺陷，其倾向于比体晶区域更具反应性。在扩散限制的抛物线速率常数的增加是由于氧化物质量的掺杂引起的晶格失配的退化。通过观察到生长的氧化物膜的光密度从1.4降低到1.24，证实了这种劣化。线性激活能在1.6 ~ 2.8eV之间变化，抛物线激活能在2.7 ~ 3.3eV之间变化，随掺杂浓度的增加而增加。这些增加的活化能归因于较高的氮含量，导致有效键能的增加，这是由于C-Si（2.82eV）和Si-N（4.26eV）结合能的差异。这项工作提供了至关重要的信息，在工程中的SiO2的SiC MOS结构，这通常涉及非常不同的掺杂浓度的区域，并表明，在SiC中的高掺杂浓度的热氧化可能是缺陷介导的。
2010-10-04 cond-mat.mtrl-sci
Prolonging Carrier Lifetime in P-type 4H-SiC Epilayer by Thermal Oxidation and Hydrogen Annealing
Xiamen University（厦门大学）；Jiujiang Research Institute of Xiamen University（厦门大学九江研究院）；Xiamen Institute of Technology（厦门理工学院）
本研究通过热氧化和氢退火工艺有效延长P型4H-SiC外延层的少数载流子寿命，提升高电压SiC双极器件性能。
2024-12-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Mechanisms of initial oxidation of 4H-SiC (0001) and (000$\bar{1}$) surfaces unraveled by first-principles calculations
我们利用密度泛函理论对4 H-SiC中Si面和C面氧化的初始阶段进行了电子态计算。我们研究了每个Si和C原子的网站是如何在C和Si面氧化，并探讨最可能的反应途径，相应的能量势垒，以及氧化过程中可能产生的缺陷。我们发现，Si面和C面上的碳湮灭过程不同，这种不同导致了不同的界面缺陷：在C面情况下，（1）碳原子作为CO分子直接从衬底上解离。(2)CO解离后，在界面处观察到3重配位氧原子（称为Y-lid）。(3)，高密度的C-悬挂键可以保留在界面处。在Si面的情况下，（1），C原子不可避免地在界面形成碳纳米簇（由几个原子组成），以减少那里的悬挂键的数量。此外，我们还发现碳纳米团簇不仅由单化学键组成，而且还由双化学键组成。(2)在分子动力学模拟中，我们观察到CO分子从碳纳米团簇中解离出来。此外，我们还研究了H $_2$和NO分子是否与本研究中发现的缺陷反应。
2016-12-01 cond-mat.mtrl-sci
Intrinsic Origin of Negative Fixed Charge in Wet Oxidation for Silicon Carbide
基于第一性原理计算，我们证明了SiO $_2$中类碳酸根结构的形成可能是SiC热氧化过程中负固定电荷的内在来源.我们发现负固定电荷的两个可能来源是O孤对电子态和SiO $_2$中带负电荷的CO $_3$离子。这种CO $_3$离子能够由于SiO $_2$中存在残留的C原子（其预期从SiC和SiO $_2$之间的界面发射）以及在湿氧化期间掺入H原子而形成。
2012-04-25 cond-mat.mtrl-sci
Characterization of Interface Traps in SiO$_2$/SiC Structures Close to the Conduction Band by Deep-Level Transient Spectroscopy
用恒电容深能级瞬态谱研究了氧化气氛和晶面对界面陷阱密度的影响，以阐明它们的来源。通过比较在N $_2$ O气氛中氧化的低迁移率界面的DLTS谱与在湿气氛中氧化的C面上的高迁移率界面的DLTS谱，发现在与晶面无关的低迁移率界面中，通常在距导带边缘0.16 eV的能量附近观察到高密度的陷阱（$C1$陷阱）。另外，还发现了晶面特有的陷阱的产生和消除：（1）$C1$陷阱只能在C面上通过湿氧化消除，（2）在SiC/SiO $_2$界面上只能在Si面上观察到$O2$陷阱（0.37 eV）。通过湿氧化在Si面上产生$O2$陷阱和在C面上消除$C1$陷阱可以由晶面特有的氧化反应引起。
2014-09-25 cond-mat.mtrl-sci
Interface stability of beta-Ga2O3 (100) on oxidized Si- and C-terminated 3C-SiC (001) substrates: a first-principles investigation
Department of Materials Science, University of Milano-Bicocca（米兰比可卡大学材料科学系）
通过第一性原理计算研究β-Ga₂O₃与氧化Si/C-终止3C-SiC界面的稳定性，优化异质外延生长条件。
2026-02-23 cond-mat.mtrl-sci
Effect of Oxygen Adsorption on the Local Properties of Epitaxial Graphene on SiC (0001)
利用低能电子显微镜（LEEM）、微探针低能电子衍射（\muLEED）和微探针角分辨光电子能谱（\muARPES）研究了氧吸附对SiC（0001）表面单层石墨烯局域结构和电子性质的影响。我们发现，SiC（0001）上的外延石墨烯缓冲层在氧化后部分去耦。氧化过程的监测表明，氧饱和的Si悬挂键，打破一些Si-C键在界面处，并插入石墨烯层。精确控制氧化参数使我们能够调整层中的电荷密度调制。
2012-06-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Atomic-Scale Dynamics of the Formation and Dissolution of Carbon Clusters in SiO2
SiC的氧化产生SiO2，同时释放CO。然而，在较低温度下的“再氧化”步骤对于生产高质量的SiO2是必要的。该步骤被认为净化了残留C的氧化物，而没有SiC衬底的进一步氧化。我们报告的第一性原理计算，描述的成核和生长的O-缺乏的C簇在二氧化硅氧化条件下，由生产的CO在前进的接口，并通过供应O再氧化条件下逐渐溶解。我们预测，在这两个步骤中都释放出CO和CO2。
2001-05-29 cond-mat.mtrl-sci
First-principles calculations that clarify energetics and reactions of oxygen adsorption and carbon desorption on 4H-SiC ($11\bar20$) surface
我们报告的静态和动态的第一性原理计算，提供原子的图片的氧化过程发生在（$11\bar20$）表面的4 H-SiC的初始阶段。我们的研究结果揭示了氧的吸附和碳原子的解吸的反应途径和它们相关的自由能势垒。我们发现氧吸附表现出结构的多重稳定性，并且表面桥位点是随后氧化的最稳定和关键位点。我们发现，一个接近O $_2$分子吸附，然后解离，最后迁移到这些表面桥网站的自由能垒为0.7 eV的（$11\bar20$）表面。我们还发现，一个CO分子从亚稳氧化结构解吸后，克服的自由能势垒为2.4 $\sim$ 2.6 eV，从而构成的湮灭过程中的C在氧化过程中的一个。比较了CO分子在（$11\bar20$）和（$000\bar1$）表面上的脱附结果。在（$000\bar1$）表面上发现了表面悬挂键的催化作用，导致CO脱附能的急剧降低，并且该作用的微观图像归因于从Si到C悬挂键的电子转移。本征（$11\bar20$）表面不显示这种催化效应，这是因为表面由等量的Si和C悬挂键组成，并且电子转移发生在脱附之前。
2016-11-16 cond-mat.mtrl-sci
Local anodic oxidation on hydrogen-intercalated graphene layers: oxide composition analysis and role of the silicon carbide substrate
我们研究了纳米级局部阳极氧化（LAO）的氢插层石墨烯生长的碳化硅（SiC）的控制升华。扫描探针显微镜（SPM）被用作光刻和表征工具，以调查的纳米制造结构的局部性能。石墨烯氧化过程后观察到的异常厚度与LAO对衬底的影响有关。显微拉曼光谱被用来证明存在两个氧化制度取决于所施加的偏压。我们表明，部分和全部单层石墨烯的蚀刻可以通过调整偏置电压在LAO。最后，通过扫描电子显微镜和能量色散谱（EDS）实现了完整的组成表征。
2018-05-02 cond-mat.mtrl-sci
Interplay between O defects and SiC stacking at the SiC/SiO$_2$ interface
通过第一性原理计算，研究了在热氧化过程中存在和不存在O缺陷的情况下，SiC堆积对4 H-SiC/SiO $_2$界面的影响.已知4 H-SiC（0001）具有两种不同的表面类型，这取决于两个晶格位置$h$或$k$中的哪一个位于表面[K. Arima \textit{et al} .，应用物理信函\textbf{90}，202106（2007）]。我们发现沿SiC的导带边缘的层间状态，其位置的变化取决于界面类型，从而也缺陷的影响。当$h$位点直接在界面处时，O缺陷去除界面导带边缘态。另一方面，当$k$位点在界面处时，导带边缘对O缺陷的存在不敏感。这些差异将影响SiC器件的操作，因为最常用的基于SiC的金属氧化物半导体场效应晶体管依赖于导带的电子结构。
2015-08-07 cond-mat.mtrl-sci
Formation of a Buffer Layer for Graphene on C-face SiC{0001}
利用低能电子衍射（LEED）和低能电子显微镜（LEEM）研究了在富硅环境中加热SiC（000-1）表面（{0001}表面的C面）制备的石墨烯薄膜。石墨化后，通过原位LEED观察到具有rt（43）x rt（43）-R7.6度对称性的界面。氧化后，界面呈现rt（3）× rt（3）-R30度对称性。电子反射率测量表明，这些界面结构产生于石墨烯和SiC之间形成的石墨烯状“缓冲层”，类似于在Si面SiC上观察到的。从动态LEED结构计算的氧化的C面表面，它被发现由石墨烯层坐在硅酸盐（Si 2 O3）层的顶部，与硅酸盐层具有众所周知的结构，如先前研究的裸SiC（000-1）表面。在此基础上，对氧化前的界面结构进行了讨论。
2014-01-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Film structure of epitaxial graphene oxide on SiC: Insight on the relationship between interlayer spacing, water content, and intralayer structure
在碳化硅上生长的多层石墨烯的化学氧化产生的膜表现出可再现的特性，横向均匀性，大面积的光滑度和可管理的化学复杂性，从而打开机会，以加速这种形式的氧化石墨烯膜的基本理解和技术应用。在这里，我们调查这些超薄氧化膜的垂直层间结构。X射线衍射、原子力显微镜和IR实验表明，多层膜表现出优异的层间配准，少量（<10%）的插层水，以及约9.35 μ m的出乎意料的大的层间分离。密度泛函理论计算表明，“氧化石墨烯膜中水少但层间距大”的明显矛盾可以通过考虑由碳层形成的多层膜来解释，该多层膜在纳米级上呈现非均匀氧化，其中非氧化和高度氧化的纳米-畴共存，并且其中在堆叠层的氧化区域之间捕获的少量水分子足以解释所观察到的大的层间分离。这项工作揭示了在碳化硅上生长的氧化石墨烯薄膜的垂直和层内结构，更一般地说，它提供了关于石墨烯/氧化石墨材料的层间间距，水含量和结构之间关系的新见解。
2014-03-18 cond-mat.mtrl-sci
Few layers graphene on 6H-SiC(000-1): an STM study
我们已经通过扫描隧道显微镜（STM）分析了由在6 H-SiC的C终止面上生长的几个（3-5个）石墨烯层制成的薄膜，以确定在该材料中报道的方位角无序的性质。我们观察到的超结构被解释为莫尔图案由于连续层之间的取向差角。堆垛层错的存在预计会导致电子性质，使人联想到单层石墨烯，即使是多层样品。我们的结果表明，这种明显的电子退耦层可以显示在STM数据。
2008-01-08 cond-mat.mtrl-sci
A Table-Top Formation of Bilayer Quasi-Free-Standing Epitaxial-Graphene on SiC(0001) by Microwave Annealing in Air
我们提出了一种在SiC（0001）上制备双层准自支撑外延石墨烯（QFSEG）的方法。通过在空气中对在SiC（0001）上生长的单层外延石墨烯（EG）施加微波退火，缓冲层从SiC衬底解耦并且变成第二EG层，如通过低能电子衍射、高分辨率透射电子显微镜、拉曼散射光谱、X射线光电子能谱学和角度分辨光电子能谱学所确认的。去耦的最可能的机制是由SiC表面的氧化给出的，这与在空气中的常规退火方法中发生的情况非常相似，但是处理时间少一个数量级以上。
2017-05-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Graphene intercalation of the large gap quantum spin Hall insulator bismuthene
本研究通过将铋烯插层于SiC和石墨烯之间并引入氢，成功解决了其在空气中易氧化的问题，保持了拓扑完整性，为基于铋烯的器件开发铺平了道路。
2025-02-03 cond-mat.mtrl-sci
Large area quasi-free standing monolayer graphene on 3C-SiC(111)
在立方碳化硅（即3C-SiC（111）表面）上获得大规模、均匀的准自立式单层石墨烯，这代表了用于石墨烯生长的吸引人且成本有效的平台。准自由单分子层是通过在界面（6 root 3x 6 root 3）R30重构碳层下插入氢而产生的。插层后，角度分辨光电子能谱（ARPES）揭示了尖锐的线性π带。通过X射线光电子能谱（XPS）和低能电子衍射（LEED）鉴定石墨烯与衬底的解耦。原子力显微镜（AFM）和低能电子显微镜（LEEM）表明，均匀的单层域延伸超过数百平方微米的面积。
2011-09-28 cond-mat.mtrl-sci
The effect of the buffer layer coupling on the lattice parameter of epitaxial graphene on SiC(0001)
掠入射X射线衍射（GID）被用于探测SiC（0001）上原子级薄碳层的结构：具有$6(\sqrt{3}\times\sqrt{3})$ R30 $^\circ$周期性的所谓缓冲层（BL）、在BL顶部的单层石墨烯（MLG）和双层石墨烯（BLG）。通过拉曼光谱补充GID分析。用GID高精度地测量了各层的晶格参数。结果表明，界面BL是MLG中应变的主要来源，它通过插层促进BL与衬底的脱耦，使BL转变为石墨烯，从而导致MLG的弛豫和准独立BLG的形成.
2014-06-24 cond-mat.mtrl-sci
Formation of Graphene on SiC(000-1) Surfaces in Disilane and Neon Environments
利用乙硅烷和氖环境，研究了SiC（000-1）表面（{0001}表面的C面）上石墨烯的形成。在这两种情况下，石墨烯和SiC之间的界面被发现是不同于在真空中形成石墨烯。在界面处形成了复杂的低能电子衍射花样，其rt（43）× rt（43）-R \pm 7.6°对称性。观察到基本上由石墨烯组成的界面层，并且认为该层与下面的SiC共价键合的方式产生rt（43）x rt（43）-R \pm 7.6°结构[即类似于在SiC（0001）表面（Si面）上形成的6 rt（3）x 6 rt（3）-R30°“缓冲层”]。发现表面的氧化改性（消除）rt（43）x rt（43）-R \pm 7.6°结构，其以与Si面缓冲层发生的已知“去耦”相同的方式解释。
2012-05-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Graphene formed on SiC under various environments: Comparison of Si-face and C-face
通过原子力显微镜、低能电子显微镜和拉曼光谱研究了在超高真空、1 atm氩气和10^-6至10^-4 Torr乙硅烷等各种环境中形成的SiC {0001}表面上石墨烯的形态。石墨烯是通过将表面加热到1100 - 1600 ℃来形成的，这导致Si原子的优先升华。氩气气氛或乙硅烷的背景降低了升华速率，从而需要更高的石墨化温度，从而改善了薄膜的形貌。对于（0001）表面，以这种方式形成大面积的单层厚度的石墨烯，这些区域的大小取决于样品的误切。（000-1）曲面上的结果更为复杂。该表面在比（0001）表面更低的温度下石墨化，因此生长更三维。在氩气气氛中的形态变得更糟，与表面显示显着不均匀的成核，一个效果归因于无意中的氧化的表面在石墨化。发现对于（000-1）表面使用乙硅烷环境产生改善的形态，具有相对大面积的单层厚石墨烯。
2012-01-05 cond-mat.mtrl-sci
Epitaxial growth of mono- and (twisted) multilayer graphene on SiC(0001)
Forschungszentrum Jülich（于利希研究中心）；RWTH Aachen University（亚琛工业大学）
本文研究了在SiC(0001)上利用硼吖嗪高温退火解耦ZLG缓冲层以制备扭转双层石墨烯（tBLG），发现高温会破坏生长自限制性导致多层覆盖，提出插层等替代方法以实现tBLG的完全覆盖。
2024-11-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Density functional theory study of quasi-free-standing graphene layer on 4H-SiC(0001) surface decoupled by hydrogen atoms
外延生长在SiC（0001）表面的石墨烯在实验和理论上都得到了广泛的研究。发现在这种结构中的第一外延石墨烯层是缓冲层，即在与其相关联的能带结构中不存在特征狄拉克锥。Riedl等人（Phys.Rev.Lett. 103，246804（2009））最近在他们的实验工作中观察到，SiC-石墨烯样品的氢嵌入可以恢复自立式石墨烯典型的电子性质。采用从头计算方法对石墨烯层脱耦过程中的氢渗透路径和氢原子的能量稳定位置进行了模拟。从所获得的结果可以得出，由于嵌入，石墨烯层移动离开以实现与SiC表面的约3.9 A的距离。电子能带结构，计算这种准独立的石墨烯，表现出Dirac-cone行为，这是在协议与ARPES测量。
2010-03-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Unexpected Structures for Intercalation of Sodium in Epitaxial Graphene-SiC Interfaces
我们使用扫描隧道显微镜，光谱学和从头计算，几个嵌入结构存在于SiC（0001）上的外延石墨烯中的钠。插层在室温下发生，Na电子掺杂石墨烯。它插层在单层石墨烯和富碳界面层之间。它还渗透到界面层下方并将其折叠以形成第二石墨烯层。这种去耦加速退火，并验证了直接钠沉积到界面层。我们的观察表明，石墨烯中的嵌入与石墨中的嵌入有着根本的不同，并且是一种多功能的电子控制手段。
2011-11-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Ambipolar charge transport in quasi-free-standing monolayer graphene on SiC obtained by gold intercalation
我们提出了一个准独立的单层石墨烯的研究，通过在碳缓冲层（Bu-L）和硅终止面（0001）的4 H-碳化硅之间的界面处插入Au原子获得。通过在Bu-L上沉积原子级薄的Au，然后在氩气气氛中在850 °C下退火来实现Au嵌入。通过表面科学表征和顶栅电子器件中的电子输运，我们探索了Au的嵌入和Bu-L到准自支撑单层石墨烯中的去耦。通过依赖于栅极的磁输运，我们发现，Au嵌入缓冲层显示单层石墨烯的所有属性，即栅极可调双极传输跨狄拉克点，和n-或p-型掺杂取决于Au含量。
2020-04-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Influence of the degree of decoupling of graphene on the properties of transition metal adatoms
我们利用低温扫描隧道显微镜和光谱研究了$3d$过渡金属（TM）吸附原子的吸附位置。在SiC（0001）表面制备了两种石墨烯，即单层外延石墨烯（MLG）和单层准自支撑石墨烯（QFMLG），并对其吸附性能进行了研究。在QFMLG的情况下，确定了两个稳定的吸附位点，而在MLG的情况下，只观察到一个吸附位点。我们的实验结果揭示了退耦效率作为一个决定的吸附网站，以及$3d$过渡金属原子在石墨烯上的电子性质的关键参数。此外，我们表明，钴原子吸附在QFMLG的狄拉克费米子的强散射势，并在其附近引起谷间散射。
2013-11-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Resonantly-enhanced Raman response in graphene-capped bismuthene on SiC
Universität Würzburg（维尔茨堡大学）；Würzburg-Dresden Cluster of Excellence ctd.qmat, Universität Würzburg（维尔茨堡大学 würtzburg-dresden 卓越集群 ctd.qmat）；Sapienza University of Rome（罗马第一大学）；RWTH Aachen University（亚琛工业大学）；Forschungszentrum Jülich（于利希研究中心）；Institut für Theoretische Physik und Astrophysik, Universität Würzburg（维尔茨堡大学理论与天体物理研究所）；TUD Dresden University of Technology（德累斯顿工业大学）
该研究针对石墨烯覆盖铋烯封装确认依赖超高真空技术的问题，采用非原位快速拉曼表征，确认铋烯E₂g声子，发现共振增强拉曼响应，确立拉曼显微光谱为探测石墨烯保护量子材料的通用工具。
2026-08-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
An Air-Stable and Atomically Thin Graphene/Gallium Superconducting Heterostructure
二维分层和原子级薄的元素超导体可能是下一代量子技术的关键成分，如果它们可以在环境条件下稳定并集成到异质结构设备中。然而，由于快速氧化，原子级薄的元素超导体在超高真空之外基本上未被探索，即使是2D层状超导体也需要复杂的封装策略来保持材料质量。在这里，我们展示了环境稳定，单晶，几个原子厚的超导镓，2D-Ga，在外延石墨烯（EG）和碳化硅（SiC）的界面处通过限制异质外延（CHet）产生。2D-Ga在4K下变成超导体;这种高于体α-Ga（Tc~1 K）的升高主要归因于费米能级处的态密度增加，因为在α-Ga中看到的初始Ga-Ga二聚化通过外延到SiC而被抑制。我们还证明了控制SiC表面形态（即台阶高度）和石墨烯层中的缺陷工程的重要性之前，插层实现大面积均匀的2D-Ga层具有各向同性的传输特性。这项工作表明，独特的2D形式的3D材料可以稳定在EG/SiC界面上，这代表了一种可扩展的路线，使空气稳定的晶体2D超导体成为下一代量子技术的潜在基础。
2019-06-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Highly p-doped graphene obtained by fluorine intercalation
我们提出了一种通过在界面处插入一层氟来解耦生长在SiC（0001）上的外延石墨烯的方法。氟原子不进入与石墨烯的共价键，而是饱和衬底Si键。氟原子的这种配置引起了p \approx 4.5 \times 1013 cm-2的非常大的空穴密度，相当于费米能级在狄拉克点ED以上0.79 eV处的位置。
2011-04-14 cond-mat.mtrl-sci
Single-layer behavior and slow carrier density dynamic of twisted graphene bilayer
我们报道了SiC衬底上扭曲石墨烯双层的扫描隧道显微镜（STM）和光谱（STS）。对于扭转角~ 4.5 °，由于石墨烯/SiC界面处的电子掺杂，狄拉克点ED位于费米能级EF以下约0.40 eV。我们观察到了一个意想不到的结果，在STS测量过程中（时间尺度约为100秒），纳米尺度缺陷周围的局部狄拉克点向费米能移动。这种现象是由于在测量过程中扭曲的石墨烯和衬底之间的去耦，这同时降低了石墨烯的载流子密度。
2012-06-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electron-phonon coupling in quasi free-standing graphene
准自支撑单层石墨烯可以通过在外延石墨烯和衬底晶体之间插入如氧或氢的物质来产生。如果石墨烯确实与衬底解耦，则可以预期观察到类似的电子色散和多体效应，而与用于实现解耦的衬底和材料无关。在这里，我们研究了两种不同类型的准独立单层石墨烯的电子-声子耦合：通过氢嵌入从SiC去耦和通过氧嵌入从Ir去耦。这两个系统显示出类似的整体行为的自能和弱重整化附近的费米能量的带。电子-声子耦合被发现是足够弱的耦合常数λ的精确测定通过重整化困难。两个系统的λ估计值均为0.05（3）。
2012-10-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
