碲化铋（Bi 2 Te 3）及其合金是目前已知的最好的块体热电材料。Bi 2 Te 3的堆叠准二维（2D）层也被识别为拓扑绝缘体。在本文中，我们描述了一种方法，石墨烯启发剥离结晶碲化铋薄膜的厚度为几个原子。原子级薄膜悬浮在Si/SiO2衬底的沟槽中，并进行详细的表征。范德华能隙的存在使我们能够将Bi_2 Te_3晶体分解成五个单元--由Te（1）-Bi-Te（2）-Bi-Te（1）组成的五个单原子片。通过改变原子平面的厚度和顺序，我们能够创建设计师非化学计量的准2D晶体薄膜，改变它们的成分和掺杂以及其他特性。剥离的五元组和超薄膜具有低热导率、高电导率和增强的热电性能。所获得的结果为制备用于热电器件的具有强空间限制的载流子和声学声子的碲化铋晶体量子阱堆叠铺平了道路。用于制备Te（1）-Bi-Te（2）-Bi-Te（1）的自支撑准二维层的开发的技术为拓扑绝缘体的研究及其可能的实际应用创造了动力。
英文摘要：
Bismuth telluride (Bi2Te3) and its alloys are the best bulk thermoelectric materials known today. The stacked quasi-two-dimensional (2D) layers of Bi2Te3 were also identified as topological insulators. In this paper we describe a method for graphene-inspired exfoliation of crystalline bismuth telluride films with a thickness of a few atoms. The atomically thin films were suspended across trenches in Si/SiO2 substrates, and subjected to detail characterization. The presence of the van der Waals gaps allowed us to disassemble Bi2Te3 crystal into its quintuple building blocks - five mono-atomic sheets consisting of Te(1)-Bi-Te(2)-Bi-Te(1). By altering the thickness and sequence of atomic planes we were able to create designer non-stoichiometric quasi-2D crystalline films, change their composition and doping, as well as other properties. The exfoliated quintuples and ultra-thin films have low thermal conductivity, high electrical conductivity and enhanced thermoelectric properties. The obtained results pave the way for producing stacks of crystalline bismuth telluride quantum wells with the strong spatial confinement of charge carriers and acoustic phonons for thermoelectric devices. The developed technology for producing free-standing quasi-2D layers of Te(1)-Bi-Te(2)-Bi-Te(1) creates an impetus for investigation of the topological insulators and their possible practical applications.
Tunneling behavior of bismuth telluride nanoplates in electrical transport
我们研究了溶液化学合成法生长的碲化铋（Bi 2 Te 3）纳米片的电输运性质。由Bi 2 Te 3纳米片组成的器件是通过将溶液滴在结构化的金片上后进行表面处理制成的，并且电阻的温度依赖性显示出非金属行为。在我们的实验结果和基于简单哈密顿量的表面电导的理论计算中，都观察到了I-V中的对称隧穿行为，其中不包括载流子-载流子相互作用。在这里，我们提出了两个设备：一个显示对称，另一个显示两步隧穿行为。后者可以理解为无序。
Chromium-Doped Bismuth Antimony Telluride for Future Quantum Hall Resistance Standards
自2017年以来，外延石墨烯一直是美国电阻国家标准的基础材料。电学计量学内的研究的未来途径是消除对强磁场的需要，如当前对于表现出量子霍尔效应的器件的情况。量子霍尔效应只是围绕着最近的量子物理现象，如复合费米子，电荷密度波和拓扑性质[1-2]的许多研究工作之一。磁掺杂拓扑绝缘体（MTIs）等新材料提供了量子反常霍尔效应的途径，其理想形式可能成为未来的电阻标准，只需一个小的永磁体即可激活量子电阻值[3-5]。此外，这些设备可以在零场测量下工作，使欧姆的传播更加经济和便携。在这里，我们提出了精确测量的结果的h/e2量化平台的铬掺杂（BixSb 1-x）2 Te 3，并给他们的背景下，通过比较它们与现代石墨烯为基础的电阻标准。最终，基于MTI的设备可以与磁场厌恶约瑟夫森电压标准结合在一个系统中，以获得替代的量子电流标准。
