Low temperature annealing studies of Ga1-xMnxAs
高和低场磁输运测量，以及SQUID测量的磁化强度，进行了Ga 1-xMnxAs外延生长的低温分子束外延，随后在各种条件下退火。我们观察到一个大的增强铁磁性的样品时，退火在最佳温度，通常约280 ℃。这种最佳退火导致居里温度的增加，伴随着电导率和饱和磁化强度的增加。在最佳条件下退火的Ga_（1-x）Mn_xAs的矫顽场和磁阻率也有所降低。我们认为，本文报道的实验结果与Ga 1-xMnxAs的畴结构的变化有关。
2002-07-15 cond-mat.mtrl-sci
Ferromagnetism in (In,Mn)As alloy thin films grown by metalorganic vapor phase epitaxy
研究了In_（1-x）Mn_xAs薄膜的铁磁特性。室温铁磁秩序观察到名义上的单相薄膜与x = 0.01-0.10。磁化强度测量表明，这些In 1-xMnxAs样品的居里温度为333 K。居里温度与Mn浓度无关。随温度变化的磁化强度的大小的饱和磁化强度和微观结构的数据表明，在单相薄膜的高温铁磁性的来源是不属于MnAs纳米沉淀。高的转变温度归因于近邻Mn对的存在。
2003-10-06 cond-mat.mtrl-sci
Metal-insulator transition by isovalent anion substitution in Ga1-xMnxAs: Implications to ferromagnetism
研究了Ga_（1-x）Mn_xAs中部分等价阴离子取代对电输运和铁磁性的影响。用P取代仅2.4%的As在x=0.046的恒定Mn掺杂下诱导金属-绝缘体转变，而用N取代0.4%的As导致x=0.037的从金属到绝缘体的交叉。这种显着的行为是一致的，其中位于杂质带内的空穴被分散的合金无序的阴离子亚晶格的情况。介导铁磁性的空穴的较短的平均自由程在向As亚晶格中引入3.1%P（1%N）后将居里温度TC从113 K降低至60 K（100 K至65 K）。
2008-07-23 cond-mat.mtrl-sci
Ferromagnetic semiconductor (In,Ga,Mn)As with Curie temperature above 100 K
我们用分子束外延法在InP衬底上生长了Mn组分x达到0.13的（InyGa_（1-y））_（1-x）Mn_xAs铁磁半导体层。在晶格匹配成分附近，即，y ~ 0.53时，居里温度随有效Mn组分x_eff线性增加，符合经验公式T_C= 1300 x_eff。当x相对较高（x>0.1; x_eff>0.08）且空穴浓度在10^19 cm^-3的量级时，我们得到的居里温度高于100 K。
2002-01-21 cond-mat.mtrl-sci
Stoichiometric growth of high Curie temperature heavily-alloyed GaMnAs
重合金化，100 nm的Ga 1-xMnxAs（x>0.1）的薄膜，通过低温分子束外延利用组合技术，允许系统控制过量的砷在生长过程中获得。可再现的，优化的电子，磁性和结构特性被发现在一个狭窄的范围内的化学计量的生长条件。化学计量材料的居里温度为150-165 K，并且在大的生长条件窗口内与x无关，而替代Mn含量线性增加，与空穴介导铁磁性的齐纳模型的预测相矛盾。
2008-03-22 cond-mat.mtrl-sci
High Curie temperature GaMnAs obtained by resistance-monitored annealing
我们表明，退火Ga 1-xMnxAs薄膜的温度显着低于以前的研究，并监测生长过程中的电阻率，可以获得前所未有的高居里温度Tc和导电性。对于锰浓度x=0.05，Tc明确确定为118 K，对于x=0.06，Tc确定为140 K，对于x=0.08，Tc确定为120 K。我们还确定了一个明确的相关性Tc和室温电导率。结果表明，居里温度显着超过目前的值是可以实现的生长和生长后退火条件的改善。
2002-09-24 cond-mat.mtrl-sci
High Curie temperature and perpendicular magnetic anisotropy in homoepitaxial InMnAs films
采用离子注入和脉冲激光熔化的方法制备了不同Mn浓度的稀磁半导体InMnAs。的In 1-xMnxAs外延层的居里温度取决于Mn浓度x，达到82 K x=0.105。Mn离子在In位的取代引起垂直于InMnAs层的压缩应变和沿面内方向的拉伸应变。这导致大的垂直磁各向异性，这对于磁化的电控制的演示和自旋转移矩诱导的磁化反转通常是需要的。
2015-06-04 cond-mat.mtrl-sci
Compositional tuning of ferromagnetism in Ga1-xMnxP
我们报告的磁性和输运性质的Ga 1-xMnxP通过离子注入，然后通过脉冲激光熔化的范围内的x，即0.018至0.042合成。与Ga 1-xMnxAs一样，Ga 1-xMnxP显示出铁磁居里温度的单调增加，其中x与空穴介导的铁磁相相关，而高于300 C的热退火导致铁磁性的淬灭，伴随着Mn的替代分数的减少。然而，与Ga 1-xMnxAs中的观察相反，Ga 1-xMnxP在整个组成范围内是非金属的。在较低的温度下，薄膜是铁磁性的，空穴传输通过Mn衍生带中的跳跃传导发生;在较高的温度下，它产生于价带中的空穴，这些空穴在随x收缩的能隙上被热激发。
2006-08-04 cond-mat.mtrl-sci
Ferromagnetism in (In,Mn)As Diluted Magnetic Semiconductor Thin Films Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
采用金属有机物气相外延（MOVPE）生长了In 1-xMn xAs稀磁半导体（DMS）薄膜。使用三羰基（甲基）锰作为Mn源。在生长温度Tg>475 ℃时，获得了Mn含量高达x=0.14的名义单相外延膜。对于较低的生长温度和较高的Mn浓度，纳米尺度的MnAs沉淀物中检测到的In 1-xMnxAs矩阵。利用超导量子干涉仪（SQUID）磁强计研究了薄膜的磁性。在x=0.1的样品中观察到室温铁磁有序。磁化强度测量表明居里温度为333 K，室温饱和磁化强度为49 emu/cm ^3。剩余磁化强度和矫顽场都很小，分别为10 emu/cm ^3和400 Oe。根据最近提出的几个磁性原子的小团簇形成理论，讨论了这种高温铁磁性的机制。
2002-05-28 cond-mat.mtrl-sci
The Hall effect and hole densities in high Tc GaMnAs thin films
通过研究一系列低电阻率Ga_（1-x）Mn_xAs样品中的霍尔效应，在0.015 ≤ x ≤ 0.08范围内获得了空穴密度p、Mn浓度x和居里温度Tc的精确值。空穴密度对应于低x时Mn浓度的90%，并且当Tc= 125 K，x=0.06时具有最大值1.0x10-27 m-3。这一数据允许第一次有意义的比较平均场预测的居里温度与实验在很宽的范围内的x。理论与实验定性一致，但在大x时高估了Tc，在低x时低估了Tc。
2002-08-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Compensation-dependence of magnetic and electrical properties in Ga1-xMnxP
通过引入补偿空位，我们证明了Ga_（1-x）Mn_xP中空穴浓度在很宽范围内的控制。由此产生的居里温度从51 K到7.5 K的演变是非常相似的观察到的Ga 1-xMnxAs尽管两种材料系统之间的空穴传输的显着不同的字符。在Ga 1-xMnxP中空穴的高度局部化性质反映在电阻率的许多数量级的伴随增加中。基于变温电阻率数据，我们提出了一个一般的图片中，可变范围跳跃的补偿存在的主要运输机制的空穴传导。
2010-12-14 cond-mat.mtrl-sci
Hole compensation effect in III-Mn-V dilute ferromagnetic semiconductors
本文系统地研究了（Ga，Mn）As，（In，Mn）As和（Ga，Mn）P中的空穴补偿效应，即离子辐照缺陷补偿效应对磁性能的影响。在所有材料中，居里温度和磁化强度都随着空穴补偿的增加而降低，证实了根据p-d齐纳模型的空穴介导的铁磁性的描述。居里温度和磁化强度与空穴补偿的材料依赖性表明，通过离子辐照对III-Mn-V稀铁磁半导体中的磁性的操纵受到所产生的缺陷相对于半导体中的带边的能级位置的强烈影响。
2019-07-11 cond-mat.mtrl-sci
p-type codoping effect in (Ga,Mn)As: Mn lattice location versus magnetic properties
本文对（Ga，Mn）As的p型共掺杂进行了系统的研究。通过逐渐增加Zn掺杂浓度，空穴浓度增加，根据p-d Zener模型，这在理论上应导致居里温度（TC）的增加。出乎意料的是，尽管薄膜保持其外延结构，但TC和磁化强度都降低。随着空穴浓度的增加，样品呈现出从铁磁性到顺磁性的相变。在中间区域，我们观察到反铁磁性的特征。通过使用沟道卢瑟福背散射光谱和粒子诱导的X射线发射，观察到的替代Mn原子移动到间隙网站，而更多的Zn原子占据Ga网站，这解释了所观察到的行为。这也与第一性原理计算一致，表明置换Zn和间隙Mn的络合物具有最低的形成能。
2019-08-26 cond-mat.mtrl-sci
Hydrostatic pressure study of paramagnetic-ferromagnetic phase transition in (Ga,Mn)As
本文研究了流体静压对（Ga，Mn）As顺磁-铁磁相变的影响.居里温度（TC）随压力的变化用两种输运方法监测：（1）零场电阻率随温度ρ（T）的变化;（2）霍尔电压磁滞回线随温度的变化。对两个不同电阻率特性的试样进行了检测。两种样品的压力引起的TC变化相对较小（约为1 K/GPa），但两者相反。
2011-08-19 cond-mat.mtrl-sci
Effect of magnetocrystalline anisotropy on magnetocaloric properties of AlFe$_{2}$B$_{2}$ compound
本研究通过积分$M$--$H$曲线估算AlFe$_{2}$B$_{2}$的磁晶各向异性能，揭示单轴各向异性在居里温度以上仍有限，并解释其对磁热熵变曲线差异的影响。
2021-12-15 cond-mat.mtrl-sci
Itinerant versus localized magnetism in spin gapped metallic half-Heusler compounds: Stoner criterion and magnetic interactions
本文系统研究自旋能隙金属半赫斯勒化合物的磁性起源，结合cRPA计算的斯托纳判据区分巡游与局域磁性，并对磁性基态计算交换参数、居里温度及自旋波性质。
2025-06-03 cond-mat.mtrl-sci
Synthesis, Structure, and Ferromagnetism of a New Oxygen Defect Pyrochlore System Lu2V2O_{7-x} (x = 0.40-0.65)
从已知的面心立方铁磁半导体烧绿石化合物Lu_2V_2O_7（记作Lu_2V_2O_6O '）出发，合成了一个新的面心立方氧缺陷烧绿石结构体系Lu_2V_2 O_{7-x}（x = 0.40 ~ 0.65）。Rietveld X射线衍射精修显示x >= 0.5时显著的Lu-V反位无序。晶格参数相对于x（包括x = 0）在x ~ 0.4处显示出明显的最大值。我们建议，这些意见可以解释，如果氧缺陷的O'亚晶格的结构。磁化率与温度的关系表现出居里-外斯行为高于150 K的所有x，与居里常数C的增加与x的离子模型中预期的。然而，磁化强度测量还表明，（铁磁）Weiss温度θ和铁磁有序化温度T_C都随着x的增加而强烈降低，而不是像预期的那样从C（x）增加。T_C从x = 0时的73 K下降到x = 0.65时的21 K。此外，在5 K下，在5.5 T的场处的饱和矩几乎与x无关，其中期望值为固定的自旋1/2/V。后三个观察结果表明，Lu 2 V2 O_{7-x}可能包含由氧缺陷掺杂引起的金属背景中的局部自旋1/2钒矩，而不是如由C（x）依赖性所建议的半导体。
2006-10-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic properties of perovskites La$_{0.7}$Sr$_{0.3}$Mn$_{0.7}^{3+}$Mn$_{0.3-x}^{4+}$Ti$_x$O$_3$:Monte Carlo simulation versus experiments
本文用Monte Carlo方法研究了钙钛矿$_{0.7}$ MnPDMATHABMO Mn $_{0.3-x}^{4+}$ TiPDMATHABMQ O $_3$（$x$ = 0.1，0.2和0.25）的相变。我们考虑到最近邻（NN）之间的相互作用磁性离子锰$^{3+}$（$S=2$）和锰$^{4+}$（$S=3/2$）使用的自旋模型描述强各向异性的$z$轴。我们计算了均匀和交错磁化以及爱德华-安德森序参量作为温度的函数，有和没有施加磁场。拟合在$x=0$的实验居里温度，我们估计在系统中的各种交换相互作用的值。占主导地位的是Mn $^{3+}$和Mn $^{4+}$之间的铁磁有序的起源。NN Mn $^{3+}$之间的非常小的相互作用$J\_2$的影响进行了分析：我们表明，它可以导致$T\_c$以上的反铁磁相消失在较小的$J\_2$或Mn $^{3+}$浓度小于0.55。我们的研究结果表明，与实验上的替代浓度$x=0.1$，0.2和0.3的磁化。我们还研究了外加磁场对磁化强度的影响，并将我们得到的结果与在$x=10\%$进行的实验进行了比较。
2016-05-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Room temperature coexistence of large electric polarization and magnetic order in BiFeO3 single crystals
从实验的角度来看，BiFeO 3的室温铁电性提出了许多问题。对BiFeO_3和Pb（Ti，Zr）O_3固溶体的电学测量表明，在居里温度TC= 1143 K以下，BiFeO_3中存在自发的电极化的强度。然而，在大多数报道的工作中，合成的样品在室温下导电性太强，无法在不受外部物理或化学参数影响的情况下在本体中获得清晰的极化回路。令人惊讶的是，到目前为止，还没有报道的P（E）（极化对电场）环在室温下的BiFeO 3单晶。我们在这里描述我们的程序合成陶瓷和生长质量好的大尺寸单晶的助熔剂法。我们证明BiFeO 3确实是铁电在室温下通过证据，通过压电力显微镜和P（E）环。极化被发现是大的，约60微C/cm 2，一个值，只有在薄膜达到。磁测量使用SQUID磁强计和穆斯堡尔谱。后者证实了核磁共振测量的结果有关的各向异性的超精细领域归因于磁摆线结构。
2007-06-04 cond-mat.mtrl-sci
Enhanced RCP and large inverse magnetocaloric effect of CoFe$_2$O$_4$ nanoparticles synthesized by auto-combustion method
本文研究溶胶–凝胶自燃烧法制备的 CFO 纳米颗粒，表征其结构与磁性，并通过 Maxwell 方法获得高 RCP 和巨大磁热温变，表明其适用于室温磁制冷与医疗领域。
2023-08-11 cond-mat.mtrl-sci
Structural and Magnetic Investigations of Single-Crystals of the Neodymium Zirconate Pyrochlore, Nd2Zr2O7
我们报道了阻挫磁体Nd $_2$ Zr $_2$ O $_7$的大单晶的结构和磁性研究。粉末X射线衍射分析证实了Nd $_2$ Zr $_2$ O $_7$为烧绿石结构。室温X射线衍射和飞行时间中子散射实验表明，晶体的化学计量组成没有可测量的网站混乱。磁化率的温度依赖性表明，在温度低至0.5 K时没有磁有序。拟合的磁化率数据使用居里-外斯定律揭示了Nd时刻之间的铁磁耦合。磁化强度与磁场的测量结果表明，<111>在基态的Nd $^{3+}$离子沿轴向具有局部伊辛各向异性。零磁场下比热随温度的变化表明，在低于$T\sim7$ K时存在热异常，但在低于0.5 K时没有观察到磁有序的证据。用晶体场论分析了单晶体直流磁化率和等温磁化强度的温度关系，确定了晶体场参数和交换耦合常数。
2015-05-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spin glass like behavior in the novel layered material Na_2IrO_3
我们合成了一种新型材料Na_2IrO_3，并利用粉末X射线衍射（PXRD）、电阻率、等温磁化强度M与磁场H、静态和动态磁化率χ_ac与温度T以及热容C与温度T的关系研究了其结构、输运、磁性和热性质。Na_2IrO_3晶体具有单斜C2/c（No.15）结构，该结构由Na和NaIr_2O_6层沿c轴交替堆叠而成。从Rietveld细化的PXRD图案，我们确定的Ir和Na的网站内的NaIr_2O_6层的混合所产生的原子无序。H = 1 T时的χ数据显示了在> 100 K的高温下的居里-外斯行为，有效磁矩μ_eff = 1.82（1）μ_B，表明Ir^{4+}磁矩上的有效自旋S_eff = 1/2。外斯温度θ=-62（1）K表明这些S_eff = 1/2，Ir^{4+}磁矩之间存在着实质性的反铁磁相互作用。低场下的χ数据在T_g = 5.5K处出现一个尖锐的尖峰，在此T以下零场冷却（ZFC）和场冷却（FC）数据出现了一个分叉。χ ac数据还显示，在频率f = 1 Hz时，在Tg = 5.5 K处有一个尖锐的尖点，随着f的增加，尖点向高温移动。在我们的C测量中，在T_g没有观察到任何异常，只有在更高的T = 12 K时观察到宽肩。结果表明，Na_2IrO_3在低于凝固温度T_g = 5.5K时出现类自旋玻璃态，这种凝固很可能是由结构无序或几何磁挫挫引起的。
2010-06-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic properties of carbon nanodisk and nanocone powders
我们研究了由纳米盘、纳米锥和一小部分炭黑颗粒组成的碳粉的磁性。使用超导量子干涉装置在磁场$-5<μ_{0}H<5\:\mathrm{T}$中进行磁化测量，温度范围为$2\leq T<350\:\mathrm{K}$。这些碳样品的磁化强度$M$与温度$T$和磁场$μ_{0}H$的测量显示出抗磁性和顺磁性，并具有额外的铁磁性贡献。铁磁磁化强度与通过粒子诱导X射线发射法（$<75\:μ\mathrm{g/g}$）确定的Fe杂质的计算磁化强度一致。在弱磁场中的磁化测量显示出热滞后，并且对于强磁场，磁化$M$随着温度升高而随着$M\sim aT^{-α}$和$α<1$降低，这比居里定律（$α=1$）慢。磁化强度$M$与磁场$μ_{0}H$的关系分别在温度$T=2\:\mathrm{K}$和$15\leq T\leq50\:\mathrm{K}$下表现出顺磁自由自旋$S=\frac{1}{2}$和$\frac{3}{2}$行为。电子自旋共振发现，当温度$T$降低（$2<T<40\:\mathrm{K}$）时，电子有局域化的趋势。在这些碳锥和盘粉末样品的磁性是更复杂的自由自旋模型预测，这显然是有效的温度$T=2\:\mathrm{K}$。
2013-12-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Antiferromagnetic Mott insulating state in single crystals of the hexagonal lattice material Na2IrO3
我们合成了Na_2IrO_3单晶，并利用粉末X射线衍射（PXRD）、电阻率、等温磁化强度M与磁场H、磁化率χ与温度T以及热容C与温度T的关系研究了它们的结构、输运、磁性和热性质。Na_2IrO_3晶体为单斜\emph{C2/c}（No.15）型结构，由Na和NaIr_2O_6层沿c轴交替堆叠而成。χ（T）数据显示了在> 200 K的高温下的居里-外斯行为，有效磁矩μ_eff = 1.82（1）μ_B，表明Ir^4+磁矩上的有效自旋S_eff = 1/2。大的外斯温度θ=-116（3）K表明这些S_eff = 1/2，Ir^4+磁矩之间存在着大量的反铁磁相互作用。χ（T）和C（T）数据的尖锐异常表明，Na_2IrO_3在T_N = 15 K以下经历了向长程反铁磁有序态的转变. T_N处的磁熵仅为S_eff = 1/2矩序时的20%左右。约化熵和较小的T_N/θ \approx 0.13表明Na_2IrO_3中存在几何磁阻挫和/或低维磁相互作用。在平面电阻率测量显示绝缘行为。这与局域磁矩一起表明Na_2IrO_3是一种莫特绝缘体。
2010-06-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetocaloric effect near room temperature in chromium telluride (Cr2Te3)
本研究发现碲化铬（Cr2Te3）在近室温下具有增强的磁卡效应，在0.1 T磁场下磁熵变达2.36 J/kg-K，制冷容量为160 J/kg，并通过DFT计算验证了其磁性与结构相变。
2024-11-17 cond-mat.mtrl-sci
Neutron Depolarization due to Ferromagnetism and Spin Freezing in CePd$_{1-x}$Rh$_x$
我们报告的中子去极化测量的抑制长程铁磁性和出现的磁不可逆性和自旋冻结在CePd $_{1-x}$ Rh $_x$周围$x^*\approx0.6$。跟踪的温度与场的历史的中子去极化，我们发现明确的签名远距离伊辛铁磁性低于居里温度$T_{\rm C}$的$x=0.4$和自旋冻结的微小铁磁簇低于冻结温度$T_{\rm F1}$的$x>x^*$。在零场冷却/场加热和$x>x^*$的重入温度依赖性的中子去极化之间的$T_{\rm F2}<T_{\rm F1}$和$T_{\rm F1}$是微观一致的热激活的集群大小的增长。的退极化的演变以及作为Rh含量的函数的再入温度依赖性是一致的形成的近藤集群玻璃低于$T_{\rm F1}$相邻的铁磁量子相变在$x^*$。
2022-09-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Relationship between polymorphic structures and magnetic properties of La$_{2-x}A'_{x}$Ni$_{7}$ compounds ($A$' = Sm, Gd)
本研究通过X射线衍射和磁性测量，揭示了La$_{2-x}A'_{x}$Ni$_{7}$（$A'$=Sm, Gd）的多晶型结构（2H/3R）与磁性能的关联，发现Sm掺杂产生硬磁行为，Gd掺杂产生软铁磁行为。
2025-02-27 cond-mat.mtrl-sci
Competing magnetic interactions and magnetocaloric effect in Ho$_5$Sn$_3$
稀土金属间化合物Ho $_5$ Sn $_3$具有温度驱动的多重磁转变和场驱动的变磁性。我们通过实验和理论研究相结合的方式来研究这种激发化合物的磁性。Ho $_5$ Sn $_3$在低于$~28$ K时反铁磁有序，并在15 K和12 K时表现出进一步的自旋重取向转变.我们在Ho $_5$ Sn $_3$中观察到了相当大的低温磁热效应，在30 K附近，当外加磁场为$H$ = 50 kOe时，熵变最大值$ΔS$ = -9.5 JKg $^{-1}$ K $^{-1}$.当温度高于15 K时，磁热效应很重要，磁滞几乎为零。有趣的是，$ΔS$被发现改变其符号从正到负的温度增加到约8 K以上，这可以链接到多个自旋重取向转变。在$ΔS$与$H$图中可以看到变磁性的特征。基于密度泛函理论计算得到的磁基态对电子间的有效库仑相互作用（$U_{\rm eff}$）敏感。根据$U_{\rm eff}$的值，基态可以是铁磁或反铁磁的。该化合物在磁场冷却状态下表现出大的弛豫（60 min内磁化强度变化14%），并随时间呈对数变化，这可能与我们在理论计算中观察到的竞争磁性基态有关。从顺磁居里-外斯温度的小值也可以看出竞争的磁性基态。
2021-06-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Synthesis, Characterization and Magnetic Susceptibility of the Heavy Fermion Transition Metal Oxide LiV_{2}O_{4}
详细报道了重费米子过渡金属氧化物LiV_{2} O_{4}的制备方法、表征和磁化率χ随温度T的变化。本征χ（T）在低于~ 30 K时表现出几乎与T无关的行为，在约16 K时有一个浅而宽的最大值，而在高于50-100 K时观察到Curie-Weiss行为。场冷却和零场冷却的磁化强度M测量中施加的磁场H = 10至100 G从1.8至50 K没有证据表明自旋玻璃秩序。晶体电场理论的一个假设的立方V点群对称性被发现不足以描述所观察到的温度变化的有效磁矩。Kondo和Coqblin-Schrieffer模型没有描述χ与实际参数的大小和T依赖性。在高温范围内，用高温级数展开法计算的χ（T）拟合值提供了V-V反铁磁交换耦合常数J/ k_{B} ~ 20 K，g因子g ~ 2和T无关磁化率的估算值。讨论了描述χ（T）的其他可能模型。样品中的顺磁性杂质使用等温M（H）测量来表征，其中0 < H <= 5.5特斯拉，温度为2至6 K。根据样品，推断这些杂质的自旋S_{imp}约为3/2至4，g_{imp}约为2，摩尔浓度为0.01至0.8%。
1998-12-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
