Giant anomalous Hall conductivity in the itinerant ferromagnet LaCrSb3 and the effect of f-electrons
巡游铁磁体是一类重要的材料，其中自旋极化可以以非平凡的方式影响电输运性质。一种这样的现象是异常霍尔效应，其取决于能带结构的细节，例如铁磁体的价带中的带交叉量。本文在巡游铁磁金属LaCrSb_3中发现了异常的霍尔效应。而二维性质的磁性子单元赋予大的各向异性异常霍尔电导率为1250 S/cm在2K。我们的研究表明，一个强大的Berry曲率丰富的动量空间交叉和狭窄的能隙开口的异常霍尔电导率的主要来源。一个重要的观察结果是LaCrSb 3中存在准无色散带，现在已知它会增加异常霍尔电导率。引入f电子后，NdCrSb 3的反常霍尔电导率增加了两倍以上，达到2900 S/cm。
2021-05-03 cond-mat.mtrl-sci
Unconventional Scaling of the Anomalous Hall Effect Accompanying Electron Localization Correction in the Dirty Regime
标度的异常霍尔电导率的纵向电导率，已观察到在肮脏的制度的二维弱和强本地化区域中的双晶，多晶，化学无序，铁磁FePt膜。电子输运和温度之间的关系揭示了在这些薄膜中的库仑相互作用的定量无关紧要，而温度依赖的异常霍尔电导率经历量子校正从电子局域化。在这种校正开始时，当FePt膜的厚度减小时，低温反常霍尔电阻率开始饱和，并且相应的霍尔电导率标度指数变为2，其高于最近的统一理论1.6（σ_AH \propto σ^1.6_xx）。我们的结果强烈地表明，电子局域化的修正调制的标度指数的异常霍尔效应。
2012-10-11 cond-mat.mtrl-sci
Giant anomalous Hall effect in ultrathin Si/Fe bilayers
Indian Institute of Technology Bombay（印度理工学院孟买分校）
研究发现超薄Si/Fe双层结构中存在巨异常霍尔效应，其霍尔灵敏度达到433欧姆/特斯拉，远超现有半导体传感器。
2026-01-16 cond-mat.mtrl-sci
Microscopic mechanisms of Strong Electron Scattering and Giant Anomalous Hall Effect in high-Curie-temperature Fe3GaTe2 van der Waals Films
本文通过层厚和温度调控Fe3GaTe2霍尔条器件，揭示其电子散射由杂质和声子散射主导，反常霍尔效应主要源于斜散射贡献，并与侧跳和内禀贝里曲率贡献竞争，为自旋电子学应用提供理论依据。
2025-06-02 cond-mat.mtrl-sci
Interplay between carrier and impurity concentrations in annealed Ga$_{1-x}$Mn$_{x}$As intrinsic anomalous Hall Effect
研究退火Ga $_{1-x}$ Mn $_{x}$的标度行为作为反常霍尔系数，我们注意到一个普遍的交叉制度，标度行为从二次变化到线性，分别归因于反常霍尔效应的内在和外在起源。此外，测得的异常霍尔电导率时，适当缩放的载流子浓度保持恒定，等于理论预测值，跨越近十年的电导率以及超过100 K的T $_{C}$。定性和定量的一致性证实了新的运动方程的有效性，包括Berry相位的贡献以及本征反常霍尔效应的可调谐性。
2006-03-30 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Hall effect in Rashba two-dimensional electron systems based on narrow-band semiconductors: side-jump and skew scattering mechanisms
采用螺旋基动力学方程方法研究了二维窄带半导体中的反常霍尔效应，同时考虑了Rashba耦合和非本征自旋轨道（SO）耦合，以及由外加驱动电场直接诱导的SO耦合.考虑到电子-杂质的长程散射，在第二玻恩近似下，我们发现反常霍尔电流的各种成分可分为两类：（a）侧跳反常霍尔电流和（b）斜散射反常霍尔电流。侧跳的反常霍尔电流不仅包括来自非本征SO耦合的贡献，还包括来自驱动电场引起的SO耦合的贡献。它还包含一个组件，这是由Rashba SO耦合，并涉及到非对角元素的螺旋基分布函数。斜散射反常霍尔效应是由分布函数对角元的各向异性引起的，它是Rashba相互作用和非本征SO相互作用共同作用的结果。进一步，我们对典型的InSb/AlInSb量子阱中的反常霍尔效应进行了数值计算。侧跳和斜散射异常霍尔电导率的磁化强度和Rashba SO耦合常数的依赖关系进行了研究。
2006-09-18 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Hall effect arising from noncollinear antiferromagnetism
在大多数导体中，垂直于电场方向的电流（霍尔电流）可以用带电粒子在外部磁场中流动时存在的洛伦兹力来解释。然而，正如埃德温·霍尔（Edwin Hall）在早期的工作中所建立的那样，铁磁导体（如Fe、Co和Ni）具有异常的霍尔电导率贡献，该贡献不能归因于洛伦兹力，因此在没有磁场的情况下仍然存在。尽管反常的霍尔效应在实验上很强，但在上个世纪的大部分时间里，它一直是金属输运效应中的一个，因为它缺乏一个有用的预测性的、普遍接受的理论。过去十年的进展解释了原因。现在很清楚，铁磁体中的反常霍尔效应既有与决定大多数输运系数的机制类似的非本征散射机制的贡献，也有与散射无关的本征机制的贡献。在顺磁体中也观察到异常霍尔效应，顺磁体具有由外部磁场感应的非零磁化。虽然没有明确的关系已经建立，异常霍尔效应在一个特定的材料通常被认为是成比例的磁化。在这项工作中，我们指出，它是可能有一个异常的霍尔效应在非共线反铁磁体与零净磁化提供某些常见的对称性是缺席的，并预测Mn3Ir，一个技术上重要的反铁磁材料与非共线秩序，生存到非常高的温度，有一个令人惊讶的大异常霍尔效应的大小可比的元素过渡金属铁磁体。
2013-09-16 cond-mat.mtrl-sci
Universal Scaling Behavior of Anomalous Hall Effect and Anomalous Nernst Effect in Itinerant Ferromagnets
本文研究了铁磁金属中的反常霍尔效应和反常能斯特效应，对它们的起源有了统一的认识。我们显示了一个普遍的标度行为的异常霍尔电导率$σ_{xy}$作为纵向电导率$σ_{xx}$的函数超过五个数量级，这是很好地解释了最近的理论的AHE考虑到内在和外在的贡献。ANE与AHE密切相关，并为我们提供了更多关于巡游铁磁体低温电子态的信息。横向Peltier系数$α_{xy}$的温度依赖性在各种铁磁体中表现出几乎相似的行为，并且这种行为与Mott规则的预期定量一致。
2006-10-12 cond-mat.mtrl-sci
Strong, anisotropic anomalous Hall effect and spin Hall effect in chiral antiferromagnetic compounds Mn$_3X$ ($X$ = Ge, Sn, Ga, Ir, Rh and Pt)
用$ab~initio$能带结构和Berry相计算方法，对几种手性反铁磁化合物Mn $_3X$（$X$ = Ge，Sn，Ga，Ir，Rh和Pt）的本征反常霍尔效应和自旋霍尔效应进行了全面的研究.这些研究揭示了本征反常霍尔效应和自旋霍尔效应的大的各向异性值。Mn $_3X$材料表现出非共线的反铁磁顺序，为了避免几何挫折，形成布置在Kagome型晶格中的Mn矩的平面。相对于这些Kagome平面，我们发现，无论是异常霍尔电导率（AHC）和自旋霍尔电导率（SHC）是相当各向异性的任何这些材料。根据我们的计算，我们提出了如何最大限度地提高AHC和SHC不同的材料。的能带结构和相应的电子填充，我们表明是必不可少的，以确定AHC和SHC，这些不同的化合物进行了比较。我们指出，Mn $_3$ Ga显示出约600 $(\hbar/e)(Ω\cdot cm)^{-1}$的大SHC。我们的工作为在手性反铁磁材料中实现强反常霍尔效应和自旋霍尔效应提供了新的思路。
2017-04-04 cond-mat.mtrl-sci
Electron-Magnon Scattering in Anomalous Hall Effect
我们研究了电子-磁振子散射在反常霍尔效应中所起的作用。我们发现，它有重要的贡献不同于其他散射过程，如杂质散射和声子散射。作为演示，我们计算了二维Dirac模型的霍尔电导率.结果表明，随着系统控制参数的变化，磁振子散射与其它类型散射的竞争使霍尔电导率发生剧烈变化。特别地，侧跳贡献可以获得强烈的温度依赖性。
2009-11-16 cond-mat.mtrl-sci
Exchange biased Anomalous Hall Effect driven by frustration in a magnetic Kagome lattice
Co3Sn2S2是一种铁磁Weyl半金属，由于其大的反常霍尔效应而成为科学界关注的焦点。我们表明，这种材料的拓扑性质的耦合，其磁织构导致一个强烈的交换偏置异常霍尔效应。我们认为，这可能是由铁磁性和自旋玻璃相的共存，后者被驱动的几何挫折固有的可果美网络的磁性离子。
2019-07-15 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Hall effect in a two-dimensional electron gas
利用Kubo-Streda方法研究了具有Rashba自旋轨道耦合的二维磁性电子气中存在点状势杂质时的反常霍尔效应.我们发现当两个手征子带都被占据时，所有对反常霍尔电导率的贡献都消失到无序强度的主导顺序。在只占据主要子带的情况下，在弱散射极限下，所有项都是有限的，总的反常霍尔电导率由斜散射决定。我们将我们的结果与以前的治疗方法进行了比较，并解决了文献中存在的一些差异。
2007-06-01 cond-mat.mtrl-sci
Giant anomalous Hall and Nernst effect in magnetic cubic Heusler compounds
磁性和拓扑结构的相互作用为奇异的线性响应效应提供了可能性，例如异常霍尔效应和异常能斯特效应，这些效应可以通过在电子结构中设计强的贝瑞曲率来强烈增强。甚至有可能利用这一点在高温下通过降低维度来创建量子反常霍尔态。磁性Heusler化合物是用于此目的的一类有前途的材料，因为它们生长在薄膜中，具有高居里温度，并且它们的电子结构具有强拓扑特征。在这里，我们提供了一个全面的研究磁性立方全Heusler化合物的固有异常传输，我们说明了几个Heusler化合物优于迄今为止报道的最好的材料。结果揭示了对称性的重要性，特别是镜像平面，结合磁性对巨反常霍尔效应和能斯特效应的影响，这对于线性响应（自旋霍尔效应，自旋轨道力矩等）是普遍有效的。由内在贡献主导。
2020-03-27 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Hall magnetoresistance in a ferromagnet
在时间反演对称性破缺的导电铁磁体中观察到的反常霍尔效应，为铁磁体中电子的自旋和轨道自由度耦合提供了可能性。除了电荷之外，反常的霍尔效应还导致在垂直于电流和磁化方向的表面处的自旋累积。在这里，我们的实验表明，自旋积累，随后的自旋回流，和自旋电荷转换可以引起一个不同类型的自旋电流相关的磁阻，这里称为异常霍尔磁阻，它具有相同的角度依赖最近发现的自旋霍尔磁阻。在共溅射的（Fe_（1-x）Mn_x）_（0.6）Pt_（0.4）、Fe_（1-x）Mn_x和Pt多层膜、Fe_（1-x）Mn_x（x = 0.17 ~ 0.65）和Fe四种样品中观察到了反常的霍尔磁电阻效应，并用漂移扩散模型进行了分析。我们的结果提供了一个替代路线，研究铁磁体中的电荷自旋转换，并利用它为潜在的自旋电子学应用。
2018-06-08 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Hall and Nernst Effects in FeRh
具有可调相变的反铁磁体在未来的自旋电子学应用中具有广阔的前景。我们研究了FeRh薄膜的自旋相关输运性质，该薄膜表现出温度驱动的反铁磁-铁磁相变。在MgO（001）衬底上外延生长的FeRh薄膜表现出明显的磁性和电子相变。通过在很宽的温度范围内进行反常霍尔效应和反常能斯特效应的测量，我们证明了热驱动跃迁在相变的两侧表现出明显不同的横向输运。特别地，观察到异常霍尔和能斯特信号的符号变化。
2020-12-28 cond-mat.mtrl-sci
Effect of inversion asymmetry on the intrinsic anomalous Hall effect in ferromagnetic (Ga,Mn)As
电子运动的相对论性质的基础上的异常霍尔效应，被认为是占主导地位的铁磁（Ga，Mn）As的固有部分。在本文中，我们集中在晶体的能带结构作为一个重要的方面来描述这种现象。使用不同的k.p和紧束缚计算方案，我们捕获的Berry曲率和异常的霍尔电导率的体反转不对称性的强烈影响。同时，我们发现它不影响（Ga，Mn）As的其他重要特性，即居里温度和单轴各向异性场。我们的结果扩展了铁磁半导体中反常霍尔效应的已有理论，并揭示了其令人困惑的本质。
2010-04-21 cond-mat.mtrl-sci
Unconventional anomalous Hall effect from magnetization parallel to the electric field
在反常霍尔效应（AHE）中，假设磁化、电场和霍尔电流相互垂直。在这项工作中，我们提出了一个非常规的AHE的磁化，电场和霍尔电流留在同一平面内。这种AHE在时间反转下是奇数的，并且即使当磁化平行于电场或霍尔电流时也存在，这不同于在时间反转下是偶数的平面霍尔效应。在这里，我们称之为平行反常霍尔效应（PAHE）。我们发现，PAHE存在时，所有的点群旋转和反射对称性被打破的Berry曲率场不一定平行于磁化轴。我们进一步证明了铁磁Weyl半金属FeCr $_2$ Te $_4$中的PAHE。
2021-05-26 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Hall effect in the Co-based Heusler compounds Co$_{2}$FeSi and Co$_{2}$FeAl
本文研究了Heusler化合物Co $_{2}$ FeSi和Co $_{2}$ FeAl中反常霍尔效应（AHE）随退火温度的变化规律，从而对AHE的起源有了一个较全面的认识。我们已经证明，晶体质量受退火过程的影响是一个重要的控制参数，以调整电阻率$ρ_{xx}$以及异常霍尔电阻率$ρ_{ahe}$。根据$ρ_{xx}$分析$ρ_{ahe}$的标度行为，指出温度依赖的斜散射是两种Heusler化合物的主要机制。
2011-09-26 cond-mat.mtrl-sci
Giant anomalous Hall and anomalous Nernst Conductivities in Antiperovskites and their Tunability via Magnetic Fields
反常霍尔电导（AHC）和反常能斯特电导（ANC）是铁磁材料中两种重要的输运现象。基于第一性原理计算，我们计算了35个立方铁磁反钙钛矿（APV）的AHC和ANC，观察到Co 3LiN和Co 3 PtN的巨大AHC和ANC分别高达1128 S/cm和6.27 AK-1 m-1。详细的分析表明，巨ANC的起源可以归因于费米能附近的外尔节点的出现，如Co 3 PtN所示。有趣的是，AHC和ANC的幅度和符号都可以通过改变磁化（M）方向来调节，这可以应用于实现自旋热电子器件。
2021-07-28 cond-mat.mtrl-sci
Room temperature intrinsic anomalous Hall effect in disordered half-metallic ferromagnetic quaternary Heusler alloy CoRuFeSi
National Institute of Technology Andhra Pradesh（安得拉邦国立技术学院）；Indian Institute of Technology Hyderabad（海德拉巴印度理工学院）；Institute of Low Temperature and Structure Research, Polish Academy of Sciences（波兰科学院低温结构研究所）；Indian Institute of Technology Kanpur（坎普尔印度理工学院）；UGC-DAE Consortium for Scientific Research, Kolkata Centre（UGC-DAE科学研究中心加尔各答中心）
研究发现四元Heusler合金CoRuFeSi在室温下具有显著的内在异常霍尔效应，其源于Berry曲率机制，为自旋电子器件提供了新机遇。
2026-01-19 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Hall effect induced spin Hall magnetoresistance in an antiferromagnetic Cr2O3/Ta bilayer
在Cr2 O3/Ta结构中观察到自旋霍尔磁电阻（SMR）和反常霍尔效应（AHE）。研究了Cr_2 O_3/Ta双层膜的结构和表面形貌。纵向和横向电阻测量的温度依赖性证实了Cr2 O3/Ta结构中SMR和AHE信号之间的关系。通过温度相关的磁电阻测量，揭示了Cr_2O_3/Ta结构中SMR的物理起源，并证实了AHE产生的自旋电流对SMR的贡献。Cr_2O_3/Ta双层膜中SMR和AHE的关系可能是由Cr_2O_3膜中的体反铁磁有序引起的边界磁化引起的。
2018-10-27 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous, anomalous Hall effect in the layered, Kagome, Dirac semimetal KV$_3$Sb$_5$
电子反常霍尔效应（AHE）是物理学中最基本和最广泛研究的现象之一，其中电荷载流子获得与所施加的电场正交的速度分量。已知有几种不同的AHE机制，并且材料示例受到高度追捧，然而在高导电性（偏斜散射）机制中，焦点集中在铁磁金属周围。在这里，我们报告的观察一个巨大的外来AHE KV $_3$锑$_5$，可剥离，狄拉克半金属与Kagome层的钒原子。虽然还没有关于磁有序度低至0.25 K的报道，但异常霍尔电导率（AHC）达到$\approx$ 15，507 $Ω^{-1}$ cm $^{-1}$，异常霍尔比（AHR）为$\approx$ 1.8 $ \%$ ;比Fe大一个数量级。与斜散射理论的预期相反，KV $_3$ Sb $_5$显示出增强的斜散射效应，该效应与纵向电导率（$σ_{xx}$）成二次关系，而不是线性关系，从而打开了在金属中达到90 $^{\circ}$的异常霍尔角（AHA）的可能性;这种效应被认为是为量子异常霍尔绝缘体保留的。这一观察结果提出了关于AHE的基本问题，并为AHE（以及相应的SHE）探索开辟了一个新的前沿，刺激了材料新方向的研究，包括金属几何阻挫磁体，自旋液体候选者和团簇磁体。
2019-12-27 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Hall effect in field-effect structures of (Ga,Mn)As
本文研究了以（Ga，Mn）As薄层为沟道的金属-绝缘体-半导体结构中的反常霍尔效应。在具有最高居里温度的样品中发现了异常霍尔电导$σ_{xy}$的强烈和意外的温度依赖性，包括符号的变化。对于更无序的通道，$σ_{xy}$和$σ_{xx}$之间的标度关系，类似于以前观察到的较厚的样品，恢复。
2011-01-08 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Hall effect in a two dimensional electron gas with magnetic impurities
磁性杂质在许多与自旋电子学相关的材料中起着重要作用。基于这一事实，我们研究了磁性杂质存在下的反常霍尔效应，重点研究了具有Rashba自旋轨道耦合的二维电子系统。我们发现一个高度非线性的依赖于杂质的极化，包括可能的符号变化。在小的杂质磁化，这是一个显着的结果，即线性项是独立的自旋轨道耦合强度的后果。当杂质自旋接近饱和时，由于电势和磁散射之间的干涉，反常霍尔电导率可以共振增强。
2007-11-21 cond-mat.mtrl-sci
Interface engineering of the anomalous Hall effect in Ni-based heterostructures
Indian Institute of Technology Bombay（印度理工学院孟买分校）；Indian Association for the Cultivation of Science（印度科学促进协会）
本研究通过实验和第一性原理理论结合的方法，揭示了Ni基 epitaxial 薄膜异质结构中异常霍尔效应的界面工程，发现界面反演对称性破缺诱导的Rashba自旋轨道相互作用是调控异常霍尔电导的关键机制，并展示了通过外部电场连续调制异常霍尔电导的可行性。
2026-05-16 cond-mat.mtrl-sci
High spin polarization of the anomalous Hall current in Co-based Heusler compounds
基于本征反常和自旋霍尔电导的第一性原理密度泛函计算，我们预测了Co基全Heusler化合物Co $_2$ XZ中的电荷霍尔电流（X = Cr和Mn; Z = Al、Si、Ga、Ge、In和Sn），除了Co $_2$之外，即使Co $_2$ MnAl，Co $_2$ MnGa，Co $_2$ MnIn和Co $_2$ MnSn不具有半金属能带结构。此外，相关的自旋电流与电荷霍尔电流的比率略大于1.0。这表明这些Co基Heusler化合物，特别是Co $_2$ MnAl，Co $_2$ MnGa和Co $_2$ MnIn，它们被发现具有大的反常和自旋霍尔电导率，可以被称为反常霍尔半金属，并且可以在自旋电子学例如自旋阀以及磁阻和自旋扭矩驱动的纳米器件中具有有价值的应用。这些有趣的发现进行了讨论，在计算的电子能带结构，磁矩和异常和自旋霍尔电导率作为费米能级的函数。
2013-03-03 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Hall Effect in Thin Film of the Weyl Antiferromagnet Mn$_3$Sn
Weyl反铁磁体Mn $_3$ Sn最近引起了人们的极大关注，因为它表现出各种有用的功能，例如反铁磁体通常不存在的大的反常霍尔效应。在这里，我们报告的薄膜制造的单相锰$_3$锡和大的反常霍尔效应在室温下，尽管其消失的小磁化观察。我们在高质量外尔反铁磁薄膜生长方面的工作为发展反铁磁自旋电子学铺平了道路。
2018-10-27 cond-mat.mtrl-sci
Absence of skew scattering in two-dimensional systems: Testing the origins of the anomalous Hall effect
我们研究了自旋极化，非对称限制的二维电子和空穴系统中的异常霍尔电导率，重点是斜散射的贡献的运输。我们发现，斜散射，主要负责的非本征贡献的异常霍尔效应，消失的二维电子系统，如果两个手征Rashba子带被部分占用，总是消失的二维空穴气研究这里，无论带填充。我们的预测可以用建议的共面二维电子/空穴气器件进行测试，并可以作为一个基准，以了解从晶体到外部异常霍尔效应的交叉。
2007-02-20 cond-mat.mtrl-sci
Quantum Anomalous Hall Effect through Canted Antiferromagnetism
大多数倾斜反铁磁体也是反常霍尔反铁磁体（AHE AFM），即它们具有反常霍尔响应和具有相同对称性要求的其他响应。我们认为，AHE原子力显微镜是有前途的材料作为主机的高温量子反常霍尔效应。通过考虑具有强自旋-轨道耦合的二维（001）钙钛矿层模型，该模型隔离了$t_{2g}$流形的有效总角动量$\tilde{j}= \frac{1}{2}$子空间，我们提出了一种设计量子反常霍尔反铁磁体的策略。
2019-02-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Quantum Anomalous Hall and Valley Quantum Anomalous Hall Effects in Two-Dimensional d0 Orbital XY Monolayers
我们提出了一个新的家庭的d 0轨道XY（X = K，Rb，Cs; Y = N，P，As，Sb，Bi）单分子膜具有丰富和新颖的拓扑结构和谷的性质。KN、RbN、RbP、RbAs、CsP、CsAs和CsSb单分子膜具有显著的量子反常霍尔效应（QAHE）。CsSb单层也表现出异常的谷QAHE与巨大的分裂。此外，由于px;y和pz轨道之间的应变诱导带反转，XY单层的拓扑性质可以通过面内应变有效地调节。我们的研究结果表明，d 0轨道XY单层膜可以是很好的候选人，有前途的应用在自旋电子学和多功能拓扑为基础的设备。
2022-04-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Proper Scaling of the Anomalous Hall Effect
利用Fe的外延薄膜，我们成功地独立控制了反常霍尔效应中的不同散射过程。这个结果适当地解释了声子的作用，从而清楚地暴露了反常霍尔电阻率与纵向电阻率的标准图的根本缺陷。因此，一个新的标度已经建立，允许明确的识别的内在Berry曲率机制，以及外在的歪斜散射和侧跳机制的异常霍尔效应。
2009-03-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Linear magnetization dependence of the intrinsic anomalous Hall effect
从实验和理论上研究了Mn $_5$ Ge $_3$铁磁薄膜的反常霍尔效应。我们分离了对实验反常霍尔效应的本征和非本征贡献，并利用第一性原理方法从布洛赫态的Berry曲率计算了本征反常霍尔电导率.本征反常霍尔电导率线性依赖于磁化强度，这可以从有限温度下自旋取向的长波长波动来理解。理论和实验之间的定量一致性非常好，不仅在0 K附近，而且在有限温度下，高达约240 K（0.8 T $_C$ }）
2006-06-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ambi-chiral anomalous Hall effect in magnetically doped topological insulators
磁掺杂拓扑绝缘体中与时间反转对称性破缺相关的手征性对量子输运现象具有重要意义。本文报道了Mn和Cr掺杂的$_2$拓扑绝缘体在不同厚度和掺杂量下的反常霍尔效应研究。通过对霍尔环的手征性进行追踪，发现Mn型顺时针手征性反常霍尔效应随薄膜厚度的减小而增强，而Cr型逆时针手征性反常霍尔效应随薄膜厚度的减小而增强。我们提供了一个唯象模型来解释磁掺杂拓扑绝缘体中磁有序和反常霍尔效应手征的演化。
2021-12-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
First Principles Calculation of Anomalous Hall Conductivity in Ferromagnetic bcc Fe
本文对铁磁体心立方铁中的反常霍尔效应进行了第一性原理计算。我们的理论确定了一个内在的贡献异常霍尔电导率，并将其与k-空间的Berry相占据布洛赫态。该理论是能够占直流和磁光霍尔电导率没有可调参数。
2003-07-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Quantum Anomalous Hall Effect in Magnetically Doped InAs/GaSb Quantum Wells
在低温（$\sim$ 30 mK）下，在Cr掺杂的（Bi，Sb）$_2$ Te $_3$薄膜中观察到了量子反常霍尔效应.在这项工作中，我们提出在更传统的具有掺杂InAs/GaSb II型量子阱的稀磁半导体中实现量子反常霍尔效应。基于四带模型，我们发现在InAs/GaSb量子阱的反相区中，由于带边奇异性，铁磁性的居里温度有所提高。在居里温度以下，通过霍尔电导的直接计算，证实了量子反常霍尔效应的存在。基于八带Kane模型确定了量子反常霍尔相位的参数区域。高的样品质量和强的交换耦合使磁掺杂InAs/GaSb量子阱成为实现高温量子反常霍尔绝缘体的良好候选者。
2013-11-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Interlayer sliding direction as a symmetry selector in altermagnetic bilayer Fe2WS4: Switchable anomalous Hall and anomalous valley Hall effects
Jishou University（吉首大学）
研究交替磁双层Fe2WS4，通过第一性原理计算表明层间滑动方向是对称性选择控制参数。对角滑动可实现铁电可切换的反常霍尔效应，轴向滑动能导致可切换的反常谷霍尔效应，确立其为控制多种特性的非易失性对称性选择器。
2026-07-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Normal and intrinsic anomalous Hall effect in Nb1-yFe2+y
本文研究了Nb_（1-y）Fe_（2 +y）系列样品的霍尔效应。正常和异常的贡献，观察到正正常霍尔效应在高温下占主导地位。一致的异常贡献的分析是唯一可能的富铁Nb 0.985 Fe 2.015具有铁磁基态。在这里，一个积极的正常霍尔系数被发现在所有的温度与适度的最大值在自旋密度波过渡。反常的霍尔效应与本征（贝里相）贡献一致，本征贡献在有序温度TC以下是恒定的，在TC以上连续消失。对于化学计量的NbFe 2和富Nb的Nb 1.01 Fe 1.99-都具有自旋密度波基态-霍尔电阻率的额外贡献阻碍了完整的分析，并表明需要更复杂的模型的异常霍尔效应在巡回反铁磁体。
2012-05-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetotransport induced by anomalous Hall effect
在磁性金属中，霍尔电阻通常被认为是普通霍尔电阻和异常霍尔电阻之和。本文指出，当正常霍尔角或反常霍尔角不小时，这种经验关系不再成立。利用适当的电导率关系，我们揭示了一个意想不到的磁电阻（MR）引起的异常霍尔效应（AHE）。出现$B$线性MR，斜率的符号取决于异常霍尔角的符号，从而产生特征性的蝴蝶结形状。单频带系统中的霍尔电阻可以表现出非线性，这通常被认为是双频带系统的特征。霍尔中出现一个$B$对称组件。这些效应反映了普通霍尔效应和AHE之间的根本区别。此外，我们实验重现不寻常的MR和霍尔之前报道的Co $_3$ Sn $_2$ S $_2$，并表明这些观察可以很好地解释所提出的机制。在量子反常霍尔绝缘体中经常观察到的MR进一步证实了这一观点。这种效应也可以解释在非磁性三维拓扑狄拉克半金属中观察到的大MR。
2023-02-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Comment on "Scaling of the anomalous Hall effect in Sr(1-x)Ca(x)RuO3"
我们认为Mathieu等人[Phys. Rev. Lett. 93，016602（2004）]并不支持将SrRuO 3中的AHE解释为由于k-空间中的Berry相单极而引起的本征效应。
2005-09-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anomalous Hall Effect of Reentrant Spin Glass System Fe1-xAlx (x ~ 0.3)
通过测量磁化强度M和霍尔电阻率rH，研究了重入自旋玻璃Fe_（0.7）Al_（0.3）系统的反常霍尔系数Rs。我们发现在自旋玻璃转变温度T_G处，R_s表现出反常的温度依赖性，表明在自旋玻璃相开始时出现了一个附加项。最后结合最近提出的自旋玻璃相霍尔效应的手征性机制对结果进行了讨论。
2002-11-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnon-Driven Anomalous Hall Effect in Altermagnets
University of Science and Technology of China（中国科学技术大学）
研究提出铁磁子驱动的异常霍尔效应，通过铁磁子与电子运动的耦合产生，揭示其由Néel序预旋的手性决定，与平衡Néel序不同，且在对称性禁止后者时仍可存在。
2026-03-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Berry-curvatures and anomalous Hall effect in Heusler compounds
Berry曲率计算一组Heusler化合物使用密度泛函（DF）计算和波函数，DF提供。反常霍尔电导率是由Berry曲率得到的。并与Co $_2$ CrAl和Co $_2$ MnAl的实验值进行了比较。看不到明显的趋势，但价值范围相当大。通过能带结构和费米面拓扑，可以定性地理解反常霍尔电导率及其大的变化。
2011-10-13 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Anomalous Hall Effect in Graphite
本文报道了在高取向热解石墨样品中观察到的反常霍尔效应（AHE）。整体数据表明，石墨中的AHE可以自洽地理解的框架内的磁场驱动的激子配对模型。
2006-05-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anomalous Hall effect in anatase Ti1-xCoxO2 at low temperature regime
研究了铁磁半导体双金属\cotio薄膜在10 ~ 300 K温度范围内的反常霍尔效应。反常霍耳电阻的磁场依赖性与磁化强度的依赖性一致，而反常霍耳电阻在低温下减小，尽管磁化强度几乎与温度无关。发现异常霍尔电导率σ_AHE与霍尔迁移率的平方成正比，表明电荷散射强烈影响该系统中的AHE。金红石型Ti 1-xCoxO 2的电导率σ_xx与σ_AHE ~ σ_xx ^[1.6]之间也存在标度关系，这在另一种多晶型金红石型Ti 1-xCoxO 2中也得到了观察，表明它们的AHE机制相同。
2007-02-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Progress and prospects in the quantum anomalous Hall effect
量子反常霍尔效应是指在没有外加磁场的情况下，霍尔效应的量子化。量子反常霍尔效应具有拓扑性质，非常适合于利用无耗散手性边缘输运的无场电阻计量和低功率信息处理。在这个角度来看，我们提供了一个概述的最新成就，以及材料的挑战和机遇，有关工程固有/界面磁耦合，预计将推动该领域的未来发展。
2022-07-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Hall effect in the noncollinear antiferromagnet Mn5Si3
磁矩非共线取向的金属反铁磁体为通过分析反常霍尔效应研究自旋相关输运性质提供了一个平台。金属间化合物Mn5Si3是一种具有共线和非共线磁结构的反铁磁体，其磁结构是由Mn原子在两个不等价的晶格位置上形成的。在这里，多晶薄膜和单晶的磁输运测量报告。在所有样品中，观察到归因于磁矩的非共线分布的异常霍尔效应的额外贡献。此外，一个额外的磁相位之间的非共线和共线制度以上的变磁转变是解决在单晶中的异常霍尔效应。
2016-01-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Hall effect in YIG$|$Pt bilayers
通过磁化方向相关的磁电阻实验测量了钇铁石榴石$|$铂（YIG $|$ Pt）双层膜中的寻常和反常霍尔效应。我们的数据表明，亚铁磁绝缘体YIG的存在下，导致一个异常的霍尔像签名的Pt，敏感的Pt厚度和温度。解释的自旋霍尔反常霍尔效应的实验结果表明，自旋混合界面电导的虚部$G_{\mathrm{i}}$起着至关重要的作用，在YIG $|$ Pt双层膜。特别是，我们的数据表明$10\,\mathrm{K}$和$300\,\mathrm{K}$之间$G_{\mathrm{i}}$的符号变化。此外，我们报告了一个更高阶的霍尔效应，这出现在YIG上的Pt薄膜在低温下。
2015-04-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Photo-induced anomalous Hall effect in the type-II Weyl-semimetal WTe2 at room-temperature
利用霍尔光电压测量，我们证明了在圆偏振光照射下，可以在几层WTe 2中诱导出反常的霍尔电压。通过沿不同晶轴施加偏压，我们发现光致反常霍尔电导与特定晶轴重合。我们的结果是一致的基本贝里曲率表现出偶极分布，由于破坏晶体反转对称性。使用时间分辨光电自相关光谱，我们发现异常霍尔电压的衰减时间超过电子-声子散射时间几个数量级，但与动量间接电子和空穴中载流子相对较长的自旋寿命一致。在WTe 2中的口袋。我们的观察表明，螺旋调制的其他各向同性的自旋电流是异常的霍尔效应的基本机制。
2018-10-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Unified First-Principles Study of the Anomalous Hall Effect Based on Exact Muffin-Tin Orbitals
基于精确松饼-锡轨道（EMTO），发展了计算电流算符的第一性原理方法，并以体心立方铁中的反常霍尔效应为例，通过引入稀疏杂质，拟合标度律，成功地将斜散射贡献与侧跳和本征贡献分离.通过研究体铁中反常霍尔效应的温度依赖性，我们预测了当仅考虑声子时作为温度的函数的波动的反常霍尔角，这在将来可以通过抑制磁振子激发在实验中测量，例如，通过施加高的外部磁场。
2021-01-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Comment on "Weyl fermions and the anomalous Hall effect in metallic ferromagnets"
我们指出，与Chen，Bergman和Burkov [Phys. Rev. B 88，125110（2013）]的断言相反，即使在能带结构中存在外尔点，本征反常霍尔电导率的非量子化部分也确实可以表示为费米面性质。
2013-12-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
A Tunable Anomalous Hall Effect in a Non-Ferromagnetic System
我们测量了磁掺杂二维电子气的低场霍尔电阻率随温度和电子门控载流子密度的变化。将这些结果与从Shubnikov-de Haas振荡中提取的载流子密度进行比较，揭示了随温度降低而增加的过量霍尔电阻率。该过量霍尔电阻率定性地跟踪样品的顺磁极化，类似于铁磁异常霍尔效应。这些数据是一致的斜散射的载体附近的交叉到本地化的障碍。
2005-12-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Hall effect driven by dipolar spin waves in uniform ferromagnets
在铁磁体中，传导电子与偶极自旋波相互作用产生一种新型的反常霍尔效应。这种效应甚至存在于没有相对论自旋轨道耦合的均匀铁磁体中。霍尔电导率的主要贡献是成比例的手征自旋相关的动态自旋纹理和物理上理解的偶极磁振子的斜散射。
2015-09-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anomalous viscosity of vortex hall states in graphene
利用量子多涡流体力学方法研究了石墨烯霍尔流体反常粘性的温度效应。考虑了通常观察到的充盈分数，$ν$在$0 < ν< 2$范围内。在有限温度下，得到了依赖于几何参数霍尔膨胀系数的反常粘滞系数的表达式。它是由应变诱导的赝磁场以及涡旋速度中的异常项引起的，这是涡旋-涡旋相互作用重新归一化的原因。我们观察到，这两项大大修改异常粘度以及增强弱观察到的v分数。膨胀系数的有限值在不同温度下产生一个常数和一个无限大的粘度。无穷大被确定为能隙，并建议温度下，新的稳定的量子霍尔填充分数可以看到。这种现象用于估计石墨烯中已经测量的分数量子霍尔态的能隙。
2015-10-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Mott Relation for Anomalous Hall and Nernst effects in Ga1-xMnxAs Ferromagnetic Semiconductors
电学和热电输运系数之间的莫特关系通常适用于涉及散射的现象。然而，铁磁体中的反常霍尔效应（AHE）可能是由内禀自旋轨道相互作用引起的。在本工作中，我们同时测量了Ga_（1-x）Mn_xAs铁磁半导体薄膜中的AHE和反常能斯特效应（ANE），并在零磁场下观察到异常大的ANE。我们进一步表明，AHE和ANE共享一个共同的起源，并证明了莫特关系的反常输运现象的有效性。
2008-09-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
