用扫描隧道显微镜研究分子束外延室中制备的（8 × n）型Si（001）表面的结构和特性

锰污染对高迁移率GaAs/AlGaAs异质结的影响

Influence of manganese contamination on high-mobility GaAs/AlGaAs heterostructures

光致发光和磁输运测量已被用来评估调制掺杂GaAs/AlGaAs异质结的质量。研究了在分子束外延室中以锰为源材料制备的样品的低温电子迁移率随时间的演化。Mn污染被认为是导致电子迁移率降低到1 x 10^{6} cm^{2}/Vs和出现明显的光致发光带的原因。相比之下，没有这种信号的结构达到5.4 x 10^{6} cm^{2}/Vs的迁移率值。这直接证明了高迁移率电子系统的外延和包含GaMnAs层的结构原则上可以在一个生长室中组合。

通过结合原位直流磁控溅射与分子束外延开发基于Nb-GaAs的超导体-半导体混合平台

Development of Nb-GaAs based superconductor semiconductor hybrid platform by combining in-situ dc magnetron sputtering and molecular beam epitaxy

本文通过超高真空团簇内结合分子束外延与直流磁控溅射，在GaAs上原位制备Nb薄膜，研究其超导性能及界面结构，发现原位与非原位沉积均形成非晶中间层，临界温度约9 K，临界垂直磁场达1.4 T。

Si（001）表面Ge量子点阵列的缺陷

Defects of Ge quantum dot arrays on the Si(001) surface

Ge量子点阵列的缺陷会影响Ge/Si异质结构的电物理、光电或光学性质以及在其基础上制备的器件的功能。用超高真空扫描隧道显微镜和分子束外延室研究了Si（001）表面中温生长Ge量子点阵列的缺陷。对缺陷进行了初步分类。对缺陷的形态特征进行了研究。测定了不同类型缺陷的表面密度。

氢化在分子束外延Si（001）表面低温清洗中的应用：STM，RHEED和HRTEM的研究

Application of hydrogenation to low-temperature cleaning of the Si(001) surface in the processes of molecular-beam epitaxy: Investigation by STM, RHEED and HRTEM

本文研究了在分子束外延室中对硅晶片进行低温（470- 650 ℃）预生长退火所获得的洁净Si（001）表面的结构特性。为了降低清洗温度，在HF和NH_4F水溶液中对硅表面进行了预化学处理。已经表明，在温度> 600 ℃时，通过脱氢可以获得由单原子台阶分离的宽台阶组成的光滑表面，而在温度<600 ℃时获得的清洁表面是粗糙的。结果表明，氢热脱附温度和预化学处理工艺对洁净表面的结构性能有一定的影响。已发现Si二聚体从/到步骤的分离/附着的频率和Ehrlich-Schwoebel屏障对跨步骤的ad-二聚体迁移的影响是确定所得表面粗糙度的程度的最可能的因素。

Si（001）表面Ge量子点阵列的成核、形貌和CMOS相容性

Ge quantum dot arrays grown by ultrahigh vacuum molecular beam epitaxy on the Si(001) surface: nucleation, morphology and CMOS compatibility

本文研究了用双真空分子束外延技术在Si（001）表面生长Ge团簇阵列的形貌、成核和生长问题。在低（<600 ℃）和高（>600 ℃）Ge沉积期间量子点成核的差异。C）温度的高分辨率扫描隧道显微镜研究。本文提出了两种锗壳--金字塔形和楔形--生长的原子模型。探索了Ge量子点阵列在低温下的生长周期。讨论了降低阵列形成温度的问题，重点讨论了整个工艺的CMOS兼容性，特别关注了降低Si（001）表面预生长清洗处理温度的方法，这是Ge/Si（001）量子点密集阵列形成工艺的关键和最高温度阶段。Si清洁表面制备的温度（其最终高温步骤通常在结构沉积之前直接在MBE室中进行）决定了基于Ge-QD阵列的器件的形成工艺与CMOS制造周期的兼容性。提出了在预清洗过程中硅表面湿化学腐蚀的最后阶段进行氢化处理，以有效降低硅晶片生长前退火温度的可能途径。

磁场辅助分子束外延生长的Fe(001)薄膜中的磁化反转

Magnetization reversal in Fe(001) films grown by magnetic field assisted molecular beam epitaxy

研究了磁场辅助分子束外延生长的Fe(001)薄膜，发现100 mT面内磁场显著影响薄膜形貌和磁化反转过程，反转通过90°畴发生且与形貌相关。

氧化物分子束外延中通过O2辅助形成并蒸发其挥发性低价氧化物来刻蚀元素层：以Ga和Ge为例

Etching of elemental layers in oxide molecular beam epitaxy by O2-assisted formation and evaporation of their volatile suboxide: The examples of Ga and Ge

本文提出一种在氧化物MBE中利用O2将残余阳离子转化为挥发性低价氧化物并低温蒸发的通用原位刻蚀方法，以Ga和Ge为例验证了其对表面残留元素的高效去除能力。

InP（001）表面重构的反射高能电子衍射和扫描隧道显微镜研究

Reflection high-energy electron diffraction and scanning tunneling microscopy study of InP(001) surface reconstructions

用原位反射高能电子衍射（RHEED）和扫描隧道显微镜（STM）研究了分子束外延制备的InP（001）表面的重构。生长室包含一个高度精确的温度测量系统，并使用固体源，破碎的磷，带阀的泻流室。用RHEED在三个主要方向上分析了五个InP（001）的重构。在固定的P2通量下，降低衬底温度给出以下重建：c（2x 8），（2x 4），（2x 1），（2x2）和c（4x 4）。在原位STM图像显示，只有两个这些重建在真实空间中产生长程周期性。InP（001）不形成富金属（4x 2）重构，这是令人惊讶的，因为（4x 2）重构已经被称为通用表面重构，因为所有III-V（001）表面被认为有利于其形成。

Si（001）表面在600 ℃附近观察到的（2 x 1）和c（8 x 8）重构之间的相变

Phase transition between (2 x 1) and c(8 x 8) reconstructions observed on the Si(001) surface around 600C

用反射高能电子衍射（RHEED）和高分辨扫描隧道显微镜（STM）对Si（001）表面在高真空分子束外延室中进行不同处理后的SiO $_2$薄膜分解进行了原位研究。观察到（2 × 1）和（4 × 4）RHEED图案之间的过渡。在样品后处理冷却过程中，在T <~ 600 ℃时出现（4 × 4）图案。观察到重建是可逆的。在室温下，在相同的样品上通过STM揭示了c（8 × 8）结构。在RHEED中，（4 × 4）图案已被证明是c（8 × 8）表面结构的表现。相变的出现取决于热处理条件和样品的冷却速率。

Image processing for grazing incidence fast atom diffraction

Grazing incidence fast atom diffraction (GIFAD, or FAD) has developed as a surface sensitive technique. GIFAD is less sensitive to thermal decoherence but more demanding in terms of surface coherence, the mean distance between defects. Such high quality surfaces can be obtained from freshly cleaved crystals or in a molecular beam epitaxy (MBE) chamber where a GIFAD setup has been installed allowing in situ operation. Based on recent publications by Atkinson et al. and Debiossac et al, the paper describes in detail the basic steps needed to measure the relative intensities of the diffraction sp…

Si（001）-c（8 × 8）表面的STM和RHEED研究

STM and RHEED study of the Si(001)-c(8x8) surface

用高分辨扫描隧道显微镜（STM）和反射高能电子衍射（RHEED）原位研究了Si（001）表面在真空分子束外延室中T~925 ℃短时间退火还原后的表面形貌。在样品处理期间观察到对应于（2x1）和（4x4）结构的RHEED图案。退火后，在T <600 ℃时出现（4 × 4）重构。观察到重构是可逆的：在T> 600 ℃时，（4 × 4）结构转变为（2 × 1）结构，在循环冷却时再次出现（4 × 4）结构。在室温下，在相同的样品上通过STM揭示了c（8x8）重构。随着样品冷却速率的降低，由c（8x8）结构覆盖的表面积的分数降低。在没有c（8x8）结构的表面上观察到（2x1）结构。c（8x8）结构已被证明在RHEED模式中表现为（4x4）结构。根据STM数据建立了c（8x8）结构形成的模型。本文讨论了Si（001）表面上高次结构的起源及其与落核现象的关系。