Magnetoconductivity of Dirac fermions in graphene under charged impurity scatterings
基于自洽Born近似，求解了在弱磁场和带电杂质散射作用下，石墨烯中Dirac费米子的Cooperon传播子的Bethe-Salpeter矩阵方程.在没有磁场的情况下，研究了Cooperon传播子的贡献对电导率的量子干涉效应，并讨论了样品长度和温度对系统中可能存在的弱局域化的影响.计算了量子干涉效应引起的导磁率，所得结果与实验测量值符合得很好。
2009-04-12 cond-mat.str-el
Impurity-induced magnetic moments on the graphene-lattice Hubbard model: an inhomogeneous cluster DMFT study
缺陷诱导的磁矩是石墨烯的自旋电子学应用研究工作的中心。在这里，我们研究的问题，石墨烯中的杂质与一个新的理论方法，非均匀团簇动力学平均场论（I-CDMFT），它考虑到相互作用引起的短程关联，同时允许长程不均匀性。系统采用蜂窝格子上的哈伯德模型描述。杂质由局部势来模拟。对于足够大的势，相互作用诱导局部反铁磁关联周围的杂质和净总自旋$\frac12$出现，在协议与Lieb的定理。由杂质引起的束缚态在局域态密度（LDOS）中可见，并且它们的能量以自旋依赖的方式通过相互作用而移动，从而导致反铁磁关联。我们的结果考虑到动力学相关性，但他们定性同意以前的平均场和密度泛函理论（DFT）的研究。此外，它们提供了杂质势和原位排斥$U$之间的关系，该关系原则上可用于通过实验确定$U$的值。
2014-11-18 cond-mat.str-el
Magnetoplasmons bound to short-range impurities in graphene: Symmetries and optics
我们考虑在一个强的垂直磁场的存在下，一个单一的短程δ-杂质位于碳网站之一的石墨烯片。我们研究了中性朗道能级间的集体激发，磁等离子体激元，它成为本地化的杂质。其中一些激发涉及赝自旋翻转（谷间跃迁），因为杂质可以在两个谷之间散射电子。我们提出了一种石墨烯中激发态的分类，并引入了合适的量子数。计算了在一定填充因子和杂质强度范围内的集体激发的能量和光学强度。我们建立了一组对称性匹配的能量和吸收强度的集体激发不同的子晶格位置的杂质，填充因子，圆偏振和符号的杂质势。
2011-07-07 cond-mat.str-el
Magnetic Impurities in Graphene
采用量子蒙特卡罗方法研究了磁性杂质原子在石墨烯表面的吸附行为。我们发现，通过调整化学势，我们可以切换的杂质的局部磁矩的值之间相对较大和较小的值。我们对杂质的谱密度的计算发现，它的行为与正常金属中杂质的行为显著不同，我们对杂质和导带电子之间的电荷-电荷和自旋-自旋相关性的计算发现它们被强烈抑制。我们的结果与Poor man标度法和数值重整化群方法的结果基本一致。
2011-07-13 cond-mat.str-el
Magnetic impurity in the vicinity of a vacancy in bilayer graphene
我们用量子蒙特卡罗方法研究了Bernal堆叠双层石墨烯中空位旁的磁性杂质。由于双层体系中两个亚晶格之间的对称性破缺，存在两种不同类型的空位诱导局域态。我们发现，位于空位邻近位置的吸附原子的磁性取决于空位是属于A亚晶格还是B亚晶格。通常，当$μ\sim 0$时，如果空位属于子晶格A，则局部矩被更强烈地抑制。通过改变化学势的大小，研究了磁性吸附原子与碳原子位置之间的基本热力学量和关联函数。
2012-10-31 cond-mat.str-el
Block Lanczos density-matrix renormalization group method for general Anderson impurity models: Application to magnetic impurity problems in graphene
我们引入了一个块Lanczos（BL）递归技术来构建准一维模型，适用于密度矩阵重整化群（DMRG）的计算，从单以及多杂质安德森模型在任何空间维度。这个新的方案，命名为BL-DMRG方法，使我们能够计算不仅本地，而且空间依赖的静态和动态量的基态一般安德森杂质模型，而不丢失详细的几何信息的晶格。我们表明，BL-DMRG方法可以很容易地扩展到处理多轨道安德森杂质模型。我们还表明，对称适应BL基地可以利用，当它是适当的，以减少计算成本。作为演示，我们将BL-DMRG方法应用于石墨烯的三种不同模型：（i）蜂窝晶格上的单个吸附原子，（ii）蜂窝晶格中的替代杂质，以及（iii）石墨烯中单个碳空位的有效模型。分析表明，在半填充电子密度的粒子-空穴对称情况下，模型（i）的基态表现为没有近藤屏蔽的孤立磁性杂质，而其他两个模型的基态则形成自旋单重态.我们还计算了这三种模型的杂质位和导电位之间的自旋-自旋关联函数的实空间依赖性。我们的结果清楚地表明，反映了杂质位未屏蔽磁矩的存在，自旋-自旋关联函数衰减为$r^{-3}$，与非相互作用极限不同（$r^{-2}$），对于模型（i）和作为$ r^{-4}$，与非相互作用极限完全相同，对于模型（ii）和（iii）在渐近$r$中，其中$r$是杂质位置和导电位置之间的距离。
2014-11-21 cond-mat.str-el
Kondo effect in graphene: single vs. two-channel character
基于紧束缚理论，我们研究了石墨烯上磁性杂质的Anderson和Kondo模型。分析了不同的杂质位置。利用分波表象研究了杂质与导电电子之间的耦合性质。来自两个狄拉克点的成分在与杂质相互作用时混合。明确考虑了两种构型：吸附原子在一个原子上方（ADA），另一种情况是吸附原子在蜂窝中心上方（ADC）。对于ADA，杂质对A和B子格以及两个狄拉克点都是一种味道。对于ADC，杂质与杂质的旋量态的多味态耦合。我们证明了，对于一个3d磁性原子，$d_{z^{2}}$，（$d_{xz}$，$d_{yz}$）和（$d_{x^{2}-y^{2}}$，$d_{xy}$）分别与ADC情况下$C_{6v}$群的$Γ_{1}$，$Γ_{5} (E_{1})$和$Γ_{6} (E_{2})$表示（reps）耦合。这些代表的石墨烯的低音也得到明确的。对于ADA，我们计算近藤温度。
2010-06-10 cond-mat.str-el
Behavior of a Magnetic Impurity in Graphene in the Presence of a Vacancy
利用量子蒙特卡罗方法，我们研究了在石墨烯片中的空位附近放置磁性吸附原子的后果。我们发现，而不是依赖于吸附原子轨道的能量的吸附原子属性，在一个单一的杂质问题，他们开发的依赖于与单空位问题相关的分裂局域态的能量。通过这个实验上更容易获得的能量尺度的化学势的移动揭示了光谱密度，磁化率，以及吸附原子的自旋和电荷与传导电子的相关性的新行为。一般来说，吸附原子在空位存在下的行为与其在没有空位的情况下的行为显著不同。
2012-03-28 cond-mat.str-el
Phase diagram of a pseudogap Anderson model with application to graphene
采用研究石墨烯上杂质的简化模型--置于无相互作用蜂窝晶格上的$s$波单轨道关联杂质的Anderson模型，研究了赝能隙Kondo问题.在该模型中，存在两个量子相：自由杂质局域矩相和局域矩被完全屏蔽的近藤相。这两个阶段之间的过渡正在调查中。这项工作主要集中在的情况下，杂质被放置在顶部的晶格网站。在这种情况下，使用三个参数构建完整的相图：哈伯德相互作用$U$，杂化强度$v_0$和杂质能级$ε_d$。相图显示线性$(U^c, ε_d^c)$相界，其斜率以及临界值$ε_d^c$强烈依赖于$v_0^2$。进一步的分析表明，零频自能实部和杂质占据率有助于理解相界的行为。简要讨论了相变对杂质位置的依赖关系，揭示了在现实的石墨烯晶格中实现赝能隙近藤模型需要解决的困难。
2021-07-21 cond-mat.str-el
Topological view on magnetic adatoms in graphene
从理论上研究了石墨烯中磁性杂质的物理性质。在杂质与强库仑相互作用的Anderson模型中，我们从Slave-Boson方法出发，引入一个由映射的度和缠绕数（WN）组成的拓扑图来分析杂质上的相移和占位.占领与WN有关。对于一般的正常金属，我们发现一个分数WN。相比之下，在半填充时石墨烯的相对论色散加速了缠绕，导致整数占据。我们表明，重正化参数，移动杂质水平是不足以反转的能级的符号。因此，半填充状态是稳定的，除非栅极电压被调整为使得费米能级接触加宽的杂质能级的边缘。只有在这种情况下，零场磁化率是有限的，并显示出明显的峰值结构与栅极电压。
2011-05-24 cond-mat.str-el
Coulomb impurity in graphene
我们考虑在干净的石墨烯片中筛选带电杂质的问题。当忽略电子-电子相互作用时，屏蔽电荷的符号与杂质的符号相反，并且局限于杂质附近。电子之间的相互作用使感应电荷密度模糊，产生一个大距离的拖尾，它近似地（但不完全）遵循r^{-2}行为，并且符号与杂质的符号相同。
2007-11-29 cond-mat.str-el hep-th
Localized magnetic states in biased bilayer and trilayer graphene
我们研究了偏压下双层和三层石墨烯中杂质的局域磁态。研究发现，双层和三层石墨烯的磁边界呈现出狄拉克和常规费米子的混合特征。对于零栅极偏压，随着杂质能量接近狄拉克点，双层和三层石墨烯的杂质磁化区域减小。当施加栅极偏置时，由于在施加栅极偏置的情况下双层石墨烯中的价带和导带之间的间隙的打开，杂质磁性状态对杂质能量的依赖性对于双层和三层石墨烯表现出不同的行为。研究了双层石墨烯中杂质的磁矩和相应的磁跃迁。
2009-04-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Coulomb center instability in bilayer graphene
在低能两带和四带连续介质模型下，我们研究了带隙双层石墨烯在带电杂质场中的超临界不稳定性。研究发现，屏蔽效应在双层石墨烯中至关重要。如果忽略它们，则当最低能量束缚态潜入较低连续区时，杂质电荷的临界值随着能隙$Δ$的消失而趋于零。如果考虑屏蔽库仑相互作用，则对于$Δ\to 0$，临界电荷趋于有限值。准粒子的动能和库仑相互作用相对于到带电杂质的距离的不同标度确保了电子束缚态的波函数不会随着其电荷的增加而向杂质收缩。这导致在双层石墨烯中不存在下落到中心的现象，尽管实现了超临界不稳定性。
2017-10-06 cond-mat.str-el
Localized Spins on Graphene
利用数值重整化群研究了吸附在干净石墨烯中碳原子上的磁性杂质（原子或分子）的问题。详细描述了杂质的光谱、热力学和散射性质。在存在小磁场的情况下，石墨烯的低能电子特征使得使用扫描隧道显微镜（STM）通过杂质注入自旋极化电流成为可能。此外，杂质散射变得强烈的自旋相关，并为有限的杂质浓度，它导致自旋极化体电流和大的磁阻。在门控石墨烯中，杂质自旋在低温下被近藤屏蔽。然而，在大于近藤温度的温度下，反常的磁输运性质被恢复。
2008-10-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Impurity assisted nanoscale localization of plasmonic excitations in graphene
使用确定随机相位近似内的非局部介电响应的实空间理论，计算原始和杂质掺杂的石墨烯的等离子体激元模式。一个完整的对角化的极化运营商进行，允许提取其所有极点。它演示了如何杂质诱导形成的本地化模式是不存在的原始石墨烯。讨论了局域等离子体激元的空间调制和频率对电子填充和杂质强度的依赖关系。此外，它示出的化学势和杂质强度可以调谐到控制的局域模式的目标功能。这些预测可以通过扫描隧道显微镜实验进行测试。
2010-03-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Nonmagnetic-Defect-Induced Magnetism in Graphene
结果表明，在半填充蜂窝晶格上的哈伯德模型中，强杂质势诱导了短程反铁磁（亚铁磁）有序。这意味着短程磁序在单层石墨烯中由诸如具有完全氢终止的空位或化学吸附缺陷的空位缺陷引起。
2007-03-26 cond-mat.str-el
Kondo effect in graphene with Rashba spin-orbit coupling
我们研究了吸附在石墨烯中的磁性杂质在Rashba自旋轨道相互作用下的近藤屏蔽。该系统是一个有效的单通道安德森杂质模型，我们分析使用的数值重整化群。在化学势或自旋-轨道耦合的变化下，主体态密度的非平凡能量依赖性引起了有趣的行为。改变Rashba耦合产生强烈的变化，在近藤温度表征的杂质自旋的多体屏蔽，并在半填充允许接近量子相变分离的强耦合近藤阶段的自由时刻阶段。将化学势调整到接近杂交函数的尖锐特征，会导致热力学量的温度依赖性和杂质光谱函数的频率依赖性的显着特征。
2014-07-10 cond-mat.str-el
Magnetic-impurity resonance states for different pairing symmetries in twisted bilayer graphene
在本工作中，我们研究了不同对称性的扭曲双层石墨烯超导相的磁杂质共振态。利用Yuan和Fu在[Phys. Rev. B 98，045103（2018）]中提出的双轨道模型，我们发现当杂质位于出射蜂窝晶格的一个位置时，共振态的空间分布将打破$D_3$群的三重和二重旋转对称性，而这些对称性属于该点群的不可约表示。当磁性杂质位于出射蜂窝晶格的中心时，在靠近杂质的位置出现共振峰可以被认为是非$s$波配对的有力证据。
2018-09-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Strongly correlated states of transition metal spin defects: the case of an iron impurity in aluminum nitride
本文研究氮化铝中铁杂质的强关联缺陷态，采用DMET、QDET和自旋翻转TDDFT方法，精确描述基态和激发态，TDDFT光致发光谱与实验一致，并建立了收敛方案。
2025-01-27 cond-mat.str-el
Theory of Vacancy-Induced Intrinsic Magnetic Impurity with Quasi-Localized Spin Moment in Graphene
本文基于蜂窝晶格上的哈伯德模型，建立了石墨烯中空位诱导的准定域自旋磁矩的内禀磁性杂质（MI）理论.由于内禀磁感应强度的零模与巡游电子互变，其性质与自旋矩局域化较好的Anderson磁感应强度有很大不同。
2014-02-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Probing the zero energy shell wave functions of triangular graphene quantum dots with broken sublattice symmetry using a localized impurity
本文提出利用局域替位杂质探测三角形石墨烯量子点简并壳层波函数的方法，以全碳triangulene解析解为基预测含氮杂质时的零能壳层结构，并通过计算与实验对比验证了预测。
2024-06-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Screening of a charged impurity in graphene in a magnetic field
数值研究了磁场中石墨烯中带电杂质场的电子态。结果表明，带电杂质消除了朗道能级的简并性，使其转变为带状结构。随着杂质电荷的增加，具有相同轨道动量的不同朗道能级的子能级发生排斥，导致杂质附近子能级的波函数分布重新分布。通过对极化效应的研究，与最近的实验结果相一致，表明化学势可以非常有效地调节杂质的有效电荷。如果化学势位于朗道能级以内，那么杂质的电荷就会大大减少。此外，在这种情况下，极化函数在零动量处具有峰值，这导致屏蔽势作为距离的函数的符号变化振荡。如果化学势位于朗道能级之间，那么屏蔽势不会改变符号，屏蔽是最小的，并且带电杂质可以强烈地影响电子光谱。
2016-09-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Local moment formation in bilayer graphene
双层石墨烯（BLG）由于其子晶格的空间不均匀性的局部性质是感兴趣的。我们应用安德森杂质模型来研究磁性杂质吸附在BLG不同子晶格上的局域磁矩形成。我们发现杂质吸附在A和B亚晶格上的磁化强度有不同的特征。吸附在A亚晶格上的杂质即使在费米能级以上，在位库仑能很小的情况下也能磁化。但当杂质吸附在B亚晶格上时，在杂质能级和在位库仑能有限的情况下，磁化是可能的。这是由于在A和B亚晶格的低能态的不同的局域密度，这源于它们的空间不均匀性。此外，我们还表明，电控制吸附原子的磁化强度，除了它的不均匀性在BLG允许的可能性，使用BLG在自旋电子器件具有更高的电位比石墨烯。
2014-06-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
The Coulomb impurity problem in graphene
我们解决了石墨烯中未屏蔽库仑电荷的问题，并计算了局域态密度和位移电荷作为能量和距离杂质的函数。这是通过两种不同的方法非微扰地完成的：（1）通过数值研究晶格上的紧束缚模型来精确地解决问题;（2）使用二维狄拉克方程的连续描述。我们表明，狄拉克方程，适当正则化时，提供了一个定性和定量的低能量描述的问题。格点解显示出狄拉克方程无法描述的额外特征，即束缚态的形成和范霍夫奇点的强重整化。
2007-06-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Single or multi-flavor Kondo effect in graphene
基于紧束缚理论，我们研究了石墨烯上磁性杂质的Anderson和Kondo模型。分析了不同的杂质位置。利用分波表象研究了杂质与导电电子之间的耦合性质。来自两个狄拉克点的成分在与杂质相互作用时混合。明确考虑了两种构型：吸附原子在一个原子上方（ADA），另一种情况是吸附原子在蜂窝中心上方（ADC）。对于ADA，杂质对A和B子格以及两个狄拉克点都是一种味道。对于ADC，杂质与杂质的旋量态的多味态耦合。我们证明了，对于一个3d磁性原子，$d_{z^{2}}$，（$d_{xz}$，$d_{yz}$）和（$d_{x^{2}-y^{2}}$，$d_{xy}$）分别与ADC情况下$C_{6v}$群的$Γ_{1}$，$Γ_{5} (E_{1})$和$Γ_{6} (E_{2})$表示（reps）耦合。这些代表的石墨烯的低音也得到明确的。对于ADA，我们计算近藤温度。
2010-06-09 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Impurity-induced triple point fermions in twisted bilayer graphene
三相点费米子是一种难以捉摸的电子激发，它将狄拉克和外尔模式推广到传统的高能模式之外。然而，找到真正的材料自然托管这些激发费米能量仍然具有挑战性。在这里，我们表明，扭曲的双层石墨烯是一个多功能的平台，实现强大的三相点费米子在二维空间。特别是，我们建立了本地化杂质的引进升降机的两个退化狄拉克锥，产生三相点费米子在电荷中性。此外，我们表明，谷极化被保存在一定的杂质位置的莫尔超胞弱和强的杂质势。我们最后表明，在相互作用的存在下，一个对称性破缺态与局部磁化可以发展出的三相点带，这可以选择性地控制静电门。我们的研究结果提出了扭曲双层石墨烯作为一个简单的固态平台，实现三相点费米子在电荷中性，并证明了非平凡的作用，杂质的莫尔系统。
2019-06-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Kondo effect due to a hydrogen impurity in graphene: a multichannel Kondo problem with diverging hybridization
我们考虑石墨烯中氢杂质引起的近藤效应。作为第一近似，与碳原子的强共价键在不破坏$C_{3}$旋转对称性的情况下移除该碳原子，并且我们仅保留了移除的碳原子的三个最近邻居上的哈伯德相互作用，这些碳原子随后表现为磁性杂质。这三个杂质自旋耦合到三个导电沟道具有一定的螺旋度，其中两个支持一个发散的局域态密度（LDOS）$\propto 1/ [ | ω\ | \ln ^{2}( Λ/| ω\ | \ ) \ ] $附近的狄拉克点$ω\rightarrow 0$，即使状态的体积密度线性消失。我们用数值重整化群方法研究了三杂质多沟道Kondo模型。对于弱势散射，近藤模型的基态是粒子-空穴对称的自旋- $1/2$二重态，三个杂质自旋之间存在铁磁耦合;对于中等势散射，基态变成粒子-空穴非对称的自旋单线态，三个杂质自旋之间存在反铁磁耦合。这种行为是继承了安德森模型包含氢杂质和所有四个碳原子在其附近。
2019-09-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Ferromagnetic induced Kondo effect in graphene with a magnetic impurity
利用数值重整化群方法研究了磁性石墨烯中磁性吸附原子的多体效应。铁磁石墨烯的非平凡的能带色散引起了有趣的Kondo物理不同于传统的铁磁材料。对于未掺杂的石墨烯中的半填充杂质，铁磁性的存在可以带来Kondo关联，在费米能附近的局部谱函数中产生两个扭结结构。当局域占据的自旋分裂被外部磁场补偿时，两个Kondo扭结合并成表征全屏蔽基态的全Kondo共振。引人注目的是，我们发现由此产生的近藤温度单调增加的狄拉克电子的自旋极化，这违反了常识，铁磁带通常是有害的近藤关联。掺杂的铁磁石墨烯可以表现为半金属，其中其在费米能量下的态密度对于一个自旋方向线性地消失，但对于相反方向保持有限。在这个制度中，我们证明了一个异常的近藤共振，发生在第一个自旋方向，而在另一个完全缺席。
2020-06-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Classification and Distinction of Possible Insulating Phases in Twisted Bilayer Graphene by Impurity Effects
本文研究了杂质对扭曲双层石墨烯（TBG）各绝缘相的影响。采用公认的连续介质模型\cite{b}计算了局域态密度。研究发现，通过局域态密度中杂质诱导的带隙束缚态峰的数目和性质，可以区分打破了先前理论\cite{pa,op1,Lee_2019}中提出的不同对称性的绝缘相.打破先前提出的对称性的绝缘相可以通过剩余的反幺正对称性进一步分类，并通过相应的剩余束缚态的Kramers简并来区分。在扫描隧道显微镜（STM）实验中，可以检测到局域态密度的带隙束缚态峰和束缚态的简并度，从而有助于区分不同的绝缘相。
2020-09-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
The energy spectrum and the electrical conductivity of graphene with substitution impurity
采用Lifshitz单电子紧束缚模型研究了取代原子对石墨烯能谱和电导率的影响。它是建立在杂质原子的有序的结果在电子的能谱中的间隙，其宽度取决于序参量和散射势的大小。结果表明，当序参量接近其最大值时，在能隙边缘的电子态密度的能量曲线上出现与局域杂质态有关的峰。在费米能级进入间隙区的电子浓度处，电导率为零，并且发生金属-介电转变。当费米能级落在能带区域时，当序参量达到最大值时，电子弛豫时间和电导率趋于无穷大。在弱散射的极限情况下，石墨烯的电子密度和电导率的解析计算，与不同的散射势的数值计算的结果进行比较。
2020-03-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Superconductivity in twisted bilayer graphene: possible pairing symmetries, impurity-induced states and Chern number
研究魔角扭曲双层石墨烯中六能带紧束缚模型下的自旋单态与三态超导配对对称性，发现仅手性p+ip'态存在拓扑相变，并通过分析标量与磁性杂质诱导的亚能隙态性质来区分不同配对机制。
2023-07-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Size and Impurity Effects on Scattering of Valley Hall Modes in Gate-Defined Bilayer Graphene Superlattices
Delft University of Technology（代尔夫特理工大学）；University of Copenhagen（哥本哈根大学）
本文通过紧束缚模拟研究门控定义双层石墨烯超晶格中谷霍尔模的散射，发现杂质共振隧穿可增强超晶格岛重叠，栅图案失对准不破坏拓扑保护，且可通过抑制散射实现岛的密集放置。
2026-08-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Transport coefficients of graphene: Interplay of impurity scattering, Coulomb interaction, and optical phonons
我们使用Boltzmann方程方法研究了Dirac载流子在单层石墨烯中的电输运和热输运。受最近的热电势测量的启发[F. Ghahari，H.-嗯~ Xie，T. Taniguchi，K. Watanabe，M.~ S.~福斯特和P。~ Kim，Phys.修订版本\ Lett. { \bf 116}，136802（2016）]，我们考虑了淬火无序、库仑相互作用和电子-光学-声子散射的影响。通过无偏数值解玻尔兹曼方程，我们计算的电导率，热功率，和电子组件的热导率，并讨论的有效性莫特的公式和Wiedemann-Franz定律。一个解析解的无序的情况下，屏蔽库仑杂质散射，虽然弹性，违反了Wiedemann-Franz定律，即使在低温下。对于载流子-载流子库仑散射和短程杂质散射的组合，我们观察到从相互作用限制（流体动力学）制度到无序限制（费米液体）制度的交叉。在前者中，热电势和热导率遵循相对论流体力学理论的预期结果。另一方面，我们发现，光学声子变得不可忽略，在相对较低的温度和诱导的电子热电势违反莫特公式。结合所有这些散射机制，我们得到的热电势，定量符合实验数据。
2016-05-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Effects of topological defects and local curvature on the electronic properties of planar graphene
提出了一种形式主义，以研究最近合成的一个波纹的石墨烯片的电子和输运性质。该形式主义是基于耦合狄拉克方程，该方程将清洁平坦石墨烯样品的低能电子激发模型化到弯曲空间。宇宙弦类比允许处理位于石墨烯平面上的任意位置处的任意数量的拓扑缺陷。通常的缺陷，将始终存在于任何石墨烯样品作为五边形-七边形对和斯通-威尔士缺陷作为一个例子进行了研究。缺陷周围的局域态密度获得了可以在扫描隧道和透射电子显微镜中观察到的特征调制。
2006-12-14 cond-mat.str-el hep-th
The RKKY Coupling between Impurity Spins in Graphene Nanoflakes
我们计算了间接载流子介导的Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida（RKKY）磁性杂质之间的相互作用，两个选定的石墨烯纳米片包含四个六方环的结构，不同的几何形状。我们描述的电子结构的电荷中性或掺杂纳米片使用紧束缚近似与哈伯德项，这是治疗内的分子场近似。我们发现RKKY耦合能量的显著差异，依赖于纳米结构中的磁矩对的位置和边缘形式。对于一个奇数的总电子数的结构中，我们预测在某些情况下，存在的铁磁耦合与领先的一阶微扰贡献，而对于偶数的载流子通常的，二阶机制占主导地位。因此，发现用单个载流子掺杂纳米片能够将耦合从反铁磁性改变为对于某些几何形状的铁磁性。
2011-11-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Scattering of charge carriers in graphene induced by topological defects
我们研究了石墨烯准粒子的散射拓扑缺陷，代表孔，五边形和七边形。对于空穴，我们发现，在低浓度下，它们对电阻率的贡献可以忽略不计。无论何时引入五边形或七边形，我们都知道费米子电流被缺陷散射。
2011-08-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
