Emergence of superconductivity at 45 K by lanthanum and phosphorus co-doping of CaFe2As2
La-P共掺杂CaFe_2As_2在45 K下具有超导电性。该超导转变温度高于Ba 1-xKxFe 2As 2中的38 K转变，这是迄今为止在122个相中发现的最大值。在0.12 $\leq$ x $\leq$ 0.18和y = 0.06的Ca 1-xLaxFe 2（As 1-yPy）2中观察到具有实质性屏蔽体积分数的超导性。本系统的超导相似乎不邻近反铁磁相。
2013-03-19 cond-mat.supr-con
Superconductivity induced by doping Rh in CaFe2-xRhxAs2
本文报道了用一步固相反应法合成的铁基超导体CaFe_（2-x）Rh_xAs_（2-x），其晶体结构为ThCr_2Si_2型，空间群为I_4/mmm。晶格常数的系统演化表明，Fe离子被成功地取代的Rh。通过增加Rh的掺杂量，母体化合物中的自旋密度波（SDW）跃迁被抑制，出现超导电性。当x = 0.15时，超导转变温度最高为18.5K。直流磁化强度的温度依赖性证实了在15 K左右的超导转变。得到了该体系的一般相图，发现其与Rh掺杂Sr_（122）体系的相图相似。我们的研究结果明确地表明了高d轨道电子掺杂在Ca_（122）化合物中诱导超导电性的可行性，然而，Rh掺杂在FeAs_（122）化合物和FeAs_（1111）系统中的不同效应仍然是一个悬而未决的问题。
2011-03-29 cond-mat.supr-con
Superconductivity induced by electron doping in the system La1-xMxOBiS2 (M = Ti, Zr, Hf, Th)
我们报道了一种在BiS $_2$基化合物LaOBiS $_2$中诱导超导电性的策略。代替用F取代O，我们通过用四价Th $^{+4}$、Hf $^{+4}$、Zr $^{+4}$和Ti $^{+4}$取代三价La $^{+3}$来增加电荷载流子密度（电子掺杂）。发现$_2$和$_2$母体化合物都是坏金属，电子掺杂诱导超导电性，其\emph{T$_c$}值高达2.85 K。超导和正常状态的特点是电阻率，磁化率和热容测量。我们还表明，通过二价Sr $^{+2}$取代La $^{+3}$降低电荷载流子密度（空穴掺杂）不会诱导超导性。
2013-03-25 cond-mat.supr-con
Superconductivity induced by La doping in Sr1-xLaxFBiS2 system
通过X射线衍射，电输运，磁化率和热容量测量的组合，我们报告的La掺杂Sr在新发现的SrFBiS 2系统的效果。在Sr0.5La0.5FBiS2中发现了超导转变，其临界温度Tc为2.8 K，由类超导正常态发展而来。一个强大的抗磁信号和明确的比热异常与此过渡，确认体超导。用Ginzburg-Landau方法估计了上临界场Hc 2（0）为1特斯拉。因此，我们的实验表明，体超导电性可以通过电子掺杂的SrFBiS 2系统。
2013-01-11 cond-mat.supr-con
Effect of 3d Transition Metal Doping on the Superconductivity in Quaternary Fluoroarsenide CaFeAsF
我们研究了3d过渡金属元素（TM：Cr，Mn，Co，Ni和Cu）在四元氟砷化物CaFeAsF，1111型母体化合物LaFeAsO的类似物的Fe位的掺杂效果。在~120 K时，在母体化合物的电阻率（ρ）与温度（T）的关系图中观察到的异常被每个TM元素的掺杂所抑制。此外，Co-和Ni-掺杂（CaFe 1-xTMxAsF，TM = Co，Ni）诱导超导性，其转变温度在标称x = 0.10（22 K）和x = 0.05（12 K）处最大化。这些最佳掺杂水平可以通过考虑与Co 2+（3d 7）相比，Ni 2+（3d 8）向FeAs层添加双电子来理解。增加Co或Ni的x破坏了超导电性，同时仍然保持金属性质drho/dT > 0。这些观察结果表明，Co和Ni作为电子供体。相反，Cr、Mn和Cu掺杂均不诱导超导电性，在ρ-T异常温度以下产生drho/dT < 0，表明这些过渡金属离子充当散射中心。TM取代Fe位的两种不同的行为进行了讨论与掺杂的晶格常数的变化。
2009-03-04 cond-mat.supr-con
Superconductivity in layered iron Selenide induced by cobalt- and sodium-doping
在名义成分为Fe_（0.92）Co_（0.08）Se和Na_（0.1）FeSe的α-FeSe中分别掺入Co和Na，可获得零电阻转变温度（Tc）分别为8.4 K和8.3 K的超导电性。用物理性质测量系统（PPMS）测量的所制备样品的电阻率和AC磁化率彼此明确一致，以指示样品是可磁化的。钴和钠分别掺杂到母体α-FeSe中的机制是Fe位取代和层间插入。这是首次将α-FeSe诱导成Na+嵌入层间的超导体。
2008-08-13 cond-mat.supr-con
Doping dependence of superconductivity on a honeycomb lattice within the framework of kinetic-energy-driven superconductivity
本文在动能驱动超导理论框架下研究蜂窝晶格$t$-$J$模型，发现载流子配对能隙随掺杂呈穹顶状变化，并随$J/t$增大而减小直至超导消失，表明该穹顶状掺杂依赖可能是掺杂Mott绝缘体的共同特征。
2023-12-04 cond-mat.supr-con
The suppression of superconductivity in MgCNi3 by Ni-site doping
本文报道了金属间化合物钙钛矿超导体MgCNi_3中Cu和Co部分替代Ni的效应。预期的电子态密度的计算表明，电子（Cu）和空穴（Co）掺杂应该有不同的效果。对于MgCNi 3-xCux，Cu的溶解度被限制在约3%（x = 0.1），并且Tc从7 K系统地降低到6 K。对于MgCNi 3-xCox，Co的溶解度要广泛得多，但当Co掺杂量为1%（x = 0.03）时，体超导性消失。在Co掺杂材料的磁化率中没有观察到长程磁有序的特征。
2001-04-27 cond-mat.supr-con
Short range magnetic order and effective suppression of superconductivity by manganese-doping in LaFe1-xMnxAsO1-yFy
本文研究了直接空穴掺杂LaFe_（1-x）Mn_xAsO（x = 0.0-0.2）的结构和物理性质，以及在LaFe_（0.9）Mn_（0.1）AsO_（1-y）Fy（y = 0.1-0.5）中附加F掺杂对电荷补偿/电子掺杂的影响。采用固态复分解反应制备了高质量的多晶样品。在Mn掺杂时，晶胞增大，但当插入额外的F时，晶胞再次减小。LaFe_（1-x）Mn_xAsO的半导体特性随着F掺杂的增加而降低。μ子自旋弛豫（muSR）测量揭示了LaFe_（1-x）Mn_xAsO中的短程磁有序性，并通过在LaFe_（0.9）Mn_（0.1）AsO_（1-y）Fy中掺杂氟化物来抑制磁性。当x > 0.1时，电子掺杂的LaFe_（0.9）Mn_（0.1）AsO_（1-y）Fy体系满足了电子的先决条件，但仍不存在超导电性，这表明Mn在该体系中产生了有效的电子对断裂。
2013-03-27 cond-mat.supr-con
Copper Doping of BaNi$_{2}$As$_{2}$: Giant Phonon Softening and Superconductivity Enhancement
研究了Cu掺杂对Ba（Ni $_{1-x}$ Cu $_{x}$）$_{2}$ As $_{2}$结构和超导相变的影响。我们发现超导转变温度$T_{\rm c}$从含铜较少的三斜相的0.6 K（$x$ $\leq$ 0.16）突然增加到含铜较多的四斜相的2.5-3.2 K（$x$ $>$ 0.16）。比热数据表明，掺杂引起的声子软化是负责增强的超导电性在四相。所有这些观察结果与BaNi $_{2}$（As $_{1-x}$ P $_{x}$）$_{2}$ [K. Kudo等人，物理修订信函109，097002（2012）.]，这与铁基超导体BaFe $_{2}$ As $_{2}$的磷和铜掺杂的行为明显不同。
2017-04-17 cond-mat.supr-con
Two-dimensional superconductivity induced by high-mobility carrier doping in LaTiO3/SrTiO3 hetero-structures
在这封信中，我们表明，超导二维电子气形成在LaTiO_3/SrTiO_3界面，其转变温度可以调制的背栅电压。气体由两种类型的载流子组成：大多数低迁移率的载流子总是存在的，和一些高迁移率的，可以通过静电掺杂注入。对电子在约束势中空间分布的计算表明，导致超导的高迁移率电子位于气体的边缘，其延伸可以通过场效应来调节。
2012-06-04 cond-mat.supr-con
Ce doping in T-La2CuO4 films: Broken electron-hole symmetry for high-Tc superconductivity
我们尝试了用分子束外延技术在具有K_2NiF_4（T）结构的La_2CuO_4中掺杂Ce。在较低的生长温度和适当的衬底选择，我们发现，Ce可以纳入到K2 NiF 4晶格高达x ~ 0.06，这还没有实现在体合成。Ce的掺杂使得T-La 2-xCexCuO 4更绝缘，这与具有Nd 2CuO 4结构的La 2CuO 4中的Ce掺杂形成鲜明对比，这使得化合物超导。所观察到的电阻率从空穴掺杂侧（T-La 2-xSrxCuO 4）到电子掺杂侧（T-La 2-xCexCuO 4）的平滑增加表明在T相材料中电子-空穴对称性被破坏。
2005-01-28 cond-mat.supr-con
Superconductivity by rare earth doping in the 1038-type compounds (Ca$_{1-x}$RE$_x$)$_{10}$(FeAs)$_{10}$(Pt$_3$As$_8$) with RE = Y, La-Nd, Sm-Lu
本文报道了1038型化合物（Ca $_{1-x}$ RE $_x$）$_{10}$（FeAs）$_{10}$（Pt $_3$ As $_8$）的多晶样品的超导电性。的临界温度是独立的三价稀土元素的使用，产生一个通用的T $_c$（$x$）在所有这些系统中的电子掺杂相图。Eu $^{2+}$掺杂样品中不存在超导电性，以及（Ca $_{1-x}$ RE $_x$）$_{10}$（FeAs）$_{10}$（Pt $_3$ As $_8$）与1048化合物的密切相似性证实RE-1038和1048相中的电子掺杂情况与具有更简单晶体结构的其他铁基超导体完全类似。
2014-07-03 cond-mat.supr-con
Giant Phonon Softening and Enhancement of Superconductivity by Phosphorus Doping of BaNi2As2
研究了磷掺杂对BaNi $_2$（As $_{1-x}$ P $_x$）$_2$结构和超导相变的影响。测量了比热、电阻率和磁化率。结果表明，超导转变温度（$T_c$）突然增加，从0.6 K的三斜相（空间群P $\bar{1}$）与较少的磷（0 $\leq$ $x$ $\leq$ 0.067）到3.3 K的四斜相（空间群I4/mmm）与更多的磷（$x$ $\geq$ 0.067）。我们的数据分析表明，掺杂诱导的软化与平面内Ni和As（P）声子模式是负责增强的超导性在四相。
2012-04-23 cond-mat.supr-con
Pd site doping effect on superconductivity in Nb2Pd0.76S5
通过测量电阻率、磁化率和霍尔效应，研究了准一维超导体Nb 2（Pd 1-xRx）0.76S5（R=Ir，Ag）中Pd位掺杂对超导性的影响.结果表明，Ir部分取代Pd后，超导转变温度（Tc）先略有提高，然后随着Ir含量的进一步增加而逐渐降低。同时Ag的替代迅速抑制系统的非超导基态。霍尔效应测量表明，由Ir或Ag掺杂引起的载流子密度的变化。所建立的相图表明，载流子密度（或能带填充）可能是决定该体系Tc的关键控制因素之一。
2016-02-24 cond-mat.supr-con
Enhanced superconductivity by strain and carrier-doping in borophene: A first principles prediction
我们通过第一性原理计算预测最近制备的硼化物是一个原始的二维（2D）单层超导体，其中的超导电性可以通过应变和载流子掺杂显著增强。本征金属基态在费米能级处具有高的态密度，费米面嵌套强，导致了相当大的电子-声子耦合，使$T_c$的自支撑硼化物超导体在接近19.0 K的温度下成为超导体。拉伸应变可使$T_c$提高到27.4 K，而空穴掺杂可使$T_c$显著提高到34.8 K。结果表明，在大晶格参数的衬底上生长的硼化物或在光激发下生长的硼化物在液氢温度（20.3K）以上都能表现出高的超导性，其超导性比在室温下的高出$T_c$多得多，这将极大地拓宽这种新型材料的应用。
2016-04-22 cond-mat.supr-con
Effect of Cu doping on superconductivity in TaSe$_3$: Relationship between superconductivity and induced charge density wave
通过测量电阻随温度的变化，研究了Cu掺杂对TaSe $_3$超导电性的影响，其中Cu掺杂引起了电荷密度波（CDW）跃迁.我们观察到一个区域的出现，其中的SC转变温度（$T_\mathrm{C}$）降低样品中具有较高的Cu浓度，并发现该区域往往扩大与Cu浓度的增加。此外，Cu掺杂TaSe $_3$的上临界场（$H_\mathrm{C2}$）的温度依赖性与纯TaSe $_3$不同.基于这些实验结果和TaSe $_3$的SC是连续的这一事实，我们得出结论：在Cu掺杂的TaSe $_3$中，SC被局部抑制，并与CDW竞争。由于CDW转变的电阻异常是非常小的，并且异常的大小随着Cu浓度的增加而增强，但是异常出现时的温度几乎没有变化。这种反常和SC的局域抑制的结果意味着在Cu原子附近诱导的CDW是短程有序的。我们还讨论了CDW的钉扎效应对SC和短程有序CDW之间关系的影响。
2018-11-22 cond-mat.supr-con
Superconductivity in La1-xCexOBiSSe: carrier doping by mixed valence of Ce ions
我们报道了Ce取代对层状铋硫族化合物La 1-xCexOBiSSe（x = 0-0.9）的结构、电子和磁性的影响。金属导电性观察x > 0.1，因为电子载流子诱导的混合价的Ce离子，揭示了通过键价和计算和磁化强度测量。当x = 0.2-0.6时，样品的电阻率为零，抗磁化率为零，表明这些化合物中出现了体超导电性。最高转变温度（Tc）为3.1 K，略低于掺F的LaOBiSSe（Tc = 3.7 K）。本研究清楚地表明，混合价态的铈离子可以被用作层状铋硫族化合物中的电子掺杂诱导超导电性的替代方法。
2018-06-06 cond-mat.supr-con
Enhanced superconductivity in hole-doped Nb$_{2}$PdS$_{5}$
采用固相反应法合成了一系列Nb $_{2}$ Pd $_{1-x}$ Ru $_{x}$ S $_{5}$多晶样品，并通过输运和磁性测量系统地研究了Ru掺杂对超导电性的影响。发现Ru掺杂增强了超导电性，并且在无序时非常稳健。霍尔系数测量表明，电荷输运是由空穴型电荷载流子类似的情况下，Ir掺杂，建议多带超导。在Ru或Ir掺杂时，\emph H $_{c2}$ / $\emph T_c$表现出显著的增强，超过泡利顺磁极限值约4倍。比较了不同掺杂元素在Pd位上的$T_c$和上临界场（$H_{c2}$），揭示了自旋-轨道耦合的重要作用.
2016-11-11 cond-mat.supr-con
FeAs-based superconductivity: a case study of the effects of transition metal doping on BaFe2As2
最近发现的FeAs基超导体是一种新的，有前途的材料，无论是技术还是基础研究。它们提供高达55 K的转变温度，以及基本上各向同性和极大的上限，超导临界场在20 K时超过40 T。此外，它们可能很好地提供了对奇异超导性的深入了解，这种超导性不仅仅局限于基于FeAs的超导性，甚至可能揭示仍然令人困惑的基于CuO的高Tc材料。尽管可以通过多种方式在RFeAsO（R =稀土）和AEFe 2As 2（AE = Ba，Sr，Ca））族中诱导超导性，但是BaFe 2As 2的过渡金属掺杂，例如Ba（Fe 1-xTMx）2As 2，提供了对广泛材料组的最简单的实验途径。在这篇综述中，我们提出了一个概述和总结的效果TM掺杂（TM = Co，Ni，Cu，Pd和Rh）BaFe 2As 2。由此产生的相图揭示了这些化合物的结构，磁性和超导相变之间的相互作用的性质，并描绘了一个区域的相空间，允许超导稳定。
2010-02-03 cond-mat.supr-con
Thorium-doping induced superconductivity up to 56 K in Gd1-xThxFeAsO
在铁基砷化物LaO 1-xFxFeAs中发现超导性之后，超导转变温度（Tc）为26 K[1]，通过施加压力[2]或用Sm[3]，Ce[4]，Nd[5]和Pr[6]取代La，Tc令人惊讶地被推高到40 K以上。在SmO 1-xFxFeAs[7，8]和SmFeAsO 1-x[9]中观察到的最大Tc已攀升至55 K。在最佳掺杂水平下，随着LnFeAsO_（1-x）Fx（Ln为镧系元素）晶格参数的减小，Tc值增大。然而，由于Gd 2 O2层和Fe 2As 2层之间的晶格失配，GdFeAsO中的F掺杂特别困难[10，11]。在这里，我们报告的观察超导Tc高达56 K的Th 4+取代Gd 3+在GdFeAsO。相对较大的Th ~（4+）离子的掺入使晶格失配弛豫，从而诱发高温超导。
2008-06-12 cond-mat.supr-con
Doping Effect of Nano-Diamond on Superconductivity and Flux Pinning in MgB2
研究了金刚石纳米颗粒掺杂对MgB 2块体材料超导性能的影响。结果表明，金刚石掺杂降低了MgB_2的超导转变温度Tc，但系统地提高了不可逆场Hirr和临界电流密度Jc。显微结构分析表明，金刚石掺杂的MgB 2超导体由紧密堆积的MgB 2纳米颗粒（~50-100 nm）和高度分散且均匀分布的金刚石纳米颗粒（~10-20 nm）组成。高密度的位错和金刚石纳米颗粒可能负责增强磁通钉扎在金刚石掺杂的MgB 2。
2003-02-11 cond-mat.supr-con
Control via electron count of the competition between magnetism and superconductivity in cobalt and nickel doped NaFeAs
使用中子，μ子和同步加速器技术的组合，我们展示了如何在NaFeAs的磁状态可以被调谐到超导性通过取代Fe由Co或Ni。电子数是主导因素，因为对于相同的掺杂水平，Ni掺杂具有Co掺杂的两倍效果。我们遵循的结构，磁性和超导性能作为掺杂的函数，以显示超导状态如何演变，得出的结论是，每个Fe原子的0.1个电子的添加足以穿越超导域，并且在掺杂水平小于0.025个电子/Fe原子时，磁序与超导性共存。
2010-09-15 cond-mat.supr-con
Superconductivity induced by U-doping in the SmFeAsO system
通过用U部分取代SmFeAsO中的Sm，成功地合成了铁基超导体家族的另一个成员。X射线衍射测量结果表明，沿a和c轴的晶格常数都被压缩通过U掺杂，表明在Sm位的U的成功取代。母体化合物在150 K附近表现出很强的电阻率异常，与自旋密度波不稳定性有关，U掺杂抑制了这种不稳定性，并导致在49 K温度下转变为超导态。磁性测量证实了该系统的体超导性。对于掺杂水平为x = 0.2的样品，外部磁场抑制的起始温度非常缓慢，表明一个相当高的上临界场。此外，霍尔效应测量表明，U明显掺杂到材料中的电子。
2013-02-21 cond-mat.supr-con
The soft-mode phonons mediated unconventional superconductivity in monolayer 1T'-WTe2
最近的实验已经通过静电门控将单层1 T '-WTe 2调谐为超导。本文从理论上研究了1 T '-WTe_2单分子层中通过电荷掺杂引起的声子介导的超导电性。我们发现，具有特定动量的软模声子的出现是关键的电子掺杂制度，而没有这样的软模声子和超导电性出现在空穴掺杂制度，从而产生超导电性。我们还发现了一个超导圆顶，这可以归因于电子掺杂导致费米表面嵌套条件的变化。考虑到温度依赖的上临界场H_{c2}在面内和离面方向上的强各向异性，我们证明了超导态在C_{2h}点群的A_{u}沟道中可能存在非常规的等自旋三重态配对.我们的研究为H_{c2}在单层1 T '-WTe 2中的掺杂依赖的超导电性和强各向异性提供了一个有希望的理解。
2020-11-01 cond-mat.supr-con
Effect of Co Impurities on Superconductivity of FeSe0.4Te0.6 single crystals
研究了Co掺杂对FeSe $_{0.4}$ Te $_{0.6}$单晶超导电性的影响。当Co掺杂量为-0.75K/（Co %）时，超导转变温度呈线性下降。另一方面，对于4%Co掺杂，剩余电阻率增加小于50 $/mu/Omega$ cm。这些数据与超导性的带间散射机制（$s_/pm$对称性）的符号变化是一致的。
2011-08-12 cond-mat.supr-con
Possible structural origin of superconductivity in Sr-doped Bi2Se3
用铜和锶（Sr）等元素掺杂硒化铋（Bi2Se3）可以诱导超导性，使掺杂材料成为探索潜在拓扑超导行为的有趣候选者。认为掺杂Bi_2Se_3的超导电性是由掺杂原子嵌入范德华能隙引起的。然而，几个实验已经表明，掺杂剂原子的嵌入可能不一定使掺杂的Bi 2Se 3超导。因此，在掺杂的Bi_2Se_3超导性的结构起源仍然是一个悬而未决的问题。本文结合材料合成与表征、高分辨透射电子显微镜和第一性原理计算对Sr掺杂Bi2Se3的掺杂结构进行了研究。我们发现超导电性的出现与n型掺杂原子密切相关。原子级能量色散X射线映射揭示了各种n型Sr掺杂剂，占据插层和间隙的位置。第一性原理计算结果表明，Sr的掺杂浓度对Sr的形成能有很大的影响。该位置从低Sr掺杂水平下的亚稳位置变化到高Sr掺杂水平下的稳定位置。计算结果解释了为什么淬火是必要的，以获得超导样品时，Sr掺杂水平低，也为什么慢炉冷却时，Sr掺杂水平高，可以产生超导样品。我们的研究结果表明，Sr原子掺杂在间隙的位置，而不是那些插入在范德华间隙，是最有可能负责的出现在Sr掺杂Bi2Se3的超导电性。
2018-03-08 cond-mat.supr-con
Superconductivity and Phase Diagram in the Iron-based Arsenic-oxides ReFeAsO1-delta (Re = rare earth metal) without F-Doping
在这里，我们报告了一类新的超导体的高压合成制备的四元家庭ReFeAsO 1-δ（Re = Sm，Nd，Pr，Ce，La）没有氟掺杂。这些化合物的起始超导临界温度（Tc）随Re原子尺寸的减小而增大，SmFeAsO 1-δ的Tc最高为55 K。对于NdFeAsO_（1-δ）体系，在不同的氧浓度下，发现了一个圆顶形相图。
2008-05-08 cond-mat.supr-con
Doping of Ce in T-La2CuO4: Rigorous test for electron-hole symmetry for high-Tc superconductivity
本文报道了用分子束外延技术首次在K_2NiF_4（T）结构的La_2CuO_4中实现了Ce的掺杂。低至~ 630 ℃的合成温度和适当的底物选择，即，（001）LaSrGaO_4（a_1 ~ 3.843A），使我们能够将Ce掺入K_2NiF_4晶格中，并获得Ce掺杂的T-La_（2-x）C_xCuO_4（x ~ 0.06）。Ce的掺杂使T-La_2CuO_4具有更好的绝缘性，而Sr（或Ba）的掺杂使T-La_2CuO_4具有金属性和超导性。所观察到的电阻率从空穴掺杂侧（T-La 2-xSrxCuO 4）到电子掺杂侧（T-La 2-xCexCuO 4）的平滑增加表明在T相材料中电子-空穴对称性被破坏。
2006-02-13 cond-mat.supr-con
High-T_c superconductivity induced by doping rare earth elements into CaFeAsF
我们成功地合成了氟砷化合物Ca $_{1-x}$ RE $_x$ FeAsF（RE=Nd，Pr; x=0，0.6）。X射线粉末衍射分析表明，样品的主相为具有ZrCuSiAs结构的Ca $_{1-x}$ RE $_x$ FeAsF。通过测量电阻率，观察到超导性在57.4 K的Nd掺杂和52.8 K的Pr掺杂样品与x=0.6。体超导性也证明了在这两个样品的直流磁化测量。霍尔效应测量表明，在118 K以下，母体化合物CaFeAsF中存在空穴型载流子，电阻率异常明显，而超导样品Ca $_{0.4}$ Nd $_{0.6}$ FeAsF和Ca $_{0.4}$ Pr $_{0.6}$ FeAsF在正常态下的霍尔系数$R_H$为负.这表明稀土元素掺杂将电子引入到CaFeAsF中，从而诱导高温超导性。
2008-12-05 cond-mat.supr-con
Superconductivity of Light-Elements Doped H$ {}_{3} $S
加压富氢化合物，可以看作是预压缩的金属氢，表现出高超导性，从而提供了一个可行的路线走向发现高温超导体。特别令人感兴趣的是寻找具有低稳定压力的高温超导体。在这项工作中，在低压下获得高温超导化合物的目的，我们试图研究掺杂的高温超导$ \mathrm{H_3S} $的超晶胞高达64个原子的第一原理电子结构模拟的影响。作为各种掺杂的结果，我们发现Na掺杂$ \mathrm{H_3S} $可以降低动态稳定压力40 GPa。结果还表明，P掺杂可以增强$ \mathrm{H_3S} $体系的超导电性，这与前人的计算结果一致。此外，我们的工作提出了一种方法，可以合理地估计超导临界温度（$ T_{c} $）的化合物含有大量的原子，节省计算成本显着的大规模元素掺杂超导模拟。
2021-08-21 cond-mat.supr-con
Spacing Dependent and Doping Independent Superconductivity in Intercalated 1T Two Dimensional SnSe2
过渡金属二硫属化物（TMD）材料中的弱范德华相互作用为通过化学掺杂或物理选通技术研究其奇异电子性质提供了丰富的平台。我们报告了高达7.6 K的体超导电性，通过仔细操纵的载流子密度和层间距d在化学插层的二维1 T-SnSe 2相。我们发现，第一次在二维SnSe 2中，极性有机分子与碱金属Li共插层到基底层中，从而显着提高超导Tc。在Lix（THF）ySnSe_2体系中，Tc与基底间距成正比，而与x几乎无关。我们的结果为研究二维材料中的富电子关联以及电荷密度波与非常规超导性的相互作用提供了一条新的一般化学途径。
2019-03-19 cond-mat.supr-con
Superconductivity in SrFe_(2-x)Co_xAs_2: Internal Doping of the Iron Arsenide Layers
在电子掺杂的SrFe_（2-x）Co_xAs_2中，当x <0.2时，观察到T_c达20 K的超导电性。结构测定，磁化率，电阻率和比热的结果报告。在所有的热力学性质的体超导性的观察-尽管在铁砷层强烈的无序-有利于巡回图片相比，铜酸盐和呈现p-或d-波的情况不太可能。密度泛函理论计算发现，Co（x > 0.3）取代Fe后，由于Fe-3d_（x^2-y^2）相关带边的态密度发生了刚性的下移，导致SrFe_2As_2中存在的磁有序受到抑制。
2008-07-14 cond-mat.supr-con
Magic Doping and Robust Superconductivity in Monolayer FeSe on Titanates
钛酸盐上单层FeSe的超导电性增强为高温超导体的合理设计开辟了一条迷人的途径。利用同步辐射角分辨光电子能谱仪，在FeSe和SrTiO_3单层膜之间插入不同原子厚度的LaTiO_3外延层，系统地调制界面化学势，随着电子在LaTiO_3-SrTiO_3表面积累的急剧增加，发现在FeSe-氧化物界面上提供功函数失配的实质性浪涌，单层FeSe中的电荷转移和超导能隙保持显著稳健。这个意想不到的发现表明存在的固有锚定的魔术掺杂内的单层FeSe系统。
2021-01-12 cond-mat.supr-con
The pseudogaps in multiband electron-doped cuprate superconductivity
在多带超导框架下分析了赝能隙激发。对电子掺杂铜氧化物超导体的掺杂相图进行了计算。非刚性多带模型已被使用。带间配对的行为之间的哈伯德带（UHB）和midgap状态创建（和向上移动）的掺杂。提出了两个PG和两个相图临界点（CP）的出现。较大的反节PG反映了长程反铁磁（AF）秩序的破坏。第二个较小的PG是一个近节点事件，暴露的掺杂依赖性后面的第一个CP。它到达T $_c$圆顶。已经进行了模型计算。相图的特性是由掺杂激发带重叠动力学决定的。与通过掺杂引入的载流子相比，对外来载流子的观察预期从PG消失开始。
2014-09-02 cond-mat.supr-con
Superconductivity in the 2D Hubbard model: Electron doping is different
用变分蒙特卡罗方法研究了二维哈伯德模型的基态，包括最近和次最近邻点之间的跃迁。超导电性与d-波对称性被发现是有限的费米面穿过磁区边界的密度。空穴掺杂的凝聚能比电子掺杂的凝聚能大得多。空穴掺杂的超导性是动能驱动的，而电子掺杂的超导性是势能驱动的。我们的研究结果同意令人惊讶的层状铜酸盐的实验数据，无论是电子和空穴掺杂的材料。
2008-08-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity induced by phosphorus doping and its coexistence with ferromagnetism in EuFe$_{2}$(As$_{0.7}$P$_{0.3}$)$_{2}$
本文通过X射线衍射、电阻率、热电势、磁化率、磁电阻和比热等测试手段对EuFe $_{2}$（As $_{0.7}$ P $_{0.3}$）$_{2}$进行了研究。P部分取代As导致晶格收缩，对体系产生化学压力。结果表明，EuFe $_{2}$（As $_{0.7}$ P $_{0.3}$）$_{2}$在26 K发生超导转变，随后在20 K发生Eu $^{2+}$磁矩的铁磁有序化.这一发现是第一次观察到内部化学压力稳定的超导性，并提供了一个罕见的例子，表明在砷化铁家族中超导性和铁磁性共存。
2009-01-19 cond-mat.supr-con
Doping dependence and multichannel mediators of superconductivity: Calculations for a cuprate model
该研究针对铜氧化物模型，分析超导的掺杂依赖与多通道媒介效应，验证电子-声子机制可支持d波超导并贡献高临界温度，同时明确自旋涨落的抑制作用。
2024-06-26 cond-mat.supr-con
d-wave superconductivity in a generalized Hubbard model
我们考虑了一个扩展的哈伯德模型，它包含了最近邻关联跳跃和次最近邻跳跃t'，作为铜氧化物超导体的一个有效模型。利用广义Hartree-Fock BCS近似，我们发现当t'足够高时，反铁磁性被破坏，系统表现出d波超导性。近最佳掺杂，我们认为反铁磁自旋涨落的正常自能使用的现象学的磁化率的影响。由此得到的超导临界温度与掺杂的函数关系与实验结果非常一致。
1998-09-13 cond-mat.supr-con
Mutual influence of structural distortion and superconductivity in systems with degenerate bands
本文研究了费米能级位于二重简并带的系统的带Jahn-Teller畸变与超导电性之间的相互作用。假设晶格畸变与轨道电子密度耦合，电子间的BCS配对机制导致超导电性，得到了不同掺杂半满带情况下的相图。在一定的掺杂范围内，超导与畸变共存，畸变降低了超导转变温度$T_c$。在强的电子-晶格相互作用的存在下，晶格应变被发现是最大的半填充和超导性不会出现低掺杂。对于最佳掺杂可获得的$T_c$的最大值受到结构转变温度$T_s$的限制。畸变的增长与超导性的开始被逮捕，并发现在一定的空穴密度的温度较低的畸变消失。在$T_c$处对畸变增长的这种抑制产生了热膨胀系数的不连续跳跃。应变随温度的变化，以及与掺杂，热膨胀系数，$T_c$与$δ$行为的定性与最近的实验观察的相互作用的扭曲和超导铜酸盐。
1996-10-07 cond-mat.supr-con
Degradation of superconductivity and spin fluctuations by electron over-doping in LaFeAsO$_{1-x}$F$_{x}$
用多晶样品，在能量转移为w = 15 meV时，用非弹性中子散射研究了电子掺杂的铁基超导体LaFeAsO（1-x）F（x）的低能自旋涨落.超导样品（x=0.057，Tc=25 K和x=0.082，Tc=29 K）的动态自旋磁化率chi”（w）几乎与母体样品相当。而在x=0.158的样品中，超导电性被高度抑制，chi”（w）几乎消失。这些结果与自旋涨落对超导电性起重要作用的理论观点是一致的。
2010-05-06 cond-mat.supr-con
Doping Dependence of Superconductivity and Lattice Constants in Hole Doped $La_{1-x}Sr_xFeAsO$
用固相反应法制备了Sr含量达0.13的空穴掺杂$La_{1-x}Sr_xFeAsO$超导体。结果表明，在母相中掺杂空穴可以抑制150 K附近的电阻率突变和低温下的电阻率上升。有趣的是，超导转变温度$T_c$和晶格常数（a轴和c轴）都随着空穴浓度单调增加，与电子掺杂侧形成鲜明对比，在电子掺杂侧，$T_c$随着晶格常数的持续收缩而增加，或者通过将更多的氟或氧空位掺杂到系统中。实验结果表明，在具有单一FeAs层的LaFeAsO体系中，通过用二价Sr取代三价La来掺杂空穴可以诱导超导性，并且该体系中的$T_c$在电子掺杂侧和空穴掺杂侧表现出对称性。
2008-06-12 cond-mat.supr-con
Stabilizing and Tuning Superconductivity in La$_3$Ni$_2$O$_{7-δ}$ Films: Oxygen Recycling Protocol Reveals Hole-Doping Analogue
Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室）；University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学）；Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences（中国科学院上海高等研究院上海同步辐射光源）；Beijing Academy of Quantum Information Sciences（北京量子信息科学研究院）；Songshan Lake Materials Laboratory（松山湖材料实验室）
通过氧回收协议稳定和调节La$_3$Ni$_2$O$_{7-δ}$薄膜超导性，揭示氧掺杂与空穴掺杂的类比关系，指导材料优化。
2026-01-16 cond-mat.supr-con
Unconventional Pressure Dependent Interorbital and Interlayer Doping in Superconducting Nickelates
针对镍酸盐超导研究中电子计数与掺杂相图的矛盾，研究发现超导La₄Ni₃O₁₀存在非常规层间与轨道间本征掺杂效应，使相关轨道占据数与铜氧化物相近，建立了镍酸盐超导的自洽框架并维系两类超导体的关联。
2024-07-23 cond-mat.supr-con
Pressure-Induced Superconductivity and Its Scaling with Doping-Induced Superconductivity in the Iron Pnictide with Skutterudite Intermediary Layers
Ca_（10）（PtnAs_8）（Fe_2As_2）_5（n= 3，4）化合物是一种新型的铁磷属元素化物超导体，其结构由Ca-PtnAs_8-Ca-Fe_2As_2层堆叠而成。当n=3（10-3-8相）时，未掺杂的化合物是反铁磁（AFM）半导体，而当n=4（10-4-8相）时，未掺杂的化合物是转变温度为26 K的超导体。在这里，我们报告的10-3-8化合物通过原位电阻，磁化率和霍尔系数测量的组合获得的高压研究的结果。我们发现在3.5 GPa压力范围内，它的原子力显微镜（AFM）有序度被完全抑制，然后在3.5-7 GPa压力范围内出现超导态。超导转变温度与压力的关系呈圆顶状。
2023-02-03 cond-mat.supr-con
Doping evolution of superconductivity, charge order and band topology in hole-doped topological kagome superconductors Cs(V$_{1-x}$Ti$_x$)$_3$Sb$_5$
新发现的可果美超导体$A$ V $_3$ Sb $_5$（$A$ = K，Rb，Cs）同时表现出超导性、电荷序和能带拓扑。为了探索超导和电荷序之间复杂的相互作用，我们研究了掺杂拓扑可果美超导体Cs（V $_{1-x}$ Ti $_x$）$_3$ Sb $_5$中的超导性、电荷密度波（CDW）序和能带拓扑的掺杂演化，其中Ti掺杂剂引入了空穴状电荷载流子。尽管在掺杂化合物中没有CDW相变，即使对于$x=0.047$的最低掺杂水平，超导电性在所有掺杂样品中存活，具有增强的临界温度。高分辨率角分辨光电子能谱（ARPES）测量表明，可果美平面中的Ti掺杂剂降低了化学势，将$M$点处的van Hove奇点（VHS）推到费米能级以上。第一性原理模拟证实了在ARPES中观察到的能带结构的掺杂演化，并确认一旦VHS被推到费米能级以上，CDW不稳定性不会发生，解释了在我们的掺杂样品Cs（V $_{1-x}$ Ti $_x$）$_3$ Sb $_5$中CDW有序的缺乏。我们的结果表明，在kagome金属超导体CsV $_3$ Sb $_5$中，CDW和超导序之间存在竞争，尽管超导性可能与CDW序无关。
2021-10-25 cond-mat.supr-con
Effect of La-doping on growth and superconductivity of Bi-2212 crystals
用自熔法生长出了层状超导体Bi_2Sr_2（Ca_（1-x）Lax）Cu_2 O_（8 +d）的单晶。在La掺杂时，c轴收缩，但结构保持稳定，直到临界浓度xc，高于该浓度，晶体包含纯Bi 2（Sr，La）2CuO 6相。超导转变温度的降低遵循线性关系Tc（x）=Tc（0）（1-x/xc），其中xc=0.3与结构数据一致。与文献中Pr ~（3+）掺杂（xc>>0.65）和Y ~（3+）掺杂（xc=1）数据的比较表明，2212相的结构稳定性与超导稳定性之间存在密切关系。除了广泛讨论的空穴填充效应，结构不稳定性，由于大的La 3+取代Ca 2+被认为是另一个贡献Tc抑制在这个系统中。
1999-09-06 cond-mat.supr-con
Superconductivity on the verge of electronic topological transition in Fe based superconductors
对122族铁基超导体的电子拓扑跃迁进行了第一性原理研究。掺杂以及温度驱动的Lifshitz转变被发现从第一性原理模拟在各种铁基超导体，与实验结果是一致的。在所有研究的化合物中，Lifshitz跃迁始终发生在超导性最高且磁性消失的掺杂浓度下。系统地，Lifshitz转变发生在电子费米面的空穴掺杂，而在空穴费米面的电子掺杂以及等电子掺杂。在等电子Ru掺杂BaFe $_2$ As $_2$化合物中发现了温度驱动的Lifshitz转变。费米面比能带结构对拓扑变化的敏感性更强，可以作为识别电子拓扑跃迁的一种较好的实验探针。
2016-07-20 cond-mat.supr-con
High-$T_\mathrm{c}$ superconductivity in undoped ThFeAsN
与广泛研究的ReFeAsO系列不同，新发现的铁基超导体ThFeAsN在没有化学掺杂或外部压力的情况下表现出非常高的临界温度，为30 K。在这里，我们详细调查其磁性和超导性质，通过μ子自旋旋转/弛豫（$μ$ SR）和核磁共振（NMR）技术，并表明，ThFeAsN表现出强烈的磁波动，抑制低于35 K，但没有磁秩序。这与ReFeAsO系列形成强烈对比，其中化学计量的母体材料仅在掺杂时才出现反铁磁和超导性。ThFeAsN的情况下，费米表面修改由于结构扭曲和相关效应是一样重要的掺杂诱导超导性。反铁磁性和超导性之间的直接竞争，在ThFeAsN中（如在LiFeAs中）发生在已经零掺杂的情况下，可能表明该化合物中的$s$波超导能隙与标准$s^{\pm}$方案存在显著偏差。
2017-07-20 cond-mat.supr-con
Microscopic Evidence for Evolution of Superconductivity by Effective Carrier Doping in Boron-doped Diamond:11B-NMR study
用~（11）B-NMR研究了掺硼金刚石在异质外延生长的（111）和（100）薄膜上的超导电性。~（11）B-NMR谱表明，所有薄膜的B（1）位为单占据，B（2）位为硼+氢（B+H）络合物。结果表明，B（1）位取代引入的有效载流子是超导的主要原因，而电荷中性的B（2）位不能有效地提供载流子。这一结果也被1/T1 T测量的态密度所证实，表明超导电性的演化是由B（1）位取代引入的有效载流子所驱动的。
2006-12-06 cond-mat.supr-con
Behaviour of superconductivity energetic characteristics in electron-doped cuprates. A simple model
本文提出了一个描述电子掺杂铜氧化物超导体能量相图的简单模型。带间配对在UHB和由掺杂产生并由两个掺杂HB提供的缺陷态之间操作。两个缺陷子带对应于（$π, 0$）和（$π/2,π/2$）动量区。扩展掺杂淬灭裸露的正常态间隙（赝间隙）。最大转变温度对应于重叠带系综由化学势。说明性的结果为$T_c$，伪和超导间隙计算在整个掺杂规模。再现了相图上的主要特征。预期表现的差距掺杂动力学进行了讨论。
2007-05-23 cond-mat.supr-con
Crossover from superfluidity to superconductivity in a system with doping dependent attraction
研究了二维系统在s波和d波配对通道中随载流子密度增加从超流性到超导电性的零温度过渡。假设粒子吸引相关长度依赖于载流子密度$n_f$为$r_0\sim1/\sqrt{n_f}$。这种依赖性被实验发现的磁关联半径在$La_{2-x}Sr_xCuO_4$。短程库仑排斥也被考虑在内。它示出的行为与掺杂的系统是从根本上不同的情况下与$r_0(n_f)=const$。特别是，类似于d波的情况下，交叉在s通道发生，只有当耦合是较大的一些最小值，否则库珀配对的情况下发生在任何小的载波密度。讨论了该模型与高温超导体的相关性。
2002-03-22 cond-mat.supr-con
Superconductivity with the enhanced upper critical field in the Pt-Doping CuRh2Se4 spinel
本文报道了Pt掺杂对CuRh_2Se_4尖晶石超导电性的影响。XRD结果表明，Cu（Rh 1-xPtx）2Se 4晶体的空间群为Fd 3-m（No.227），晶格常数a随着Pt的掺杂而增大。电阻率和磁化率的测量结果证实，超导转变温度（Tc）形成一个圆顶状的形状，在x = 0.06的最大值为3.84 K。还观察到，Pt掺杂使下临界磁场从CuRh 2Se 4中的220 Oe略微降低到Cu（Rh0.94Pt0.06）2Se 4中的168 Oe，而它显著增强上临界磁场，在Cu（Rh0.94Pt0.06）2Se 4样品中达到最大值4.93 T。热容结果表明样品Cu（Rh0.91Pt0.09）2Se 4是块体超导体。第一性原理计算表明，Pt掺杂导致费米能级附近的态密度峰发生红移，这与实验观察到的圆顶状Tc相一致。
2022-02-08 cond-mat.supr-con
Evolution of electronic states and emergence of superconductivity in the polar semiconductor GeTe by doping valence-skipping In
GeTe是一种化学结构简单的IV-VI族半导体材料，由于掺杂和外界刺激而具有丰富的物理性质。这些特性包括铁磁性、铁电性、相变记忆功能和极大的热电优值。在这里，我们报告了一个超导体-半导体-超导体的转变控制微调在掺杂。此外，我们的结果还表明，在Ge $_{1-x}$ In $_{x}$ Te中，在$x = 0.12$附近存在一个临界掺杂浓度，其中各种性质要么出现极值，要么改变它们的特性：结构由极性菱面体转变为立方结构，电阻率急剧增加几个数量级，载流子类型由空穴转变为电子，并且状态密度在出现超导相的黎明时减小。通过芯能级光电子能谱，我们发现的In价态的变化，从在$^{3+}$在$^{1+}$与增加$x$的迹象，这表明该系统是一个新的有前途的游乐场，以探测价的波动和它们可能对超导性的影响。
2019-01-25 cond-mat.supr-con
