$c$-axis transport in UTe$_{2}$: Evidence of Three Dimensional Conductivity Component
研究了自旋三重态超导体UTe $_{2}$的电阻率随温度的变化关系。我们特别专注于一个精确的测定电阻率沿$c$轴（$ρ_c$）通过使用广义蒙哥马利技术，允许提取晶体电阻率组件从一个单一的样品。与所观察到的高度各向异性的能带结构的预期相反，我们在所有电流方向上的折射率的绝对值的测量揭示了一个令人惊讶的近藤相干性以上的温度下，与$ρ_c \sim ρ_b \sim 2ρ_a$，发展到揭示定性不同的行为冷却的近藤传输行为。$ρ_c$的温度依赖性在远低于在$ρ_a$和$ρ_b$中观察到的近藤相干性的开始的温度下表现出峰值，这与指向磁原点的磁输运和磁化的特征一致。在角分辨光电子能谱实验中观察到的散射率随温度变化的演变的比较提供了重要的见解，为建立一个微观模型的超导电性在UTe $_{2}$的基本电子结构。
2022-08-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Transport Properties in the "Strange Metal Phase" of High Tc Cuprates: Spin-Charge Gauge Theory Versus Experiments
SU（2）xU（1）Chern-Simons自旋-电荷规范方法被推广到高温/掺杂下的“奇异金属”相，它描述了铜氧化物超导体在“赝隙”状态下的输运性质，特别是面内电阻率的金属-绝缘体交叉。短程反铁磁序和规范场涨落是赝能隙相理论中的关键因素，在本例中也起着重要作用。这两个阶段之间的主要区别是由一个潜在的统计$π$磁通晶格的存在，在前一种情况下的载流子，而背景通量是不存在的，在后一种情况下。费米面从赝能隙中的小“弧”变成奇异金属相中的一条相当大的闭合线。因此，面内和面外电阻率与T的著名线性关系被明确地显示出来。理论计算的面内和面外电阻率、自旋弛豫速率和交流电导率的掺杂浓度和温度依赖性与实验数据进行了比较，显示出良好的一致性。
2004-11-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con hep-th
Non Metallic Transport in Molecular Solids versus Dimensionality
应用路径积分方法和格林函数方法研究了双原子分子池中极化准粒子与局域非谐势的散射随时间和温度的变化。计算了不同电子-声子耦合和分子间力值下任意分子晶格维数下的电阻率。一个广泛的电阻率峰值与非金属行为的温度大于$\simeq 100K$预测足够强的极化子局域电位耦合强度的模型。这种特殊的行为，归因于纯粹的结构效应，有利于在低维。
2001-03-01 cond-mat.stat-mech cond-mat.supr-con
Origin of the DC and AC conductivity anisotropy in iron-based superconductors: scattering rate versus spectral weight effects
为了阐明铁基超导体的超导相的面内电阻率各向异性的机制，我们研究了自旋涨落对各向异性AC电导率的影响。一方面，电子的散射离开磁波动导致各向异性散射率。另一方面，伴随的费米速度重整化有助于等离子体的频率和散射率在对抗的方式，引起这些量的各向异性，正好相互抵消的DC限制。其结果是，有效的散射率改变其符号作为温度的函数，但直流电导率保持相同的符号，与最近的实验。
2015-12-13 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Single crystal growth and physical properties of the layered arsenide BaRh_2As_2
用Pb助熔剂合成了BaRh_2As_2单晶。我们给出了室温晶体结构、单晶X射线衍射测量结果与温度T的关系、各向异性磁化率χ与温度T的关系、ab平面电阻率ρ与温度T的关系、霍尔系数与温度T和磁场H的关系以及热容C与温度T的关系。BaRh_2As_2的晶体结构确定为四方ThCr_2Si_2型结构，空间群为I4/mmm，晶格参数a = b = 4.0564（6）<$，c = 12.797（4）<$。能带结构计算表明，BaRh_2As_2在费米能级N（E_ F）= 3.49态/eV f. u处为金属态，态密度较小。（其中f。\equiv公式单位）。ab平面中的ρ（T）数据证实了该材料确实是金属的，剩余电阻率ρ（2K）= 29 μΩcm，剩余电阻率比ρ（310 K）/ρ（2K）= 5.3。观察到的χ（T）很小（\sim 10^{-5} cm ^3/mol），且具有弱各向异性，χ_{ab}/χ_ c \approx 2。C（T）数据表明，在费米能级处态密度很小，低温索末菲系数γ= 4.7（9）mJ/mol K^2。在2K和300 K之间没有超导性，自旋密度波或结构转变的迹象。我们比较了BaRh_2As_2和BaFe_2As_2的态密度与能量的关系。
2008-08-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropy of the Optimally-Doped Iron Pnictide Superconductor Ba(Fe0.926Co0.074)2As2
测量了最佳掺杂的铁磷属元素超导体Ba（Fe $_{1-x}$ Co $_x$）$_2$的电阻率、上临界场、伦敦穿透深度和临界电流的各向异性。正常状态下的电阻率各向异性是通过采用蒙哥马利技术和直接测量沿主晶方向切割的样品获得的。比率$γ_ρ = ρ_c /ρ_a$约为4 $\pm$ 1，刚好高于$T_c$，并且在室温下变为其一半。上临界场的各向异性，$γ_{H} = H_{c2,ab} /H_{c2,c} $，确定从比热测量接近$T_c$，是在2.1至2.6的范围内，取决于所使用的标准。一个相当低的各向异性的伦敦穿透深度，$γ_λ=λ_{c}/λ_{ab}$，记录从TDR测量，并发现持续深入到超导状态。在临界电流$γ_j=j_{c,ab}/j_{c,c}$中也发现了相当大小的各向异性，这是由直接输运测量（$\sim$ 1.5）和磁化数据分析（$\sim$ 3）确定的。总体而言，我们的研究结果表明，铁磷属化物超导体表现出基本上三维金属间化合物的各向异性一致，并承担很少的相似之处，铜酸盐。
2008-12-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Logarithmic Upturn in Low-Temperature Electronic Transport as a Signature of d-Wave Order in Cuprate Superconductors
在铜氧化物超导体中，高磁场已被广泛用于抑制超导性并暴露潜在的正常态。早期的测量揭示了欠掺杂材料与温度$T$的绝缘行为，其中电阻率在冷却时以令人困惑的$\log(1/T)$形式增加。相反，我们使用微波测量的磁通流电阻率在YBa $_2$ Cu $_3$ O $_{6+y}$和Tl $_2$ Ba $_2$ CuO $_{6+δ}$研究电荷输运的超导相内的深处，在低温和低场制度。在这里，从金属低温电阻率（$dρ/dT>0$）到$\log(1/T)$上升的转变在整个超导掺杂范围内持续存在，包括在高载流子掺杂下的状态，其中场揭示的正常状态电阻率是费米液体状的。因此，$\log(1/T)$形式可能是$d$波超导序的特征，并且场揭示的正常态的$\log(1/T)$电阻率可能指示相位无序的$d$波超导体的自由通量流动状态。
2018-11-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Systematics in the superconducting and normal state properties in chemically substituted MgB$_{2}$
测量了Mg位不同程度地被Li或Cu取代，Mg位被Li或Cu取代，B位被C取代的一系列MgB $_{2}$样品的超导转变温度T $_{C}$、剩余电阻率$ρ_{0}$和高温电阻率曲线斜率d $ρ$ /dT。采用直流电阻率和交流磁化率测量来提取上述参数。T $_{C}$与电子计数（从简单的化学价数参数估计）显示出普遍的行为，与T $_{C}$是恒定的MgB $_{2}$值的电子计数低于在MgB $_{2}$，但迅速降低较大的电子计数。正常状态下电阻率的温度依赖性符合Bloch- Gruneisen公式，从该公式中提取德拜温度、$θ_{D}$和$ρ_{0}$。$θ_{D}$随T $_{C}$的变化不是系统性的，而$ρ_{0}$对T $_{C}$显示出依赖于化学取代基类型的系统性变化。这种依赖性具有受化学取代影响的带内/带间散射的性质的签名。d $ρ$ /dT随C取代而增大，随Li和Cu取代而减小，表明C取代导致$σ$带主导电导，而Li/Cu取代样品中$π$带主导电导.
2003-03-03 cond-mat.supr-con
The H-T and P-T phase diagram of the superconducting phase in Pd:Bi$_2$Te$_3$
我们研究了磁场与温度的关系（$H$-$T$）和压力与温度Pd $_x$ Bi $_2$ Te $_3$中$T_c \approx 5.5$ ~K超导相的（$P$-$T$）相图（$x \approx 1$）在各种施加磁场下使用电阻率对温度测量（$H$）和在各种施加的磁场（$H$）和压力（$P$）下的磁化率与温度的测量。$H$ - $T$相图有一个初始向上的曲率，在一些非常规的超导体中观察到。外推到$T = 0$ ~K的临界场为$H_c (0) \approx 6$ - $10$ ~kOe。$T_c$随压力以$dT_c/dP \approx -0.28$ ~K/GPa的速率近似线性地被抑制。
2016-03-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic and structural transitions in layered FeAs systems: AFe2As2 versus RFeAsO compounds
对SrFe_2As_2样品的电阻率、比热和磁化率的测量表明，其行为与LaFe_2As_O和BaFe_2As_2中观察到的行为非常相似，不同之处在于SDW的形成和晶格变形发生在T_0=205K的显著的一级相变中。比较进一步的数据证据表明，铁磁性是更强的SrFe_2As_2和EuFe_2As_2比其他层状FeAs系统的研究到目前为止。全势LDA能带结构计算证实了化合物之间的巨大相似性，特别是对于相关的低能Fe 3d态。分析了结构细节与磁序的关系。
2008-06-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Nernst Effect and Superconducting Fluctuations in Zn-doped YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-δ}$
报道了用脉冲激光沉积技术生长的Zn掺杂$_{2}$ O $_{3}$外延薄膜的面内电阻率、霍尔效应和能斯特效应的测量结果。的赝能隙温度，$T^*$，确定从电阻率的温度依赖性，不改变与Zn掺杂显着。同时，在$T_{c0}$以上的反常能斯特信号的起始温度（$T^ν$）随着超导转变温度$T_{c0}$的降低而急剧降低，这被解释为类涡旋激发的证据。在混合态下，涡旋能斯特信号的最大值也显著降低，这与Zn杂质导致超流密度降低从而抑制超导电性的假设相一致.给出并讨论了$T^*$、$T^ν$和$T_{c0}$与Zn含量的相图。
2005-09-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure Induced Metallization of BaMn2As2
在4.2 ~ 300 K和8.2 GPa的温度范围内，对BaMn_2As_2单晶的电阻率ρ（T，P）随温度和压力的变化进行了研究，以探讨其基态性质的演变。ρ（T）在压力高达3.2GPa时显示出负的电阻率系数。在~36 K时rho（T）数据中温度系数的变化表明，在外部P ~4.5 GPa时发生了绝缘体到金属的转变（MIT）。然而，在整个温度范围内，在P~5.8 GPa下观察到完全金属化。在室温下进行的高压XRD研究也显示了在P ~ 5GPa附近的压力-体积曲线中的异常，而晶体结构没有变化，这表明电子跃迁。此外，在P ~5.8 GPa时，在~17 K时看到rho（T）的明显急剧下降，这表明系统可能过渡到超导基态。
2011-11-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Intrinsic nonlinearity probed by intermodulation distortion microwave measurements on high quality MgB2 thin films
本文研究了物理化学气相沉积法合成的MgB_2薄膜中的双音互调畸变，以探讨这两个带对该超导体非线性响应的影响。通过使用工作在7 GHz的介质加载的铜腔进行测量。示出了具有高于41 K的临界温度、非常低的电阻率值和大于10的剩余电阻率比的样品的微波数据。分析了非线性表面损耗和三阶互调产物对腔体馈电功率和温度的依赖关系。在低功率下，由失真对温度引起的信号显示了该化合物预期的固有s波行为。数据进行了比较，Nb和YBCO薄膜上使用相同的技术进行测量。
2006-02-14 cond-mat.supr-con
Short-lived electron excitations in $\rm FeTe_{1-x}Se_x$ as revealed by microwave absorption
通过微波吸收和直流电阻率测量研究了不同Se/Te比的$\rm Fe_{1+y}Te_{1-x}Se_x$ \单晶。微波吸收数据和电阻率与温度的比较使得有可能分离两种类型的自旋波动的贡献。其中之一是由于各向异性的磁波动。在30 K到150或200 K的宽温度范围内观察到。在FeSe中，它在接近结构转变温度处具有最大值。另一个MWA异常位于超导转变以上的狭窄温度范围内。这可能是由于反铁磁波动。在氧气气氛中在300 ℃左右的温度下对样品进行退火，可以排除过量铁对所观察到的异常的影响。
2021-03-04 cond-mat.supr-con
Experimental investigation of the magnetic field driven superconductor/ insulator transition in underdoped $La_{2-x}Sr_xCuO_4$ thin films
研究了不同Sr掺杂量的$La_{2-x}Sr_xCuO_4$薄膜在磁场驱动下的超导体/绝缘体转变。分析了在强脉冲磁场（高达57 T）下，低至4.2或1.5 K电阻率的温度依赖性。特别是，在有限的温度范围内，对于给定的值的磁场的电阻与温度的曲线中的高原的存在进行了仔细研究。它被证明是与缩放行为的电阻与磁场曲线，唤起的存在下的量子临界点。一个三维（H，x，T）相图提出，考虑到本征层状性质的材料的存在下，从量子二维到三维行为的温度交叉。
2012-04-16 cond-mat.supr-con
Superconductivity versus structural phase transition in the closely related Bi$_{2} $Rh$ _{3.5}$S$ _{2}$ and Bi$_{2} $Rh$ _{3}$S$ _{2}$
用溶液法合成了Bi $_{2} $ Rh $ _{3}$ S $ _{2}$和Bi $_{2} $ Rh $ _{3.5}$ S $ _{2}$的单晶，并研究了这两种化合物的晶体结构、热力学和输运性质。在Bi $_{2} $ Rh $ _{3}$ S $ _{2}$的情况下，通过单晶衍射实验确定在约165 K处的结构一级转变，在电阻率、磁化强度和比热数据中具有清晰可见的特征。Bi $_{2} $ Rh $ _{3}$ S $ _{2}$在0.5 K以下没有超导转变。与此相反，没有结构相变在高温下观察到的Bi $_{2} $ Rh $ _{3.5}$ S $ _{2}$，但体超导性的临界温度，$T_{c}\approx$ 1.7 K观察。Bi $_{2} $ Rh $ _{3}$ S $ _{2}$的索末菲系数$γ$和德拜温度（$\varTheta_{\textrm{D}}$）分别为9.4 mJ mol $^{-1}$ K $^{-2}$和209 K，Bi $_{2} $ Rh $ _{3.5}$ S $ _{2}$的索末菲系数$^{-1}$ K $^{-2}$和德拜温度分别为22 mJ mol $^{-1}$ K $^{-2}$和196 K。对Bi $_{2} $ Rh $ _{3.5}$ S $ _{2}$超导态比热的研究表明，Bi $_{2} $ Rh $ _{3.5}$ S …
2015-05-06 cond-mat.supr-con
Carbon solubility and superconductivity in MgB2
报道了在MgB_2-xCx系列中用C成功地取代B，x值可达0.3。在样品中进行了电阻率和交流磁化率测量。从观察到的晶格参数随碳含量的变化推断出的碳的溶解度表明，碳取代高达x=0.30到MgB 2晶格中。的超导转变温度，TC测量的零电阻率和抗磁信号的发病显示出系统的碳含量增加到x=0.30，超过该体积分数急剧下降的下降。在正常状态下的电阻率的温度依赖性符合布洛赫-Gruneisen公式的所有碳成分的研究。从拟合中提取的德拜温度随着碳含量从900 K降低到525 K，而电子-声子相互作用参数从使用测量的TC和德拜温度的McMillan方程获得，从MgB 2中的0.8单调增加到x=0.50样品中的0.9。300 K和40 K之间的折射率与TC的比率被认为是遵循Testardi相关性的C取代的样品。TC的降低被认为主要是由于德拜温度随C浓度的大幅降低和N（EF）处空穴态密度的降低。
2002-02-02 cond-mat.supr-con
Structural, Thermal, Magnetic and Electronic Transport Properties of the LaNi2(Ge{1-x}P{x})2 System
合成了LaNi 2（Ge{1-x}P{x}）2（x = 0，0.25，0.50，0.75，1）多晶样品，并通过X射线衍射（XRD）、热容Cp、磁化率chi和电阻率ρ随温度T的变化研究了其性能。这些化合物都以体心四元ThCr_2Si_2型结构结晶。rho（T）测量表明该系统中的所有组合物都是金属的。低T Cp测量得到了相当大的索末菲系数γ = 12.4（2）mJ/mol K^2（x = 0），反映了费米能级处的态密度很大，与在具有相同晶体结构的AFe 2As 2类材料中发现的最大值相当。当x = 1时，γ随x近似线性地减小到7.4（1）mJ/mol K^2。的chi测量显示几乎温度无关的顺磁行为在整个范围内的组合物，除了LaNi 2Ge 2，其中观察到一个宽峰在300 K从chi（T）测量高达1000 K，可能会出现从短程反铁磁相关的准二维磁系统。高精度的Pade近似表示德拜晶格热容和布洛赫-格鲁内森电子-声子电阻率函数与T的关系，并用于分析我们的实验Cp（T）和rho（T）的数据，分别。所有样品的ρ的T-依赖性很好地描述了布洛赫-Gruneisen模型，虽然观察到的ρ（300 K）值大于从这个模型计算。对于每种组合物，观察到由Cp（T）数据确定的德拜温度的显著T依赖性。对于所研究的任何组合物，没有发现体超导性或任何其他长程相变的明确证据。
2012-02-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Crystal Growth and Magneto-transport of Bi2Se3 Single crystals
在这封信中，我们报告的散装Bi 2Se 3单晶的生长和表征。本文所研究的Bi_2Se_3晶体是用高温（950 ℃）熔体固态反应慢冷（2C/h）自熔法生长的。所得晶体是有光泽的并且在[00 l]方向上生长，如从表面XRD所证明的。晶体的PXRD（粉末X射线衍射）的详细Reitveld分析表明，这些晶体以菱形晶体结构结晶，空间群为R3 m（D5），晶格参数为a = 4.14（2）A，b = 4.14（2）A和c = 28.7010（7）A。温度-电阻率（R-T）曲线显示金属传导低至2K，典型的室温电阻率（R300 K）约为0.53 mohm-cm，剩余电阻率为0.12 mohm-cm。在磁场下的电阻率测量结果表明，在2 ~ 200 K范围内，样品的+Ve磁电阻值很大。在2K，100 K和200 K的等温磁阻[RH]测量显示，在14特斯拉下，磁阻（MR）分别高达240%，130%和60%。此外，MR图在所有温度下都是非饱和的并且与场呈线性。在2K下，MR图显示出在10特斯拉以上的外加场下的明显量子振荡。还有科勒图，即，在同一块土地上聚集有趣的是，所研究的Bi_2Se_3单晶在4 ~ 14 Tesla的不同磁场作用下，在2K温度下出现了Shubnikov-de Haas振荡
2017-03-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Magnetic Order versus superconductivity in the Iron-based layered La(O1-xFx)FeAs systems
在高转变温度（高Tc）的铜氧化物中，通常认为反铁磁性在超导机制中起着重要作用，因为当移动电子或空穴被掺杂到反铁磁性母体化合物中时发生超导性。最近在稀土（R）铁基氧化物系统[RO 1-xFxFeAs]中发现的超导性引起了极大的兴趣，因为这些材料是第一个Tc超过50 K的非氧化铜超导体。母（非超导）LaOFeAs材料是金属，但在电阻率和直流磁化率在150 K附近的异常。虽然光学电导率和理论计算表明，LaOFeAs表现出自旋密度波（SDW）的不稳定性，被抑制与掺杂电子形成超导性，一直没有直接的证据SDW秩序。在这里，我们用中子散射证明，LaOFeAs经历了一个突然的结构畸变低于~150 K，改变了对称性从四斜晶系（空间群P4/nmm）的单斜晶系（空间群P112/n）在低温下，然后与发展的长程SDW型反铁磁秩序在~134 K的小力矩，但简单的磁结构。用氟掺杂该系统抑制了磁有序和结构畸变，有利于超导性。因此，很像高Tc铜氧化物，在这些铁基材料的超导制度发生在一个远程有序的反铁磁基态附近。自从发现了长
2008-04-04 cond-mat.supr-con
Mössbauer study of Eu0.57Ca0.43Fe2As2 and Eu0.73Ca0.27(Fe0.87Co0.13)2As2: A comparison to 122 iron-based superconductors parent compounds EuFe2As2 and CaFe2As2
测量了具有3d和4f磁序的Eu_（0.57）Ca_（0.43）Fe_2As_2和Eu_（0.73）Ca_（0.27）（Fe_（0.87）Co_（0.13））_2As_2超导体的~（57）Fe和~（151）Eu穆斯堡尔谱随基态的变化。它们与先前获得的光谱进行了比较，为母体化合物EuFe 2As 2和CaFe 2As 2。结果表明，在Fe-As层外的取代不会导致Eu ~（2+）磁矩的旋转（倾斜），也不会产生Eu ~（3+）态。另一方面，重入超导体表现出旋转（倾斜）的Eu 2+的磁矩上的c轴的单位电池导致转移的超精细磁场的铁核。二价铕在重入超导相的体积内磁性有序。重入超导体保持在接近于基态的非均匀态，约27%的体积没有3d磁性，而其余部分表现出弱的自旋密度波。这两个区域在铁核上的电场梯度和电子密度方面略有不同。
2018-02-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Upper critical field anisotropy in BaFe2-xCoxAs2 single crystals synthesized without flux
上临界场测量到12 T的三个BaFe 2-xCoxAs 2单晶与估计的Co浓度为x = 0.082，x = 0.117和x = 0.143。对于各种施加的磁场，从随温度变化的电阻率测量HC 2与温度的关系，||ab和H|| C. [dHC 2/dT]T=Tc，归一化与相应的TC，减少与增加钴含量，两个方向。各向异性γ定义为HC 2|| ab / HC2|| c随Co含量的增加而明显增加，其温度依赖性在TC附近有一个峰值。磁输运测量，在自旋密度波区，显示出显着的负MR为H|| H的ab和正MR|| c在x = 0.082样品中。这些结果的影响进行了讨论。
2011-03-08 cond-mat.supr-con
The role of magnetic excitations in magnetoresistance and Hall effect of slightly TM-substituted BaFe$_{2}$As$_2$ compounds (TM = Mn, Cu, Ni)
本文报道了四种非超导BaFe $_{2-x}$ TM $_x$ As $_2$（TM = Mn，Cu和Ni）单晶的电阻率、磁电阻（MR）和霍尔效应的测量结果。自旋密度波（SDW）的顺序，发生在这些系统中的温度$T\sim$（120 - 140）K，在附近的四晶/正交转变，产生显着的修改，在其磁输运性质。而在磁有序相的MR是积极的，其幅度随着温度的降低而增加，在顺磁制度的MR变得消失的小。在自旋密度波转变温度（$T_{\text{SDW}}$）以上，霍尔系数$R_H$为负值，且很小，温度依赖性很弱，但在$T = T_{\text{SDW}}$处，$R_H$与$T$曲线的斜率发生了显著变化.当温度降低到低于$T_{\text{SDW}}$和低于$T =$ 20 K时，霍尔系数幅值虽然保持为负，但稳定而显著地增加。MR和霍尔系数的定性行为是弱依赖于所研究的极限的化学替代。实验提供了强有力的证据，电荷载流子的散射磁激发必须考虑到解释的行为的电阻率，磁阻和霍尔效应在有序相的研究化合物。多带传导的影响也必须考虑到一个完整的解释的结果。
2017-03-03 cond-mat.supr-con
Hall effect in underdoped GdBa2Cu3O7-d thin films: evidence for a crossover line in the pseudogap regime
本文报道了用离轴磁控溅射法生长的欠掺杂GdBa_2Cu_3O_（7-d）外延薄膜的电阻率和霍尔系数的测量结果。薄膜已经光刻图案化，允许精确测量的霍尔常数RH-1的倒数和霍尔角θ_H的温度依赖性。我们发现RH-1在300 K和赝能隙温度T* 之间是温度线性的，而cot（theta_H）在典型的300和100 K之间表现出完美的T2温度依赖性。我们观察到，对于所有样品，cot（θ_H）的温度依赖性偏离T2行为的温度与RH显示峰值的温度相关。这个特征温度，发现躺在Tc和T* 之间，并不明显依赖于掺杂水平，并定义了一个新的交叉线的温度与掺杂相图。我们试探性地将这些发现与最近的高频电导率和能斯特效应的实验结果，我们简要地讨论了竞争理论的pseudogap状态的铜酸盐的可能后果。
2001-04-18 cond-mat.supr-con
Pressure Induced Enhancement of Superconductivity in LaRu2P2
探索铜基和铁基体系之外的新型超导体非常重要。Ru元素在元素周期表中位于Fe元素之下，并且在许多方面表现得像Fe元素。引入适度关联是诱导高温超导的共同思路之一。本文报道了具有铁基122超导体等结构的LaRu_2 P_2在1.74GPa压力下，超导转变温度从3.84K显著提高到5.77K。从头计算结果表明，LaRu_2 P_2在常压下的超导电性可以用强电子-声子耦合的McMillan理论来解释。然而，这是很难解释的显着增强Tc与压力在这张照片。对压力引起的电阻率和上临界场Hc 2（T）的演化的详细分析表明，Tc随压力的增加可能伴随着额外的电子关联效应。这表明Ru系超导体与Fe系超导体具有一定的共性。
2015-04-14 cond-mat.supr-con
