Positive oscillating magnetoresistance in a van der Waals antiferromagnetic semiconductor
本文报道层状反铁磁半导体CrPS₄在薄于10 nm器件中表现出强烈偏压依赖的正振荡磁阻，揭示其源于空间电荷限制输运和带隙缺陷态注入，并提出了结合无序半导体输运与磁态性质的微观解释。
2024-10-23 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Resonance oscillations of magnetoresistance in double quantum wells
对双量子阱中电子在隧道耦合态之间的共振跃迁引起的磁阻振荡进行了实验和理论研究。这些振荡随温度升高的抑制与费米分布的热加宽无关，反映了电子量子寿命的温度依赖性。振荡的周期和振幅的门控演示。
2008-04-24 cond-mat.mes-hall
Tunneling magnetoresistance of Fe/ZnSe (001) single- and double-barrier junctions as a function of interface structure
在这篇文章中，我们计算了自旋相关的弹道和相干输运通过外延Fe/ZnSe（001）简单和双磁隧道结与两种不同的界面终端：Zn终止和Se终止。的结的电子结构是由第二近邻{ \it spd}紧束缚哈密顿参数化为{ \it从头计算能带结构，而电导和隧道磁阻计算内Landauer的形式主义。计算是在零偏置电压下进行的，并且是能量的函数。我们显示和讨论的界面结构上的自旋相关的运输通过简单和双隧道结的影响。
2008-10-02 cond-mat.mes-hall
Large Magnetoresistance Induced by Quantum Charge Fluctuations in Magnetic Double Dots
我们研究电子隧穿通过两个小铁磁点。量子电荷涨落和点间耦合使得点间耦合为零时电导的库仑峰分裂。点间隧道耦合由两个点的磁化的相对取向决定，导致平行和反平行磁化排列中库仑峰的不同分裂能量。结果，在库仑峰附近出现非常大的隧穿磁电阻，其符号可以是正的也可以是负的。
2004-08-26 cond-mat.mes-hall
Negative tunnel magnetoresistance and differential conductance in transport through double quantum dots
从理论上研究了两个耦合单能级量子点与铁磁导线弱连接的自旋相关输运。传输特性，包括电流，线性和非线性电导，隧道磁阻计算使用实时图解技术在并行，串行，和中间的几何形状。由于两个点之间的虚拟隧穿过程通过引线，与非对角耦合矩阵元素的影响，也被认为是。在串联和中间几何结构的情况下，已经发现了负微分电导和负隧道磁阻，而并联耦合的双量子点没有观察到这样的行为。它还表明，输运特性强烈依赖于非对角耦合矩阵元素的大小。
2009-11-02 cond-mat.mes-hall
In-plane Magnetic Field Dependent Magnetoresistance of Gated Asymmetric Double Quantum Wells
实验研究了强非对称双阱的磁电阻效应。通过将薄Al $_{0.3}$ Ga $_{0.7}$ As阻挡层插入标准调制掺杂GaAs/Al $_{0.3}$ Ga $_{0.7}$ As异质结构的GaAs缓冲层中来制备该结构。由此产生的双井系统由一个近矩形井和一个三角形井耦合通过隧道通过薄的障碍。通过适当选择势垒参数，可以控制两个阱和两个最低（成键和反键）子带的占用率。通过施加前栅电压或背栅电压可以进一步影响电子特性。
2003-09-22 cond-mat.mes-hall
Gate control of the tunneling magnetoresistance in double-barrier junctions
以Fe/ZnSe/Fe/ZnSe/Fe（001）双磁隧道结为例，计算了双磁隧道结的电导和隧道磁电阻。计算作为施加到中间Fe层片的栅极电压的函数进行。我们发现，施加的栅极电压之间的铁板强烈影响结的TMR由于调谐或调谐介导的量子阱态的电导共振。栅极电压允许以比通过改变中间Fe板的厚度更可控的方式显著增强TMR。这种效应可能是有用的，在未来的自旋电子器件的设计的基础上的TMR效应，需要大的和可控的TMR值。
2008-09-08 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance and transistor-like behavior of double quantum dots connected to ferromagnetic and superconductor leads
研究了双量子点系统中的电流和磁阻效应，其中一个量子点QDa耦合到两个铁磁电极（F1，F2），而第二个量子点QDb连接到超导体S.对于超导体间隙内的能量尺度，Andreev反射过程允许导电。由于两个铁磁引线的存在，非局部交叉Andreev反射是可能的。我们发现，通过调节施加在铁磁体上的外电势，可以改变磁电阻的符号。另外，可以通过施加到第二铁磁体（F2）的电势来控制第一铁磁体（F1）的电流。我们还包括在每个量子点的点内相互作用和栅极电压，并通过平均场近似分析它们的影响。相对于非相互作用的情况，相互作用降低了电流幅度，但是开关效应仍然是量子相干性的表现，在超导体相干长度的量级上。
2012-06-04 cond-mat.mes-hall
Evidence of radiation-driven Landau states in 2D electron systems: magnetoresistance oscillations phase shift
我们提供了最终的解释微波诱导的磁阻振荡的核心功能之一，在高迁移率的二维电子系统：1/4周期的相移的最小值。我们从辐射驱动的电子轨道模型与朗道状态之间的散射飞行时间的新概念。我们计算的极值和节点的位置，获得与实验的准确吻合。主要发现是相移的物理起源是辐射驱动的朗道引导中心相对于辐射的$\fracπ{2}$的延迟，证明了辐照朗道态的振荡性质。我们分析了这个最小值对辐射频率和功率的依赖性以及它可能随样品质量的变化
2016-04-01 cond-mat.mes-hall
Enhanced tunneling magnetoresistance in Fe$\mid$ZnSe double junctions
计算了Fe $\mid$ ZnSe $\mid$ Fe $\mid$ ZnSe $\mid$ Fe（001）双磁隧道结的隧穿磁电阻（TMR）随中间Fe层厚度的变化，并与Fe $\mid$ ZnSe $\mid$ Fe简单结的结果进行了比较.的电子能带结构建模的参数化紧束缚哈密顿适合{ \it从头计算}计算，和电导内的Landauer形式主义表示的格林函数计算。我们发现，每个自旋通道和TMR的电导强烈依赖于中间的Fe层的厚度，在某些情况下，它们被增强相对于简单的结，在定性协议与最近的实验研究进行类似的系统。通过使用一个二维双结作为一个简化的系统，我们表明，电导增强可以解释的结能谱。这些结果与自旋电子学有关，因为它们表明双结中的TMR可以通过改变中间金属层的厚度来调谐和增强。
2008-09-03 cond-mat.mes-hall
Quantum Oscillations of Tunnel Magnetoresistance Induced by Spin-Wave Excitations in Ferromagnet-Ferromagnet-Ferromagnet Double Barrier Tunnel Junctions
利用Keldysh非平衡格林函数方法，研究了铁磁-铁磁-铁磁双势垒隧道结中，当两侧铁磁体的磁化方向与中间铁磁体的磁化方向反平行时，自旋波激发引起的隧道电导和磁阻量子振荡的可能性.研究发现，由于中间铁磁体中自旋积累引起的自旋密度和传导电子之间的s-d交换作用，微分电导和TMR确实随偏压的增加而振荡，这与最近在实验中观察到的现象相一致.讨论了磁振子模、电子能级以及中心铁磁体中的分子场对系统振荡输运性质的影响。
2008-01-22 cond-mat.mes-hall
Parallel magnetic field induced magnetoresistance peculiarities of the double quantum well filled with electrons or holes
在含有电子气的In_ xGa_{1-x} As/n-GaAs双量子阱（DQWs）中，揭示了平行磁场下隧道间隙边缘穿过费米能级引起的磁电阻（MR）特性。只有考虑In_ xGa_{1-x} As导带的自旋劈裂才能解释高场（~30 T）下的反常现象，而在GaAs/AlGaAs异质结中，这一性质的效应被忽略了。在含有空穴气的Ge/p- Ge_{1-x} Si_x双量子阱中，也发现了平行场下的局域磁共振特性。但是，这些DQW中的隧道间隙太窄，不能对这些观察负责。我们认为，它们是由于一个复杂的形状的空穴限制子带。
2003-06-06 cond-mat.mes-hall
Effects of different geometries on the conductance, shot noise and tunnel magnetoresistance of double quantum dots
从理论上分析了强耦合双量子点（DQD）系统在序贯隧穿和共隧穿两种情况下的自旋极化输运。利用实时图形技术，分析了双量子点串联、并联以及T型系统的电流、微分电导、散粒噪声和隧道磁阻（TMR）随偏压和栅电压的变化关系.对于串联耦合的DQD，我们发现TMR对占据双量子点的电子数有很强的依赖性，并且在库仑阻塞机制中存在超泊松散粒噪声。此外，对于不对称的DQD，我们分析运输的泡利自旋封锁制度，并解释存在的泄漏电流的cotunneling和自旋翻转cotunneling-assisted顺序隧道。对于并联耦合的DQD，我们表明，在弱耦合制度的输运特性是定性类似的DQD串联耦合。另一方面，在T形量子点的情况下，我们预测一个大的超泊松散粒噪声和TMR增强以上的Julliere值由于增加的去耦量子点的占用。我们还讨论了从输运特性确定双点几何形状的可能性。此外，在可能的情况下，我们比较我们的结果与现有的实验数据的pmos系统，并找到定性的协议。
2008-06-27 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance oscillations in multilayer systems - triple quantum wells
由于量子化磁场对子带间跃迁几率的周期性调制，具有多个占据子带的二维电子系统的磁阻振荡。除了以前的调查，这些磁子带间（MIS）振荡在两个子带系统中，我们报告的实验和理论研究这样的现象在三量子阱中实现的三个子带系统。我们表明，存在两个以上的子带导致一个定性不同的MIS振荡图片，描述为几个振荡的贡献叠加。在连续微波辐照下，三阱系统的磁电阻表现出MIS振荡和微波感生电阻振荡的相互干扰。理论解释这些现象的一般形式，有效的任意数量的子带。理论和实验的比较，使我们能够提取的温度依赖性的量子寿命的电子，并确认微波光电阻的非弹性机制的适用性，在多层系统中的磁输运的描述。
2009-12-07 cond-mat.mes-hall
Superconducting double spin valve with extraordinary large tunable magnetoresistance
提出了一种超导双自旋阀器件。它的操作利用了铁磁绝缘体的自旋过滤效应和超导诱导的非平衡输运之间的相互作用。根据非平衡的程度，超大隧道磁阻高达10^2...对于实际材料参数，可以获得10^6%，并且在适当的电压偏置和温度下，可以在几个数量级上调谐。进一步讨论了这种设置的低温应用的相关性。
2009-06-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Interference oscillations of microwave photoresistance in double quantum wells
在微波辐照下，我们观察到双量子阱中的振荡磁电阻效应。结果解释的子带耦合的电子分布函数的依赖于频率的光致部分的影响。因此，磁电阻表现出磁子带间振荡和常规微波感应电阻振荡的干扰。
2008-09-29 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance of double layer hybrid system in tilted magnetic field
研究了倾斜磁场作用下石墨烯层的磁电阻和霍尔系数。我们认为石墨烯层是由另一个石墨烯层或二维电子气（2DEG）组装而成的，并且层间电子-电子相互作用在随机相位近似中建模。我们计算的磁阻显示不同的层间屏蔽效应之间的去耦石墨烯-石墨烯和石墨烯-2DEG系统。我们还分析了介电材料以及层间距离对磁阻的依赖性。霍尔系数的角度依赖性进行了研究，我们发现，一个相当大的霍尔电阻率发生在石墨烯层。
2014-07-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Novel critical field in magneto-resistance oscillation of 2DEG in asymmetric GaAs/AlGaAs double wells measured as a function of the in-plane magnetic field
我们研究了在标准异质结的GaAs缓冲区中，由远离界面生长的薄AlGaAs势垒形成的强非对称双阱结构的磁阻。在平行于电子层取向的磁场中，磁阻表现出与较高占据子带的减少以及与场诱导过渡到去耦双层相关联的振荡。此外，增加的场将电子从三角形阱转移到矩形阱，并且在足够高的场值下，三角形阱被清空。因此，电子系统变成单层，这导致电子态密度的急剧阶跃和磁阻曲线的附加最小值。
2001-06-21 cond-mat.mes-hall
Tunnel magnetoresistance in double spin filter junctions
我们考虑了一种新型的磁性隧道结，它由两个铁磁隧道势垒组成，充当自旋过滤器（SF），由一层金属（NM）层隔开。采用传输矩阵方法和自由电子近似，从理论上研究了双SF结中隧道磁电阻（TMR）与中心NM层厚度、偏置电压和温度的关系。结果表明，在适当的条件下，这种结构的TMR和电子自旋极化可以达到很大的值。TMR最高可达99%。通过适当选择中间NM层的厚度，这种结构中的自旋极化程度将高于单个SF结。这些结果可能是有用的设计未来的自旋极化隧道器件。
2003-05-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magnetoresistance and electronic structure of asymmetric GaAs/AlGaAs double quantum wells in the in-plane/tilted magnetic field
用磁输运测量方法研究了在标准异质结GaAs缓冲层中薄势垒形成的双层二维电子系统。在平行于电子层取向的磁场中，磁阻表现出与较高占据子带的减少和场诱导过渡到去耦双层相关联的振荡。Shubnikov-de Haas振荡在稍微倾斜的磁场中允许重建作为面内磁场的函数的各个子带中的电子浓度的演变。实验得出的系统的特性与电子结构的数值自洽场计算定量一致。
2000-04-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
The Effects of Resonant Tunneling on Magnetoresistance through a Q uantum Dot
从理论上研究了双结系统中共振隧穿效应对磁电阻效应的影响。我们发现，在磁场的变化下，随着分立能级的变化，共振峰电流的MR比比单结的MR比减小，而谷电流的MR比增大。我们还发现，峰值电流谷值电流（PV）的比例下降时，结电导增加。
1998-06-26 cond-mat.mes-hall
Spin filtering and magnetoresistance in ballistic tunnel junctions
我们从理论上研究了基于非磁性/半磁性异质结的隧道结量子相干输运中与自旋过滤有关的磁电阻效应。我们发现，自旋过滤与自旋相关的费米海在半磁接触的抑制/增强相结合，产生（i）自旋分裂扭结的MR的单障碍和（ii）一个强大的跳动模式的MR的双障碍与半磁阱。我们相信这些是量子过滤的独特特征。
2001-10-19 cond-mat.mes-hall
Mesoscopic Tunneling Magnetoresistance
我们研究了介观库仑阻塞机制下铁磁/正常金属/铁磁双隧道结中自旋相关的输运。一般的输运方程使我们能够计算电导的存在或不存在的自旋-轨道相互作用和任意取向的铅磁化。计算了定义在库仑阻塞电导峰处的隧穿磁电阻（TMR），给出了TMR的概率分布。我们表明，介观涨落可以导致TMR的最佳值。
2000-11-27 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance in Spin-Polarized Transport through a Carbon Nanotube
本文报道了我们对有限长碳纳米管中自旋极化输运的磁电阻效应的理论研究。通过改变碳纳米管的费米能级和碳纳米管与两个铁磁电极的耦合强度，研究了碳纳米管的电导和磁电阻。由于通过有限CNT中的离散能级的共振输运，电导和MR作为CNT费米能的函数振荡。MR在电导谷处达到峰值，并在电导峰附近下降。当耦合到两个FM电极是不对称的，MR下降成为负的下一个相当强的不对称性。当耦合或多或少对称时，除了非常强的耦合情况之外，MR骤降保持为正。在强耦合情况下，谱线展宽显著，通过CNT中相邻能级的输运通道相互干扰，导致负MR。
2008-10-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Nonlinear theory of fractional microwave-induced magnetoresistance oscillations in a dc-driven two-dimensional electron system
利用电流直接控制的多光子辅助输运方案研究了直流驱动二维电子系统中微波诱导的非线性磁电阻效应。结果表明，在回旋共振二次谐波附近，电阻率随磁场归一化电流密度的振荡频率是回旋共振及其谐波的两倍，这与Hatke { \it et al.} [Phys. Rev. Lett. { \bf 101}，246811（2008）]。电流引起的共振双光子和单光子过程的交替出现是这种频率倍增的原因。在回旋共振的第三次谐波附近，电流诱导的0-/3光子、双光子和单光子共振过程的连续出现可能导致电阻率振荡频率的三倍。
2009-03-12 cond-mat.mes-hall
Parallel magnetic field induced strong negative magnetoresistance in a wide p-Ge_{1-x}Si_x/Ge/p-Ge_{1-x}Si_x quantum well
在含有准二维空穴气的宽Ge_{1-x} Si_x/Ge/p- Ge_{1-x} Si_x量子阱（QW）中，在面内磁场作用下出现了负磁电阻效应，当磁场大于12 T时，磁电阻效应最大可达零场值的30-40%.在中间宽度和空穴密度的量子阱中，这种负磁阻可以解释为由于上子带减少而引起的子带间散射的抑制。对于最宽的量子阱与最高的空穴密度，其中的空穴气体被分为两个子层，类似的负磁阻被观察到，并初步解释为也是由于抑制子带间的散射，但子带是最低的对称和反对称状态的双量子阱结构。这些子带在面内磁场下不是在能量上垂直移动，而是沿着波矢水平移动。
2001-03-16 cond-mat.mes-hall
Spin injection and magnetoresistance in ferromagnet/superconductor/ferromagnet tunnel junctions
本文从理论上研究了铁磁/超导/铁磁双势垒隧道结中的自旋相关输运。自旋极化隧穿电流导致超导体中的自旋不平衡。由此产生的非平衡自旋密度抑制的超导电性与隧道电流的增加。我们重点研究了双隧道结中的非对称性对自旋注入的影响，其中隧道结的势垒高度和铁磁体的自旋极化不同，并讨论了非对称结中超导性是如何被抑制的。我们的研究结果解释了最近的实验结果的临界电流抑制高$T_c$ SC的自旋注入。
1999-10-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Tunnel magnetoresistance and temperature related effects in magnetic tunnel junctions with embedded nanoparticles
在量子弹道模型的范围内，计算了嵌入纳米颗粒的磁性隧道结的隧道磁电阻随温度的变化关系。在双势垒方法范围内模拟了电子通过NP的隧道传输，并将其集成到磁点状接触模型中。详细探讨了谐振TMR条件和温度影响。此外，在近藤温度附近的铅-隧穿细胞-铅模型的范围内，讨论了温度诱导共振条件的可能原因。我们还发现，重新分配的电压降变得至关重要，在这个模型中。此外，直接隧穿在总隧穿厚度达5-6 nm的量子系统中起主导作用，并且不可忽略。因此，库仑阻塞模型不能解释近藤诱导的纳米尺寸隧道结中的TMR异常。
2016-03-25 cond-mat.mes-hall
Double-percolation and magnetoresistance effects in ferromagnet-superconductor nanoparticle composites
我们研究了由超导（MgB 2）和铁磁（CrO 2或LSMO）纳米粒子组成的二元网络的输运和磁输运性质。而对于LSMO/MgB 2系统，观察到单一逾渗阈值，对于CrO_2/MgB_2二元复合材料，发现了一个具有两个不同渗流阈值的高阻态，分别对应于导体-绝缘体和超导体-绝缘体的转变.当两种不同组分之间的界面电导被抑制时，这种双渗流效应的存在成为可能，并且两个阈值PI +的条件PII > 1表示满意。对于MgB 2，观察到异常大的阈值，这可以通过两种成分的纳米颗粒之间的显著几何差异来解释，导致MgB 2纳米颗粒的大的排除体积。确定了两个阈值附近的标度行为，确定了两个临界指数：对于CrO 2侧的绝缘-导电转变，μ \approx 2.16 \pm 0.15;对于MgB 2侧的绝缘-超导转变，s = 1.37 \pm 0.05。我们还测量了整个系列的CrO 2/MgB 2样品的磁电阻，在液态He温度下的逾渗阈值附近观察到的最大值约为45%。
2011-06-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Nuclear spin state narrowing via gate--controlled Rabi oscillations in a double quantum dot
本文研究了在振荡交换作用影响下，束缚在双量子点中的两个电子的自旋动力学。这导致驱动拉比振荡之间的$\ket{\uparrow\downarrow}$ -状态和$\ket{\downarrow\uparrow}$ -状态的两个电子系统。拉比共振的宽度与振荡交换的振幅成比例。拉比共振的测量可以使核自旋态的分布变窄，从而延长自旋退相干时间。进一步，我们研究了由于超精细相互作用引起的双电子态的退相干，并给出了在$\ket{\uparrow\downarrow}$ -态初始化和进行单位保真度的$\sqrt{\mathrm{SWAP}}$操作对系统参数的要求.
2006-03-13 cond-mat.mes-hall
Spin-accumulation in small ferromagnetic double barrier junctions
铁磁双势垒结中的非平衡自旋积累被证明是控制小结构中的输运。这类系统的输运性质由库仑阻塞理论的推广来描述。自旋积累增强了磁电阻。的瞬态非线性输运性质的预测提供了一个独特的实验证据的自旋积累的形式，在时间尺度上的顺序的自旋翻转弛豫时间的反向电流。
1998-11-13 cond-mat.mes-hall
Theory of one-dimensional double-barrier quantum pump in two-frequency signal regime
考虑了具有两个以频率$ω$和$2ω$双色振荡的类$δ$势垒或阱的一维系统。交流信号导致直流电流穿过结构（即使在对称系统中）。在较宽的系统参数范围内研究了这种量子泵的特性。
2006-10-30 cond-mat.mes-hall
Nonlinear magnetotransport in dual spin valves
双自旋阀磁电阻效应的最新实验测量[A. Aziz等人，物理修订信函103，237203（2009）]揭示了一些在其他系统中没有观察到的输运的非线性特征。我们提出了一个描述双自旋阀中电流相关电阻（和巨磁电阻）的唯象模型。该模型是基于一个修改后的Valet-Fert方法，并考虑到体/界面电阻和体/界面自旋不对称参数的中心磁性层上的自旋积累的依赖性，因此对充电电流。这种非线性模型解释了最近的实验观察。
2010-05-22 cond-mat.mes-hall
Interface spin polarization of the Heusler compound Co2MnSi probed by unidirectional spin Hall magnetoresistance
许多Heusler化合物被预测为铁磁半金属，这使它们成为自旋电子学的有前途的化合物。然而，对于器件，在特定界面处的输运自旋极化需要优化。我们发现，单向磁阻的调查提供了一种替代方法来访问这个数量。基于惠斯通电桥设计，我们研究了Co2 MnSi/（Ag，Cu，or Cr）（0.5nm）/Pt（或Ta）多层膜的单向磁电阻，并将自旋相关的单向自旋霍尔磁电阻与其他贡献分离开来.我们表明，通过插入一个薄的外延Ag层的自旋相关的贡献增加了一倍，对应于一个显着增加的运输自旋极化，这是讨论的高度自旋极化的界面态的框架。
2019-03-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
I-V curves of Fe/MgO (001) single- and double-barrier tunnel junctions
本文用从头算方法计算了理想单势垒和双势垒Fe/MgO（001）磁性隧道结的电流-电压特性。利用最近开发的SMEAGOL程序，结合非平衡格林函数理论和密度泛函理论，计算了相位相干极限下的电流。在一般情况下，我们发现，双势垒结显示出更大的磁阻，这与偏置衰减的速度比他们的单势垒对应。这是解释在增强自旋过滤从中间铁层夹在两个MgO障碍。此外，对于双势垒隧道结，我们发现一个定义明确的峰值的磁阻在V=0.1 V的电压，这是共振隧穿跨越多数量子阱状态的签名。我们的研究结果进行了讨论，最近的实验。
2008-08-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Negative spin Hall magnetoresistance of Pt on the bulk easy-plane antiferromagnet NiO
报道了反铁磁NiO（111）单晶上Pt霍尔棒的自旋霍尔磁电阻（SMR）测量。在较宽的温度范围内以及强于0.25T的磁场下观察到与常规SMR符号相反的SMR。SMR的负符号可以通过反铁磁体的易磁化平面（111）内的几乎垂直于外部磁场的磁矩的排列来解释。这种磁矩排列和外部磁场方向的相关性仅通过材料的易平面性质来实现，而不需要与附加铁磁体的任何交换耦合。SMR信号强度随着温度的升高而降低，主要是由于包括波动的Néel阶的降低。增加的磁场增加了SMR信号强度，因为存在较少的畴，并且在高磁场下更强地操纵磁矩。SMR在$6$ ~T的外加磁场下饱和，导致$\sim10^{18}~ Ω^{-1}$ m $^{-2}$的自旋混合电导，这与诸如钇铁石榴石的绝缘亚铁磁体上的Pt的自旋混合电导相当。氩等离子体处理使自旋混合电导加倍。
2017-06-09 cond-mat.mes-hall
Stray magnetic field and stability of time-dependent viscous electron flow
研究了Dirac和Weyl半金属中振荡电场驱动下的电子流体动力学流动。结果发现，出现了一个双峰值的电流轮廓，并表现在一个杂散磁场的磁场分量之一的峰值。非平凡的电流分布起源于电子流体的粘性和惯性特性以及边界条件的相互作用。分析结果得到了不同几何形状样品（如直通道、喷嘴和空腔）数值计算的支持。的双峰曲线的电流被发现是定性不敏感的振荡电场的时间依赖性的特定形式，并且相对于样品的几何形状是稳定的。确定了观察双峰结构的相图和判据。此外，它表明，喷嘴和空腔提供了一种有效的手段，局部提高或降低流体速度。
2021-11-11 cond-mat.mes-hall
Non-Linear Effects in Resonant Tunneling; Bistabilities and Self-Sustained Oscillating Currents
我们研究了双势垒异质结构中的非线性现象。分析了沿电流方向外加磁场的三维系统和一维系统。非线性在I-V特性曲线中反映为电流的双稳、不稳定和时间相关振荡。非线性行为的性质取决于定义系统的参数。
1998-11-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Large magnetoresistance dips and perfect spin-valley filter induced by topological phase transitions in silicene
本研究在硅烯N/TB/N/TB/N结中，通过电场、交换场和圆偏振光调控拓扑相变，实现四组自旋-谷电流的完美滤波，并发现大磁阻凹陷，揭示了硅烯在自旋-谷电子学中的应用潜力。
2017-08-24 cond-mat.mes-hall
Spin-dependent pump current and noise in an adiabatic quantum pump based on domain walls in a magnetic nanowire
研究了双畴壁磁纳米线的泵浦电流和噪声特性。通过施加具有可控相位差的缓慢振荡磁场和电场来实现调制。泵浦机制类似于具有两个振荡门的量子点泵浦的情况。当费米能级与自旋分裂共振能级匹配时，泵浦电流、散粒噪声和热流都出现峰值。泵浦电流的峰值高度是DW之间自旋分裂准稳态寿命的指标。对于尖锐的DW，从振荡场的能量吸收导致在泵浦电流中可观察到的边带形成。泵浦噪声携带的信息之间的非平衡电子和准空穴振荡散射体创建的相关属性。泵散粒噪声和热流之间的比率用作准粒子相关性的指标。
2010-01-10 cond-mat.mes-hall
Quasi-two-dimensional Dirac fermions and quantum magnetoresistance in LaAgBi$_2$
本文报道了LaAgBi $_2$中的准二维狄拉克费米子和量子磁电阻。能带结构在费米能级上显示出几个能量色散接近线性的窄带和类狄拉克锥点。量子振荡实验揭示了一个准二维费米口袋和另一个小回旋共振质量的复杂口袋。在临界场$B^*$处，面内横向磁电阻从半经典弱场$B^2$依赖性向高场非饱和线性磁电阻过渡，这归因于狄拉克费米子的量子极限.我们的研究结果表明，准二维狄拉克费米子的存在，在稀土基层状化合物的二维双尺寸的Bi方网，类似于（Ca，Sr）MnBi $_{2}$，无论磁序。
2016-04-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Hopping magnetoresistance in ion irradiated monolayer graphene
在温度低至$T = 1.8$ K、磁场高至$B = 8$ T的条件下，测量了具有变程跳跃（VRH）导电机制的离子辐照单层石墨烯样品的磁电阻（MR）。结果表明，在垂直磁场中，跳跃电阻率$R$降低，对应于负MR（NMR），而在低温下平行磁场导致正MR（PMR）。NMR解释的基础上的“轨道”模型，其中垂直磁场抑制相消干涉的许多路径通过中间网站的总概率的长距离隧道在VRH制度。在低场下，观察到NMR的二次相关性（$|ΔR/R|\sim B^2$），而在$B > B^*$，二次相关性被线性相关性取代。结果发现，所有的NMR曲线为不同的样品和不同的温度可以合并成共同的依赖性时，作为$B/B^*$的函数绘制。结果表明，$B^*\sim T^{1/2}$与“轨道”模型的预测一致。所获得的值的$B^*$也允许估计的本地化半径$ξ$的电荷载流子的样品具有不同程度的混乱。平行磁场中的PMR解释通过双占据态由于电子自旋的对齐跳跃跃迁的抑制。
2015-10-23 cond-mat.mes-hall
Diffusive model of current-in-plane-tunneling in double magnetic tunnel junctions
本文提出了一个描述双势垒磁性隧道结中扩散区电流面内隧穿输运的模型。我们的研究表明，具体的功能出现在双路口，介绍了两个典型的长度尺度。该模型可用于测量双势垒磁性隧道结的未图案化堆叠中的两个势垒的磁阻和电阻面积积。
2012-06-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Kondo effect in Complex Quantum Dots in the presence of an oscillating and fluctuating gate signal
我们展示了如何在一个双和三重量子点施加到栅极的电荷输入信号可以被转换为一个脉冲的近藤cotunneling电流是一个自旋响应的纳米器件下一个强大的库仑阻塞。输入信号的随机成分导致近藤传输的红外截止。三重量子点中近藤效应轨道分量的随机化导致了噪声诱导的SU（4）- SU（2）量子跃迁。
2009-10-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magnetic order and superconductivity observed in bundles of Double-Wall Carbon Nanotubes
研究了数百个微米长的双壁碳纳米管束的磁输运性质。在15 K以上，电阻表现出欧姆行为，其温度依赖性很好地描述了一维系统的可变范围跳跃。的磁阻是负的，可以解释使用的经验模型的基础上自旋散射过程表明存在磁秩序到室温。在2 K和15 K之间的温度下的电阻是非欧姆和电流-电压特性揭示了一个潜在的外观，这可以很好地描述了由波动引起的隧道导电模型。在这个低温范围内，在足够低的输入电流下，除了负的磁电阻之外，还出现了正的磁电阻，并且在磁场中具有异常的磁滞，并且在$T \sim 15 $ K处消失，这表明存在超导状态。磁化结果部分支持DWCNT束中这两种现象的存在。
2015-03-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Effect of Landau quantization on linear magnetoresistance of periodically modulated two-dimensional electron gas
本文应用Kubo非局域电导率张量公式，研究了二维电子气在垂直磁场中的线性响应.在经典输运区，通过均匀电子气的关联函数导出了电导率张量的一般表达式。研究了在单向周期势调制条件下，朗道量子化时的量子输运机制。除了Shubnikov-de Haas振荡之外，电阻率还可以表现出具有较大周期和较小振幅的量子振荡，这些振荡在温度升高时仍然存在。当调制振幅大大超过回旋能量时，这些振荡就存在，因此由调制势从朗道能级形成的朗道子带在能量域中重叠。电阻率张量的两个对角分量都表现出与调制状态密度的修改有关的振荡。此外，当回旋轨道引导中心移动两倍回旋半径时，由散射辅助跳跃输运引起的垂直于调制轴的电阻率分量表现出另一种与跳跃几率增强有关的振荡。有人建议，这种高温振荡可以检测到的条件下，当调制周期大大超过回旋半径。
2020-06-22 cond-mat.mes-hall
Surface state transport in double-gated and magnetized topological insulators with hexagonal warping effects
本文研究了在磁邻近效应和表面态弯曲的情况下，狄拉克电子在双栅拓扑绝缘体中的散射。研究发现，磁场可以使狄拉克锥在动量空间中发生位移，使等能轮廓发生形变，或者在狄拉克点处打开带隙，这取决于磁化方向。双栅极电压在拓扑绝缘体表面诱导量子阱和/或量子势垒，产生表面共振隧穿态。结果表明，当等能轮廓呈雪花状时，六边形翘曲效应可以增加高能电子输运。在平行和反平行磁配置的能量依赖电导表现出异相振荡，由于在两个磁化段之间的区域中的传播波的量子干涉。虽然双阱结构的电导谱比双势垒结构的电导谱高，但由于共振隧穿态的存在，磁电阻比随两个磁化势垒之间的间隔距离的变化呈现出明显的振荡。研究表明，在不破坏时间反转对称性的情况下，交换场和栅电压可以控制表面态的输运，这表明双栅磁化拓扑绝缘体可以用来实现大的磁电阻比和可调的符号.
2019-08-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tunnel magnetoresistance in magnetic tunnel junctions with embedded nanoparticles
在本文中，我们尝试的理论模型的磁性隧道结嵌入磁性和磁性纳米粒子（NP）。一些异常的隧道磁阻（TMR）效应，在相关的实验中观察到的，可以很容易地在我们的模型中模拟：我们发现，抑制TMR幅度和TMR符号反转效应在小电压有关的电子动量态的NP位于绝缘层内。所有这些TMR行为都可以在隧穿模型中解释，其中NP被模拟为量子阱（QW）。相干（直接）双势垒隧穿优于单势垒隧穿。TMR抑制的起源是自旋极化电子处于最低QW态之一的量子化角透明度。这种现象被归类为量子化的电导制度，由于限制几何。
2015-11-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Spin-resolved Andreev transport through double-quantum-dot Cooper pair splitters
研究了双量子点库珀对分裂器中的Andreev输运。的分析是在顺序隧穿制度的实时图解技术的帮助下进行的。我们研究的Andreev电流，微分电导，隧道磁阻的线性和非线性响应制度的模型上的各种参数的依赖关系。特别是，我们分析了交叉Andreev反射制度中的自旋分辨运输，其中由于三重态的增强占据而发生电流的阻断。我们发现，在三重态封锁，有限的点内相关性可以导致相当大的漏电流由于直接Andreev反射过程。此外，我们发现额外的制度的电流抑制所造成的单重态的占用增强，这降低了交叉Andreev reflects.We还研究了如何分裂的Andreev束缚态，无论是点的水平失谐，点之间的有限跳跃，或有限的磁场，影响Andreev电流触发。虽然在前两种情况下的Andreev束缚态的数量增加了一倍，而输运性质是定性相似的，在有限的磁场的情况下，进一步的能级分裂发生，导致一个非平凡的行为的自旋分辨输运特性，特别是隧道磁阻。最后，我们讨论了分裂库珀对电子之间的纠缠保真度，并指出通过调节器件参数，保真度可以达到1。
2015-08-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Enhanced spin-polarized transport through DNA double helix by gate voltage
我们报告了一种通过正常金属电极接触的双链DNA操纵自旋输运的方法。在有效模型哈密顿量的基础上，利用Landauer-Büttiker公式计算了有栅压时的电导和自旋极化.我们的结果表明，自旋极化呈现出强烈的依赖性的大小以及方向的栅极电压。自旋极化可以通过调节栅电压而显著增强，并且随着DNA长度的增加而表现出振荡行为。
2014-09-03 cond-mat.mes-hall physics.bio-ph
Intertwined topological phases in TaAs2 nanowires with giant magnetoresistance and quantum coherent surface transport
Weizmann Institute of Science（魏茨曼科学研究所）
TaAs2纳米线中交织的拓扑相通过巨磁阻抗和量子相干表面传输揭示了拓扑非平凡输运特性。
2024-11-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Hydrodynamics in graphene: Linear-response transport
我们开发了一个基于石墨烯的系统，我们来自量子动力学方程的输运性质的流体动力学描述。在相互作用占主导地位的制度，共线散射奇异性的碰撞积分导致快速单向热化，并允许我们描述系统的三个宏观电流携带电荷，能量，准粒子不平衡。在这种“三模式”近似下，我们评估单层石墨烯以及双层石墨烯基结构中的输运系数。由此产生的经典磁阻是强烈敏感的样品的几何形状和领先的松弛过程之间的相互作用。在小的介观样品中，宏观电流是不均匀的，这导致在经典强场中的线性磁阻。将我们的理论应用于双层石墨烯体系，为电荷中性巨磁拖曳现象的唯象描述提供了微观基础，并发现了掺杂石墨烯中的磁拖曳和霍尔拖曳现象.
2014-11-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
