Two Types of Microwave-Induced Magnetoresistance Oscillations in a 2D Electron Gas at Large Filling Factors
研究了微波辐射（1.2 ~ 140 GHz）对GaAs量子阱中高迁移率二维电子气电阻的影响。在微波辐射下，观察到两个系列的微波感生磁电阻振荡周期在1/B。相应地，振荡的周期由微波频率和功率确定。实验数据定性地解释了朗道轨道之间的光子辅助输运和齐纳隧道。
2006-03-15 cond-mat.mes-hall
Theory of New Quantum Oscillations in the Magnetoresistance of Graphene Layers
我们提出了一个理论，提出了新的量子振荡的磁阻显示为精细结构叠加到Schubnikov-de-Haas振荡。它们可以在石墨烯层的实验中作为精细结构观察到，直到现在似乎一直被监督或被认为是噪音。这些振荡也出现在电阻的行为中，作为改变载流子数量或费米能级的栅极电压的函数。这些共振的实验研究应提供样品的均匀性和缺陷的信息，并代表一种新的精细结构光谱学。横向样品尺寸和量子效应也可以解释在几个石墨烯层中没有磁阻。实验提出。
2007-06-01 cond-mat.mes-hall
Linear polarization study of microwave-radiation-induced magnetoresistance oscillations: Comparison of power dependence to theory
本文对高迁移率GaAs/AlGaAs二维电子系统中的微波诱导磁阻振荡的微波功率和线极化角依赖性进行了实验研究。实验结果表明，作为极化角的函数的振荡磁阻极值的正弦依赖性。然而，随着微波功率的增加，角度依赖性包括额外的谐波含量，并且它开始类似于余弦函数的绝对值。我们提出了一个理论来解释这种奇怪的行为。
2016-11-02 cond-mat.mes-hall
Radiation-induced magnetoresistance oscillation in a two-dimensional electron gas in Faraday geometry
对最近发现的高迁移率二维电子系统在磁场中微波辐射引起的巨磁电阻振荡进行了理论分析。多光子辅助杂质散射被证明是振荡的主要来源。基于一个模型，它认为在法拉第几何中的电磁场的电子的相互作用，我们不仅能够再现正确的周期，相位和负电阻率的主振荡，而且还获得第二个峰值和额外的最大值和最小值的电阻率曲线，其中一些已经在实验中观察到。
2003-10-10 cond-mat.mes-hall
Oscillations of magnetoresistance in a clean hollow cylinder with fluctuating radius
本文研究了具有波动半径$R$的空心圆柱体在磁通量$Φ$作用下的电阻率磁振荡。我们证明，对于非常弱的波动$ΔR\ll p_F^{-1}$的振荡有一个标准的周期$2Φ_0$（其中$Φ_0=πc\hbar/2e$），在一个干净的系统中的振荡特性，而对于$ΔR\gg p_F^{-1}$，他们成为$Φ_0$ -周期性的，这是预期只有肮脏的系统与$R\gg l$。这项工作的动机是观察主要是$Φ_0$ -周期性的磁振荡在非常干净的铋线。
2015-01-27 cond-mat.mes-hall
Direct-current control of radiation-induced differential magnetoresistance oscillations in two-dimensional electron systems
在一个统一的微观计划内处理两个激励平等的基础上，同时驱动的强直流电和微波照射的二维电子系统的磁阻振荡进行了分析。微波诱导的电阻振荡由与辐射频率成比例的参数$ε_ω$描述，而直流诱导的电阻振荡由与电流密度成比例的参数$ε_j$控制。在同时存在微波辐射和强直流电的情况下，组合参数$ε_ω+ε_j$被示出控制主电阻振荡，与最近的测量结果一致[Zhang { \it et al.}物理修订版信函{ \bf 98}，106804（2007）]
2007-09-19 cond-mat.mes-hall
Microwave induced magnetoresistance oscillations at the subharmonics of the cyclotron resonance
研究了n = 2、3和4时，当微波频率$ω$与回旋频率$ω_c$的第n次亚谐波重合时，暴露于强微波辐射的二维电子系统中发生的磁电阻振荡。结果表明，这些次谐波的功能可以解释内的非平衡能量分布函数的图片，而不调用多光子吸收过程。频率阈值的存在进一步支持了这一解释，在频率阈值以上，这种振荡就会消失。
2006-08-29 cond-mat.mes-hall
Evolution of the linear-polarization-angle-dependence of the radiation-induced magnetoresistance-oscillations with microwave power
我们研究了在高迁移率GaAs/AlGaAs二维电子系统中观察到的微波辐射感生磁阻振荡的线性极化角依赖性中微波功率的作用。对角电阻$R_{xx}$在固定磁场下测量，该磁场对应于作为微波功率$P$和线性偏振角$θ$两者的函数的$R_{xx}$的光激发振荡极值。这种测量的彩色等值线图证明了随着微波功率的增加，$R_{xx}$与$θ$线形的演变。我们报告的非线性功率依赖的辐射感生的磁阻振荡的振幅扭曲的余弦平方关系之间的$R_{xx}$和$θ$在高功率。
2014-11-19 cond-mat.mes-hall
Frequency-dependent polarization-angle-phase-shift in the microwave-induced magnetoresistance oscillations
在高迁移率GaAs/AlGaAs 2D电子器件中，微波辐射诱导的振荡磁阻$R_{xx}$的线性极化角$θ$依赖性测量表明，振荡幅度与磁场、频率和依赖于极值的相移$θ_{0}$相关。在这里，我们建议微波频率依赖性的$θ_{0} (f)$使用的分析，平均超过其他较小的贡献，当这些贡献小于估计的实验不确定性。
2016-02-12 cond-mat.mes-hall
Radiation-intensity and temperature dependence of microwave-induced magnetoresistance oscillations in high-mobility two-dimensional electron systems
本文对最近在高迁移率二维电子气中发现的辐射诱导巨磁电阻振荡现象进行了详细的理论研究。同时考虑了GaAs基异质结中电子与杂质、横向和纵向声学声子的相互作用。多光子辅助杂质散射被证明是电阻振荡的主要来源。基于Faraday几何中磁输运的平衡方程理论，我们不仅能够再现所观测到的主振荡的周期、相位和负电阻率，而且能够预测与双光子和三光子过程有关的次峰/谷结构。讨论了磁电阻振荡对微波强度的依赖关系、直流偏置电流的作用以及电子温度的影响。此外，我们提出的电阻振荡的温度依赖性源于朗道能级加宽的增长，由于声学声子散射的增强与晶格温度的增加。计算得到的振荡温度变化与实验结果吻合得很好。
2003-07-31 cond-mat.mes-hall
Remote sensor response study in the regime of the microwave radiation-induced magnetoresistance oscillations
利用碳探测器对GaAs/AlGaAs异质结中微波激发二维电子系统（2DES）的微波活动进行了遥感和磁输运同步研究。各种相关性的观察和报告之间的振荡磁输运和遥感反射。此外，振荡的遥感信号显示，表现出幂律类型的变化，其振幅，类似于辐射诱导的磁阻振荡。
2013-11-13 cond-mat.mes-hall
Microwave strengths to induce magnetoresistance oscillations in high-mobility 2DES in a photon-assisted impurity scattering model
结果表明，虽然二维电子系统中微波感生磁电阻振荡的主要特征对光子辅助杂质散射模型中的弹性散射行为不敏感[X.L. Lei和S.Y. Liu，Phys. Rev. Lett. 91，226805（2003）]，诱导有效振荡所需的微波强度强烈地取决于杂质势的形式。如果弹性散射是由背景带电杂质引起的，则振幅为每厘米几伏的微波电场足以引起显著的振荡，这比如果散射是由位于距离2D电子气60 nm处的远程带电杂质引起的所需的振荡小一个数量级。
2004-09-03 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance oscillations in two-dimensional electron systems under monochromatic and bichromatic radiations
本文用平衡方程方法分析了高迁移率二维电子系统中由频率为31 GHz和47 GHz的两个辐射场所引起的磁阻振荡。频率混合过程被证明是重要的。预测的峰位、相对高度、辐射强度依赖性及其与单色折射率的关系与最近的实验结果符合得很好[M。A. Zudov { \it等人}物理修订信函96，236804（2006）]。
2006-11-03 cond-mat.mes-hall
Radiation-Induced Magnetoresistance Oscillations in a 2D Electron Gas
最近的测量二维电子气受到微波辐射揭示了磁电阻与辐射频率的比值振荡依赖于回旋频率。我们进行了图解计算，并找到正确的周期和相位的辐射引起的电阻率振荡。结果解释通过一个简单的图片由光激发的无序散射电子感应电流。振荡随着辐射强度的增加而增加，很容易超过暗电阻率并导致负电阻率最小值。在高强度下，我们确定了额外的功能，可能是由于多光子过程，这还有待实验观察。
2003-08-25 cond-mat.mes-hall
Fermi Liquid Model of Radiation Induced Magnetoresistance Oscillations in GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As Heterostructure Two-Dimensional Electron System: Theoretical Evidence of an Electron Reservoir
Zudov等人[Phys. Rev. B { \bf 64}，2013 - 11（2001）]最近在GaAs/Al $_x$ Ga $_{1-x}$ As异质结构中观察到的毫米波辐射引起的磁阻振荡，通过引入基于有限温度费米液体直流电导率理论和电子库假设的模型，在理论上再现了这种现象.所获得的振荡模式显示出与Zudov等人的实验结果非常一致，并且与Smet等人的实验观察一致，与辐射场的偏振无关[Phys. Rev. Lett. { \bf 95}，116804（2005）]。
2009-05-05 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance oscillations in GaAs/AlGaAs superlattices subject to in-plane magnetic fields
利用分子束外延生长的GaAs/AlGaAs超晶格，研究了面内磁场对3D-2D相变的影响。在倾斜磁场中测得的纵向磁电阻数据已被解释在一个简单的紧束缚模型。数据提供的模型的基本参数的值，并使其有可能重建超晶格费米面和计算最低朗道子带的态密度。范霍夫奇点的位置在DOS同意与磁阻振荡，确认该模型充分描述了强耦合半导体超晶格的磁阻。
2005-10-14 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance and Quantum Oscillations of an Electrostatically Tuned Semimetal-to-Metal Transition in Ultra-Thin WTe2
我们报告的半金属WTe \textsubscript{2}的静电门控纳米器件的电子输运测量。通过在惰性气氛中封装薄片，在2D极限中实现高迁移率金属行为。在低温下，我们发现，一个大的磁阻可以打开和关闭之间的半金属态和仅电子的金属态，分别通过静电掺杂系统。我们确认的两个制度的性质，通过分析的磁阻和霍尔效应与两个载体模型，以及通过分析Shubnikov-de Haas振荡，这两个都表明通过静电门耗尽空穴载流子。这证实了两个带相反电荷的载流子的半经典输运准确地描述了在这种材料中观察到的异常磁阻。最后，我们还发现，磁阻幂律是次二次和密度无关，特别是在半金属制度提出了新的物理。
2017-01-30 cond-mat.mes-hall
Multiple and virtual photon processes in radiation-induced magnetoresistance oscillations in two-dimensional electron systems
通过对增强辐射下二维电子系统微波光阻的详细分析，证明了在已知振荡之外的新结构和零电阻态是由多光子辅助过程引起的。实验中观察到的电阻下降和峰变窄现象也被再现。结果表明，辐射对平均电阻的抑制来自虚光子效应，并存在于整个磁场范围内。
2006-05-26 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance oscillations in multilayer systems - triple quantum wells
由于量子化磁场对子带间跃迁几率的周期性调制，具有多个占据子带的二维电子系统的磁阻振荡。除了以前的调查，这些磁子带间（MIS）振荡在两个子带系统中，我们报告的实验和理论研究这样的现象在三量子阱中实现的三个子带系统。我们表明，存在两个以上的子带导致一个定性不同的MIS振荡图片，描述为几个振荡的贡献叠加。在连续微波辐照下，三阱系统的磁电阻表现出MIS振荡和微波感生电阻振荡的相互干扰。理论解释这些现象的一般形式，有效的任意数量的子带。理论和实验的比较，使我们能够提取的温度依赖性的量子寿命的电子，并确认微波光电阻的非弹性机制的适用性，在多层系统中的磁输运的描述。
2009-12-07 cond-mat.mes-hall
Angular magnetoresistance oscillations in bilayers in tilted magnetic fields
角磁阻振荡（AMRO）最初在有机导体中发现，然后在许多其他层状金属中发现。它应该是可能的，以观察AMRO半导体双层。在这里，我们提出了一个直观的几何解释AMRO的Aharonov-Bohm干涉效应，在真实和动量空间，平衡和不平衡的双层。讨论了在倾斜磁场中金属态双层膜实验中的应用。我们推测，AMRO也可以观察到时，每一层的双层是在复合费米子状态。
2007-02-25 cond-mat.mes-hall
Microwave-induced electron heating in the regime of radiation-induced magnetoresistance oscillations
本文研究了微波光激发对二维GaAs/AlGaAs电子系统Shubnikov-de Haas（SdH）振荡振幅的影响，其中回旋频率$ω_{c}$和微波角频率$ω$满足$2 ω\le ω_{c} \le 3.5 ω$ .的SdH线形分析表明，增加入射微波功率的SdH振荡的振幅有一个微弱的影响，相比温和的温度变化对暗标本SdH效应的影响。结果表明，在适度的微波光激发下，电子加热可以忽略不计，与理论预测吻合得很好。
2011-02-01 cond-mat.mes-hall
Surface acoustic wave induced magnetoresistance oscillations in a 2D electron gas
研究了在垂直磁场中传播的声表面波（SAW）对二维电子电阻率的几何可伸缩性振荡。我们发现，对于$ω<ω_{c}$，这种效果是由各向异性的动力学经典贡献增加电阻率和非平衡量子贡献各向同性降低电阻率，我们预测的外观零电阻状态与几何可伸缩性在大SAW振幅。我们还描述了如何在回旋频率的倍数的SAW感应电阻率的谐振调制的可重复性振荡。
2003-12-25 cond-mat.mes-hall
Oscillating magnetoresistance in graphene p-n junctions at intermediate magnetic fields
我们报道了在石墨烯pn结中观察到的磁电阻振荡。振荡已被观察到的六个样品，由单层和双层石墨烯，并坚持到30 K的温度，标准的Shubnikov-de Haas振荡不再是可辨别的。紧束缚模拟可以再现振荡的磁阻效应。我们把这种现象归因于n-和p-区的调制态密度。
2017-05-18 cond-mat.mes-hall
Observation of Shubnikov-de Haas Oscillations, Non-trivial Berry Phase, Planar Hall and Anisotropic Magnetoresistance at the conducting interface of EuO-KTaO$_3$
电子系统中自旋带的动量依赖分裂被称为“Rashba效应”。具有“Rashba效应”的系统在动量空间中具有狄拉克点。在倒易空间中包围狄拉克点的回旋加速器轨道中的电子获得“贝里相位”。本文报道了EuO-KTaO $_3$（KTO）导电界面的Shubnikov-de-Haas振荡（SdH）。观察到的SdH振荡表明存在两个费米面。对于这两个费米面，我们已经看到了一个非平凡的“贝瑞相”的存在，这表明表面包围的“狄拉克点”。因此，Berry相起源于Rashba自旋分裂带的内费米面和外费米面。与拓扑绝缘体一样，EuO-KTO中也观察到了二重平面霍尔和各向异性磁电阻。通过对SdH、霍尔和磁阻数据的分析，我们绘出了费米面附近可能的能带图。
2019-08-14 cond-mat.mes-hall
Thermally activated intersubband scattering and oscillating magnetoresistance in quantum wells
高迁移率宽量子阱中磁电阻的实验研究揭示了随着温度升高到10 K而出现的振荡，其周期接近于Shubnikov-de Haas振荡。所观察到的现象被确定为magnetointersubband振荡所造成的两个被占领的子带和第三子带之间的电子的散射成为占领作为热激活的结果。这些小周期振荡对热抑制的敏感性低于由第一和第二子带之间的散射引起的大周期磁子带间振荡。理论研究的基础上考虑电子散射的边缘附近的第三个子带，给出了一个合理的解释，我们的实验结果。
2010-10-28 cond-mat.mes-hall
Nonlinear theory of fractional microwave-induced magnetoresistance oscillations in a dc-driven two-dimensional electron system
利用电流直接控制的多光子辅助输运方案研究了直流驱动二维电子系统中微波诱导的非线性磁电阻效应。结果表明，在回旋共振二次谐波附近，电阻率随磁场归一化电流密度的振荡频率是回旋共振及其谐波的两倍，这与Hatke { \it et al.} [Phys. Rev. Lett. { \bf 101}，246811（2008）]。电流引起的共振双光子和单光子过程的交替出现是这种频率倍增的原因。在回旋共振的第三次谐波附近，电流诱导的0-/3光子、双光子和单光子共振过程的连续出现可能导致电阻率振荡频率的三倍。
2009-03-12 cond-mat.mes-hall
Huge enhancement of the magnetoresistance in nanoparticle arrays
我们发现，充电效应和非平衡自旋积累之间的相互作用有一个显着的效果，通过一个阵列的纳米结构连接到铁磁电极的电流。作为偏置电压的函数的电流中的大的振荡显示为电极的磁化的平行取向。这些振荡起源于通过阵列的自旋势的不均匀性，并且与自旋累积中的振荡相关。在反平行取向下，自旋势是均匀的，不出现振荡，这种灵敏度使得隧穿磁电阻比单岛情况下大大增强，为提高纳米器件的自旋响应开辟了新的途径。
2010-10-06 cond-mat.mes-hall
Evidence of radiation-driven Landau states in 2D electron systems: magnetoresistance oscillations phase shift
我们提供了最终的解释微波诱导的磁阻振荡的核心功能之一，在高迁移率的二维电子系统：1/4周期的相移的最小值。我们从辐射驱动的电子轨道模型与朗道状态之间的散射飞行时间的新概念。我们计算的极值和节点的位置，获得与实验的准确吻合。主要发现是相移的物理起源是辐射驱动的朗道引导中心相对于辐射的$\fracπ{2}$的延迟，证明了辐照朗道态的振荡性质。我们分析了这个最小值对辐射频率和功率的依赖性以及它可能随样品质量的变化
2016-04-01 cond-mat.mes-hall
Hall field induced magnetoresistance oscillations of a two-dimensional electron system
建立了一个二维电子系统（2DES）在磁场中对直流电流的非线性响应模型。从任意强电场和磁场中薛定谔方程的精确解出发，将相对中心坐标和导引中心坐标分离，导出了一个类似Kubo的电流公式，作为对杂质散射的响应。自洽表达式确定直流电流方面的电场的纵向和霍尔分量。微分电阻率显示出强烈的霍尔场诱导振荡，在最近的实验中观察到的现象的主要特征。
2007-07-16 cond-mat.mes-hall
Modelling the angle-dependent magnetoresistance oscillations of Fermi surfaces with hexagonal symmetry
通过求解玻尔兹曼输运方程，我们从理论上研究了六方晶格上准二维系统在改变外加磁场方向时电阻率振荡的一般形式。角磁阻振荡的存在下，可以用来映射出的费米表面的拓扑结构，我们研究这种效果如何变化的函数的平面间翘曲的程度，以及作为一个函数的各向同性散射的程度。我们发现，由于面内旋转的角度依赖效应遵循晶格所施加的对称性，而对于面间旋转，翘曲的程度决定了模拟中观察到的主导特征。我们的计算预测特定的角度依赖性磁输运签名在磁场预期准二维六方化合物类似PdCoO2和PtCoO2。
2016-06-03 cond-mat.mes-hall
Andreev reflection and strongly enhanced magnetoresistance oscillations in GaInAs/InP heterostructures with superconducting contacts
我们研究了高迁移率GaInAs/InP异质结与超导（S）和正常金属（N）端耦合形成的小型混合结中的磁输运。通过使用Au/NbN层系统实现了与位于GaInAs/InP异质结构中的二维电子气（2DEG）的高透射超导接触。的S/2DEG/N结构的磁阻作为直流偏置电流和温度的函数进行了研究。在低于临界值的偏置电流下，S/2DEG/N结构的电阻发展出对磁场的强振荡依赖性，其中振荡的幅度显著大于参考N/2DEG/N结构的振荡的幅度。考虑到强磁场中的Andreev反射，对实验结果进行了定性解释。
2007-08-01 cond-mat.mes-hall
Anomalous Tunneling Magnetoresistance Oscillation and Electrically Tunable Tunneling Anisotropic Magnetoresistance in Few-layer CrPS4
该研究在少层 CrPS4 磁性隧道结中发现异常 TMR 振荡，并实现偏置与栅压可调的 TAMR，结合第一性原理计算揭示其机制。
2024-10-24 cond-mat.mes-hall
Non-linear Magnetoresistance Oscillations in Intensely Irradiated Two-Dimensional Electron Systems Induced by Multi-Photon Processes
本文报道了强微波辐射下二维电子微分电阻率的磁振荡现象。这些振荡的周期不仅由微波频率决定，还由其强度决定。基于高微波功率下量子动力学的理论模型捕捉到了这种在微波强度上具有强非线性的现象的所有重要特征。我们的研究结果表明，在强直流电场的存在下，回旋共振及其谐波附近的多光子过程的关键作用，并提供了一种独特的方法来可靠地确定微波作用于电子的强度。
2009-12-07 cond-mat.mes-hall
Magnetic quantum oscillations of in-plane Hall conductivity and magnetoresistance tensor in quasi-two-dimensional metals
本文建立准二维金属磁阻振荡理论，利用Kubo-Streda公式推导磁量子振荡与慢振荡的振幅和相位解析表达式，并讨论温度和不均匀性对振荡的平均化效应，为实验数据分析提供理论工具。
2024-06-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Tunneling magnetoresistance of Fe/ZnSe (001) single- and double-barrier junctions as a function of interface structure
在这篇文章中，我们计算了自旋相关的弹道和相干输运通过外延Fe/ZnSe（001）简单和双磁隧道结与两种不同的界面终端：Zn终止和Se终止。的结的电子结构是由第二近邻{ \it spd}紧束缚哈密顿参数化为{ \it从头计算能带结构，而电导和隧道磁阻计算内Landauer的形式主义。计算是在零偏置电压下进行的，并且是能量的函数。我们显示和讨论的界面结构上的自旋相关的运输通过简单和双隧道结的影响。
2008-10-02 cond-mat.mes-hall
Radiation-induced magnetoresistance oscillations with massive Dirac fermions
本文报道了在二维大质量狄拉克费米子系统中辐射感生磁电阻振荡的理论研究。我们研究了单层石墨烯和六方氮化硼（h-BN/graphene）的双层体系以及六方氮化硼包覆石墨烯（h-BN/graphene/h-BN）的三层体系。我们扩展了辐射驱动的电子轨道模型，以前设计的薛定谔电子（GaAs/AlGaAS异质结构）的二维系统中研究相同的振荡的情况下，大量的狄拉克费米子。在模拟中，我们得到明确的振荡辐射频率在太赫兹和远红外波段。%，这与二维薛定谔电子的情况下，%，主要是敏感的微波频率。我们还调查了功率和温度的依赖性。对于前者，我们得到了与薛定谔电子相似的结果，并预测了零电阻态的上升。对于后者，我们得到一个类似的定性依赖，但定量不同时，增加温度。虽然在GaAs中，振荡在几度内消失，但有趣的是，对于大质量狄拉克费米子，我们在高于$100$ K的温度下，甚至在室温下，对于模拟中使用的较高频率，都可以观察到振荡。
2021-05-19 cond-mat.mes-hall
Large Magnetoresistance Induced by Quantum Charge Fluctuations in Magnetic Double Dots
我们研究电子隧穿通过两个小铁磁点。量子电荷涨落和点间耦合使得点间耦合为零时电导的库仑峰分裂。点间隧道耦合由两个点的磁化的相对取向决定，导致平行和反平行磁化排列中库仑峰的不同分裂能量。结果，在库仑峰附近出现非常大的隧穿磁电阻，其符号可以是正的也可以是负的。
2004-08-26 cond-mat.mes-hall
Radiation-induced magnetoresistance oscillations in two-dimensional electron systems under bichromatic irradiation
基于Faraday几何中高载流子密度系统磁输运的平衡方程方法，分析了由频率为$ω_1$和频率为$ω_2$的两个辐射场联合驱动的高迁移率二维电子系统中的磁阻$R_{xx}$振荡.结果表明，在$ω_2\sim 1.5 ω_1$双色照射下，除$ω_1$或$ω_2$周围的峰谷对外，$R_{xx}$-磁场曲线中的大多数特征峰谷对在单色照射下均消失。$R_{xx}$振荡主要表现为新的峰-谷结构，出现在与混合频率$ω_1+ω_2$、$ω_2-ω_1$等多光子过程有关的其他位置。随着辐射强度的增强，这些电阻峰-谷对的许多极小值可以下降到负值，表明可能存在双色零电阻态。
2006-05-22 cond-mat.mes-hall
Giant magnetoresistance oscillations caused by cyclotron resonance harmonics
对于GaAs/AlGaAs异质结中的高迁移率二维电子，我们从实验和理论两方面研究了最近发现的在微波辐射下出现的巨磁电阻振荡，其振荡极小值中的电阻几乎为零。我们提出了一个基于辐射引起的朗道能级非平衡占据的模型来描述振荡图象。
2003-04-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Microwave-induced magnetoresistance of two-dimensional electrons interacting with acoustic phonons
从理论上研究了微波辐射下二维电子系统中电子-声子相互作用对磁输运的影响。除了存在于微波的情况下的声子诱导的电阻振荡，辐照样品的磁阻包含振荡的贡献，由于电子散射的杂质和声学声子。由于电子-声子散射的贡献被描述为声子诱导的电阻振荡和微波诱导的电阻振荡的干涉的结果。此外，微波加热电子会导致一种特殊的声子诱导振荡。讨论了不同贡献的相对强度及其对参数的依赖性。众多的振荡贡献的相互作用表明一个奇特的磁阻图片在高迁移率层的温度时，电子-声子散射变得重要。
2010-02-28 cond-mat.mes-hall
Giant microwave-induced $B$-periodic magnetoresistance oscillations in a two-dimensional electron gas with a bridged-gate tunnel point contact
研究了微波辐照下高迁移率二维电子气（2DEG）上制备的量子点接触的磁电阻效应。电阻揭示了巨大的$B$ -周期振荡，其相对振幅$ΔR/R$高达$700$ \%，这是由样品中边缘磁等离子体（EMP）的传播和干扰引起的。这种巨大的光电导归因于点接触附近相当大的局部电子密度调制。我们还分析了电阻振荡的振荡周期$ΔB$，并与EMP理论进行了比较，提取了EMP干扰长度$L$。我们已经发现，长度$L$基本上超过接触引线之间的距离，而是对应于沿着2DEG的边缘测量的金属接触焊盘之间的距离。这解决了文献中存在的争议，并应有助于正确设计高灵敏度的微波和太赫兹光谱仪的基础上讨论的效果。
2017-02-08 cond-mat.mes-hall
Geometric resonances in the magnetoresistance of hexagonal lateral superlattices
我们测量了六角横向超晶格的磁电阻。我们观察到三种类型的振荡产生的周期性电位调制具有六边形晶格对称性：舒布尼科夫-德哈斯振荡，可伸缩性振荡，布拉格反射产生的开放轨道的几何共振的振幅调制。后两个揭示了存在两个特征周期性，sqrt{3} a / 2和a / 2，这是晶格常数为a的六方晶格所固有的。通过对开轨道的观测，我们发现了超晶格中六角微带的形成，这标志着在半导体2DEG中实现无质量狄拉克费米子的第一步。
2012-12-28 cond-mat.mes-hall
Quantum Oscillations of Tunnel Magnetoresistance Induced by Spin-Wave Excitations in Ferromagnet-Ferromagnet-Ferromagnet Double Barrier Tunnel Junctions
利用Keldysh非平衡格林函数方法，研究了铁磁-铁磁-铁磁双势垒隧道结中，当两侧铁磁体的磁化方向与中间铁磁体的磁化方向反平行时，自旋波激发引起的隧道电导和磁阻量子振荡的可能性.研究发现，由于中间铁磁体中自旋积累引起的自旋密度和传导电子之间的s-d交换作用，微分电导和TMR确实随偏压的增加而振荡，这与最近在实验中观察到的现象相一致.讨论了磁振子模、电子能级以及中心铁磁体中的分子场对系统振荡输运性质的影响。
2008-01-22 cond-mat.mes-hall
Negative tunnel magnetoresistance and differential conductance in transport through double quantum dots
从理论上研究了两个耦合单能级量子点与铁磁导线弱连接的自旋相关输运。传输特性，包括电流，线性和非线性电导，隧道磁阻计算使用实时图解技术在并行，串行，和中间的几何形状。由于两个点之间的虚拟隧穿过程通过引线，与非对角耦合矩阵元素的影响，也被认为是。在串联和中间几何结构的情况下，已经发现了负微分电导和负隧道磁阻，而并联耦合的双量子点没有观察到这样的行为。它还表明，输运特性强烈依赖于非对角耦合矩阵元素的大小。
2009-11-02 cond-mat.mes-hall
Novel Radiation-induced Magnetoresistance Oscillations in a Nondegenerate 2DES on Liquid Helium
本文报道了在束缚于液氦表面的非简并二维电子中，由子带间共振吸收引起的新型磁阻振荡的观测结果。的振荡是周期性的1/B和起源于散射介导的跃迁的激发电子到朗道状态的第一子带。振荡的结构受到朗道能级碰撞展宽和多电子效应的影响。
2009-11-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magnetoresistance of Si(001) MOSFETs with high concentration of electrons
本文对高迁移率Si（001）样品的反型层中的电子输运进行了实验研究。第二个系列的振荡，观察到除了主要系列的舒布尼科夫-德哈斯振荡，暂时归因于占领的一个子带与$E_{0'}$水平。此外，在高载流子浓度下，伴随着新的振荡，一个强大的负磁阻和霍尔电阻的非线性场依赖性。2D电子层的加热导致所观察到的异常的抑制。
2003-06-12 cond-mat.mes-hall
Observation of linear-polarization-sensitivity in the microwave-radiation-induced magnetoresistance oscillations
在准二维GaAs/AlGaAs系统中，研究了线极化微波的电场相对于电流旋转\textit{in-situ}对微波辐射感生磁阻振荡的影响.我们发现光激磁电阻振荡的频率和相位对极化不敏感。另一方面，磁电阻振荡的幅度显着的微波天线和样品中的电流轴之间的相对取向的响应。结果表明，在辐射感生磁电阻振荡的线性极化敏感性显着。
2012-09-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetoresistance oscillations in vertical junctions of 2D antiferromagnetic semiconductor CrPS$_4$
本研究在二维反铁磁半导体CrPS$_4$垂直结中首次发现绝缘系统中的磁阻振荡，归因于自旋倾斜态及带隙内缺陷态的自旋选择性层间跳跃，揭示了范德华磁体的独特量子输运行为。
2024-11-19 cond-mat.mes-hall
Recognition of Fermi-arc states through the magnetoresistance quantum oscillations in Dirac semimetal Cd3As2 nanoplates
在垂直磁场作用下，外尔半金属中的不相交费米弧可以与手征体模相互干涉，并参与到异常的闭合磁轨道中。在这里，我们进行量子振荡研究狄拉克半金属Cd 3As 2，一个近亲的Weyl半金属这种不寻常的Weyl磁轨道。我们发现，当纳米片的厚度小于电子的平均自由程时，在高场下会出现额外的二维量子振荡，这种振荡是由外尔磁轨道引起的，它是在三维体背景下产生的.非定域探测提供了Weyl磁轨道二维量子振荡的进一步证据，为研究磁场作用下费米弧的量子输运性质提供了一种新的途径.
2017-10-05 cond-mat.mes-hall
Spin-thermo-electronic oscillator based on inverse giant magnetoresistance
研究了一种具有交换弹簧型自由层和逆磁阻效应的自旋热电子阀。该结构具有S形的电流-电压特性，并且当与谐振器电路内的常规电容器集成时可以表现出自发振荡。振荡的频率可以通过电路电容从基本上直流到GHz范围进行控制。
2011-01-27 cond-mat.mes-hall
Nonlinear transport and oscillating magnetoresistance in double quantum wells
我们研究了双量子阱中低温磁电阻在低于1特斯拉的区域随外加电流密度的变化。的磁子带间振荡峰，这是由于电流引起的电阻率的量子分量的反转发生的翻转，观察。我们还看到这些峰的分裂作为非线性行为的另一种表现，具体为两个子带电子系统。根据电子分布函数中各向同性非平衡部分的动力学方程，对实验结果进行了定量解释。非弹性散射时间由反转磁场对电流的依赖关系确定。
2008-11-27 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance Oscillations in Two-dimensional Electron Systems Induced by AC and DC Fields
本文报道了同时作用于交流（微波）和直流（霍尔）场的高迁移率二维电子系统的磁输运测量结果。我们发现，直流激励影响微波光电阻在一个非平凡的方式。光电阻最大值（最小值）演变成最小值（最大值）和背部，反映了AC和DC诱导效应的强耦合和相互作用。我们的大多数观测结果可以用一种新的“组合”共振条件用间接电子跃迁来解释。观察到的微波诱导的零电阻的直流场淬火不能明确地链接到一个域模型，至少在一个系统的理论治疗两种激励类型在一个单一的框架内开发。
2007-01-29 cond-mat.mes-hall
In-plane Magnetic Field Dependent Magnetoresistance of Gated Asymmetric Double Quantum Wells
实验研究了强非对称双阱的磁电阻效应。通过将薄Al $_{0.3}$ Ga $_{0.7}$ As阻挡层插入标准调制掺杂GaAs/Al $_{0.3}$ Ga $_{0.7}$ As异质结构的GaAs缓冲层中来制备该结构。由此产生的双井系统由一个近矩形井和一个三角形井耦合通过隧道通过薄的障碍。通过适当选择势垒参数，可以控制两个阱和两个最低（成键和反键）子带的占用率。通过施加前栅电压或背栅电压可以进一步影响电子特性。
2003-09-22 cond-mat.mes-hall
Influence of linearly polarized radiation on magnetoresistance in irradiated two-dimensional electron systems
研究了线辐射的极化角对二维电子系统辐射感生磁电阻振荡的影响，考察了极化抗扰度对样品温度和质量的影响。应用辐射驱动电子轨道模型，得到了在低温和高质量样品下，线极化辐射的电场方向对磁电阻的影响。然而，对于较低质量的样品和较高的温度，我们恢复极化免疫辐射驱动的磁阻振荡。这可能是未来的高品质介观器件的光电子学的兴趣。VC 2012美国物理学会
2012-06-22 cond-mat.mes-hall
