Interlayer magnetoresistance in multilayer Dirac electron systems: motion and merging of Dirac cones
从理论上研究了多层类石墨烯系统中狄拉克锥的运动和合并对层间磁电阻的影响。这种合并，这可能是由单轴应变引起的，在单层狄拉克电子系统中引起从半金属相到绝缘相的拓扑转变，其中狄拉克点消失。基于描述二维Dirac电子晶体中Dirac点运动和合并的普适哈密顿量，在仅考虑$n=0$ Landau能级贡献的量子极限下，利用Kubo公式计算了变形类石墨烯层堆叠的层间电导率.从一个负的到一个积极的层间磁阻的交叉被发现发生的合并是接近。磁阻的这种符号变化也可能是由狄拉克谷之间的耦合引起的，狄拉克谷随着磁场振幅的增加而增强。我们的结果可以描述有机导体$α$ -（BEDT）$_2$ I $_3$在高压下的磁输运行为，在高压下可以观察到狄拉克锥的合并.
2013-04-29 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance oscillations in GaAs/AlGaAs superlattices subject to in-plane magnetic fields
利用分子束外延生长的GaAs/AlGaAs超晶格，研究了面内磁场对3D-2D相变的影响。在倾斜磁场中测得的纵向磁电阻数据已被解释在一个简单的紧束缚模型。数据提供的模型的基本参数的值，并使其有可能重建超晶格费米面和计算最低朗道子带的态密度。范霍夫奇点的位置在DOS同意与磁阻振荡，确认该模型充分描述了强耦合半导体超晶格的磁阻。
2005-10-14 cond-mat.mes-hall
Linear magnetoresistance in HgTe quantum wells
我们报道了具有反转能带结构的碲化汞量子阱中的磁输运测量，该量子阱预计是二维（2D）拓扑绝缘体。垂直于2D层的小磁场破坏了时间反演对称性，从而抑制了边缘态传输。在低磁场下，当化学势穿过体隙时，观察到线性磁电阻。该磁阻很好地描述了在存在的边缘状态的磁输运的数值计算的无序。随着磁场的增加，在局域和非局域组态中测得的电阻先急剧减小，然后又增加，与现有的理论不一致。
2013-02-27 cond-mat.mes-hall
Crossed Andreev reflection-induced magnetoresistance
我们表明，非常大的负磁阻可以得到在磁三层在电流平面几何由于交叉Andreev反射的存在。这种自旋阀由一层薄的超导薄膜夹在两个铁磁层之间组成，铁磁层的磁化可以是顺磁或反磁排列的。对于合适的结构参数和几乎完全自旋极化的铁磁体的选择，磁阻可以超过~ 80%。我们的研究结果是相关的自旋电子器件利用铁磁超导结构的设计和实施。
2006-10-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Magnetoresistance and Quantum Oscillations of an Electrostatically Tuned Semimetal-to-Metal Transition in Ultra-Thin WTe2
我们报告的半金属WTe \textsubscript{2}的静电门控纳米器件的电子输运测量。通过在惰性气氛中封装薄片，在2D极限中实现高迁移率金属行为。在低温下，我们发现，一个大的磁阻可以打开和关闭之间的半金属态和仅电子的金属态，分别通过静电掺杂系统。我们确认的两个制度的性质，通过分析的磁阻和霍尔效应与两个载体模型，以及通过分析Shubnikov-de Haas振荡，这两个都表明通过静电门耗尽空穴载流子。这证实了两个带相反电荷的载流子的半经典输运准确地描述了在这种材料中观察到的异常磁阻。最后，我们还发现，磁阻幂律是次二次和密度无关，特别是在半金属制度提出了新的物理。
2017-01-30 cond-mat.mes-hall
Microwave-induced magnetoresistance of two-dimensional electrons interacting with acoustic phonons
从理论上研究了微波辐射下二维电子系统中电子-声子相互作用对磁输运的影响。除了存在于微波的情况下的声子诱导的电阻振荡，辐照样品的磁阻包含振荡的贡献，由于电子散射的杂质和声学声子。由于电子-声子散射的贡献被描述为声子诱导的电阻振荡和微波诱导的电阻振荡的干涉的结果。此外，微波加热电子会导致一种特殊的声子诱导振荡。讨论了不同贡献的相对强度及其对参数的依赖性。众多的振荡贡献的相互作用表明一个奇特的磁阻图片在高迁移率层的温度时，电子-声子散射变得重要。
2010-02-28 cond-mat.mes-hall
Manifestations of classical size effect and electronic viscosity in the magnetoresistance of narrow two-dimensional conductors: Theory and experiment
我们开发了一个经典的动力学理论的磁输运的二维电子在窄通道与部分扩散边界散射，并将其应用于描述的磁阻测量的温度区间4.2-30 K的长细观棒制作的高纯GaAs量子阱结构。实验和理论都证明了由于运输的高弹道性而引起的二维尺寸效应在纵向和霍尔电阻中的一些特征。除了前面描述的功能，我们还揭示了一个变化的斜率的一阶导数的磁阻时，回旋轨道直径等于一半的通道宽度。由于电子-电子相互作用引起的电子粘性，这些特征随着温度的升高而被抑制。通过理论与实验的比较，确定了电子-电子散射引起的电子角分布弛豫的特征时间。
2020-06-22 cond-mat.mes-hall
Giant magnetoresistance in weakly disordered non-Galilean invariant conductors
该研究建立弱长程无序下非伽利略不变导体电子磁输运的流体力学理论，揭示非零本征电导率液体中磁摩擦力引发约100%反常强磁电阻的机制，推导动理系数并应用于近电荷中性石墨烯。
2024-01-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el physics.plasm-ph
Spin Hall magnetoresistance at Pt/CoFe2O4 interfaces and texture effects
我们报道了在外延的（001）和（111）CoFe 2 O 4（CFO）亚铁磁绝缘膜上生长的薄Pt棒的磁阻测量结果。这些结果可以用最近发现的自旋霍尔磁电阻（SMR）来描述。SMR的大小取决于界面制备条件，当Pt/CFO样品在原位制备时，在单个过程中是最佳的。自旋混合界面的电导，关键参数的SMR和其他相关的自旋相关的现象，如自旋泵或自旋Seebeck效应，被发现是不同的结晶取向的CFO，突出的作用的组成和密度的磁性离子在自旋混合的界面。
2014-10-09 cond-mat.mes-hall
Giant negative magnetoresistance in high-mobility 2D electron systems
本文报道了极高迁移率GaAs/AlGaAs异质结和量子阱中的巨负磁电阻效应。这种效应在$B \simeq 1$ kG处最强，在$T \lesssim 2$ K处磁电阻率出现最小值。与在$T \simeq 2 $ K下饱和的零场电阻率不同，在该最小值下的电阻率继续以加速速率下降到低得多的温度，并且变得比零场电阻率小几倍。出乎意料的是，我们还发现，这种效果不仅被破坏，增加温度，但也由温和的面内磁场。分析表明，巨负磁电阻效应不能用现有的考虑相互作用引起或无序引起的修正的理论来解释。
2012-01-27 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance oscillations in multilayer systems - triple quantum wells
由于量子化磁场对子带间跃迁几率的周期性调制，具有多个占据子带的二维电子系统的磁阻振荡。除了以前的调查，这些磁子带间（MIS）振荡在两个子带系统中，我们报告的实验和理论研究这样的现象在三量子阱中实现的三个子带系统。我们表明，存在两个以上的子带导致一个定性不同的MIS振荡图片，描述为几个振荡的贡献叠加。在连续微波辐照下，三阱系统的磁电阻表现出MIS振荡和微波感生电阻振荡的相互干扰。理论解释这些现象的一般形式，有效的任意数量的子带。理论和实验的比较，使我们能够提取的温度依赖性的量子寿命的电子，并确认微波光电阻的非弹性机制的适用性，在多层系统中的磁输运的描述。
2009-12-07 cond-mat.mes-hall
Crossover from Positive to Negative Interlayer Magnetoresistance in Multilayer Massless Dirac Fermion System with Non-Vertical Interlayer Tunneling
本文对层状狄拉克费米子系统的层间磁电阻效应进行了理论描述，并将其应用于有机导体α-（BEDT-TTF）_2I_3在压力下的磁电阻效应。假设非垂直层间隧穿并考虑较高的朗道能级效应，我们用Kubo公式计算了层间电导率，提出了实验观察到的负层间磁阻交叉的物理图像，其中狄拉克费米子零能朗道能级起着核心作用，正的层间磁阻，这是朗道能级混合效应对非垂直层间跳跃的结果。交叉磁场取决于朗道能级加宽因子，并可用于确定狄拉克费米子朗道能级能谱。
2010-04-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Nonlinear growth with the microwave intensity in radiation-induced magnetoresistance oscillations
本文报道了在W. Wegscheider的研究小组提出的方法，将它们的特性与V.Umansky材料中的类似振荡进行比较，并描述了两个系统中线形变化与辐射功率$P$的关系。我们发现，辐射诱导的振荡$ΔR_{xx}$，在这两种材料中，可以描述为$ΔR_{xx} = -A exp(-λ/B)sin(2 πF/B)$，其中$A$是振幅，$λ$是阻尼参数，和$F$是振荡频率。$λ$和$F$均对$P$不敏感。另一方面，$A$与$P$非线性增长。
2010-11-18 cond-mat.mes-hall quant-ph
Giant and negative magnetoresistances in conical magnets
本文研究锥形螺旋磁体中的自旋相关磁输运，发现自旋向上电子呈负磁阻、自旋向下电子因耗尽呈巨磁阻，并揭示巨霍尔电阻效应，表明其可用于自旋开关器件。
2024-04-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
A Quantum Framework for Negative Magnetoresistance in Multi-Weyl Semimetals
Indian Institute of Technology Indore（印度印多尔理工学院）
本文提出了一种多韦尔半金属中负磁电阻的量子力学框架，通过Landau量子化和奇点异常机制解释了负磁电阻的实验特征。
2025-12-31 cond-mat.mes-hall
Origins of the unidirectional spin Hall magnetoresistance in metallic bilayers
最近的研究表明，由于导电性、磁化强度和自旋霍尔或Rashba-Edelstein效应之间的相互作用，层状导体中出现了不对称电子输运。在这里，我们研究的单向磁电阻（UMR）所造成的电流诱导的自旋积累在Co/Pt和CoCr/Pt双层膜。我们确定了三个竞争机制支撑的电阻不对称性，即界面和体自旋相关的电子散射和电子磁振子散射。我们的测量提供了一个一致的描述的电流，磁场，和温度依赖性的UMR和显示，无论是积极的和消极的UMR可以通过调整界面和散装自旋相关的散射项相对于磁振子人口。
2018-06-13 cond-mat.mes-hall
Direct-current control of radiation-induced differential magnetoresistance oscillations in two-dimensional electron systems
在一个统一的微观计划内处理两个激励平等的基础上，同时驱动的强直流电和微波照射的二维电子系统的磁阻振荡进行了分析。微波诱导的电阻振荡由与辐射频率成比例的参数$ε_ω$描述，而直流诱导的电阻振荡由与电流密度成比例的参数$ε_j$控制。在同时存在微波辐射和强直流电的情况下，组合参数$ε_ω+ε_j$被示出控制主电阻振荡，与最近的测量结果一致[Zhang { \it et al.}物理修订版信函{ \bf 98}，106804（2007）]
2007-09-19 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance of a two-dimensional electron gas with spatially periodic lateral modulations: Exact consequences of Boltzmann's equation
从玻尔兹曼方程出发，在碰撞算符中考虑各向异性散射，研究了一维超晶格对二维电子系统的影响。除了静电场和磁场定义的超晶格，我们认为流动性超晶格描述的散射中心的空间调制密度。我们证明，在$x$ -方向的磁和电超晶格只影响电阻率分量$ρ_{xx}$，如果流动性是均匀的，而在$x$ -方向的流动性晶格的情况下，电和磁调制只影响$ρ_{yy}$。通过数值求解玻尔兹曼方程，统一计算了弱磁场中的正磁阻效应和强磁场中的外斯振荡。
1997-09-05 cond-mat.mes-hall
Corbino magnetoresistance in neutral graphene
本文研究了中性石墨烯中Dirac费米子在Corbino几何下的磁流体动力学，全面分析了粘度、无序散射、复合等多种因素的相互作用，发现在纯净极限下Corbino样品的磁阻由粘度决定，从而提供了一种测量中性石墨烯粘度系数的方法。
2023-05-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.other cond-mat.stat-mech
