Doping Dependent Density of States and Pseudogap Behavior in La2-xSrxCuO4
我们对La_（2-x）Sr_xCuO_4在从重掺杂金属到未掺杂绝缘体的宽空穴浓度（x）范围内进行了高分辨率的光电子能谱研究。随着x的减小，化学势（μ）处的态谱密度被抑制，其x依赖性类似于电子比热系数的抑制。在欠掺杂区，光谱显示的pseudogap结构的能量尺度为0.1 eV。赝能隙的宽度随着磁化率和霍尔系数的特征温度的x依赖性而随x的减小而增大。
1998-09-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Visualizing the emergence of the pseudogap state and the evolution to superconductivity in a lightly hole-doped Mott insulator
超导电性出现在空穴掺杂的铜氧化物反铁磁Mott态。尽管氧原子状态的变化似乎是最重要的，但由此产生的电子结构还不清楚。空穴掺杂首先破坏莫特态，产生弱绝缘体，其中电子仅在低温下局部化而没有完整的能隙。在较高的掺杂，“赝隙”，一个弱的导电状态与各向异性的能隙和90 \degree -旋转（C4 v）对称性的单元格内破坏出现。然而，这些现象的出现与孔密度增加的直接可视化从未实现。在这里，我们报告的电子结构演化的原子尺度成像从弱绝缘体通过出现的赝能隙的超导状态在Ca 2-xNaxCuO 2Cl 2。赝隙的光谱特征出现在最低的掺杂从弱绝缘，但C4 v-对称矩阵表现出独特的光谱形状。在略高的空穴密度，纳米级区域表现出赝能隙谱和180 \degree -旋转（C2 v）对称性形成单向集群内的C4 v-对称矩阵。因此，空穴掺杂通过局部空穴的纳米级簇的出现而进行，在所述局部空穴的纳米级簇内，对称性破缺的赝能隙状态被稳定。然后，在Ca 2-xNaxCuO 2Cl 2中存在基本的双组分电子结构11，直到C2 v对称团簇在较高掺杂下接触，并且出现长程超导性。
2012-05-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Probing the pseudogap and beyond: Examining single-particle properties of the hole- and electron-doped Hubbard model
Stanford University（斯坦福大学）；SLAC National Accelerator Laboratory（SLAC国家加速器实验室）；University of California, Santa Barbara（加州大学圣塔芭芭拉分校）；University of Notre Dame（圣母大学）
该研究采用无偏行列式量子蒙特卡洛算法，对比电子与空穴掺杂哈伯德模型的单粒子性质，发现二者不对称性，揭示赝能隙为强关联驱动的平滑交叉。
2026-08-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Distinguishing the origin of the superconducting state from the pseudogap of high-temperature superconductors
我们认为电子相分离过程，产生不同的电荷密度的区域，或局部掺杂，高$T_c$超导体的不均匀的电荷密度的起源。我们表明，它会引起这样的掺杂无序区域或晶粒之间的相边界电位。Bogliubov-deGennes自洽计算在这个无序介质产量位置相关的超导间隙，对于所有的掺杂，小于那些来自局域态密度与赝间隙行为。通过研究这两组不同温度和掺杂的能隙，我们能够再现超导铜氧化物的许多观察到的性质。这种情况是一致的超导晶粒之间的约瑟夫森耦合驱动的电阻率转变。
2010-06-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Weak phase separation and the pseudogap in the electron-doped cuprates
利用变分集团微扰理论方法研究了电子和空穴掺杂铜氧化物模型中从反铁磁体到超导体的量子跃迁。在这两种情况下，我们的研究结果表明，在低掺杂的混合反铁磁超导相和纯超导相在较大的掺杂之间的相分离的趋势。然而，在电子掺杂的情况下，相分离的能量尺度比空穴掺杂小一个数量级。我们认为，这可以解释不同的赝能隙和超导过渡尺度的空穴和电子掺杂材料。
2005-08-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Charge carrier drop at the onset of pseudogap behavior in the two-dimensional Hubbard model
我们发现，反铁磁自旋密度波秩序在二维哈伯德模型产生的载流子密度下降，在最近的运输测量中观察到的铜氧化物超导体在高磁场进入赝能隙制度。由动力学平均场论（DMFT）得到自旋密度波的振幅和（通常是无公度的）波矢。有限温度结果到零温度的外推在低于临界掺杂$p^*$的宽掺杂范围内产生磁隙$Δ(p) \propto p^*-p$的近似线性掺杂依赖性。磁序导致费米表面重建与电子和空穴口袋，其中电子口袋只存在于一个有限的掺杂范围低于$p^*$。直流电荷输运性质的计算相结合的重整化能带结构，从DMFT与掺杂无关的现象学散射率。在低于$p^*$的窄掺杂范围内，纵向电导率和霍尔数明显下降。
2020-02-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Bounding the pseudogap with a line of phase transitions in YBCO cuprate superconductors
接近最佳掺杂，氧化铜超导体显示出“奇怪的金属”行为，暗示与量子临界点相关的强烈波动。这样一个临界点需要一条经典的相变线，该线在超导“圆顶”内部接近最佳掺杂的零温度处终止。超导性出现的温度掺杂相图的欠掺杂区域被称为“赝能隙”，因为存在传导电子部分能隙的证据，但到目前为止，还没有令人信服的热力学证据表明赝能隙是一个独特的相还是冷却时物理性质的连续演化。在这里，我们报告的赝隙在YBCO铜酸盐超导体是一个独特的相，由一条线的相变。这条线的掺杂依赖性是这样的，它终止于零温度内的超导圆顶。由此我们得出结论，量子临界驱动的奇怪的金属行为，因此在铜酸盐的超导性。
2013-06-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Scanning tunneling spectroscopy characterization of the pseudogap and the x = 1/8 anomaly in La2-xSrxCuO4 thin films
使用扫描隧道光谱，我们研究了薄的c轴La 2-xSrxCuO 4薄膜的局域态密度，在宽的掺杂和温度范围内。我们发现，赝能隙只存在于掺杂水平低于最佳。对于x = 0.12，接近于“异常”x = 1/8掺杂水平，零偏压电导峰是主要的光谱特征，而不是例外的V形（c轴隧穿）带隙结构。我们已经确定，这种令人惊讶的效果不能用隧道进入（110）面来解释。这种独特的行为可能的起源进行了讨论。
2007-07-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Optical model-solution to the competition between a pseudogap phase and a Mott-gap phase in high-temperature cuprate superconductors
我们提出了一个理论框架的定量理解的全掺杂依赖的铜酸盐的光谱。根据实验观察，计算的光谱显示如何高能量莫特功能继续坚持在过掺杂制度，即使在中红外（MIR）峰起源于赝能隙已经崩溃的量子临界点。通过这种方式，我们调和了MIR峰和Mott峰的相反趋势，即随着掺杂的增加而在光谱中向相反方向移动。赝能隙和莫特能隙之间的竞争也导致掺杂后高能区光谱权重的快速损失。
2010-02-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping Dependencies of Onset Temperatures for the Pseudogap and Superconductive Fluctuation in Bi$_{2}$Sr$_{2}$CaCu$_{2}$O$_{8+δ}$, Studied from both In-Plane and Out-of-Plane Magnetoresistance Measurements
为了研究赝能隙和超导性之间的关系，我们测量了氧控制的Bi $_{2}$ Sr $_{2}$ CaCu $_{2}$ O $_{8+δ}$单晶在高达17.5 T的磁场（平行于$c$轴）下的面内（$ρ_{ab}$）和面外（$ρ_c$）电阻率。的起始温度的波动，$T_{scf}$，是由大的正的平面内磁阻（MR）和负的平面外MR附近观察到的$T_c$确定，而赝隙开放温度$T^*$是由零场$ρ_c$的反转。发现$T_{scf}$与$T_c$大致成比例，在掺杂时它们之间的温度间隔减小。另一方面，$T^*$开始时比$T_{scf}$高得多，但在掺杂时单调下降;最后，在重度过掺杂状态下，在$T_{scf}$以上未观察到$T^*$。这些结果表明，赝能隙不是一个简单的超导性的先驱，但需要进一步的研究，以确定是否存在$T^*$低于$T_{scf}$在重度过掺杂状态。
2014-04-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pseudogap and charge dynamics in doped cuprates
在正常态赝能隙态的微观理论下，研究了从欠掺杂到重掺杂的整个掺杂范围内，掺杂铜氧化物中电荷动力学的掺杂和温度依赖性。在欠掺杂和最佳掺杂制度的电导率谱包含低能量的非Drude峰和不寻常的中红外波段。然而，随着掺杂的增加，中红外带的位置向低能非Drude峰移动。特别地，在重掺杂区域，低能非Drude峰与中红外带合并，然后低能Drude行为恢复。结果表明，在欠掺杂和最佳掺杂条件下，低能非Drude峰和不寻常的中红外带的显著行为与正常态赝能隙的掺杂和温度依赖性的出现密切相关.
2013-11-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Phase diagram in 2D Fröhlich model of metal at arbitrary carrier density: pseudogap versus doping
结果表明，在具有最简单的间接玻色子诱导吸引（以爱因斯坦声子交换为例）的费米子二维系统中，伴随着正常相和超导相，出现了一个新的（称为“反常正常”或赝能隙）系统，其中的序参量的绝对值是有限的，但它的相位是一个随机量。重要的是，该新相实际上仅存在于低载流子密度下，即，当掺杂增加时，其收缩。推测了在高温超导体中赝能隙对掺杂的依赖性与所得结果的相关性。
1997-03-13 cond-mat.supr-con
Normal-state pseudogap and electron flat dispersion in copper oxide materials
在t-J模型下研究了欠掺杂状态下氧化铜材料的电子谱函数和电子色散的反常动量和掺杂依赖性。结果表明，掺杂改变了电子能谱，在布里渊区的（$π$，0）点附近电子色散呈现平坦带，导致正常态赝能隙的形成.理论计算结果与实验和数值模拟结果一致。
2000-06-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quasiparticle dynamics in overdoped Bi$_{1.4}$Pb$_{0.7}$Sr$_{1.9}$CaCu$_{2}$O$_{8+δ}$: Coexistence of superconducting gap and pseudogap below $T_{c}$
研究了过掺杂BiPDMATHABMM SrPDMATHABMM CaCuPDMATHABMM OPDMATHABMN（$T_{c}$ = 65K，空穴掺杂$p$ =0.22）单晶中光激发准粒子弛豫动力学随温度的变化.我们提供了在此掺杂水平下$\sim$ 22 meV赝能隙（$T^{\ast}$ $\approx$ 100 K）的证据。我们的数据支持了在超导态中同时存在超导能隙和赝能隙的假设。我们的研究结果还表明，电子和自旋波动之间的散射率增加的样品进入赝能隙相。
2010-10-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Possible origin of the pseudogap end point in the high-T$_{c}$ cuprates
最近的实验发现，当费米面由类空穴转变为类电子时，高温$_{c}$铜氧化物的赝能隙相在电子掺杂$x^{*}$处突然终止.在这个简短的说明中，我们认为，反铁磁（AF）自旋相关的系统应该突然下降在相同的掺杂。同时，我们认为，在比热测量中观察到的$x^{*}$的临界行为应归因于临界AF自旋涨落对准粒子激发在波腹区的强重整化.这幅图还预言了当费米面与AF布里渊区边界相切时，与AF散射有关的赝隙光谱特征将在掺杂水平处终止。最近对电子掺杂的铜酸盐Nd $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4}$的ARPES测量似乎与这样的预测一致。
2018-12-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Strong coupling superconductivity, pseudogap and Mott transition
在材料中，超导性、赝能隙和莫特转变之间存在着复杂的相互作用，无论是带宽驱动还是掺杂驱动。层状有机导体和铜酸盐提供了两个主要的例子。我们提供了一个统一的观点，这种相互作用的二维哈伯德模型内的细胞动力学平均场理论的$2\times 2$ plaquette和使用连续时间量子蒙特卡罗方法作为杂质求解器。在半填充和有限掺杂时，靠近莫特绝缘体的金属正常态对d波超导性都是不稳定的。超导性可以破坏将赝能隙相与过掺杂金属分离的一阶跃迁，但正常态跃迁会在超导相的动力学性质上留下痕迹。例如，作为掺杂的函数，人们发现超导态密度的粒子-空穴不对称性的快速变化。在掺杂Mott绝缘体中，当存在正常态赝能隙时，动态平均场超导转变温度$T_c^d$不随序参量成比例。$T_c^d$对应于在隧穿实验中观察到的局部对形成温度，并且不同于赝能隙温度。
2012-08-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The spectral weight of hole doped cuprates across the pseudogap critical point
铜氧化物高温超导体的一个最广泛讨论的特点是在正常状态下的赝能隙的存在。最近的运输和比热测量揭示了一个突然的转变，在pseudogap临界点，表示为p*，其特征在于载流子密度下降和强烈的质量增强。为了更详细地说明p* 处的这种转变，我们在正常状态下对铜酸盐超导体La 2-xSrxCuO 4（LSCO）和La 1.8-xEu0.2SrxCuO 4（Eu-LSCO）进行了低温红外光谱，掺杂含量跨越赝能隙临界点p*（p = 0.12至0.24）。通过复光学电导率，我们可以提取由于准粒子相干运动而产生的窄Drude峰的光谱权重K*，以及由于准粒子与多体系统的集体激发耦合而产生的中红外（MIR）带内的光谱权重KMIR。K* 小于能带计算预测值的三分之一，并且KMIR形成作为掺杂的函数的圆顶。我们观察到一个平滑的掺杂K* 通过p* 的依赖性，并证明这是一致的载流子密度和质量增强的观察到的掺杂依赖性。我们认为，超导圆顶是两个相反的趋势，即增加准粒子的密度和减少其耦合的集体激发作为一个功能的掺杂的汇合的结果。
2021-10-13 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
High energy pseudogap and its evolution with doping in Fe-based superconductors as revealed by optical spectroscopy
我们报告的光学光谱测量电子和空穴掺杂的BaFe 2As 2。我们表明，正常状态下的化合物不是简单的金属。的光学电导率谱包含，除了在低频率的自由载流子响应，温度依赖性的间隙样抑制在相当高的能量尺度接近0.6 eV。这种抑制随电子或空穴掺杂引起的As-Fe-As键角的变化而变化。此外，该特征在Fe-硫属化物化合物中变得弱得多。我们阐述了这一特征是由于Fe的多个3d轨道产生的巡游电子和局域电子矩之间的强洪德规则耦合效应造成的。我们的实验证明了铁基化合物中巡游电子和局域电子的共存，这将导致对材料中金属磁性的更全面的了解。
2011-05-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic structure and possible pseudogap behavior in iron based superconductors
从费米能级附近的铁-磷属（硫属）高温超导体电子能谱的简化解析模型出发，讨论了反铁磁散射（AFM）对化学计量比的影响以及掺杂化合物中可能出现的短程有序AFM涨落的区域。定性图片的电子光谱和费米面（FS）的演变为不同的掺杂，与现有的和未来的ARPES实验进行比较的目的。电子和空穴掺杂被认为是可能的赝间隙行为与部分FS的“破坏”证明，解释最近的一些实验。
2010-06-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Gap and pseudogap evolution within the charge-ordering scenario for superconducting cuprates
我们描述了欠掺杂的铜酸盐的光谱特性，由于在正常状态下的光谱动量依赖的赝能隙。这样一个模型帐户内的BCS方法，掺杂的临界温度的依赖性和观察到的铜酸盐的两个参数的前沿位移。通过引入赝能隙与温度的唯象关系，我们也再现了最佳掺杂附近的T_c-T^* 分叉。最后，我们简要地讨论了不同的作用的间隙和赝间隙在确定的光谱和低温下的模型的晶体学性质。
2000-05-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping Dependence of the Pseudogap in La(2-x)Sr(x)CuO(4)
本文报道了La（2-x）Sr（x）CuO（4）单晶在欠掺杂（x = 0.10）到过掺杂（x =0.22）范围内的拉曼散射实验结果。的光谱是一致的存在一个强大的各向异性准粒子相互作用，导致在正常状态下耗尽的光谱重量从区域附近的费米表面的区域轴。随着空穴浓度的增加，相互作用的强度迅速下降，当达到最佳掺杂水平时，赝能隙的光谱证据消失。结果表明，赝能隙和超导能隙是由不同的机制产生的。
1999-01-11 cond-mat.supr-con
Doping dependent vortex activation energy and pseudogap in Y123
温度和磁场相关的激活能U（T，H）是应用超导领域中最重要的参数之一，因为它主要决定了临界电流密度和不可逆场。在此之前，我们已经确定了掺杂依赖于U（T，H）的分析，在高品质的c轴取向的晶体薄膜的Y 123（arXiv：1207.4312）的电阻转变的电场依赖。在这篇简短的文章中，我们已经展示了确定U（T，H）大小的特征场Ho与赝能隙温度T* 之间的直接联系。Ho对面内空穴含量p的强烈依赖性似乎是从赝能隙能量尺度（T*，当以温度表示时）的p依赖性演化而来的，该赝能隙能量尺度随着空穴浓度的降低而降低超导凝聚能。
2014-06-05 cond-mat.supr-con
Pseudogap Suppression by Competition with Superconductivity in La-Based Cuprates
本文通过高分辨率ARPES研究三种镧基铜氧化物，发现在接近最佳掺杂的超导态中赝能隙被部分抑制，谱权重重新出现，表明赝能隙与超导电性在反节点谱权重上存在竞争。
2022-07-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
c-Axis Superfluid Response and Pseudogap in High-Tc Superconductors
为了深入了解高$T_c$超导体的面外电动力学，我们测量了两种典型的单层高$T_c$铜氧化物La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$和HgBa $_2$ CuO $_{4+x}$的c轴磁穿透深度$λ_c(T)$的绝对值和温度依赖性，作为掺杂的函数。在接近0时观察到$λ_c$行为的明显变化。20个空穴/Cu，这与正常态赝能隙的打开有关。$λ_c$随掺杂的变化与面内分量$λ_{ab}$的变化定性相似，表明c轴超流响应主要受超导凝聚能的控制. p<0.20时$λ_c(0)$的强掺杂依赖性为文献中的差异提供了解释。
1999-11-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
From semiconductors to superconductors: a simple model for pseudogaps
我们考虑一个二维半导体与本地吸引的载流子。我们研究了该系统的基态随半导体带隙的变化。我们发现一个直接过渡从超导到绝缘相没有掺杂在一个临界值，单粒子激发总是带隙。对于有限掺杂，我们发现一个平滑的交叉。我们计算了由于粒子激发和Berezinkii-Kosterlitz-无相变引起的临界温度。
1999-02-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Prediction of anomalies in the velocity of sound for the pseudogap of hole-doped cuprates
我们预测在掺杂$δ_{p}$的赝能隙结束在空穴掺杂铜氧化物的正常状态的声音异常。我们的预测是基于二维可压缩的哈伯德模型使用集团动力学平均场论。我们发现尖锐的异常（骤降）的声速作为掺杂和相互作用的函数。这些下降是超临界现象的标志，源于超导圆顶下没有对称性破缺的电子跃迁。如果实验验证，这些签名可能有助于解决赝能隙性质的基本问题-精确定位其起源是由于莫特物理和由此产生的短程相关性。
2022-12-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping Dependence of the Pseudogap State in the ab plane IR responce of La(2-x)Sr(x)CuO(4)
本文研究了La（2-x）Sr（x）Cu（4）单晶的ab平面光谱。我们观察到的有效散射率低于700厘米（-1）在这两个系统中的间隙式抑郁症。这一特点持续到300 K的浓度为Sr x=0.14的欠掺杂样品，但在300 K以上的温度下，在过掺杂制度（x=0.22）失去了磁阻。低于700 cm（-1）的散射率是温度依赖性和超线性的频率为两个样品。在此频率以上，有效散射率在频率上变成线性的，并且在欠掺杂La（1.86）Sr（0.14）CuO（4）的情况下，直到300 K，有效散射率与温度无关。另一方面，过掺杂的La（1.76）Sr（0.22）CuO（4）在所有温度下都表现出大于700 cm（-1）的散射率温度依赖性。频率和温度相关的散射率的这种行为是在其他HTSC材料中的赝能隙状态的特征，并且表明欠掺杂和过掺杂的单层HTSC系统Ls（2-x）Sr（x）CuO（4）在超过300 K的温度下都具有赝能隙。
1997-06-13 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Phenomenological theories of the low-temperature pseudogap: Hall number, specific heat and Seebeck coefficient
自从它的实验发现以来，许多唯象理论成功地再现了超导铜氧化物赝能隙临界掺杂$p^*$时霍尔数$n_H$从$p$到$1+p$的快速上升。现在需要进一步与实验进行比较，以缩小候选范围。在本文中，我们考虑了三个以前成功的唯象理论在一个统一的形式主义-一个反铁磁平均场（AF），螺旋非公度反铁磁平均场（sAF），和杨赖斯张（YRZ）理论。我们发现，在这些模型中的每一个过渡增加掺杂的比热和塞贝克系数的快速下降的快速上升。预测的上升和下降被锁定，而不是~ $p^*$，但反节点电子口袋，每个模型的特征，出现在费米表面前不久~ $p^*$掺杂。虽然这样的电子口袋仍然被发现在实验中，我们讨论他们如何可以提供独特的签名为每个模型。我们还表明，掺杂的范围内，这些电子口袋会被发现是强烈的van霍夫奇点的位置的影响。
2017-09-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity induced by doping holes in the nodal-line semimetal NaAlGe
该研究针对节线半金属NaAlGe的赝能隙起源不明问题，通过Zn空穴掺杂调控其固溶体基态，发现赝能隙随掺杂量增加被抑制并出现最高2.8 K的超导穹顶，推测该超导电性源于激子涨落。
2023-10-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pseudogap induced by short-range spin correlations in a doped Mott insulator
在二维哈伯德模型中，利用元胞动力学平均场论研究了Mott-Hubbard绝缘体向关联金属的掺杂演化。短程自旋关联在谱函数中除了熟悉的哈伯德带外还产生了两个额外的带。即使是一个微小的掺杂到这个绝缘体的费米能量的跳跃，这些额外的频带之一，并立即动量依赖的抑制在这个费米能量的光谱权重。赝能隙与这些能带的存在密切相关。这表明一个强耦合机制，从短程自旋相关性和大的散射率的赝隙现象中看到几个铜酸盐。
2006-04-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pseudogap temperature $T^\star$ of cuprate superconductors from the Nernst effect
我们利用能斯特效应描绘了铜氧化物超导体温度掺杂相图中赝能隙相的边界。本文给出了YBaPDMATHABMN CuPDMATHABMO O $_{y}$（YBCO），$_{1.8-x}$ EuPDMATHABMR SrPDMATHABMS CuO $_4$（Eu-LSCO）和$_{1.6-x}$ Nd $_{0.4}$ SrPDMATHABMS CuO $_4$（Nd-LSCO）的能斯特系数$ν(T)$的新数据，并与包括LaPDMATHABMW SrPDMATHABMS CuO $_4$（LSCO）在内的已有数据进行了比较。温度$T_ν$在$ν/T$偏离其高温行为被发现与电阻率偏离其线性- $T$的依赖性，我们采取的定义的赝隙温度$T^\star$ -在协议中检测到的ARPES数据的间隙开放的温度相一致。我们跟踪$T^\star$作为掺杂的函数，发现它在所有四种材料中相对于$p$线性降低，在三种基于LSCO的铜酸盐中具有相同的值，而不管它们的不同晶体结构。在低$p$，$T^\star$是高于在欠掺杂的铜氧化物中观察到的各种订单的起始温度，这表明这些订单是二次不稳定性的赝隙相。从$T^\star(p)$到$p=0$的线性外推得到$T^\star(p\to 0)\simeq T_N(0)$，这是在$p=0$处反铁磁序开始的内尔温度，表明赝能隙和反铁磁性之间存在联系。随着$p$的增加，$T^…
2018-02-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Effect of pseudogap on electronic anisotropy in the strain dependence of the superconducting $T_c$ of underdoped YBa$_2$Cu$_3$O$_y$
对于正交超导体，我们将热力学各向异性$N \equiv d T_c/d ε_{22} - dT_c/d ε_{11}$定义为超导体$T_c$如何随应变$ε_{ii}$、$i=(1, 2)$沿面内方向变化的差异。利用超声技术研究了欠掺杂YBa $_2$ Cu $_3$ O $_y$（YBCO）单晶中$N$的空穴掺杂（$p$）依赖性.虽然YBCO的结构正交性随着掺杂量的减少而单调降低，但我们发现，在中间掺杂水平下，热力学各向异性表现出有趣的增强，这是电子起源。我们的理论分析表明，电子各向异性的增强可能与电子谱中的赝能隙势有关，当接近Mott绝缘态时，赝能隙势本身也会增加。我们的结果意味着赝能隙由局部能量尺度控制，该局部能量尺度可以通过改变最近邻Cu-Cu键长来调节。我们的工作打开了可能性，应变工程的赝隙势，以提高超导\Tc。
2022-01-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Temperature independent cuprate pseudogap from planar oxygen NMR
平面氧核磁共振（NMR）弛豫和位移数据从所有铜氧化物超导体在文献中进行了分析。它们揭示了费米表面处的温度无关的赝能隙，其以家族特定的方式随着掺杂的减少而增加，即，对于某些材料，赝能隙在最佳掺杂时是相当大的，而对于其它材料，赝能隙在最佳掺杂时几乎是闭合的。以上的赝能隙，或在其情况下是类似的所有铜酸盐和掺杂水平，费米液体。如果赝能隙假设为指数的，则对于最欠掺杂的系统，它可以大到约1500 K，这与交换耦合有关。赝能隙在整个材料中可以有很大的不同，这是铜酸盐在电荷和自旋方面不均匀的原因，并讨论了NMR分析的后果。这个赝能隙似乎与很久以前测量的YBaCuO系列材料的比热数据一致。核弛豫和位移显示偏离这种情况附近的$T_{\mathrm{c}}$，可能是由于其他的间隙状态。
2020-10-19 cond-mat.supr-con
On quantum critical destruction of the pseudogap phase
分析了空穴掺杂铜氧化物中赝能隙（PG）相淬灭的临界事件的最新数据。一个原始的多频带模型与掺杂的影响的频谱已被使用。两个关键的掺杂预计在PG的演变到破坏。其中第一个对应于样品的金属化（波腹）。扩展掺杂导致PG丢失的第二个临界点。在这两者之间，恢复完整的费米表面进行。除了化学势（μ）的位置外，能带重叠也是决定性的。
2016-07-15 cond-mat.supr-con
Doping dependence of fluctuation diamagnetism in High Tc superconductors
使用Banerjee等人的Phys.Rev.B83，024510（2011）最近提出的Ginzburg-Landau-like晶格自由能泛函，我们计算了高Tc超导体的波动抗磁性作为掺杂、磁场和温度的函数。我们分析了铜氧化物超导转变温度以上的配对波动，范围从强相位波动为主的欠掺杂限制到更传统的振幅波动为主的过掺杂制度。我们表明，一个模型的配对规模增加和超流密度降低与欠掺杂产生的赝隙区域中观察到的磁化的功能，在良好的定性和合理的定量与实验数据的一致性。特别是，我们明确地表明，即使当赝能隙有一个配对原点的磁化实际上跟踪超导圆顶，而不是赝能隙温度，如在实验中看到的。我们讨论了掺杂的依赖性的波动抗磁性的“起始”温度和评论的涡旋核心能量在我们的模型中的作用。
2015-06-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Linear-T resistivity and change in Fermi surface at the pseudogap critical point of a high-Tc superconductor
高温超导体的一个基本问题是赝能隙相的性质，它位于零掺杂的莫特绝缘体和高掺杂p的费米液体之间。在这里，我们报道了该相在零温度开始附近的载流子的行为，即在赝能隙温度T* 趋于零的临界掺杂p* 处，通过研究一种超导性可以被稳定的磁场完全抑制的材料来获得。正低于p*，正常状态的电阻率和霍尔系数的La1.6-xNd0.4SrxCuO4被发现同时上升的温度下降到T* 以下，揭示了一个变化的费米面与一个大的相关的电导率下降。在p* 处，电阻率随着T变为零而显示出线性温度依赖性，这是量子临界点的典型特征。这些发现对赝能隙相理论中负责非弹性散射和费米表面转变的机制施加了新的约束。
2008-11-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Normal state pair nematicity and hidden magnetic order and metal-insulator (fermion-boson)- crossover origin of pseudogap phase of cuprates II
在本论文中，我们将获得对向列性，绝缘基态（IGS），向列性条纹相变，费米口袋的演变，和电阻率温度上升的理解，作为金属-绝缘体（费米子-玻色子）交叉（MIC）现象的赝能隙（PG）区域的铜氧化物。而在论文I [1]中，我们获得了对所观察到的热导率下降、反常洛伦兹比、绝缘体电阻率边界、非线性熵的理解，这些都是相同MIC的表现。最近观察到的向列性和隐藏的磁序与PG对内电荷和自旋涨落有关。我们将试图回答为什么YBCO的基态是费米液体振荡而Bi-2212是绝缘的问题。我们还将阐明Laliberté等人[2]最近观察到的MIC结果的物理学，并解释长期讨论的电荷密度从掺杂到临界掺杂时的掺杂+1依赖性的转变。我们预测，在上升，这个密度应该有温度依赖性$n\sim T^3n_2$为$T\rightarrow 0$，其中$n_2$是密度的掺杂接近临界值。我们理解，第一次关键掺杂前后的好转具有相同的性质。我们将在PG对物理中找到对上述所有现象的理解。
2017-03-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Change of carrier density at the pseudogap critical point of a cuprate superconductor
赝能隙是铜氧化物超导体的核心难题。它与低掺杂$p$的Mott绝缘体的关系仍然不明确，并且它与在中间体$p$重建费米表面的电荷序的关系仍然不清楚。在这里，我们使用测量的霍尔系数在磁场高达88 T表明，费米表面重建的电荷顺序在YBa $_2$铜$_3$ O $_y$急剧结束在一个关键的掺杂$p = 0.16$，明显低于赝能隙临界点在$p^* = 0.19$。这表明赝能隙和电荷序是独立的现象。然后，我们发现载流子密度从高p时常规金属中的$n = 1 + p$到低$p$时的$n = p$的变化-轻掺杂铜氧化物的特征-从$p^*$开始。这表明赝能隙和反铁磁Mott绝缘体是联系在一起的。
2015-11-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
On the nature of superconductor pseudogaps
铜氧化物高温超导体赝能隙的物理起源仍有争议。我们指出，这种激发的迹象是隐藏在通常的准粒子能量的表达式。它可以实现在一个合适的多频带频谱与带间配对信道。化学势的能带分量表明超导能隙。费米能在带外产生赝能隙型激发。后者不表征配对强度。在掺杂驱动的光谱排列上，低能激发的性质随掺杂而改变。赝能隙是掺杂尺度上相应超导能隙的前体。相图上相应的临界点由裸能隙电子谱的掺杂驱动重叠动力学确定。
2006-01-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Quantized Repetitions of the Cuprate Pseudogap Line
铜氧化物超导体显示出几个特征温度，这些温度随着材料成分的掺杂而降低，在温度掺杂相图上追踪线。其中最重要的是pseudogap转变。在较高的温度下，磁化率出现峰值，在其他特征温度下，对称性和输运发生变化。我们报告了一个荟萃分析的所有测量的特征温度远高于$T_c$在锶掺杂铜酸镧（LSCO）和氧掺杂YBCO。实验数据表明，赝能隙线是从低掺杂到高掺杂，从$T_c$到$700$ K的四条直线中的一条。这些线都起源于超导相的过掺杂极限附近的单个点，并且随着掺杂的减少而增加。伪间隙线的斜率被量化，其中第二、第三和第四线具有分别为最高线的斜率的$1/2,\;1/3,$和$1/4$的斜率。这种模式表明，铜酸盐主机一个单一的母相控制的2-D片密度是最大的零掺杂，并随空穴密度线性下降，和赝能隙线，电荷密度波序，和超导性都是辅助效应支持的母相。
2019-06-15 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The pseudogaps in multiband electron-doped cuprate superconductivity
在多带超导框架下分析了赝能隙激发。对电子掺杂铜氧化物超导体的掺杂相图进行了计算。非刚性多带模型已被使用。带间配对的行为之间的哈伯德带（UHB）和midgap状态创建（和向上移动）的掺杂。提出了两个PG和两个相图临界点（CP）的出现。较大的反节PG反映了长程反铁磁（AF）秩序的破坏。第二个较小的PG是一个近节点事件，暴露的掺杂依赖性后面的第一个CP。它到达T $_c$圆顶。已经进行了模型计算。相图的特性是由掺杂激发带重叠动力学决定的。与通过掺杂引入的载流子相比，对外来载流子的观察预期从PG消失开始。
2014-09-02 cond-mat.supr-con
The Phase Diagram of High-Tc Superconductors in the Presence of Dynamic Stripes
基于动态条纹诱导超导理论，计算了铜氧化物超导相图随掺杂的变化。从理论和数值分析中得到的两个主要结论是：T*（赝能隙起始）和Tc（超导起始）是通过赝能隙关联的，赝能隙导致了单粒子能量的能隙，并持续到超导态。通过减少掺杂，赝能隙Δ * 增加，T* 增加，但当Δ * 超过某一临界值时，超导转变温度Tc被抑制。一个混合的s-和d-波配对对称性也检查作为功能的掺杂。
2001-04-05 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Thermopower across the phase diagram of the cuprate La$_{1.6-x}$Nd$_{0.4}$Sr$_x$CuO$_4$ : signatures of the pseudogap and charge-density-wave phases
测量了La $_{1.6-x}$ Nd $_{0.4}$ Sr $_x$ CuO $_4$超导体的Seebeck系数（热电势）$S$，从其掺杂相图（从$p = 0.12$到$p = 0.25$），在低至$T \simeq 2$ K的不同温度下，在正常状态下，通过施加高达$H = 37.5$ T的磁场来抑制超导性。发现$T=0$极限中的$S/T$的幅度突然增加，通过因子$\simeq 5$，当掺杂降低到低于$p^{\star} = 0.23$时，该临界掺杂用于赝隙相的开始。这证实了赝能隙相导致载流子密度$n$的大幅降低，这与从高于$p^{\star}$的$n = 1 + p$到低于$p^{\star}$的$n = p$的下降一致，如先前从霍尔系数、电阻率和热导率的测量所推断的。当掺杂降低到低于$p = 0.19$时，观察到质的变化，由此$S/T$随着$T \to 0$而降低，最终在$T=0$处达到负值。在之前对其他铜酸盐的研究中，$T \to 0$处的$S/T$为负值被证明是由电荷密度波（CDW）序引起的费米面重构造成的。因此，我们确定$p_{\rm CDW} \simeq 0.19$作为临界掺杂，超过该掺杂，没有CDW诱导的费米面重建。$p_{\rm CDW}$与$p^{\star}$很好地分离的事实表明，在$p^{\star}$以下存在掺杂范围，其中赝能隙相的输运特征不受CDW相…
2021-01-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Interband nodal-region pairing and the antinodal pseudogap in hole doped cuprates
最近的实验结果表明，在空穴掺杂的铜氧化物的配对相互作用驻留在节（FS弧）的区域，伴随着单独的波腹赝能隙。提出了相应的铜氧化物超导多带模型。它是基于电子光谱与掺杂的发展，并扩展了作者以前的方法。假设在巡回（主要是氧）带和由掺杂产生的节缺陷（极化子）带之间存在领先的对转移相互作用。这些组件是重叠的。在动量空间的波腹区域中产生的缺陷子带不参与对称性参数的配对。一个假定的裸露的差距，它从巡回带顶消失延长掺杂。相应的波腹赝能隙表现为微扰能带结构效应。在平均场近似下处理的低能激发谱包括两个节超导能隙和一个赝能隙。这些差距和其他配对特性的行为同意定性与整个掺杂规模的意见。
2009-09-11 cond-mat.supr-con
Correlation-Driven $d$-Wave Superconducting Dome from Pseudogap Spectral Reconstruction
University of Science and Technology of China（中国科学技术大学）
基于可精确求解的关联模型，自洽计算表明赝能隙关联与d波超导序竞争导致温度-掺杂相图中的超导穹顶，且d_{x^2-y^2}波在宽掺杂范围内占优。
2026-06-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The Doping Phase Diagram of Y1-xcaxba2(Cu1-yzny)3O7-d from Transport Measurements: Tracking the Pseudogap Below Tc (y = 0)
研究了平面空穴浓度p对烧结Y1-xCaxBa 2（Cu 1-yZny）3 O 7-d样品电阻率r（T）的影响。Zn被用来抑制超导性，这使我们能够提取的特征赝能隙温度，T*（p），从r（T，p）数据低于Tco（p）[ = Tc（y = 0）]。我们还找到了特征温度，Tscf，标志着明显的超导波动以上Tc的发病，从分析的r（T，H，p）和r（T，p）的数据。这使得我们能够识别接近最佳掺杂水平的T*（p），其中T*（p）和Tscf（p）的值非常接近并且难以区分。我们再次发现T*（p）仅取决于空穴浓度p，而不取决于与Zn或Ca取代相关的无序水平。我们得出结论：（i）T*（p）（因此，赝能隙）在过掺杂侧持续低于Tco（p），并且不与Tco（p）线合并，以及（ii）T*（p）（因此，赝能隙能量）在掺杂p = 0.19 +/-0.01处外推至零。PACS编号：74.25.DW，74.25。74.62.Dh，74.72.- h关键词：赝ap，超导涨落
2003-01-21 cond-mat.supr-con
Cuprates phase diagram deduced from magnetic susceptibility: what is the `true' pseudogap line?
高$T_c$铜氧化物超导体的文献中主要有两种相互矛盾的相图。赝能隙线是否穿过超导$T_c$ -圆顶？为了回答这个问题，我们重新研究了四种不同化合物的实验磁化率和奈特位移，La $_{1-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$、Bi $_2$ Sr $_2$ Ca $_{1-x}$ Y $_x$ Cu $_2$ O $_8$、Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+y}$和YBa $_2$ Cu $_3$ O $_{6+y}$，它们是温度和掺杂的函数。磁化率可以通过具有磁性和电子贡献的所有材料的相同函数来描述。前者是二维反铁磁（AF）正方形晶格响应，具有磁关联$T_{max}$的特征温度。后者是“泡利”项，揭示了在赝能隙温度$T^*$下电子态密度的能隙开放。从精确拟合的数据，我们发现，$T_{max}(p)$作为掺杂（$p$）的函数在很宽的范围内线性下降，但在过掺杂制度突然饱和。伴随地，$T^*(p)$与圆顶呈{ \it线性且相切}，在圆顶的顶部处与$T_{max}(p)$交叉或接近，指示从欠掺杂到过掺杂状态的性质变化。相反的想法，pseudogap终止以上的最佳掺杂，我们的分析表明，整个相图中存在的差距。这与在$T_c$之上由于空穴对或“对”而产生的假间隙一致。我们的结论是，$T_{max}$，反映AF磁关联，往往被误解为赝隙温度$T^*$。
2022-02-05 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The doping phase diagram of Y1-xCaxBa2(Cu1-yZny)3O7-delta from transport measurements: tracking the pseudogap below Tc
研究了平面空穴浓度p和磁场对高质量c轴取向结晶薄膜和烧结Y1-xCaxBa 2（Cu 1-yZny）3 O 7-δ样品电阻率ρ（T）的影响。Zn被用来抑制超导性，这使我们能够提取特征赝能隙温度，T*（p）低于Tc 0（p）[ = Tc（x =0，y = 0）]。我们还找到了特征温度，TSCF，标志着明显的超导波动以上Tc的发病，从分析的rho（T，H，p）和rho（T，p）的数据。这使得我们能够识别接近最佳掺杂水平的T*（p），其中T*（p）和Tscf（p）的值非常接近并且难以区分。我们再次发现T*（p）仅取决于空穴浓度p，而不取决于与Zn或Ca取代相关的无序水平。我们得出结论：（i）T*（p）（以及因此，赝能隙）在过掺杂侧上持续低于Tc 0（p）并且不与Tc 0（p）线合并，以及（ii）T*（p）和赝能隙能量在掺杂p = 0.19 +/-0.01处外推到零。
2003-12-17 cond-mat.supr-con
17O-NMR Knight shift study of the interplay between superconductivity and pseudogap in (Ca_xLa_{1-x})(Ba_{1.75 - x}La_{0.25 + x})Cu_3O_y
本文报道了高Tc铜酸盐（Ca_ xLa_{1-x}）（Ba_{1.75 - x} La_{0.25 + x}）Cu_3O_y的~（17）O-NMR测量结果。利用奈特位移数据，我们表明，所有家庭的赝能隙线是不一致的超导圆顶内的量子临界点。此外，在恒定掺杂的赝能隙温度不随x变化，相反，Tc。因此，我们认为，赝隙和超导性是独立的现象，在这些铜酸盐。使用骑士移位数据，我们表明，赝能隙打开温度T* 是远高于Tc附近的最佳掺杂，不像结构相似的YBCO。此外，在恒定掺杂的赝能隙温度不随x变化，相反，Tc。这对超导圆顶内的赝能隙的性质和量子临界点的位置施加了限制。
2014-07-16 cond-mat.supr-con
Vortex core spectroscopy links pseudogap and Lifshitz critical point in a cuprate superconductor
研究通过涡旋核心光谱揭示铜酸盐中超导与伪间隙及利夫希茨临界点之间的联系
2025-12-15 cond-mat.supr-con
Pseudogap and superconductivity in two-dimensional doped charge-transfer insulators
高温超导性出现在CuO $_2$平面后，掺杂的莫特绝缘体。为了确定莫特物理加上短程关联的影响，我们解决了三带氧化铜模型中的电荷转移制度使用细胞动力学平均场论与连续时间量子蒙特卡罗作为杂质求解器。我们报告的正常和超导相图的掺杂，相互作用强度和温度的函数。在空穴掺杂的电荷转移绝缘体，赝隙和相关的金属之间的相边界由一阶过渡线在有限的掺杂结束在一个临界点，在一个带模型。在端点之外，相边界继续作为Widom交叉线，热力学量在交叉线上达到峰值。这种相界决定了配对机制的变化，是掺杂莫特绝缘体特有的一种涌现现象，与许多微观细节无关。更广泛的影响进行了讨论。
2016-07-02 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping and temperature dependence of the pseudogap and Fermi arcs in cuprates from $d$-CDW short-range fluctuations in the context of the t-J model
在平均场水平的t-J模型显示的相图与密切的类比的空穴掺杂的铜氧化物的相图。与通量或$d$电荷密度波（$d$ -CDW）相关联的序参量在低掺杂时与超导性竞争并共存，显示出与在欠掺杂铜酸盐中观察到的赝能隙相一致的特性。此外，在$d$ -CDW状态的费米面重建的口袋与低光谱权重的外部部分，类似的弧角分辨光电子能谱实验中观察到的。然而，$d$ -CDW需要破缺的平移对称性，这是一个不被完全接受的事实。考虑到自能的平均修正，我们发现自能可以写成两个不同的贡献。其中之一（称为$Σ_{flux}$）在低能量下占主导地位，并且起源于载流子与接近$d$-CDW不稳定性的$d$-CDW波动之间的散射。第二种贡献（称为$Σ_{Rλ}$）在大能量下占主导地位，并且起源于非双重占据约束下的电荷涨落之间的散射。在本文中，它表明，$Σ_{flux}$是负责的起源的低能量功能的光谱函数作为一个赝隙和费米弧。获得的赝能隙和费米弧的掺杂和温度依赖性与实验中观察到的相似。在低能量下，$Σ_{R λ}$对赝能隙的闭合有额外的贡献。
2011-02-08 cond-mat.supr-con
c-axis resistivity, pseudogap, superconductivity and Widom line in doped Mott insulators
层状掺杂的莫特绝缘体，如铜氧化物，表现出不寻常的电阻率温度依赖性。有趣的是，垂直于CuO $_2$平面的电阻率$ρ_c(T)$显示出金属（$dρ_c/dT > 0$）和半导体（$dρ_c/dT<0$）行为。我们通过计算二维哈伯德模型的$ρ_c$，在元胞动力学平均场理论和强耦合连续时间量子蒙特卡罗作为杂质求解器，揭示了这个难题。温度，$T$，和掺杂，$δ$，依赖性的$ρ_c$控制的赝隙和相关的金属相之间的一阶转变，从超导电性可以出现。在过渡的大掺杂侧，$ρ_c(T)$是金属性的，而在低掺杂侧，随着$T$的降低，$ρ_c(T)$从金属性变为半导电行为。作为掺杂的函数，$ρ_c$跨越一级转变的跳跃在较高温度下演变成急剧的交叉。这种交叉与单粒子态密度中的赝能隙温度$T^*$、自旋磁化率和其他观测值相吻合。这种交叉的巧合预计沿着一阶过渡到超临界状态的延续，称为Widom线。这意味着不仅动力学和热力学性质，而且在正常状态下的DC输运由隐藏的一级转变。$ρ_c(T)$具有高温准线性状态，其中它可以超过Mott-Ioffe-Regel极限，并且当它具有最小值时，它几乎平行于Widom线。
2012-11-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconducting Gap, Pseudogap and Their Relationship Investigated by Break-junction Tunneling Spectroscopy on $Bi_2Sr_2CaCu_2O_{8+δ}$ Single Crystals
本文用断裂结技术研究了$Bi_2Sr_2CaCu_2O_{8+δ}$单晶的温度和掺杂相关隧穿谱。结果提供了直接的证据表明，赝能隙持续到重过掺杂制度，可能在整个掺杂范围的超导相。由电导的峰-峰确定的间隙值$Δ_{p-p}$随着$T$在临界温度升高而呈现跳跃式增加。随着掺杂量的增加，跃迁幅度、赝能隙打开温度和超导能隙减小。低于$T_c$的$Δ_{p-p}$可以自然地看作是两个竞争级的矢量和：BCS类超导能隙和剩余赝能隙。
2001-07-26 cond-mat.supr-con
