Phase coherent transport in SrTiO3/LaAlO3 interfaces
在两个能带绝缘体SrTiO 3和LaAlO 3之间形成的二维电子气表现出各种有趣的物理性质，这使其成为用于未来自旋电子学和/或量子计算器件的有吸引力的材料。对于这种应用，电子必须保持足够长的时间或长度的相位记忆。使用介观尺寸的设备，我们能够提取相位相干长度，和它的温度变化。我们发现失相速率与温度呈幂律关系。功率取决于所研究的温度范围和由于强电子-电子相互作用而从失相所预期的薄层电阻。
2010-09-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Manganese-diffusion-induced n-doping in semiconductor structures containing Ga(Mn)As layers
使用铁磁半导体作为自旋注入器的半导体结构是未来自旋电子器件的有前途的系统。在这里，我们提出了结合光致发光（PL）和时间分辨的磁光实验的名义上的量子阱（QW）从铁磁Ga（Mn）As层分离的薄屏障。由于PL的部分淬灭，我们得出结论，有一个显着的Mn反扩散到量子阱。此外，从时间分辨的测量，我们推断，Mn导致在量子阱内的n型掺杂，并且，此外，强烈地增加电子自旋退相时间。
2008-11-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Magnetic-field dependence of spin-phonon relaxation and dephasing due to g-factor fluctuations from first principles
本研究利用实时第一性原理密度矩阵动力学模拟 Hahn 回波，预测了 T1、T2 和 T2* 自旋寿命，揭示了 g 因子涨落（尤其是非对角分量）在简单低自旋轨道耦合材料中导致自旋寿命非平凡磁场依赖性的关键作用。
2025-03-06 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
How Spin Relaxes and Dephases in Bulk Halide Perovskites
本研究利用从头算密度矩阵动力学框架，首次从第一性原理计算了CsPbBr3的自旋弛豫与退相干时间，揭示了Fröhlich相互作用对自旋弛豫贡献微小，并证明持续自旋螺旋可增强自旋寿命。
2023-10-24 cond-mat.mtrl-sci
Ab-initio predictions of spin relaxation, dephasing and diffusion in solids
本文提出第一性原理实时密度矩阵方法模拟固态系统自旋动力学，成功预测并再现多种材料的自旋寿命，发现锗烯在自旋谷电子学应用中的优势，并提出新物理量自旋翻转角以解释谷间自旋翻转散射。
2023-07-30 cond-mat.mtrl-sci
Harnessing the giant out-of-plane Rashba effect and the nanoscale persistent spin helix via ferroelectricity in SnTe thin films
非中心对称块状晶体内部的非零电场转变为动量相关的磁场，即自旋轨道场（SOF）。SOFs在自旋电子学中有很大的用途，因为它们能够通过电场进行自旋操纵。然而，与此同时，自旋电子学的应用受到SOF的严重限制，因为穿过SOF的电子很容易失去它们的自旋信息。在这里，我们建议，在（001）取向的SnTe薄膜的面内铁电性利用Janus面SOF在一个可调和的方式，使电自旋可控性和抑制自旋退相。面内铁电性产生单向的面外Rashba SOF，其可以具有长寿命的螺旋自旋模式，称为持久自旋螺旋（PSH）。通过反转不对称性和SOF之间的直接耦合，铁电开关反转面外Rashba SOF，从而产生最大场可调谐PSH。此外，在SnTe薄膜中看到的巨大的面外Rashba SOF与纳米尺寸的PSH相关，潜在地将自旋电子器件尺寸减小到纳米级。我们结合两个铁电耦合的自由度，纵向电荷和横向PSH，设计交叉电自旋电子晶体管的非易失性铁电开关在纳米尺度的横向和原子厚度的垂直尺寸。
2018-01-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Oblique Hanle Effect in Semiconductor Spin Transport Devices
自旋旋进和退相（“Hanle效应”）提供了一种明确的手段来建立半导体中自旋输运的存在。我们比较理论模型与漂移主导的硅自旋输运器件的实验数据，说明采用倾斜磁场（由于未对准或故意的，固定的面内场分量）来测量自旋进动的影响的非平凡的后果。模型结果也计算为汉勒测量扩散为主的运输条件下，揭示了预期的汉勒峰加宽效应引起的固定面内偏置磁场的存在。
2008-03-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Pseudospin-driven spin relaxation mechanism in graphene
由于石墨烯的小的内在自旋轨道耦合（SOC）和不存在超精细相互作用，在石墨烯中长距离传输自旋信息的可能性导致了对自旋电子学应用的深入研究。然而，测量的自旋弛豫时间的数量级小于最初的预测，而自旋退相及其电荷密度和无序依赖性的主要物理过程仍然无法令人信服地描述传统的机制。在这里，我们解开的自旋弛豫机制，从自旋和赝自旋之间的纠缠随机SOC驱动的石墨烯样品，这使得它独特的。自旋和赝自旋相关的Berry相之间的混合导致快速自旋退相，即使在接近弹道极限时，随着远离狄拉克点的弛豫时间增加，如实验所观察到的。SOC可以由吸附原子、波纹甚至衬底引起，提出了基于赝自旋自由度的新型自旋操纵策略。
2018-04-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin dynamics in semiconductors
本文综述了半导体自旋动力学的研究现状，由于半导体自旋电子学的迅速发展，半导体自旋动力学在过去几年中取得了很大的进展。主要集中在自旋弛豫和退相的理论和实验发展的自旋进动在时域和自旋扩散和输运在空域。综述了基于动力学自旋Bloch方程方法的自旋动力学的全微观多体研究。
2010-03-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electronic measurement and control of spin transport in Silicon
电子自旋寿命和扩散长度是定义自旋电子器件和电路中相干性尺度的输运参数。由于这些参数在半导体中比在金属中大许多数量级，半导体可能是最适合于自旋电子学的。到目前为止，自旋输运仅在直接带隙半导体或与磁性半导体组合中测量，不包括具有间接带隙的广泛非磁性半导体。在这一组中最值得注意的是硅（Si），它（除了其在电子领域的市场地位）长期以来一直被预测为自旋电子学的优良半导体，由于低自旋轨道散射和晶格反转对称性，它具有增强的寿命和扩散长度。尽管其令人兴奋的承诺，在Si中的相干自旋输运的演示仍然难以捉摸，因为大多数实验集中在磁阻器件;这些方法失败，因为普遍的阻抗失配的障碍，并被洛伦兹磁阻和霍尔效应。在这里，我们展示了导带自旋输运跨越10微米未掺杂的硅，通过使用自旋相关的弹道热电子过滤通过铁磁薄膜的自旋注入和检测。不基于磁阻，热电子自旋注入和检测避免了阻抗失配问题，并防止寄生效应的干扰。因此，干净的集电极电流显示了自旋进动的独立的磁和电控制，并证实了硅导带中的自旋相干漂移。
2007-03-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Spin relaxation of "upstream" electrons: beyond the drift diffusion model
自旋输运的经典漂移扩散（DD）模型通过称为"自旋扩散长度“的经验参数来处理自旋弛豫。根据这个模型，由于自旋退相作用，在固体中漂移和扩散的电子的系综平均自旋随距离呈指数衰减。与这种衰变相关的特征长度尺度是自旋扩散长度。DD模型还预测，对于在减速电场中行进的“上游”电子，这个长度与在加速电场中行进的“下游”电子不同。然而，这幅图忽略了受限系统（例如量子线）中的能量量子化，因此未能捕捉到子带结构对自旋弛豫的重要影响。在这里，我们强调这种影响，通过模拟上游自旋输运的多子带量子线，在D 'yakonov-Perel'自旋弛豫的存在下，使用半经典模型，严格的子带结构。我们发现，上游自旋运输有一个复杂的动力学，违背了简单的定义的“自旋扩散长度”。事实上，自旋并不随距离呈指数衰减甚至单调衰减，漂移扩散图无法解释定性行为，更不用说准确预测定量特征了。与自旋输运无关，我们还发现，上游电子经历了“人口反转”作为准一维结构中的态密度的能量依赖性的结果。
2005-11-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Non-ohmic spin transport in n-type doped silicon
利用面内自旋阀和垂直磁场测量方法研究了自旋极化电子在n型掺杂硅中的注入和输运过程。跨输运层施加的电压用于改变由导带弯曲引起的限制电势，并控制漂移和扩散之间的主导输运机制。通过在该器件中使用Monte-Carlo方案建模传输，我们模拟了所观察到的自旋极化和Hanle特征，表明通过施加电压可以将短Si传输层的平均渡越时间控制在4个数量级以上。因此，这种建模允许推断的电子自旋寿命长，尽管过境长度短。
2008-08-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Spin-dependent scattering induced negative magnetoresistance in topological insulator Bi2Te3 nanowires
新材料中的负磁电阻效应的研究是近年来自旋电子学研究的前沿。在这里，我们报告的Bi 2 Te 3拓扑绝缘体（TI）纳米线在超低温（20 mK）的温度相关的负磁阻的实验观察。在纵向磁场作用下，随着温度的升高，样品的磁阻由负变正。我们观察到一个很大的负磁电阻，在8 T时达到-22%。负磁阻和正磁阻之间的相互作用可以理解为失相和自旋轨道散射时间尺度之间的竞争。基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算，我们证明了用于制备纳米线的Ga+离子铣削过程中的无序（替代）在Bi 2 Te 3晶体中诱导了局域磁矩，从而导致表面和体电子的自旋相关散射。这些实验结果表明，在纳米自旋电子学应用的基础上的纵向磁电阻在TI的显着进步。我们的实验结果表明，大的负纵向磁电阻在三维TI的进一步表明，轴向异常是一个普遍的现象，在一般的三维金属。
2019-05-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Propagation of Spin-Polarized Electrons Through Interfaces Separating Differently Doped Semiconductor Regions
电子的高自旋极化度对自旋电子器件的工作至关重要。研究了自旋极化电子通过两个不同掺杂水平的n型半导体区之间边界的传输。我们假设，非均匀的自旋极化创建/注入本地和驱动通过边界的电场。在双组分漂移扩散输运模型下计算了电场分布和自旋极化分布。我们发现，最初创建的自旋极化的狭窄区域可以进一步压缩和放大的边界附近。由于边界涉及掺杂的变化，但两种半导体材料之间没有真正的界面，预计没有显着的自旋极化损失。因此，建议的机制将是有用的，在设计新的自旋电子器件。
2003-06-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Proposal for a Topological Plasmon Spin Rectifier
我们提出了一个器件，其中自旋极化AC等离子体模式在表面状态的拓扑绝缘体纳米结构诱导一个静态的自旋积累在共振，正常的金属结构耦合到它。使用有限差分时域模型，我们模拟这种自旋泵机制的漂移，扩散，弛豫，和旋进在磁场。这种光学驱动系统可以作为自旋电子器件的直流“自旋电池”。
2010-11-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Zinc Oxide - From Dilute Magnetic Doping to Spin Transport
在过去的几年里，人们对宽带隙II-VI族半导体ZnO重新产生了兴趣，这是由自旋电子学应用的前景所引发的。首先，铁磁性预测稀磁掺杂。通过对ZnO：Co薄膜的宏观和微观性质的综合研究，没有发现载流子介导的巡游铁磁性。相纯，晶体学上优异的ZnO：Co是均匀顺磁性的。当发生相分离或缺陷形成时，由于纳米尺寸的金属沉淀物而产生超顺磁性。其他化合物如ZnO：（Li，Ni）和ZnO：Cu不显示铁磁性。其次，其小的自旋轨道耦合和相应的大自旋相干长度使得ZnO适合于在自旋电子器件中传输或操纵自旋。从光泵/光探针实验，我们发现在低温下，我们归因于绑定到Al施主的电子的顺序为15 ns的自旋退相时间。在全电磁输运测量中，我们成功地创建和检测了一个自旋极化的电子系综，并将此自旋信息传输到几个纳米。我们得出的自旋寿命为2.6 ns的这些巡回自旋在低温下，对应的结果从电泵/光探测实验。
2013-09-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Opto-Valleytronic Spin Injection in Monolayer MoS2/Few-Layer Graphene Hybrid Spin Valves
二维（2D）材料提供了用于自旋电子学和谷电子学的独特平台，这是由于能够将非常不同的功能组合到一个垂直堆叠的异质结构中，其中每种组成材料的强度可以补偿其他组成材料的弱点。石墨烯已被证明是在室温下用于自旋输运的特殊材料，然而它缺乏自旋和光学自由度的耦合。相反，自旋/谷极化可以有效地产生在单层过渡金属二硫属化物（TMD），如MoS 2通过吸收圆偏振光，但横向自旋或谷传输尚未实现在室温下。在这封信中，我们制作单层二硫化钼/少层石墨烯混合自旋阀，并证明，第一次，光电子自旋注入跨TMD/石墨烯界面。我们观察到自旋极化的大小和方向是由螺旋度和光子能量控制的。此外，Hanle自旋进动测量证实了光学自旋注入，自旋运输，和电检测到室温。最后，通过一维漂移扩散模型的分析，量化了光注入的自旋电流和自旋输运参数。我们的研究结果表明，二维自旋电子/valleytronic系统，实现在室温下在一个单一的设备，这为多功能的二维自旋电子器件的存储器和逻辑应用铺平了道路的光学自旋注入和横向自旋输运。
2017-05-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Coherent Optical Spin Hall Transport for Spin-optronics at Room Temperature
本研究在 FAPbBr3 钙钛矿微腔中实现室温激子极化激元光学自旋霍尔效应，证实长达 60 μm 的相干自旋输运，并演示 NOT 门与自旋极化分束器。
2023-04-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.quant-gas
The thermoballistic approach to charge carrier transport in semiconductors
本文综述了半导体中载流子输运的热弹方法。这种半经典的方法之间的差距桥梁漂移扩散和弹道（“弹道”）模型的载流子输运，其有效性是有限的范围内的非常小和非常大的值，分别载体的平均自由path.The物理概念的基础上的热弹道的方法，同时结合漂移扩散和弹道的描述的基本特征，构成了一个新的，统一的计划。它是基于引入“弹道配置”定义的随机分区的长度的半导体样品到弹道输运的间隔，这是由当地的热力学平衡点，在该载流子被发射或吸收。通过对所有弹道构型的弹道间隔中的载流子电流进行平均，导出了任意大小的载流子平均自由程的位置相关热弹道电流，该电流是热弹道概念的关键元素，也是计算各种输运量的出发点。本文首先介绍标准漂移扩散模型和弹道输运模型，以及为这一概念的充分发展形式铺平道路的原型模型。在文章的主体，一个连贯的论述的热弹道方法内给出了一个一般的配方，考虑到任意形状，自旋分裂势能分布和自旋弛豫在整个弹道间隔的载流子运动。计算程序设计实现热弹道的概念进行了说明。被认为是与当今的半导体和自旋电子学研究的具体例子。
2013-07-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin diffusion and injection in semiconductor structures: Electric field effects
在半导体自旋电子器件中，半导体通常是轻掺杂和非简并的，并且适度的电场可以支配载流子运动。最近，我们推导出一个漂移扩散方程的自旋极化的半导体一贯考虑电场效应和非简并电子统计，并确定了一个高场扩散制度，没有类似的金属。本文将此自旋漂移扩散方程应用于几种典型的注入结构，如铁磁/NS、铁磁/NS/铁磁和铁磁/NS/NS结构，研究了铁磁到半导体的自旋注入。我们发现，在高场制度的自旋注入从铁磁体到半导体增强了几个数量级。对于具有界面势垒的注入结构，电场进一步显著增强自旋注入。在FM/NS/FM结构中，高电场破坏了低场下两个磁体之间的对称性，其中两个磁体对于自旋注入同等重要，并且自旋注入变得由载流子从其流入半导体的磁体局部确定。场致自旋注入增强还应当对FM界面处的高掺杂半导体（NS $^+$）的存在不敏感，因此FM/NS $^+$ /NS结构还应当在高场下表现出有效的自旋注入。此外，高场大大降低了在最近的磁性半导体自旋注入实验中观察到的磁阻。
2002-06-17 cond-mat.mtrl-sci
Quantitative and systematic analysis of bias dependence of spin accumulation voltage in a non-degenerate Si spin valve
通过系统的实验和模型计算，定量地讨论了非简并硅自旋阀中自旋积累电压与偏置电流的关系。作为半导体自旋电子学中的一个未解决的问题，本文从考虑了自旋相关的隧穿势垒界面电阻的影响的自旋漂移扩散方程的模型计算结果出发，阐明了在非简并Si自旋阀中实验测量的自旋积累电压偏差的来源。与金属自旋阀的情况不同，铁磁体/MgO/Si界面的电阻-面积积的偏压依赖性导致电导失配的再现，对诱导偏差起着核心作用。
2018-10-16 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Reversible and nonvolatile manipulation of the spin-orbit interaction in ferroelectric field-effect transistors based on a two-dimensional bismuth oxychalcogenide
该研究构建二维Bi₂O₂Se/PMN-PT铁电场效应晶体管，利用可切换铁电极化实现自旋轨道相互作用的可逆非易失性调控，为自旋电子学器件的非易失电调控提供新方案。
2023-07-25 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Theory of spin-polarized transport in ferromagnet-semiconductor structures: Unified description of ballistic and diffusive transport
基于半导体中弹道输运和扩散输运的统一半经典描述，本文概述了铁磁-半导体异质结构中自旋极化电子输运的理论。目的是为研究自旋电子器件中自旋弛豫和输运机制的相互作用提供一个框架。内的（非简并）半导体的运输描述的热弹道电流，其中电子弹道运动的电场所产生的内部和外部的静电势，并在随机分布的平衡点热化。在弹道运动期间允许发生自旋弛豫。对于任意的势分布和任意的动量和自旋弛豫长度，导出了决定半导体自旋极化的自旋输运函数的积分方程。对于均匀半导体中的场驱动输运，积分方程可以转换为二阶微分方程，其推广了自旋漂移扩散方程。铁磁半导体结构中的自旋极化是通过匹配界面处的自旋分辨化学势来获得的，并允许自旋选择性界面电阻。考虑说明性的例子。
2005-06-17 cond-mat.mtrl-sci
Ferroelectricity controlled chiral spin textures and anomalous valley Hall effect in the Janus magnet-based multiferroic heterostructure
实现自旋拓扑织构的有效操纵和显式识别是使自旋织构成为高存储密度、高数据处理速度和低能耗自旋电子器件信息载体的两个关键因素。与传统的磁调控方法相比，电场调控磁调控是一种无耗散的方法。然而，由于磁场不直接破坏时间反演对称性，磁化强度对电场不敏感，并且由于外部涨落引起的漂移，拓扑磁准粒子的分布很难保持，这可能导致准粒子与均匀磁背景之间的模糊识别。在这里，我们表明，在Janus磁铁为基础的多铁性异质结构LaClBr/In 2 Se 3的异常谷霍尔效应所产生的横向电压，可以很容易地和明确地区分电极化的强度驱动的skyrmionic和均匀铁磁态。我们的工作提供了一种替代方法的数据编码，其中数据编码结合拓扑自旋纹理与可检测的电子输运。
2022-09-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magneto-Transport in MoS2: Phase Coherence, Spin Orbit Scattering and the Hall Factor
我们通过弱局域化测量和霍尔效应测量表征了n型MoS 2二维晶体中的相位相干长度、自旋轨道散射长度和霍尔因子。弱局域化测量显示，对于少层MoS 2薄膜，在T = 400 mK时，相位相干长度约为50 nm，随着温度的升高，相位相干长度随T^-1/2减小。弱局域化测量也使我们能够，第一次没有光学技术，估计自旋轨道散射长度为430 nm，指向潜在的二硫化钼自旋电子学应用。通过霍尔效应测量，我们观察到在T = 1 K时的低温霍尔迁移率为311 cm 2/Vs，从10 K到60 K，迁移率随温度的升高呈幂律下降，特征指数γ=1.5。在室温下，我们观察到的霍尔迁移率为24厘米2/Vs。通过确定的霍尔因子为二硫化钼为1.35，在T = 1 K和2.4在室温下，我们观察到的漂移迁移率为420厘米2/Vs和56厘米2/Vs，在T = 1 K和室温下，分别。
2013-08-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Non-reciprocity in magnon mediated charge-spin-orbital current interconversion
本文研究了磁振子介导的电荷-自旋-轨道电流转换中的非互易性，发现引入Ru产生轨道霍尔效应后，正向过程效率比逆过程高35%，并归因于Pt/Ru界面电子漂移速度差异导致的非零自旋涡度。
2025-06-30 cond-mat.mtrl-sci
Theory of spin-charge-coupled transport in proximitized graphene: An SO(5) algebraic approach
建立轨道、自旋和晶格-赝自旋自由度在现实非平衡条件下相互耦合的条件是石墨烯自旋电子学新兴领域的主要目标。在这里，我们使用线性响应理论，以获得一个统一的微观描述的自旋动力学和耦合自旋电荷输运在石墨烯与界面诱导Bychkov-Rashba效应。我们的方法利用SO（5）推广了常见的逆扩散方法，得到了单粒子密度矩阵的量子动力学方程，该方程对自旋和赝自旋一视同仁，并且对任意的外部扰动都是有效的。作为应用的形式主义，我们推导出一套完整的漂移扩散方程的近似石墨烯标量杂质的存在下，在空间和时间上变化缓慢的电场和自旋注入场。我们的方法适用于各种各样的概括，包括在范德华异质结构中具有强自旋-谷耦合和自旋-轨道力矩的层状材料中耦合自旋-电荷动力学的研究。
2021-11-14 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electrical Detection of Spin Transport in Lateral Ferromagnet-Semiconductor Devices
半导体自旋电子学研究的一个长期目标是在单个器件中注入、调制和检测电子自旋的能力。一个简单的原型由一个横向半导体通道和两个铁磁接触组成，其中一个作为自旋极化电子的源，另一个作为检测器。基于在类似金属系统中的工作，出现了两个重要的标准来证明自旋输运的电检测。第一个是使用非本地铁磁检测器的非平衡自旋布居的测量，其中没有电荷电流流过。检测电极处的电势应当对检测器和源电极的相对磁化敏感，这一特性被称为自旋阀效应。第二个和更严格的测试是Hanle效应的存在，Hanle效应是由于横向磁场中的进动和失相而引起的自旋阀信号的调制和抑制。在这里，我们报告的观察自旋阀和汉勒效应的横向器件组成的外延铁肖特基隧道势垒接触的n-掺杂GaAs沟道。横向磁场，温度和接触分离的依赖性是在良好的协议与模型，将自旋漂移和扩散。自旋输运检测的两个方向的电流通过源电极。发现电检测信号的符号随注入电流而变化，并且与通过光学测量确定的GaAs通道中的自旋极化相关。因此，这些结果证明了在横向半导体器件中用于自旋注入、输运和检测的全电方案。
2006-12-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin-polarized electron transport in ferromagnet/semiconductor heterostructures: Unification of ballistic and diffusive transport
基于半导体结构中弹道输运和扩散输运的统一半经典描述，发展了铁磁/半导体异质结构中自旋极化电子输运理论。目的是为研究自旋电子器件中自旋弛豫和输运机制的相互作用提供一个框架。在（非简并）半导体内部传输的统一描述中，一个关键要素是由电子组成的热弹道电流，这些电子在由内部和外部静电势产生的电场中弹道运动，并在随机分布的平衡点处被热化。在统一的描述中的弹道组件引起的不连续性的化学势在半导体的边界，这是有关的Sharvin界面电导。通过允许自旋弛豫发生在平衡点之间的弹道运动期间，热弹道自旋极化电流和密度根据自旋输运函数构造。这个函数的积分方程推导出任意值的动量和自旋弛豫长度。对于均匀半导体中的场驱动输运，积分方程可以转换为二阶微分方程，其推广了标准的自旋漂移扩散方程。铁磁/半导体异质结构中的自旋极化是通过调用当前自旋极化的连续性和匹配界面铁磁侧的自旋分辨化学势来获得的。允许自旋选择性界面电阻。例子被认为是说明传输机制和电场的影响。
2005-08-26 cond-mat.mtrl-sci
Orbital Magnetic Moment Dynamics and Hanle Magnetoresistance in Multilayered 2D Materials
针对二维材料中轨道矩难以偏离面外方向、轨道霍尔效应优势受限的问题，研究推导了多层二维材料轨道磁矩的半唯象运动方程，揭示其强各向异性动力学，并结合漂移扩散方程建立了轨道Hanle磁阻理论。
2024-12-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Competing Ordinary and Hanle Magnetoresistance in Pt and Ti Thin Films
University of Konstanz（康斯坦茨大学）；ETH Zurich（苏黎世联邦理工学院）
研究揭示Pt和Ti薄片中普通磁阻与Hanle磁阻的竞争，通过分析材料结构和纯度影响主导效应。
2024-09-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
