Analysis of Critical State Response in Thin Films by ac Susceptibility Measurements
A. Youssef, Z. Svindrych, J. Hadac, Z. Janu
对Nb薄膜的非线性交流极化率随温度的变化关系进行了谐波分析，得到的结果与基于二维圆盘滞回临界态模型计算的极化率吻合得很好。
Harmonic analysis of the temperature dependence of the nonlinear ac susceptibility of Nb thin film gives excellent agreement with the susceptibility calculated on basis of model of the hysteretic critical state in 2D disk.
机构、总结、中文摘要均由AI分析而来，可能存在错误，请以论文正文为准。
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AC susceptibility of YBa2Cu3O7-d superconducting thin film in a perpendicular field
测量了YBCO薄膜在垂直于膜面的交流电场中的磁化率随频率和振幅的变化关系。我们表明，所有测量的交流磁化率曲线可以被标度成一个单一的曲线使用的峰值温度（Tp）的虚部作为标度参数。还测量了频率对交流磁化率的影响。随着频率的增加，（Tp）向高温移动，这种效应可以用磁通蠕动来解释。从频率（f）和（Tp）的阿耳忒弥斯曲线获得的活化能的温度T和场Hac依赖性可以描述为U（Hac，T）=Uo（1-T/Tc）Hac^（-0.18）。
Contactless estimation of critical current density in thin superconducting films and its temperature dependence using ac magnetic measurements
我们测量了第二代高温超导体YBa_2Cu_3Ox丝和Nb薄膜在垂直交流磁场中的磁响应随温度的变化。我们比较实验复杂的交流磁化率计算的磁化率的基础上的模型Bean的临界状态响应在二维（2D）盘在垂直场。为了将模型与实验数据进行比较，需要进行谐波分析。提出了一种模型与实验敏感度的联系方法。实验磁化率与模型磁化率的2D磁盘允许非接触估计临界脱钉电流密度和它的温度依赖性的良好协议。
Spatially modulated susceptibility in thin film La$_{2-x}$Ba$_x$CuO$_4$
高临界温度超导体镧钡铜氧化物（La 2-xBaCuO 4或LBCO）在1/8掺杂时表现出强烈的临界温度反常、向列性和其他有趣的性质。我们在这里报告扫描超导量子干涉仪（SQUID）成像的磁场和磁化率在一些薄膜LBCO样品掺杂在1/8异常附近。这些样品的临界温度的空间分辨测量在1/8掺杂处没有显示出明显的凹陷。然而，它们确实表现出对多个样品的磁化率（“应变”）的强的、接近线性的调制，具有1-4微米的令人惊讶的长周期。与直觉相反，涡旋被困在这些条纹中最大的抗磁性磁化率的位置。鉴于丰富的相互作用，不同的订单在这种材料系统和它已知的敏感性，外延应变，我们提出相分离作为这些功能的可能起源，并讨论可能出现的情况。
Using quantitative magneto-optical imaging to reveal why the ac susceptibility of superconducting films is history-independent
本研究利用交流模拟磁光成像（acMOI）的空间分辨率，揭示了超导薄膜交流磁化率与历史无关的原因，证明了acMOI是研究超导薄膜频率无关交流场效应及局部磁通动力学的可靠方法。
Unified Transport and Susceptibility Analysis of a Thin BSCCO Film: From Local Pairing to Global Phase Coherence
通过输运与交流磁化率测量，结合扩展的Choy--Stoneham模型，揭示薄BSCCO薄膜中超导转变从局域配对逐步发展到全局相位相干的渐进过程。
Anisotropic response of the moving vortex lattice in superconducting Mo$_{(1-x)}$Ge$_{x}$ amorphous films
我们已经进行了磁化率测量Mo $_{(1-x)}$ Ge $_x$非晶薄膜偏置电流使用各向异性线圈。我们测试了改变偏置电流和磁化率线圈之间的相对方向的涡旋响应的对称性。在直流电流-温度相图中发现了一个动态涡旋结构各向异性的区域.在该区域中，由磁化率线圈测量的超导电流的屏蔽能力沿着涡旋运动方向与横向方向相比是不太有效的。这种各向异性的响应被发现在同一区域中的临界电流的峰值效应的开发。温度升高时，各向同性行为恢复。
Superconductor-Metal-Insulator Crossover in Disordered Thin Films
本文在随机结网络模型的基础上讨论了无序薄膜中的超导体-金属-绝缘体交叉。
Normal State Resistivity of Underdoped YBa2Cu3Ox Thin Films and La2-xSrxCuO4 Ultra-Thin Films under Epitaxial Strain
通过在强磁场中抑制超导态，可以在低于Tc的区域探测高温超导体的正常态电阻率。在这里，我们提出了正常状态下的YBa 2 Cu 3 Ox薄膜的属性在欠掺杂制度和正常状态下的电阻的La 2-xSrxCuO 4薄膜外延应变，测量低于Tc的脉冲场高达60 T。报道了一种普适的ρ（T）行为。我们解释这些数据在最近提出的1D量子输运模型的1D路径对应的电荷条纹。
Study of higher-order harmonics of complex ac susceptibility in $YB_2C_3O_{7-δ}$ thin films by the mutual inductive method
我们应用互感方法研究了$ $YB_2C_3O_{7-δ}$薄膜的复交流磁化率$χ_n=χ'_n-iχ"_n$的高次谐波随温度和外加磁场的变化。实验结果进行了比较，从石田-马扎基模型和电流密度的积分方程的解决方案，分别获得的分析和数值计算结果。这两种模型都使我们能够再现主要的实验特征，然而，随着$n$的增加，数值模型显示出显着的差异。该故障可归因于电流-电压特性。此外，该研究还得到了两个样品在T=0时的活化能$U_c$和临界电流密度$J_c$。
Growth of superconducting MgB2 thin films
这是迄今为止对MgB_2超导薄膜的首次综述。
Atomic Layer Deposition of Aluminum (111) Thin Film by Dimethylethylaminealane Precursor
报道了以二甲基乙胺铝烷（DMEAA）为前驱体，采用原子层沉积（ALD）技术生长铝（111）薄膜的研究。研究发现，金属底层是DMEAA前驱体生长均匀铝膜的关键。由于使用钛薄膜作为底层，所以生长的铝薄膜显示（111）取向，而与衬底无关。铝薄膜的晶格常数和超导转变温度与体材料相同。这些结果表明，ALD技术提供了高质量的铝薄膜，并在超导器件的应用潜力。本文讨论了用DMEAA为前驱体的ALD技术制备垂直小约瑟夫森隧道结的可行性，这种结可用作超导量子比特。
Growth and Properties of Superconducting MgB2 Thin Films
本文综述了近30个月来超导MgB_2的薄膜生长和结制备的研究进展，包括MgB_2的化学和物理性质的简要总结。
High critical current densities in superconducting MgB2 thin films
在Al 2 O3（0001）和MgO（100）衬底上制备了MgB 2超导薄膜。硼薄膜的沉积通过电子束蒸发，然后与镁的后退火工艺。研究了合适的后退火工艺条件，以制备出性能良好的MgB 2超导薄膜。X射线衍射分析表明，在我们的薄膜中，MgB_2相是随机取向生长的。用扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）观察了表面形貌。用输运法测得15 K时MgB 2/Al 2 O3薄膜的临界电流密度（Jc）约为10^7 A/cm^2，超导转变温度（Tc）约为39 K。
Magnetic Susceptibility of Superconducting Films in the Meissner-London Regime
本文针对迈斯纳-伦敦态超导薄膜，基于二维面电流模型给出χ(λ)的闭式表达式及矩形样品映射经验公式，明确适用范围，制定全样品磁化率测量校准方案。
Morphology of Superconducting FeSe thin films deposited by co-sputtering and MBE
用射频溅射和分子束外延（MBE）方法从两种元素源沉积了可能是非常规的超导体β-FeSe。在MgO（100）和YAlO 3（010）衬底上沿（001）取向生长了超导薄膜。研究了样品的形貌，并将其与β-FeSe薄膜的超导性能直接相关。分子束外延生长的薄膜显示出微裂纹和约100 nm的粗糙度。相比之下，溅射沉积的超导薄膜显示出几乎没有沉淀物的光滑表面。在这两种情况下的电阻超导转变与临界温度高达8.5 K进行了观察。然而，溅射沉积膜的光滑度对于未来的表面依赖性研究至关重要。
Effect of current injection into thin-film Josephson junctions
新的薄膜约瑟夫森结最近已被测试，其中注入到结组之一的电流支配约瑟夫森现象。因此，可以通过改变注入电流来连续地管理结处的相位分布。提出了一种计算半无限长薄膜带注入电流分布的方法，该半无限长薄膜带的源-汇点位于薄膜边缘的任意位置。假设条带宽度$W$相对于$Λ=2λ^2/d$小，$λ$是膜材料的本体伦敦渗透深度，$d$是膜厚度。
Superconducting MgB2 thin films nano-bridges for cryo-electronic application
采用磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了前驱体MgB 2薄膜。讨论了非原位退火工艺对MgB 2超导薄膜粗糙度的影响。通过优化MgB前驱体薄膜的真空退火工艺，得到了表面粗糙度小于10 nm，临界温度Tcon = 31 K，相变宽度DTc小于1 K的光滑超导MgB 2薄膜。利用光学光刻和聚焦离子束光刻技术制备了基于超导MgB 2薄膜的纳米桥。在50 nm宽的带材上测得的临界电流密度jc（4.2 K）为7.3 × 10 6 A/cm 2，并且没有检测到超导性能的显著损失。电阻与温度和临界电流与温度特性的测量，这些结构上使用标准的DC四探针测量。
Superconducting MgB2 Thin Films with Tc of about 39K Grown by Pulsed Laser Deposition
采用非原位工艺在Al 2 O3（0001）衬底上制备了MgB 2超导薄膜。硼薄膜的沉积通过脉冲激光沉积，然后通过后退火工艺。沉积的MgB 2薄膜的电阻测量显示约39 K的Tc，而扫描电子显微镜和X-射线衍射分析表明，薄膜由结晶良好的晶粒具有高度c轴取向的结构。
Effect of stoichiometry on oxygen incorporation in MgB2 thin films
发现在暴露于大气气体时并入到MgB 2薄膜中的氧的量强烈地取决于材料的化学计量。卢瑟福背散射光谱用于监测由于暴露于以下环境而导致的氧掺入的变化：（a）环境大气，（b）潮湿大气，（c）在空气中退火和（d）在氧气中退火。该研究调查了薄膜样品的组成，系统地从Mg0.9B2到Mg1.1B2变化。一个显着的表面氧污染，观察到在所有这些薄膜。另一方面，在大部分膜中的氧含量仅在富镁膜和暴露于潮湿气氛的膜中显著增加。
Evidence of Inhomogeneous Superconductivity in FeTe$_{1-x}$Se$_x$ Thin Film Using Scotch-Tape Method
我们用透明胶带法制备了FeTe $_{1-x}$ Se $_x$薄膜。虽然这些薄膜是由相同的块体样品制备的，但它们的超导性彼此不同。结果清楚地表明了FeTe $_{1-x}$ Se $_x$的非均匀超导电性。差异来自于由于过量Fe浓度引起的不均匀性。低过量Fe的薄膜的电阻率显示出良好的超导性，具有陡峭的超导转变宽度和更多的各向同性超导电性。
Vortex matching effect in engineered thin films of NbN
我们报道了在NbN薄膜上制备的反点阵阵列中的强涡旋匹配效应。场扫描方向之间几乎不存在滞后表明在主体薄膜中的残余钉扎可忽略不计。由于NbN薄膜（$ξ< 5 nm$）的相干长度非常小，观察表明，在适当的制造结构中，在真正的纳米长度尺度上探测涡旋物理的可能性。
MgB2 superconductor thin films on Si and Al2O3 substrates
采用三种不同的工艺在蓝宝石和硅衬底上制备了MgB_2超导薄膜。硼薄膜在镁蒸气中进行非原位退火，得到织构多晶薄膜，其晶体尺寸小于1000 nm，起始临界温度Tcon接近39 K，相变宽度约1 K。在蓝宝石和硅衬底上，非原位和原位退火共沉积的硼和镁薄膜都产生了光滑的纳米晶薄膜。在硅衬底上共沉积的纳米晶MgB2薄膜的直流特性达到Tcon = 33 K和零电阻Tco = 27 K，这是迄今为止在Si衬底上获得的最高值。此外，微波分析证明了在39K以下薄膜中存在超导部分。这一结果证实了利用真空共沉积法在硅衬底上制备临界温度接近39 K的纳米晶MgB_2超导薄膜的可能性。
Electric Field Induced Converse Piezoeffect in Screw Dislocated YBCO Thin Films
基于超导薄膜中严重缺陷的介质在外加电场中的逆压电效应，提出了螺旋位错YBCO薄膜中电场诱导临界电流增强的可能方案.的效果的大小被发现同时依赖于膜的厚度和内部的超导体的位错的数量。
Josephson effect in thin films: the role of vortex excitations
该文件包含一个错误的Eqs。(14)（15）已被作者撤回。
Texture and morphology of epitaxially grown LuNi2B2C thin films on single crystalline MgO substrates of different orientation
该文件已被撤回，并将尽快更换。
Measuring thickness in thin NbN films for superconducting devices
我们提出了一个商业上可用的固定角度多波长椭偏仪用于快速测量NbN薄膜的厚度超导纳米线单光子探测器的制造和性能改进。该方法可以确定吸收薄膜的光学常数，消除了不准确的近似的需要。该工具可用于观察氧化生长，并允许厚度测量集成到各种制造工艺的表征。
Thin-film aspects of superconducting nickelates
由于镍酸盐与高$T_c$铜酸盐的关联，无限层镍酸盐超导电性的发现引起了人们的广泛关注。铜氧化物超导电性首先在体样品中得到证实，随后在薄膜中得到证实。然而，在镍酸盐中，情况却相反：尽管作为一种体现象出现，但迄今为止，镍酸盐超导性仅在薄膜中有报道。同时，无限层镍酸盐的特性产生了不同的界面和表面效应，决定了它们的体相和薄膜相行为。在本文中，我们将对这些重要方面进行概述。
Epitaxial Ba2IrO4 thin-films grown on SrTiO3 substrates by pulsed laser deposition
用脉冲激光沉积法在SrTiO 3（001）衬底上外延生长了Ba 2 IrO 4（BIO）薄膜，并通过直流输运和光谱实验研究了其电子结构。我们已经观察到，BIO薄膜是绝缘的，但接近的金属绝缘体过渡边界的显着较小的运输和光学带隙能量比它的姐妹化合物，Sr2IrO4。此外，BIO薄膜具有增强的电子带宽和电子相关能。我们的研究结果表明，生物薄膜具有很大的潜力，实现有趣的物理性能预测层状铱酸盐。
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