Electronic Structure of Paramagnetic V_2O_3: Strongly Correlated Metallic and Mott Insulating Phase
本文采用LDA+DMFT（局域密度近似和动力学平均场论相结合的计算方案）计算了V_2O_3的相关顺磁金属相和Mott绝缘相的费米能级以下和费米能级以上的光谱以及自旋和轨道占据。用量子蒙特卡罗模拟求解了自洽的DMFT方程。室温计算提供了与实验的直接比较。与1160 K时的结果相比，准粒子高度有明显的增加。对V_2O_3的Mott-Hubbard相变的性质也有了新的认识。也就是说，它被发现是显着不同的单带哈伯德模型，由于轨道自由度。此外，我们还解决了掺Cr的V_2O_3的Mott带隙异常小的难题。
2004-02-04 cond-mat.str-el
Magnetic correlations and quantum criticality in the insulating antiferromagnetic, insulating spin liquid, renormalized Fermi liquid, and metallic antiferromagnetic phases of the Mott system V_2O_3
用磁热中子散射研究了纯的和掺杂的三氧化二钒V_2O_3的四个相的磁关联。虽然反铁磁绝缘体可以用海森堡局域自旋模型来解释，但反铁磁金属中的长程序是一种无公度的自旋密度波，由费米面嵌套不稳定性引起。强关联金属中的自旋动力学由斯通纳电子-空穴连续体中的自旋涨落主导。此外，我们在金属V_2O_3中的结果代表了对金属量子临界点附近自旋涨落的前所未有的完整表征，并为小磁矩极限下巡游反铁磁体的SCR理论提供了定量支持。动态磁相关的能量小于k_BT的顺磁性绝缘体进行实质性的磁谱权重。然而，相关长度仅延伸到最近邻距离。到反铁磁绝缘体的相变引入了磁关联到不同空间周期性的突然切换，这表明潜在的自旋哈密顿量的突然变化。为了描述这种相变以及顺磁态中不寻常的短程有序，似乎有必要考虑V_2O_3中费米能级处与简并d轨道相关的轨道自由度。
1998-10-23 cond-mat.str-el
Polaron-mediated spin correlations in metallic and insulating La$_{1-x}A_{x}$MnO$_{3}$ ($A$=Ca, Sr, or Ba)
中子能谱测量揭示了La $_{1-x}A_{x}$ MnO $_{3}$形式的锰氧化物材料中铁磁-顺磁相变附近和上方的短程自旋相关性，包括具有绝缘基态的样品以及具有金属基态的巨磁阻样品。准弹性磁散射揭示，形成明确的脊沿[100]型方向在动量空间。一个简单的模型，包括自旋极化的Mn离子之间的导电电子跳跃，成为自陷后几跳捕获的散射的这种磁性成分的基本物理。我们将此散射分量与扩散极化子的磁性部分相关联，因为我们观察到类似于从单个极化子产生的扩散结构散射的温度依赖性。
2014-12-08 cond-mat.str-el
A local metallic state in globally insulating $La_{1.24}Sr_{1.76}Mn_2O_7$ well above the metal-insulator transition
利用角分辨光电子能谱研究了双层锰氧化物$La_{1.24}Sr_{1.76}Mn_2O_7$的金属-绝缘体转变过程中电子结构的演化。我们发现该体系对$T<T_C$是金属，对$T<T_C<T^*$是局部金属但全局绝缘体，对$T>T^*$是全局绝缘体.这些结果表明电子相分离和渗流效应对$La_{1.24}Sr_{1.76}Mn_2O_7$的金属-绝缘体转变的关键作用。
2006-12-27 cond-mat.str-el
Metallic ferromagnetism-insulating charge order transition in doped manganites
我们发现，双交换和杂质随机性的相互作用可以解释金属铁磁和绝缘电荷有序态之间的竞争掺杂锰氧化物。双交换被简化为伊辛型，而随机性由Falicov-Kimball二进制分布建模。在动力学平均场论的框架下考虑了组合模型。使用Kubo-Greenwood形式，输运系数明确表示在单粒子谱函数。将系统分为两个亚晶格，给出了棋盘电荷序参量和磁化强度的直接计算。数值结果表明，棋盘电荷序在低温下可以稳定在铁磁态内部。在棋盘电荷序铁磁转变点处还发现了绝缘体-金属转变。
2016-04-15 cond-mat.str-el
Orbitally-selective Breakdown of the Fermi Liquid and Simultaneous Enhancement of Metallic and Insulating States in Correlated Multi-band Systems with Spin-orbit Coupling
研究表明，自旋轨道耦合（SOC）对三轨道Hubbard模型中的轨道选择性Mott跃迁起着Janus-faced的作用，该模型在特定填充量的$2/3$（对双烯酸盐来说是最小的哈密顿量）下具有晶体场分裂.虽然SOC有利于金属状态，由于在较小的现场库仑排斥的轨道杂化的增强，它稳定的莫特绝缘状态归因于在较大的电子相互作用的轨道简并和带极化的增强提升。此外，轨道选择性非费米液体（OSnFL），其中费米液体的击穿和保留共存于不同的轨道，出现之间的轨道选择性莫特相和费米液体状态。这种新的状态可以用来解释在4种$d$材料中观察到的奇异金属行为，例如Ca $_{1.8}$ Sr $_{0.2}$ RuO $_4$，应变下的Ba $_2$ RuO $_4$和单轴压力下的Sr $_2$ RuO $_4$。我们建议，轨道选择性近藤击穿可能占OSnFL。
2021-07-01 cond-mat.str-el
Reconcile the Bulk Metallic and Surface Insulating state in 1T-TaSe$_2$
过渡金属二硫属化合物1 T-TaS $_2$和1 T-TaSe $_2$由于具有复杂的相关电子性质而得到了广泛的研究。不同表面电子态的起源仍然存在争议。我们应用扫描隧道显微镜和光谱学对1 T-TaSe体材料$_2$的表面电子态进行了重新研究。在同一样品的不同区域中识别绝缘和金属状态。绝缘状态与1 T-TaS $_2$中的绝缘状态相似，包括dI/dV谱和轨道织构。通过对单台阶区的进一步研究，发现电子态的差异与不同的堆积顺序有关。绝缘状态最有可能是单层性质，在某些特定的堆叠顺序中调制为金属状态。在1 T-TaSe $_2$中，金属和大能隙绝缘谱以及它们相应的堆垛阶都占主导地位。连接的金属区域导致金属输运行为。然后，我们调和块体金属和表面绝缘状态的1 T-TaSe $_2$。1 T-TaSe $_2$中的丰富现象加深了我们对1 T-TaSe $_2$和1 T-TaS $_2$中相关电子态的理解。
2022-01-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Mottness versus unit-cell doubling as the driver of the insulating state in 1T-TaS2
如果一种材料的每个晶胞中的电子数是奇数，那么它是绝缘的，莫特定域可以用来解释。这对于层状化合物1 T-TaS 2是广泛接受的，其具有低温绝缘相，该低温绝缘相包括各自具有13个未配对轨道的电荷有序簇。但是如果层的堆叠使晶胞加倍，包含偶数个轨道，那么绝缘态的性质就不明确了。在这里，扫描隧道显微镜（STM）揭示了两个不同的终端的电荷秩序在1 T-TaS 2，这种双层堆叠模式的迹象。然而，在这两个终端的光谱使我们能够解开单位细胞倍增效应，并确定莫特本地化本身就足以驱动间隙的形成。我们还观察到Mottness的崩溃在一个extraperitonerestacked终止，表明绝缘体-金属过渡的微观机制在于层间堆叠的自由度。
2019-08-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Extended regime of coexisting metallic and insulating phases in a two-orbital electronic system
本文研究双轨道四分之一填充模型中密度-密度相互作用驱动的金属-绝缘体相变，发现非局域集体涨落导致金属态与莫特绝缘态在宽泛相互作用范围内亚稳共存，揭示了非局域关联对多轨道强关联体系电子性质的关键影响。
2023-05-28 cond-mat.str-el
Images of metallic and insulating domains on the surface of a (La0.4Pr0.6)0.67Ca0.33MnO3 film
用导电原子力显微镜观察了生长在（110）NdGaO3衬底上的（La 0.4Pr 0.6）0.67Ca 0.33MnO3单晶薄膜表面金属畴和绝缘畴的非均匀分布。表面的电子性质表现出热滞后。磁滞现象与薄膜体的输运和磁性相似。
2012-05-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electric-Field-Induced Antiferromagnetic Insulating State in a Metallic Ferromagnet
我们证明了在静态电场作用下，由于传导电子的布洛赫振荡，铁磁金属转变为反铁磁绝缘体。在稳态下，电流与外加电场成反比，这意味着与Wannier-Stark局域化不同的非微扰绝缘性质。基于最近的太赫兹脉冲源的可能的实验实现进行了讨论。
2020-07-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Surface Reconstruction-Driven Insulating Behavior in Metallic Charge-Density-Wave 1T-TaSe$_{2}$
Kyung Hee University（庆熙大学）；Yonsei University（延世大学）
研究1T-TaSe₂表面绝缘行为，通过密度泛函理论计算表明其绝缘表面源于CDW堆叠重构，块状为单层CDW堆叠支持金属传输，表面倾向双层堆叠打开约0.4 eV能隙，确立CDW表面重构为控制其表面电子结构机制并解释金属与绝缘域共存。
2026-09-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Metallic surface of a bipolaronic insulator
我们调查的可能性，强耦合的电子-声子系统的表面表现出不同的散装时，相关参数是不均匀的，由于界面的存在。我们考虑参数的变化，使表面更金属或更绝缘体比散装。虽然当块体是金属时，似乎不可能稳定真正绝缘的表面，但可以实现相反的情况。金属表面确实可以从体中实现的双极化绝缘体去耦。
2010-09-21 cond-mat.str-el
Metallic Pattern Fabrication in Organic Mott Insulating Crystal by Local X-Ray Irradiation
我们在有机莫特绝缘体$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ Cu[N（CN）$_2$ ]Cl中制备了金属结构。用扫描微区红外反射光谱技术观察了用X射线照射钼网掩模获得的约90 $\times$ 90 $μ$ m $^2$的周期性金属畴。在纳米到微米尺度的范围内没有发现辐照引起的劣化。我们证明，本处理方法是适用于分子电子器件的制造。
2008-07-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Impact ionization processes in the steady state of a driven Mott insulating layer coupled to metallic leads
我们研究了一个简单的模型，光伏能量收集跨莫特绝缘间隙组成的相关层连接到两个金属铅在不同的化学势。在用时间周期性电场驱动该层时，从低能量到高能量引线感应出粒子电流。我们解决特别是碰撞电离的问题，即一个粒子的光激发到高能量的一部分，上哈伯德带使用其额外的能量，产生第二个粒子空穴激发。我们发现一个急剧增加的光电流进入频率制度时，碰撞电离是可能的。在莫特间隙的大值，在那里的碰撞电离是积极不允许的，我们观察到抑制的电流和堆积的电荷在上哈伯德带的高能量部分。我们的研究是基于Floquet-DMFT处理与所谓的辅助主方程方法作为杂质求解器。我们验证的近似，从而自能采取对角线的Floquet指数，是适当的参数范围内，我们正在考虑。
2018-01-24 cond-mat.str-el
Transient transition from free carrier metallic state to exciton insulating state in GaAs by ultrafast photoexcitation
我们提出了系统的研究GaAs的瞬态动力学的超快时间分辨光反射率。在光激发非平衡态下，我们发现瞬态反射率谱$ΔR/R$（t $>$ 0）的符号反转，从室温附近的正值变为低温下的负值。前者对应于瞬态自由载流子金属态，而后者归因于激子绝缘态，其中瞬态电子性质主要由激子主导，导致瞬态金属-绝缘体转变（MIT）。通过对时间分辨光谱强度变化的分析，确定了两个转变温度T $_1$和T $_2$。我们发现，光激发MIT开始出现在T $_1$高达$\sim$ 230 K，在0.4 ps的负倾角功能方面，并成为稳定低于T $_2$与负常数后40 ps的光谱。我们的研究结果解决了一个相图，通过温度和光激发为MIT提供了一个框架，并阐明了光半导体相互作用和激子物理的理解。
2017-05-24 cond-mat.str-el
Spin polarization and transition from metallic to insulating behavior in 2D systems
我们对二维GaAs（100）电子和GaAs（311）A空穴的自旋极化随面内磁场的变化进行了定量测量。面内磁电阻的函数形式与自旋极化密切相关。此外，对于三种不同的2D系统，即GaAs（100）电子，GaAs（311）A空穴和AlAs（411）B电子，面内磁阻的温度依赖性揭示了它们的行为在完全自旋极化之前从金属转变为绝缘。
2002-04-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Doublon Dynamics of the Hubbard Model on Triangular Lattice
利用胞腔动力学平均场论研究了三角格子上半填充哈伯德模型中的双光子动力学。通过对最近邻动力学关联的研究，我们证明了最近邻的doublon-holon对具有很强的吸引力，特别是在绝缘相。我们还计算了双光子的在位动力学关联，发现双光子在金属相中的寿命比在绝缘相中的寿命长。在长时间区域中，金属相在各种最近邻配置中具有持续的波动，而绝缘相中的波动非常小。得到的结果表明，在金属和绝缘相的doublon之间的动力学的明显差异。
2014-04-26 cond-mat.str-el
Ferromagnetic insulating phase in Pr{1-x}Ca{x}MnO3
通过中子散射实验和理论计算，研究了Pr_（0.75）Ca_（0.25）MnO_3的铁磁绝缘（FM-I）态。绝缘行为是强大的对外部磁场，并归因于既不是铁磁金属（FM-M）相和非铁磁绝缘相之间的相分离，也不是电荷有序。我们发现，Jahn-Teller型晶格畸变比PrMnO 3弱得多，磁相互作用几乎是各向同性的。这些特征类似于锰氧化物的铁磁金属状态，但自旋交换相互作用J与FM-M状态相比大大降低。基于交错型轨道序的理论计算很好地再现了FM I相自旋和轨道态的一些特征。
2003-06-25 cond-mat.str-el
Quantum spin fluctuations in the bulk insulating state of pure and Fe-doped SmB6
中价化合物SmB 6是一种著名的近藤绝缘体，其中巡游的5d电子与局域化的4f电子的杂化导致在低温下从金属行为转变为绝缘行为。最近的研究表明，SmB 6是一个拓扑绝缘体，拓扑金属表面状态出现从一个完全绝缘的杂化体能带结构。在这里，我们本地探测纯的和0.5%的Fe掺杂的SmB 6 μ子自旋旋转/弛豫方法的体磁性能。低于6 K的Fe杂质诱导体局部磁性和电导率的同时变化。在低温绝缘体状态下，我们观察到一个温度无关的动态弛豫率指示低的磁激发主要由量子涨落驱动。
2017-05-16 cond-mat.str-el
Charge-Ordered State versus Dimer-Mott Insulator at Finite Temperatures
通过研究具有库仑相互作用的二聚扩展Hubbard链，从理论上研究了四分之一填充准一维电子系统中有限温度下电荷有序态与Mott绝缘态之间的竞争.为了正确地考虑一维涨落，我们将玻色化方法应用于由链间平均场近似得到的有效模型。结果表明，晶格二聚化，特别是在临界区，以及链间库仑相互作用的受挫，降低了电荷有序相变温度，增大了二聚-莫特绝缘相。我们还导出了电荷有序相的奈特位移的一般公式，并讨论了它对实验的意义。
2007-08-07 cond-mat.str-el
Suppression of electronic susceptibility in metal-Mott insulator alternating material, (Me-3,5-DIP)[Ni(dmit)2]2
本文报道了金属-绝缘体交替材料（Me-3，5-DIP）[Ni（dmit）_2]_2的~（13）CNMR频移和核弛豫。来自金属层和绝缘层的NMR吸收线得到了很好的分辨，证明了局域自旋（π_loc）和传导π电子的共存。新发现的绝缘层进行反铁长程序约2.5 K，建议出现S=1/2莫特绝缘体。在金属层中，我们发现了显着的suppository的静态和动态的导电电子的磁导率低于35 K，在绝缘层中的反铁磁相关的演变。我们提出了一个动力学效应，通过强π-π_loc耦合之间的金属和绝缘层作为一个起源的状态密度的降低。
2007-08-13 cond-mat.str-el
Continuum of many-particle states near the metal-insulator transition in the Hubbard model
利用强耦合图技术研究了半满二维排斥哈伯德模型中金属-绝缘体相变附近的态。非局部三阶项与低阶局部项一起包含在不可约部分中。导出的电子格林函数方程的解决迭代适度哈伯德排斥和温度。从Hubbard-I近似的格林函数出发，用不同的极点距实频轴的距离，迭代得到不同金属和绝缘解的连续谱。绝缘的解决方案在莫特间隙的宽度不同，而金属的解决方案在费米能级附近的光谱函数的形状不同。此外，随着温度的变化，观察到不同的情况下的金属-绝缘体转变-与费米能级附近的移动态带的突然发病，并逐渐关闭的莫特间隙。尽管有这些不同之处，所有的解决方案都有一个共同的曲线分离金属和绝缘状态的相图。在该曲线附近，金属溶液和绝缘溶液共存。对于中等的哈伯德排斥，金属溶液不是费米液体。
2017-05-05 cond-mat.str-el
On Gossamer Metals and Insulating Behavior
我们将最近提出的描述超导基态的Gossamer方法推广到金属基态。单能带模型中的游丝金属将描述一种金属相，随着库仑相关性的提高，这种金属相变得很难与绝缘体区分开来。我们的动机是由相图的V $_2$ O $_3$和f-电子系统，其中有一个线的第一级金属-绝缘体过渡结束在一个临界点以上的两相是不可区分的相图。这意味着人们可以连续地从金属到“绝缘体”，这表明它们可能是同一相。
2003-09-12 cond-mat.str-el
Quantum phase transition from a paramagnetic Anderson insulating state to a ferromagnetic many-body localized state via an intermediate ferromagnetic metallic phase
电子关联对Anderson绝缘体的影响是近20年来的研究热点之一，它表明Anderson绝缘相转变为一种新的绝缘态，称为多体局域化（MBL）。然而，自旋自由度的作用，在这个动态相变仍然是不清楚的相互作用强度的函数。在这项研究中，我们进行了实空间自旋分辨Hartree-Fock-Anderson模拟，以研究在三个空间维度中超过临界无序强度的金属-绝缘体跃迁，其中所有单粒子状态都是安德森本地化的，没有相互作用。在这里，相对较弱的相关性低于莫特制度被考虑在平均场的方式，但基本上完全引入无序效应。我们发现了两种类型的单粒子迁移率边缘，其中相互作用驱动的低能迁移率边缘的多重分形谱偏离与金属-绝缘体过渡的多重分形谱平滑连接的高能迁移率边缘的多重分形谱，而没有相互作用。我们表明，弱相互作用的绝缘相仍然是一个顺磁性的安德森绝缘状态的带宽度的顺序的温度。另一方面，我们发现，相对较强的相互作用的绝缘相仍然低于莫特制度是铁磁的，它变成铁磁金属态的临界温度远低于带宽的顺序。基于所有这些结果，我们提出了一个量子相变从一个顺磁安德森绝缘状态到一个铁磁MBL绝缘相通过一个中间的铁磁金属状态，这两个绝缘体之间的费米能量。
2022-07-10 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Evidence for Superconducting Phase Coherence in the Metallic/Insulating Regime of the LaAlO3-SrTiO3 Interface Electron System
LaAlO 3-SrTiO 3界面处存在具有极低载流子密度（约为10^13 cm^-2）的超导相。如果借助于栅极场耗尽载流子，则该超导相经历到金属/绝缘状态的转变，该金属/绝缘状态的特征仍然在于状态谱密度中的间隙。测量和分析这个差距的临界场，我们提供的证据表明，宏观相位相干库珀对存在于金属/绝缘状态。这是由波动的涡旋-反涡旋对，而不是由单独的、不动的库珀对来表征的。此外，测量产生的二维系统的超导相干长度的载流子密度依赖。
2015-12-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Signature of checkerboard fluctuations in the phonon spectra of a possible polaronic metal La1.2Sr1.8Mn2O7
低杂质半导体中的电荷载流子可能会扭曲原子晶格并捕获它们自己，形成所谓的小极化子。高载流子浓度可以导致短程有序极化子（大极化子），甚至导致长程电荷和轨道有序。这两种系统都应该是绝缘的，具有大的电阻率，电阻率随着温度的升高而降低。然而，光电发射测量最近发现了一个极化赝隙，在金属相的La 2 - 2xSr 1 + 2xMn 2 O 7。这种层状锰氧化物以与从该低温金属相到高温绝缘相的相变相关的巨磁阻（CMR）而闻名。宽的电荷顺序峰，由于观察到的绝缘相的中子和X射线散射大极化子消失时，La 2 - 2xSr 1 + 2xMn 2 O 7成为金属。我们报告的非弹性中子散射测量结果表明，极化子保持在金属相内的波动，强烈扩大和软化某些声子附近的波矢量的电荷顺序峰出现在绝缘相。我们的研究结果意味着金属中的极化子签名通常可能来自竞争绝缘电荷有序相。这是高度相关的铜酸盐超导体的赝隙，和一个类似的声子效应与竞争条纹秩序。
2010-01-26 cond-mat.str-el
Unconventional Transition from Metallic to Insulating Resistivity in the Spin-ladder Compound (Sr,Ca)$_{14}$Cu$_{24}$O$_{41}$
自旋梯化合物是高温超导体有趣的类似物，因为它们含有由铜和氧原子组成的正方形阵列的近一维“梯”层。增加梯子中的腿的数量提供了一种逐步接近二维铜-氧平面的方法，该结构被认为是高温超导性的关键。短程自旋相关的阶梯已被预测，导致形成的空穴对有利于超导性，一旦足够的空穴被引入到阶梯上的掺杂。事实上，在高压下，在两腿梯形化合物（Sr，Ca）$_{14}$ Cu $_{24}$ O $_{41}$中已经发现了超导性。在这里，我们表明，在非超导状态下的（Sr，Ca）$_{14}$ Cu $_{24}$ O $_{41}$共享三个不同的制度，在共同的高温超导体，包括一个无法解释的绝缘行为在低温下的电阻率增加的温度的对数。这些观察结果表明，对数发散来自一个新的本地化机制共同的梯形化合物和高温超导体，这可能是由于近一维的电荷输运在自旋间隙的存在。
1998-08-28 cond-mat.str-el
Bandwidth-tuning from insulating Mott quantum spin liquid to Fermi liquid via chemical substitution in $κ$-[(BEDT-TTF)$_{1-x}$(BEDT-STF)$_x$]$_2$Cu$_2$(CN)$_3$
分子导体的电子性质可以通过物理或化学压力容易地改变，因为它增加了带宽W;这使得能够通过降低电子相关性U/W来跨越莫特绝缘体到金属的相变。在这里，我们介绍了另一种途径，通过增加分子轨道时，部分取代硫硒在构成双-（亚乙基二硫代）-四硫富瓦烯（BEDT-TTF）分子的标题化合物。我们通过传输、介电和光学测量表征了绝缘量子自旋液体状态通过Mott跃迁到金属费米液体状态的调谐。在此一阶相变中，金属区域共存于绝缘基体中，导致在低温下介电常数的强烈增强中最明显的显著的双折射效应。
2019-11-15 cond-mat.str-el
Novel metallic and insulating states at a bent quantum Hall junction
研究了两个量子霍尔系统以直角相交的非平面几何结构的量子霍尔效应。当两个面在相等的填充因子nu时，结托管具有非量子化电导的通道，取决于nu。在nu = 1/3时，状态是金属的，随着温度T的下降，沿着结的电导增加。在nu = 1，2时，它是强绝缘的，而在nu = 3，4时，它只表现出弱的T依赖性。在沿结施加直流电压偏置时，微分电导再次显示出三种不同的行为。Hartree计算的分散在交界处说明了可能的解释，并强调从平面QH结构的差异。
2007-02-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Metallic and Insulating behaviour in p-SiGe at nu = 3/2
Shubnikov-de Haas的数据呈现为p-SiGe样品表现出强烈的绝缘行为，在nu = 3/2。除了定义高场金属-绝缘体跃迁到该相的固定点之外，还可以为nu = 3 -> 2和2 -> 1的量子霍尔跃迁识别单独的固定点。数据的另一个特征是霍尔电阻率在绝缘阶段接近于零，这表明它不是一个凹入的霍尔绝缘体。的行为被解释在强交换相互作用。在整数填充因子下，这些导致0向上箭头和1向下箭头朗道能级交叉并很好地分离，但在非整数nu值下，屏蔽降低了交换效应并导致能级粘在一起。它建议的绝缘行为，和高场金属/绝缘体的转变，是一个强交换相互作用的结果。
2002-08-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
"Forbidden" transitions between quantum Hall and insulating phases in p-SiGe heterostructures
我们表明，在稀金属p-SiGe异质结构中，磁场可以引起多个量子霍尔-绝缘体-量子霍尔跃迁。在填充因子ν=1和2的量子霍尔态之间观察到绝缘态，并首次在填充因子ν=2和3之间以及填充因子ν=4和6之间观察到绝缘态。后者与量子霍尔效应的原始全局相图相矛盾。我们认为，应用（垂直）磁场诱导绝缘行为的金属p-SiGe异质结构中以相同的方式在Si MOSFET。然后，这种绝缘体与整数量子霍尔态竞争，并被整数量子霍尔态打断，从而导致多重入跃迁。解释这些转变的相图与先前在Si MOSFET中获得的相图相似，从而证实了其通用性。
2001-07-09 cond-mat.str-el
Microscopic spin interactions in the CMR manganites
利用非弹性中子散射，我们测量了与"巨磁阻“（CMR）化合物Pr $_{0.70}$ Ca $_{0.30}$ MnO $_3$的铁磁（FM）团簇相关的微观磁耦合。当外加磁场诱导绝缘-金属（I-M）相变时，自旋波刚度常数出现不连续的变化。这一结果表明，探测区域经历了从绝缘到金属状态的一阶跃迁，并且在绝缘区域中没有FM金属畴。我们认为CMR锰氧化物中的I-M转变比大的FM金属团簇的简单渗流更复杂。
2001-10-31 cond-mat.str-el
Devitrification of a glass-like arrested ferromagnetic phase in La0.5Ca0.5MnO3
在La0.5Ca0.5MnO3锰氧化物的磁化强度测量表明，高温长程铁磁金属相转变为反铁磁绝缘相，虽然一小部分的铁磁金属相进行玻璃状动力学逮捕，并在低温下与平衡反铁磁绝缘相共存。在这里，我们表明，通过电阻率测量，剩余的逮捕铁磁金属部分可以转化为平衡反铁磁绝缘相通过连续退火在较高的温度下，可能通过平衡相的异质成核。值得注意的是，这种玻璃铁磁金属相的更大的分数可以通过在更高的领域和更大的转换到平衡反铁磁绝缘相的结果冷却。
2007-10-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electric field driven destabilization of the insulating state in nominally pure LaMnO3
我们报道了一个电场驱动的绝缘状态在名义上纯的LaMnO 3单晶与一个温和的领域，导致低于300 K的电阻状态转变的不稳定。过渡是在LaMnO 3的绝缘状态和具有与温度无关的电阻率的高电阻不良金属状态之间。过渡发生在阈值场（Eth），这表明冷却的急剧增强。而在较低的温度下，转变是尖锐的，并涉及大的电阻变化，但它软化加热，并最终在280 K以上消失。当Mn ~（4+）含量通过Sr取代增加到x=0.1时，所观察到的转变虽然在一定温度范围内可观察到，但软化相当大。观察已被解释为偏置驱动的两个共存相之间的渗流型转变，其中多数相是电荷和轨道有序的极化绝缘相和少数相是坏的金属相。从实验数据推导出的坏的金属相的流动分数f遵循活化动力学与活化能几乎等于200毫电子伏和前因子fo是一个强大的功能的字段，导致快速增强的F上的应用领域导致的电阻状态转变。我们建议可能的情况下，这种共存相在名义上纯的LaMnO 3，可以导致偏置驱动的渗滤型转变。
2013-03-04 cond-mat.str-el
Metallic islands in the Kondo insulator SmB$_{6}$
近藤物理和非平凡拓扑之间的相互作用在SmB $_{6}$的预测刺激了许多实验报告，其中一些是在明显的矛盾。争议的起源可能在于在Sm空位（Kondo空穴）和/或天然杂质（如Gd $^{3+}$）存在下Kondo绝缘相的脆弱性。在这项工作中，我们本地研究了这种脆弱性铝助熔剂生长的Sm $_{1-x}$ Gd $_{x}$ B $_{6}$单晶（0 $\leq$ $x$ $\leq$ 0.02）相结合的电子自旋共振（ESR）和互补体测量。Gd $^{3+}$在高稀释区的ESR谱（$x$ $\sim 0.0004$）显示出绝缘立方环境的特征。值得注意的是，对于更浓缩的样品（$x$ $\geq$ 0.004）观察到金属ESR线形，即使这些系统仍然处于合理的稀释状态并且显示绝缘的$dc$电阻率。我们的数据表明，在全局渗透发生之前，近藤绝缘态在杂质周围局部被破坏。这一结果不仅解释了$dc$和$ac$电导率之间的差异，而且还提供了一种解释在电阻率不存在量子振荡的情况下磁化量子振荡的存在的方案。
2020-10-08 cond-mat.str-el
Low-Temperature Insulating Phase of the Si(111)--7$\times$7 Surface
用扫描隧道谱、光电子能谱和密度泛函理论计算研究了Si（111）-7 $\times$ 7表面在20 K以下的电子结构.先前的实验研究已经质疑了这个表面的基态，由于每个晶胞中的电子数是奇数，所以在能带图中预计这个表面是金属的。我们的微分电导谱，而不是显示在费米能级的能隙和一个显着的温度依赖性的电子性质的开放，特别是对于吸附原子的中心的无故障的一半的晶胞。补充光电能谱与表面光电压位移的改进校正证实了微分电导数据，并证明了在17 K下没有表面带穿过费米能级。这些一致的实验观察点的绝缘基态和矛盾的预测得到的金属表面的密度泛函理论在广义梯度近似。计算表明，该表面具有或接近磁不稳定性，但在磁相中仍然是金属的，即使在平均场水平上包括相关效应。我们讨论了实验和计算之间观察到的差异可能的起源。
2021-04-19 cond-mat.str-el
Tuning Jeff = 1/2 Insulating State via Electron Doping and Pressure in Double-Layered Iridate Sr3Ir2O7
Sr_3Ir_2O_7具有一种新颖的Jeff=1/2绝缘态，其特征在于由于自旋-轨道相互作用而在Jeff=1/2和3/2带之间分裂。我们报告的金属-绝缘体转变Sr 3 Ir 2 O 7通过稀电子掺杂（La 3+的Sr 2+）或应用的高压高达35 GPa。我们对Sr_3Ir_2O_7单晶和（Sr_（1-x）Lax）_3 Ir_2 O_7揭示了在临界压力PC = 13.2GPa下，施加高静水压力P导致电阻率急剧减小多达六个数量级，表明间隙闭合;但进一步增加P到35 GPa在低温下不产生完全的金属态，这可能是由于键角θ的窄分布引起的局部化的结果。与此相反，轻微掺杂的La 3+离子的Sr 2+离子在Sr 3 Ir 2 O 7容易诱导一个强大的金属状态的电阻率在低温下，磁有序温度显着抑制，但仍然有限的（Sr0.95La0.05）3 Ir 2 O 7的金属状态发生。结果进行了讨论与Sr 2 IrO 4，杰夫= 1/2绝缘体的原型绘制的比较。
2013-04-18 cond-mat.str-el
Mott transition in multi-orbital systems
局域库仑相互作用驱动的金属-绝缘体相变是凝聚态物理中最有趣的现象之一。它们存在于各种各样的过渡金属化合物中。这些强相关材料中的大多数由源自电子d壳层的价带组成，其中轨道内和轨道间库仑相互作用同等重要，并且其中晶体结构将价带分成窄子带和宽子带。一个基本的问题是，这些系统是否表现出一个共同的莫特过渡，这意味着所有的子带是金属或绝缘，或连续的轨道相关的过渡，这意味着一个共存区域与金属和绝缘行为存在于不同的子带。利用动力学平均场论，我们表明，轨道间库仑相互作用导致一个单一的莫特转变。然而，子带表现出或多或少的强相关的激发光谱中的金属相和不同的带隙中的绝缘相。
2003-06-12 cond-mat.str-el
Effects of strain on the stability of the metallic rutile and insulating M1 phases of vanadium dioxide
本研究通过密度泛函理论探讨应变对二氧化钒金属金红石相与绝缘M1相稳定性的影响，发现沿V-V二聚化方向的$c$轴应变因减弱晶格刚度而主导相稳定性。
2025-10-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Nature of metallic and insulating domains in the CDW system 1T-TaSe2
该研究通过空间和角分辨光电子能谱（ARPES）及动态平均场理论计算，揭示了低温下1T-TaSe₂电荷密度波相中金属与绝缘畴的共存特性，以及金属区域量子阱态和堆垛层错对电子行为的主导作用。
2024-11-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Suppression of the Mott insulating phase in the particle-hole asymmetric Hubbard model
本研究通过动力学平均场理论揭示粒子-空穴不对称抑制单带Hubbard模型的Mott绝缘相，降低临界温度、增大临界相互作用，并提出用电荷密度表征金属-绝缘体转变。
2025-06-20 cond-mat.str-el
A New Two-Pole Approximation in the Hubbard Model. Metal-Insulator Transition
提出了一种新的双极近似，它可以描述在带宽增加时从绝缘态到金属态的转变，以及在某些化合物中可以观察到的随着温度的升高从金属态到绝缘态的转变。被认为是在半填充的顺磁性窄带材料的情况下。计算了电子系统的单粒子格林函数和能谱。得到了能隙宽度和极性态（空穴或双光子）浓度的表达式。找到了金属态和绝缘态的条件。
2000-02-22 cond-mat.str-el
Electron gas at the interface between two antiferromagnetic insulating manganites
我们从理论上研究了两种反铁磁和绝缘锰氧化物：La_（0.5）Ca_（0.5）MnO_3，一种强关联绝缘体，和CaMnO_3，一种带绝缘体之间界面的磁性和电学性质。我们发现，铁磁和金属的电子气形成在两个层之间的界面。我们通过计算面内电导证实了界面的金属特性。讨论了通过选择性掺杂提高电子气密度的可能性。
2008-04-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Emergence of a metallic meta-stable phase induced by electrical current in Ca_2RuO_4
结合宏观电输运和微观X射线衍射两个实验探针，对莫特绝缘体Ca_2RuO_4在电流驱动下的行为进行了综合研究。绘制了电阻率ρ对电流密度J和温度T的电阻率图。特别地，研究了电流偏置Ca_2RuO_4单晶在绝缘态和金属热力学态之间诱导的亚稳态。结合对所得RuO_6八面体能级的研究，这种分析表明，在亚稳区出现了金属晶体相。这种相的特殊性质，共存于完善的正交绝缘和四金属相，允许解释一些非常规的和令人困惑的行为在实验中观察到的，作为一个负微分电阻率。
2019-12-03 cond-mat.str-el
Nanoscale manipulation of the Mott insulating state coupled to charge order in 1T-TaS2
强关联电子的量子态对于理解凝聚态系统的奇异性质是至关重要的，并且对这些状态的可控性预示着独特的电子设备，例如Mott存储器。作为最近的一个例子，超快开关器件被证明使用之间的相关莫特绝缘状态和隐藏的顺序金属状态的层状过渡金属二硫属化物1 T-TaS 2的过渡。然而，隐藏的金属态的起源并不清楚，仅报道了通过激光脉冲和载流子注入的宏观开关。在这里，我们展示了纳米级的操纵莫特绝缘状态的1 T-TaS 2。来自扫描隧道显微镜的电子脉冲将绝缘相局部地切换成金属相，该金属相在电荷密度波（CDW）顺序中具有不规则的畴壁，这是Mott状态所固有的。金属态在Mott临界附近是一种新的关联相，在费米能级处具有相干性，这是由于CDW中的退相干导致电子关联的适度降低而引起的。这项工作为基于相关电子的新型纳米电子器件铺平了道路。
2015-05-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Dramatic Switching of Magnetic Exchange in a Classic Transition Metal Oxide: Evidence for Orbital Ordering
利用磁中子散射研究了$V_2O_3$及其衍生物金属相和绝缘相的自旋关联。金属样品具有不相称的自旋相关性，随着空穴掺杂的变化很小。顺磁性绝缘样品只有在近邻之间才有自旋相关性。从这两个阶段到低温绝缘反铁磁相的过渡是伴随着动态磁短程有序的突变。我们的结果支持了这样的观点，即到反铁磁绝缘体的转变也是一个轨道有序转变。
1996-11-13 cond-mat.str-el
Insulating and metallic spin glass in K$_{x}$Fe$_{2-δ-y}$Ni$_{y}$Se$_{2}$ (0.06 $\leq$ $y$ $\leq$ 1.44) single crystals
本文报道了Ni在KPDMATHABMM Fe $_{2-δ-y}$ NiPDMATHABMOSePDMATHABMP（0.06PDMATHABMQPDMATHABMRPDMATHABMQ1.44）单晶合金中的电子掺杂效应。观察到丰富的基态相图。少量的Ni（$\sim$ 4%）抑制了1.8K以下的超导电性，诱导绝缘的自旋玻璃磁基态。随着进一步的Ni取代，金属电阻率恢复。对于高Ni浓度的晶格中的晶胞对称性是高对称性$I4/mmm$没有相分离，而两个$I4/m + I4/mmm$空间群被检测到在相分离的晶体中，当浓度的Ni $<$ Fe。超导性的缺乏与晶体Fe空位顺序的缺乏相一致。
2016-04-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Metal-insulator transition in layered nickelates La$_3$Ni$_2$O$_{7-δ}$ ($δ$=0.0, 0.5, 1)
用从头算方法研究了通式为$_3$ $_2$ O $_{7-δ}$（$δ$ =0.0，0.5，1）的三种低价层状镍酸盐.绝缘和金属的限制进行了分析，连同在莫特转变（$δ$ = 0.5;镍$^{2+}$），显示绝缘行为的化合物，与所有的Ni原子在S=1的高自旋状态。在$δ$ = 1极限的化合物（La $_3$ Ni $_2$ O $_6$），具有平均形式价Ni $^{1.5+}$，因此名义上是金属的，然而显示出相关的{ \it分子}绝缘状态，由NiO $_2$双层的量子限制和间隙周围主要d $_{z^2}$带（键-反键分裂）的存在产生。金属化合物显示出较大的带宽的电子$_g$状态，可以维持实验观察到的顺磁性金属性质。讨论了面内反铁磁耦合随氧含量的变化规律，以及这一系列化合物与层状超导铜氧化物的相似性。
2011-03-12 cond-mat.str-el
Surface versus bulk Mott transition in Ca$_x$La$_{1-x}$VO$_3$
已知如果La被低浓度的Ca替代，则莫特绝缘体LaVO $_3$变为金属。由于各种钙钛矿的表面准粒子光谱比它们的体光谱更强地相关，金属体和绝缘表面层的共存可能是可行的。为了研究这种可能性的动力学平均场论是用来评估在体和表面的钙$_x$ La $_{1-x}$ VO $_3$的各种钙浓度的准粒子光谱。
2003-01-28 cond-mat.str-el
Electron paramagnetic resonance studies of the insulating ferromagnetic manganite Nd_0.8Pb_0.2MnO_3 above the transition temperature
采用PbO- PbF_{2}助熔剂高温溶液法生长了x=0.2的Nd_{1-x} Pb_{x} MnO_{3}单晶。磁化强度研究表明，在T_c ~ 125 K以下，样品转变为铁磁态，电阻率测量表明，在50 ~ 300 K温度范围内，样品为绝缘体。对T > T_{C}进行了电子顺磁共振研究，并与金属铁磁锰氧化物的结果进行了比较。在150 - 300 K温度范围内研究了g值、线宽和强度等参数的温度依赖性。据发现，它们表现出类似的方式，由金属铁磁锰氧化物。
2002-09-24 cond-mat.str-el
Signature of Cooper Pairs in the Non-Superconducting Phases of Amorphous Superconducting Tantalum Films
本文研究了非晶Ta超导薄膜中的磁场或无序诱导的绝缘相和金属相。随着磁场的增加，绝缘相的非线性输运的演化呈现出非单调的行为。我们认为，这一观察可能是一个证据的存在，本地化的库珀对在绝缘相。由于金属相介入了Ta薄膜的超导态和绝缘态，这一结果进一步揭示了金属基态中也存在库珀对。
2015-02-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Visualizing the atomic-scale origin of metallic behavior in Kondo insulators
近藤晶格通常在低温下是电绝缘的。然而，最近的几个实验已经检测到在近藤绝缘相内的大量金属性的签名。在这里，我们可视化的真实空间电荷景观内的近藤晶格原子分辨率使用扫描隧道显微镜。我们发现了纳米级的金属导电电子的水坑周围的铀现场取代重费米子化合物URu $_2$ Si $_2$，周围的钐现场缺陷的拓扑近藤绝缘体SmB $_6$。这些缺陷扰乱了近藤屏蔽云，留下了金属母态的指纹。我们的研究结果表明，神秘的三维量子振荡测量的钐$_6$可能会产生这些近藤晶格缺陷，虽然我们不能排除其他的解释。我们的成像技术可以使原子尺度的电荷传感器的发展，使用重费米子探针。
2023-03-27 cond-mat.str-el
Evolution of a band insulating phase from a correlated metallic phase
利用高分辨光电子能谱研究了SrRu_（1-x）Ti_xO_3中电子结构随x的变化，其中SrRuO_3是弱关联金属，SrTiO_3是能带绝缘体.表面光谱表现出金属-绝缘体转变在x = 0.5通过打开一个软间隙。硬间隙出现在较高的x值与运输性能一致。与此相反，体光谱显示在费米能级的赝能隙，和不寻常的演化表现出明显的加宽的相干特征和随后的强度降低的较低的哈伯德带与x的增加。有趣的是，第一原理的方法被发现是足够的捕获在高能量尺度的异常演化。光谱线形的分析表明，在这个系统的电子性质的无序和电子关联之间的强烈相互作用。
2007-04-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
