Effect of Top Al$_2$O$_3$ Interlayer Thickness on Memory Window and Reliability of FeFETs With TiN/Al$_2$O$_3$/Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$/SiO$_x$/Si (MIFIS) Gate Structure
研究了MIFIS栅极结构Si-FeFETs中顶部Al2O3中间层厚度对存储窗口和可靠性的影响,发现厚度增加使MW先增后稳但导致可靠性变差,为器件优化提供依据。
2024-11-13 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Visualization of Band Shifting and Interlayer Coupling in WxMo1-xS2 Alloys using Near-Field Broadband Absorption Microscopy
超越衍射极限的光学吸收光谱提供了关于组分扩散和堆叠的二维材料的渐变能带结构的深刻信息,其中直接/间接带隙、层间耦合、滑动和可能的缺陷显著地改变其光电功能,例如光致发光效率。我们在这里可视化的空间变化的能带结构的单层和双层过渡金属二硫族化物合金的第一次通过使用近场宽带吸收显微镜。近场光谱和空间图表明激子能带的位移,从组成扩展和层间耦合的相互作用的结果。这些结果使我们能够确定双层合金的顶层为纯WS 2。我们还使用无像差的近场透射图像来标定合金和纯过渡金属二硫族化物的精确边界。该技术可以为堆叠科学时代的各种层状结构提供新的见解,以寻求新颖的量子光电子器件。
2022-01-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Effects of Reduced Interlayer Interactions on the K-point Excitons of MoS$_2$ Nanoscrolls
本文研究了MoS$_2$纳米卷中因不对称混合堆叠和应变不均匀性导致的层间相互作用减弱现象,通过低温光致发光光谱揭示了其对K点激子特性(如激子-声子耦合、能量及振子强度)的影响。
2024-04-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
The combined effect of temperature and disorder on interlayer exchange coupling in magnetic multilayers
我们研究了温度和间隔层中的无序对层间交换耦合的综合影响。在从头算水平上处理温度依赖性。我们采用自旋极化表面格林函数技术内紧束缚线性松饼罐轨道方法和劳埃德制定的IEC。涉及费米-狄拉克分布的积分计算使用一种有效的方法的基础上表示的被积函数的总和的复指数。应用于具有不同间隔层厚度的Co/ Cu_{100-x} M_x/Co(001)三层(M=Zn、Au和Ni)。
1998-11-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Atomic-Scale Observation of Moire potential in Twisted Hexagonal Boron Nitride Layers by Electron Microscopy
本文利用化学剥离制备原子级清洁的扭转六方氮化硼纳米层,通过像差校正高分辨率透射电子显微镜结合快速傅里叶逆变换重建莫尔势,揭示层间原子重叠决定其周期性与分布,为莫尔超晶格研究提供了通用观测策略。
2025-02-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Synthesis and structural/microstructural characteristics of antimony doped tin oxide $(Sn_{1-x}Sb_{x}O_{2-δ})$
采用固相反应法合成了x = 0.00,0.10,0.20,0.30的$(Sn_{1-x}Sb_{x}O_{2-δ})$的体相样品。采用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见光谱(UV-Vis)对样品进行了表征。X射线衍射图表明,$(Sn_{1-x}$ $Sb_{x}O_{2-δ})$的总结构/相不随锑(Sb)的取代而改变,直至x = 0.30。用SEM的表面形态学检查揭示了这样一个事实,即锑掺杂样品中的晶粒尺寸大于未掺杂样品的晶粒尺寸,因此晶粒之间的孔隙/空隙随着Sb浓度增加至0.30。未掺杂样品的TEM图像表明,$SnO_{2}$颗粒的直径范围为25 - 120 nm,大多数颗粒为立方体或球形。随着锑含量的增加,纳米立方体/球转化为微米立方体/球。对于360 - 800 nm波长范围,随着锑(Sb)浓度的增加,$Sn_{1-x}Sb_{x}O_{2-δ}$样品的反射率增加,而这些样品的吸光度降低。利用紫外-可见吸收光谱对Sb掺杂- $SnO_{2}$样品的能带结构进行了研究。当Sb浓度增加时,发现样品的带隙从3.367 eV增加到3.558 eV。
2011-07-09 cond-mat.mtrl-sci
An interlayer with low solubility for lithium enhances tolerance to dendrite growth in solid state electrolytes
采用金属锂作为阳极的所有固态锂离子电池提供更高的能量密度,同时也比常规的基于液体电解质的锂离子电池更安全。然而,穿过固态电解质层的微小锂丝(枝晶)的生长导致电池过早短路并限制其实际可行性。导致固态电池中锂枝晶生长的微观机制仍然不清楚。使用石榴石基锂离子导体作为模型固态电解质,我们表明,在锂溶解过程中的界面空隙生长之前的枝晶形核和生长。使用一个简单的静电模型,我们表明,在空隙的边缘的电流密度可以被放大多达四个数量级,使细胞非常容易在空隙形成后的枝晶生长。我们建议使用具有低溶解度和高成核过电位的金属夹层来延迟空隙的生长。这些中间层增加了固态电解质中的枝晶生长耐受性,而不需要过高的堆压力。
2020-01-17 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Ultrafast photocurrent and absorption microscopy of few-layer TMD devices isolate rate-limiting dynamics driving fast and efficient photoresponse
尽管固有地较差的层间导电性,但是由2D过渡金属二硫属化物(TMD)(例如WSe $_2$和MoS $_2$)的少层器件制成的光电探测器仍然可以产生期望的快速($\leq$ 90 ps)和有效($ε$ $>$ 40 ps %)的光响应。通过结合超快光电流(U-PC)和瞬态吸收(TA)显微镜,竞争的电子逃逸和重组率明确地确定在其他复杂的动力学。WSe $_2$的U-PC和TA响应都产生匹配的层间电子逃逸时间,其在施加$E$ -场的情况下从1.6 ns加速到86 ns,以预测实现的最大器件PC效率为$\sim$ 44\%。逃逸速率相对于$E$ -场的斜率表明平面外电子和空穴迁移率分别为0.129和0.031 cm $^2$ /V $s$。在$\sim$ 10 $^{11}$光子/cm $^{2}$入射通量以上,缺陷辅助俄歇散射通过在空位缺陷处捕获载流子而大大降低效率。TA和PC光谱都识别出具有$\sim$ 5.6 ns寿命的金属-空位子带隙峰作为捕获载流子的主要陷阱,因为它们在层之间跳跃。同步TA和U-PC显微镜显示收集的\ net PC是由电子逃逸的动力学速率定律模拟的,与线性和非线性俄歇复合速率竞争。这个简单的速率模型进一步预测了基于PC的动力学,非线性幅度和效率,$ε$在10 $^5$范围内的入射光子通量在几层WSe $_2$和MoS $_2$设备。
2020-03-30 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Anomalous Interlayer Exciton Diffusion in Twist-Angle-Dependent Moiré Potentials of WS$_2$-WSe$_2$ Heterobilayers
半导体范德华异质结构中的莫尔条纹引入的纳米级周期势为设计激子超晶格提供了一个新的平台。为了实现这些应用,有必要深入了解层间激子在莫尔势中的定域和离域。在这里,我们研究了层间激子动力学和传输调制的摩尔势在WS $_2$ -WSe $_2$异质双层膜在时间,空间和动量域使用瞬态吸收显微镜结合第一性原理计算。实验结果验证了理论预测的能量有利的K-Q层间激子和解开激子布居动力学是由扭曲角依赖的K-Q和K-K激子之间的能量差控制。空间和时间分辨的激子群体成像直接可视化激子本地化的扭曲角相关的摩尔势~100 meV。激子输运由于莫尔势和强多体相互作用之间的相互作用而显著偏离正常扩散,导致激子密度和扭转角依赖的扩散长度。这些结果对于设计用于激子和自旋输运以及量子通信应用的VDW异质结构具有重要意义。
2019-10-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Robust Dipolar Layers between Organic Semiconductors and Silver for Energy-Level Alignment
研究证明银上完全去质子化的BTB单分子层可形成抗混合、具显著电偶极且不依赖衬底终端的致密界面层,用于功函数调控与有机半导体能级对齐。
2024-03-13 cond-mat.mtrl-sci
Tin+1Cn MXene with fully saturated and thermally stable Cl terminations
MXenes是一个快速增长的2D材料家族,具有高度通用的结构和组成,允许对材料特性进行重大调整。然而,这些性质最终受到表面封端的限制,表面封端通常是物质的混合物,包括MXene加工所固有的F和O。缺乏其他可靠的终端。在这里,我们应用高分辨率扫描透射电子显微镜(STEM),相应的图像模拟和第一性原理计算,以调查的表面终端MXene合成MAX相通过路易斯酸熔体。结果表明,原子Cl终止合成的MXene,仅残留存在其他终止物质。此外,原位STEM-电子能量损失谱(EELS)加热实验表明,Cl末端在高达750 °C下是稳定的。因此,我们提出了一种有吸引力的新终止,广泛扩展了MXene官能化空间并实现了新的应用。
2019-01-16 cond-mat.mtrl-sci
Alloying as a new route to generating interlayer excitons
本研究提出通过合成过渡金属二硫族化合物双层合金WS$_{2x}$Se$_{2(1-x)}$产生层间激子的新方法,证实其内建电场可形成类II型能带排列实现高效激子产生,结合实验与理论揭示了自旋极化主导圆偏振度的机制,为相关基础研究和技术应用提供了新途径。
2025-07-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Energy-resolved Photoconductivity Mapping in a Monolayer-bilayer WSe2 Lateral Heterostructure
范德华材料的垂直和横向异质结构为能带结构工程提供了巨大的灵活性。由于电子带的缺陷,应变和层间耦合的敏感影响,这些二维(2D)系统的边缘和异质结可能会表现出新的物理特性,这可以完全揭示只有空间分辨探针。在这里,我们报告的空间映射的光电导在单双层WSe 2横向异质结构下的多激发激光。随着光子能量的增加,微波阻抗显微镜检测到的光诱导电导首先出现沿异质界面和双层边缘,然后沿单层边缘,双层区域内,最后在单层区域的内部。可动载流子在样品不同截面上的相继出现与局域能隙的理论计算相一致。定量分析的显微镜和运输数据也揭示了线性依赖的激光强度和层间耦合的载流子复合的光电导。结合理论建模,原子尺度成像,介观阻抗显微镜,和设备级的表征,我们的工作提出了一个令人兴奋的观点,以控制在2D异质结构的固有带隙变化下降到几个纳米政权。
2018-10-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electron-beam-induced Contactless Manipulation of Interlayer Twist in van der Waals Heterostructures
Polytechnic University of Turin(都灵理工大学);Empa, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology(瑞士联邦材料科学与技术研究所);Italian Institute of Technology(意大利理工学院);University of Cagliari(卡利亚里大学)
本研究通过电子束诱导电荷注入实现了对范德瓦尔斯异质结构层间扭角的无接触操控,利用界面电场产生静电扭矩并诱导角位移。
2025-10-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Bipolar High Power Impulse Magnetron Sputtering for energetic ion bombardment during TiN thin film growth without the use of a substrate bias
研究了在高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)负脉冲(双极HiPIMS)后直接施加正电压脉冲(Urev = 10 - 150 V)对反应溅射沉积TiN薄膜的影响。进行能量分辨质谱分析以深入了解对各种离子的离子能量分布函数的影响。它表明,大部分离子的能量可以通过反向靶势和增益能量对应于所施加的Urev来调谐。显微镜观察和X-射线反射仪显示致密化的膜,这导致在膜硬度从23.9 GPa增加到34 GPa,以及增加在压缩膜应力从2.1 GPa到4.7 GPa时,比较传统的HiPIMS与双极HiPIMS(Urev = 150 V)。
2019-06-14 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Ferromagnetic interlayer exchange coupling in a few layers of CrSBr on a gold thin film
University of Groningen(格罗宁根大学);Lawrence Berkeley National Laboratory(劳伦斯伯克利国家实验室);Radboud University(拉德堡德大学);Bielefeld University(比勒费尔德大学)
研究通过电子显微镜观察发现,少于11nm的CrSBr层在金基底上呈现铁磁态,电子从金基底转移到CrSBr导致铁磁有序稳定,揭示了二维磁体通过基底工程调控磁性潜力。
2026-04-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Room-temperature ferromagnetism in epitaxial bilayer FeSb/SrTiO3(001) terminated with a Kagome lattice
本研究在SrTiO3(001)衬底上外延生长了二维非范德华铁磁双层FeSb,其居里温度高于300K且具有面内磁各向异性,终止层为Fe Kagome层,为自旋电子学中探索铁磁与拓扑相互作用开辟了新途径。
2023-11-10 cond-mat.mtrl-sci
Compositional dependence of epitaxial Tin+1SiCn MAX-phase thin films grown from a Ti3SiC2 compound target
本文研究了在室温(无外加加热)~ 970 ℃范围内溅射Ti_3SiC_2复合靶以及850 ℃溅射功率对在Al_2O_3(0001)衬底上沉积Ti_3SiC_2薄膜的影响。从飞行时间能量弹性反冲检测分析获得的元素组成显示在所有膜中过量的碳,这是由C,Si和Ti之间的角分布的差异来解释的,其中C在溅射过程中散射最少。氧含量为2.6at.%在室温下沉积的薄膜中,随着沉积温度的升高而降低,表明较高的温度有利于高纯度的薄膜。通过X射线光电子能谱学进行的化学键分析显示,Ti 3 SiC 2薄膜中存在C-Ti和Si-C键,而Ti 3 SiC 2化合物靶中存在Si-Si键。X射线衍射结果表明,在850 ℃以上的衬底温度下,Ti 3SiC 2复合靶可以沉积出Ti 3SiC 2、Ti4 SiC 3和Ti 7Si 2C 5相,而在较低的温度下,可以沉积出TiC和Nowotny相Ti 5Si 3Cx。高分辨率扫描透射电子显微镜显示在970 oC时Ti 3SiC 2、Ti4 SiC 3和Ti 7Si 2C 5在TiC上外延生长。四点探针电阻率测量给出在120至450微欧姆-cm范围内的值,并且对于包含Ti 3SiC 2、Ti4 SiC 3和Ti 7Si 2C 5的膜获得最低值。
2019-01-17 cond-mat.mtrl-sci
Stabilization of magnetic bubbles in [Ni/Co]$_{n}$ multilayers on an oxygen-reconstructed Nb(110) surface via an ultra-thin Cu interlayer
本研究在保留 Nb(110) 氧化物表面重构的前提下,通过单原子层 Cu 中间层促进有序 [Ni/Co]$_{n}$ 多层膜外延生长,并用 SPLEEM 直接观测到小至 450 nm 的面外磁泡。
2025-02-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tuning the Interlayer Microstructure and Residual Stress of Buffer-Free Direct Bonding GaN/Si Heterostructures
GAN与Si的直接集成可以提高低成本、大规模和高功率器件应用的巨大潜力。然而,由于其大的晶格和热膨胀系数失配,在Si上直接生长GAN而不使用厚的应变消除缓冲层仍然具有挑战性。在这项工作中,GAN/Si异质界面没有任何缓冲层,成功地在室温下通过表面活化键合(SAB)。利用显微拉曼光谱和透射电子显微镜对GAN/Si异质结的残余应力状态和界面微结构进行了系统的研究。与MOCVD生长在Si上的GAN层中存在的大的压应力相比,SAB键合到Si上的GAN层中观察到显著松弛且均匀的小的张应力,这主要归因于键合界面处形成的非晶层。此外,还发现适当的热退火可以显着调节键合GAN/Si异质界面的界面微观结构和应力状态。这项工作向前迈出了重要的一步,直接将GAN集成到目前的Si CMOS技术中,具有高质量的薄界面,并为GAN电子器件的晶圆级低成本制造带来了巨大的希望。
2023-02-03 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Determination of the trigonal warping orientation in Bernal-stacked bilayer graphene via scanning tunneling microscopy
多层(N $\geq$ 2)石墨烯膜和石墨中低能电子态在K点附近存在强三角翘曲。它是负责的现象,如Lifshitz转变和各向异性弹道输运。然而,三角翘曲相对于布里渊区中心的绝对取向还没有达成一致。在这里,我们使用准粒子散射实验上的门控双层石墨烯/六方氮化硼异质结来解决这个分歧。我们比较傅立叶变换的散射干涉图获得在各种能量远离电荷中性点与紧束缚为基础的联合态密度模拟。这种比较能够明确确定双层石墨烯低能态的三角形翘曲取向。我们的实验技术是有前途的准直接研究的精细功能的能带结构的门控二维材料,如拓扑结构的转变,层间杂化,和莫尔迷你带。
2020-03-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Untangling 3D atomic reconstruction in twisted bilayer 2D crystals via dark field transmission electron microscopy
National University of Singapore(新加坡国立大学);Paul Scherrer Institute(保罗谢尔研究所);University of Manchester(曼彻斯特大学)
本文利用暗场透射电子显微镜(DF-TEM)建立局部堆叠与图像强度的定量关系,从DF图像中提取三维原子位移和层间距,解决了扭曲二维材料中原子重构的三维分布测量难题。
2026-07-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Quantification of magnetic interactions in van der Waals heterostructures using Lorentz transmission electron microscopy and electron holography
Ernst Ruska-Centre for Microscopy and Spectroscopy with Electrons, Forschungszentrum Jülich(尤利希研究中心恩斯特·鲁斯卡电子显微镜与谱学中心);Peter Grünberg Institute, Forschungszentrum Jülich(尤利希研究中心彼得·格林贝格研究所);Department of Inorganic Chemistry, University of Chemistry and Technology Prague(布拉格化学技术大学无机化学系)
研究通过洛伦兹透射电镜和电子全息术量化Fe3GeTe2/石墨/Fe3GeTe2异质结构中的磁相互作用,发现磁域对齐随FGT分离增加而减弱,确定了磁偶极耦合长度尺度为34±4nm,并揭示了表面效应和磁域壁特性。
2026-08-28 cond-mat.mtrl-sci
Strong many-body interactions in ultrathin anisotropic tin (II) monosulfide
具有强结构各向异性的二维(2D)单硫化锡(SnS)已被证明是磷烯类似物。然而,分离非常薄的SnS层的困难给实际应用带来了挑战。在这里,我们通过液相剥离来制备SnO 2。用透射电子显微镜,我们确定了2D SnS的屈曲结构。我们采用温度依赖的拉曼光谱来阐明电子-声子相互作用,它揭示了一个线性的声子位移。与其他二维材料相比,SnSnS的主动拉曼模式表现出更高的温度敏感性。此外,我们证明了强大的光-物质相互作用的SnSnS使用Z-扫描和超快光谱。多粒子激发效应引起的激子-激子和相干激子-光子相互作用增强了SnS的非线性光学性质。我们的研究结果突出了对热电和光子器件的改进的双金属各向异性的SnS的合成的前景。
2019-12-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Thermal transport evolution due to nanostructural transformations in Ga-doped indium-tin-oxide thin films
本文对不同Ga浓度(0-30 at. s)的氧化铟锡(ITO)薄膜的热导率进行了全面的理论和实验研究。%)。X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜显示在15-20原子的范围内的结构转变。%的Ga从纳米晶相转变为非晶相。室温飞秒时域热反射测量结果表明,在2.0-0.5 W/(m K)的范围内,取决于Ga掺杂水平的热导率的非线性下降。将密度泛函理论计算与XRD数据进行比较,发现Ga原子取代了ITO纳米晶体中的In原子,保留了Ia-3空间群对称性。计算的声子色散关系表明,Ga掺杂导致出现杂化金属原子的振动与避免交叉行为。这些杂化振动具有缩短的平均自由程,是纳米晶相热导率下降的主要原因。在15-20 at. %的Ga。喷雾热分解法制备的ITO:Ga薄膜具有良好的热传导性能,这对ITO:Ga薄膜的热电应用具有重要意义。
2021-04-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tracking visible pulsed laser annealing of Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$ heterostructures with in situ transmission electron microscopy
Institut national de la recherche scientifique (INRS)(法国国家科学研究学院);McGill University(麦吉尔大学)
研究通过原位透射电镜监测可见光纳秒脉冲激光退火对Hf₀.₅Zr₀.₅O₂异质结构的结晶过程,发现激光能量阈值行为及最佳退火条件。
2026-05-02 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Electron microscopy probing electron-photon interactions in SiC nanowires with ultra-wide energy and momentum match
纳米材料通常可以捕获光并与其强烈相互作用,从而导致许多光子器件应用。光-物质相互作用的研究通常采用光学光谱技术,但其存在衍射受限、动量传递微小、激发/探测不连续等局限性。本文利用扫描透射电子显微镜-电子能量损失谱(STEM-EELS)技术,利用超宽的能量和动量匹配和亚纳米空间分辨率,研究了单根SiC纳米线的光学微腔共振谱。同时激发和探测到纵向法布里-珀罗(FP)共振模和横向回音壁模(WGM),其光谱范围从近红外(~ 1.2 μm)到紫外(~ 0.2 μm),动量传递范围可达108 cm{^{-1}}。纳米线的共振光谱的尺寸效应也被揭示。此外,共振EELS的纳米尺度的衰减长度被揭示,这是由SiC纳米线中的强局域化的电子-光子相互作用。这一工作为研究单根纳米线结构的光共振光谱和介电纳米结构中光-物质相互作用提供了一种新的方法,也为利用光子结构调制自由电子提供了一种新的途径.
2022-04-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Hermetic chip-scale packaging using Au:Sn eutectic bonding for implantable devices
植入式设备的封装和新功能的进步要求开发紧凑、密封和CMOS兼容的微封装方法。金-锡基共晶接合具有在低于350 \degree C的工艺温度下实现低封装面积密封和低透湿性的潜力。本文详细介绍了一种从市售溶液中通过顺序电镀沉积金锡共晶合金框架的方法,该方法不需要特殊的制造工艺。通过剪切力测量、扫描电子显微镜、目视检查和浸泡试验表征粘合质量。评价了密封几何形状、焊料厚度和粘合工艺参数的表征,以及粘合层对人成纤维细胞的毒性评估。AuSn共晶键合的成功键合率超过70%,且无细胞毒性效应,是一种适合于植入式应用中集成电路保护的方法。
2021-05-27 cond-mat.mtrl-sci physics.med-ph
Considerations for extracting moiré-level strain from dark field intensities in transmission electron microscopy
本文分析了基于4D-STEM的布拉格干涉测量法在提取莫尔尺度应变时的采集参数限制与计算后处理瓶颈,并提出改进方法以提升空间分辨率和扩展对扭曲结构的探测能力。
2024-07-30 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Direct visualization of electromagnetic wave dynamics by laser-free ultrafast electron microscopy
将飞秒(fs)激光与电子显微镜相结合,可以在实时和空间中对材料的瞬态结构和形态进行直接成像,即超快电子显微镜(UEM)。在这里,我们报告了无激光UEM的开发,该UEM提供相同的实时成像能力和高时空分辨率,但不需要昂贵的fs激光器和复杂的仪器修改。我们创建皮秒电子脉冲探测动态事件通过斩波连续束与射频(RF)驱动的脉冲发生器,其中的电子脉冲的重复率是可调的从100 MHz到12 GHz。对于样品激发,能够实现相同宽带的电磁波。作为第一个应用程序,我们研究了GHz的电磁波传播动力学的叉指梳状结构,这是RF微机电系统的基本构建块之一。一系列的泵浦-探测图像揭示了纳米空间和皮秒时间尺度上的梳齿周围的瞬态振荡电磁场,以及时间分辨的极化、振幅和非线性局部场增强。这项研究的成功证明了低成本的无激光UEM在许多研究领域,特别是与信息处理技术相关的设备中的电动力学的真实空间可视化的可行性。
2020-06-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph