具有空间不相关散射的鲁棒量子异常霍尔效应

Disorder-induced nonlinear Hall effect with time-reversal symmetry

The nonlinear Hall effect has opened the door towards deeper understanding of topological states of matter. It can be observed as the double-frequency Hall voltage response to an ac longitudinal current in the presence of time-reversal symmetry. Disorder plays indispensable roles in various linear Hall effects, such as the localization in the quantized Hall effects and the extrinsic mechanisms of the anomalous, spin, and valley Hall effects. Unlike in the linear Hall effects, disorder enters the nonlinear Hall effect even in the leading order. However, the disorder-induced contribution to the …

随机晶格模型中杂质平均：周期边界条件的应用：应用于无相关性和相关性杂质的模型

Disorder averaging in random lattice models with periodic boundary conditions: Application to models with uncorrelated and correlated disorder

本文研究了在周期边界条件下随机晶格模型中杂质平均的方法，通过几何相位理论计算极化方差及高阶矩，并验证了在特定参数范围内模型的局域化特性。

无序在内禀轨道霍尔效应中的作用

Role of Disorder in the Intrinsic Orbital Hall Effect

本文通过量子玻尔兹曼方程研究随机缺陷散射对轨道霍尔效应的影响，发现任意弱无序可影响甚至完全抑制内禀轨道霍尔电流，并指出无序在轨道电子学中可能具有重要作用。

无序Skyrmion织构中的拓扑Hall和自旋霍尔效应

Topological Hall and Spin Hall Effects in Disordered Skyrmionic Textures

我们进行了全面的拓扑霍尔和拓扑自旋霍尔效应在无序skyrmionic系统的研究：无量纲（自旋）霍尔角的评估跨能量能带结构的多探针Landauer-Büttiker形式主义和他们的链接出现的自旋纹理的真实空间拓扑结构的有效磁场突出。我们讨论了这些结果的最佳skyrmion的大小和各种尺寸的样品，发现绝热近似仍然适用于大skyrmion以及几个原子大小的nanoskyrmion。最后，我们测试了拓扑信号对无序强度的鲁棒性，表明拓扑霍尔效应对动量散射高度敏感。

无序石墨烯中的中性电流霍尔效应

Neutral-current Hall effects in disordered graphene

一个非本地霍尔棒的几何形状被用来检测中性电流霍尔效应在二氧化硅上的石墨烯。在超高真空中添加Au或Ir吸附原子可以调谐无序。一个可重复的中性电流霍尔效应被发现在这两个制造和adatom修饰的石墨烯。霍尔角表现出复杂但可再现的依赖于栅极电压和无序，并显着打破电子空穴对称性。霍尔和逆霍尔探针之间的长度的指数依赖性表明约300 nm的中性电流弛豫长度。在平行磁场中弛豫长度较短且无进动，表明中性电流为谷电流。从7-300 K几乎没有温度依赖性是前所未有的，并有希望使用受控的无序室温中性电流电子学。

具有Rashba自旋轨道耦合和无序的二维电子系统中的自旋霍尔效应

Spin-Hall Effect in Two-Dimensional Electron Systems with Rashba Spin-Orbit Coupling and Disorder

利用四端Landauer-Büttiker公式和格林函数方法，数值计算了具有Rashba自旋轨道耦合和无序的二维结系统的自旋霍尔电导.我们发现自旋霍尔电导可以远大于或小于普适值$e/8π$，这取决于SO耦合的大小，电子费米能和无序强度。自旋霍尔电导不随样品尺寸的增加而消失，在很宽的无序强度范围内。数值计算表明，当无序强度小于某一临界值时，非零的SO耦合可以引起电子离域，非零的自旋霍尔效应主要出现在金属区.

无序对$ν=1$量子霍尔态的影响

The Effects of Disorder on the $ν=1$ Quantum Hall State

采用无序平均Hartree-Fock方法计算了填充因子为$ν=1$的量子霍尔系统的单粒子态密度。结果发现，传输和自旋极化实验可以同时解释的模型，主要是短程有效的障碍。平行场中的输运能隙（由于准粒子）的斜率是无序引起的展宽和交换之间相互作用的结果，并对skyrmion局域化产生影响。

Dissipative and Hall viscosity of a disordered 2D electron gas

We study the dissipative and Hall viscosity of a disordered noninteracting 2D electrons, both analytically and numerically. Analytically, we employ the self-consistent Born approximation, explicitly taking into account the modification of the single-particle density of states and the elastic transport time due to the Landau quantization. The reported results interpolate smoothly between the limiting cases of weak (strong) magnetic field and strong (weak) disorder. In the regime of weak magnetic field, our results describes the quantum (de Haas-van Alphen type) oscillations of the dissipative a…

Weyl半金属中手征边缘模和反常霍尔电导的无序效应

Disorder effect on chiral edge modes and anomalous Hall conductance in Weyl semimetals

典型的外尔半金属主机手性表面状态，因此显示出异常的霍尔响应。虽然Weyl半金属相被认为是强大的，对弱无序，无序的手征状态的影响还没有完全澄清。我们研究的行为，这种手性状态的存在下的障碍及其后果的异常霍尔响应，专注于薄板的外尔半金属手性表面状态沿其边缘。结果表明，弱无序不破坏手征边缘状态，但严重影响他们由于重整化的质量参数：手征边缘状态的数量的变化取决于无序的强度。当费米能级位于有限间隙内的外尔节点附近时，霍尔电导是量子化的。这种量子化的霍尔电导崩溃，一旦无序的强度超过一个临界值，这表明它作为一个探针，以区分外尔半金属相从扩散异常霍尔金属相。

无序二维电子系统中的自旋霍尔效应

Spin-Hall effect in a disordered 2D electron-system

我们计算自旋霍尔电导率的二维电子气内的自洽玻恩近似，不同的强度和类型的障碍。在弱无序极限，我们发现无论是解析和数值消失的自旋霍尔电导率，即使当我们允许一个动量依赖的散射。将无功响应与耗散电流响应分开，我们发现无功响应的普适值$σ^R_{sH} = e/8 π$，其与耗散部分$σ^D_{sH} = -e/8 π$相抵消。

拓扑绝缘体纳米线中电导涨落和无序诱导的$ν=0$量子霍尔平台

Conductance fluctuations and disorder induced $ν=0$ quantum Hall plateau in topological insulator nanowires

暴露在磁场中的干净拓扑绝缘体会产生朗道能级，并伴随着无限平板几何形状的非零霍尔电导率。在这项工作中，我们考虑的情况下，无序的拓扑绝缘体纳米线和发现，相比之下，零霍尔高原出现在一个广泛的能量窗口接近狄拉克点。我们数值计算了无序纳米线统计系综的电导及其分布，并利用电导涨落研究了绝缘相对纳米线长度、无序强度和磁场等系统参数的依赖关系。

分数量子霍尔液体的迁移率能隙：无序和层厚的影响

Mobility gap in fractional quantum Hall liquids: Effects of disorder and layer thickness

研究了有限层厚和关联无序势作用下分数量子霍尔区二维电子气的行为。将陈氏数的计算推广到多体系统，在微观模型下，根据陈氏数的分布确定分数量子霍尔态的迁移率带隙。我们发现实验测量的激活间隙和我们计算的迁移率间隙之间的协议，结合无序势和层厚度的影响。我们澄清了分数量子霍尔态的迁移率带隙和光谱带隙之间的区别，并解释了无序驱动的带隙坍塌以及随后从分数量子霍尔态到绝缘体的跃迁。

磁序与相互作用在量子霍尔系统中的相互作用：从分数量子霍尔液体到威格纳晶体和非晶固体

Interplay of disorder and interaction in quantum Hall systems: from fractional quantum Hall liquids to Wigner crystals and amorphous solids

研究强磁场下二维电子系统中磁序与相互作用的相互作用，探讨从威格纳晶体到分数量子霍尔液体的转变，分析杂质对晶体结构的影响及非晶固体的形成机制。

无序与量子霍尔铁磁体

Disorder and the quantum Hall ferromagnet

量子霍尔铁磁体的显著特征是自旋畸变的电荷密度和拓扑电荷密度之间的一致性。除了与量子霍尔铁磁体的Skyrmionic激发相关的物理学财富之外，这种识别还允许自旋波与无序势的相当奇怪的耦合。由于拓扑密度的非线性形式，自旋波的波包具有相关的振荡偶极电荷分布。我们调查的方式，这种耦合修改量子霍尔铁磁体的磁化强度的电导率和温度依赖性。

量子霍尔碰撞器中边缘间相互作用的影响

Effect of inter-edge interaction in a quantum Hall collider

研究多模分数量子霍尔碰撞器中边缘间相互作用导致任意子束分解为相关与不相关分量，解释ν=2/5态负Fano因子的起源。

无序石墨烯量子霍尔区的非常规特性：逾渗杂质态和霍尔电导量子化

Unconventional Features in the Quantum Hall Regime of Disordered Graphene: Percolating Impurity States and Hall Conductance Quantization

我们报告在无序石墨烯中形成临界态，在量子霍尔制度中的变量和非常规输运性质的起源，例如在没有能带隙和朗道能级简并断裂的情况下的零能量霍尔电导平台。通过使用有效的实空间输运方法，我们计算了大尺寸石墨烯片的耗散和霍尔电导率与随机分布的模型单和双空位。通过分析输运系数随缺陷密度、系统尺寸和磁场长度的标度关系，我们阐明了反常量子霍尔特性的起源是磁场依赖的杂质态，它在某些临界能量处发生渗透。这些发现揭示了未识别的状态和量子输运异常实验报告。

手征无序石墨烯$n=0$ Landau能级量子Hall跃迁的反常临界性

Anomalous criticality in the quantum Hall transition at $n=0$ Landau level of graphene with chiral-symmetric disorders

我们数值研究了手征对称性是否是决定无序石墨烯量子霍尔跃迁临界性的唯一因素。当无序遵守手征对称性时，在$n=0$朗道能级处的平台到平台跃迁被示出为变得异常（即，类阶梯函数）。然而，令人惊讶的是，异常是强大的，对包括均匀的次近邻跳跃，这降低了晶格模型的手征对称性。我们还表明，交流（光学）霍尔电导率表现出一个强大的平台结构时，无序尊重的手征对称性。

量子霍尔铁磁体中的无序和相互作用：Skyrmion物理中的无序效应

Disorder and interactions in quantum Hall ferromagnets: effects of disorder in Skyrmion physics

本文用Hartree-Fock方法研究了$ν=1$附近量子霍尔铁磁体中无序和相互作用之间的竞争。我们发现，在$ν=1$的基态演化从一个准金属顺磁体的相互作用强度增加，部分自旋极化的铁磁安德森绝缘体，和一个完全自旋极化的铁磁带电荷间隙。远离$ν=1$，基态从传统的安德森绝缘体演变到传统的准粒子玻璃，最后演变到铁磁Skyrmion准粒子玻璃。这些不同的制度可以在低温传输和NMR实验中测量。我们提出了在不同的无序制度的NMR谱的计算。

Coexisting of Quantum Hall and Quantum Anomalous Hall phases in Disordered $\mathrm{MnBi_2Te_4}$

In most cases, to observe quantized Hall plateaux, an external magnetic field is applied in intrinsic magnetic topological insulators $\mathrm{MnBi_2Te_4}$. Nevertheless, whether the nonzero Chern number ($C\neq 0$) phase is a quantum anomalous Hall (QAH) state, or a quantum Hall (QH) state, or a mixing state of both is still a puzzle, especially for the recently observed $C=2$ phase [Deng \textit{et al}., Science \textbf{367}, 895 (2020)]. In this Letter, we propose a physical picture based on the Anderson localization to understand the observed Hall plateaux in disordered $\mathrm{MnBi_2Te_4…

无序晶格上的非线性霍尔效应

Nonlinear Hall effect on a disordered lattice

本文在无序晶格上研究非线性霍尔效应，发现无序诱导的贝里曲率涨落导致非线性霍尔电导率反常涨落，并揭示了非线性霍尔效应的安德森局域化现象。

关联无序势对量子霍尔效应中载流态悬浮的影响

Influence of Correlated Disorder Potentials on the Levitation of Current Carrying States in the Quantum Hall Effect

研究了二维晶格系统中无序驱动的量子霍尔到绝缘体跃迁。我们考虑高斯关联随机势，研究载流态的行为，并追踪它们在无序强度增加时的能量位置。我们的结果定性类似于以前获得的指数相关的无序电位。我们发现反陈省身状态的向下运动，以及浮动的陈省身状态的整个朗道间隙，这有时被掩盖的紧束缚带的全球扩大。

双层石墨烯中的量子霍尔效应：无序效应和量子相变

Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene: Disorder Effect and Quantum Phase Transition

基于紧束缚模型，数值研究了无序条件下双层石墨烯中的量子霍尔效应.在由非量子化霍尔效应的临界区分隔的全能带中，确定了两个不同的QHE区域。在能带中心（狄拉克点）附近的霍尔电导率显示出与谷简并度成正比的反常量子化，但$ν=0$平台明显不存在，这与实验观察一致。当存在无序时，扩展能级向能带中心的上浮会破坏霍尔平台，高平台首先消失。围绕带中心的中心两个平台对无序散射是最鲁棒的，其被在其间靠近狄拉克点的小临界区域分开。狄拉克点周围的纵向电导被证明是在一个范围内的无序强度几乎是一个常数，直到最后两个QHE高原完全崩溃。

石墨烯pn结量子霍尔效应中的无序效应

Disorder Effects in the Quantum Hall Effect of Graphene p-n Junctions

对石墨烯pn结中的量子霍尔效应进行了数值研究，重点研究了两个相邻区域界面处的无序效应。电导平台被发现是连接到无序的强度，并伴随着普遍的电导波动的双极制度，这是在量子混沌腔的随机矩阵理论的理论预测很好的协议。计算出的Fano因子可用于基础输运特性的实验识别。

Evolution of individual quantum Hall edge states in the presence of disorder

Employing the Bloch eigenmode matching approach, we numerically study the evolution of individual quantum Hall edge states with respect to disorder. As shown by the two-parameter renormalization group flow of the Hall and Thouless conductances, quantum Hall edge states with high Chern number n are completely different from that of n=1 case. Two categories of individual edge modes are evaluated in a quantum Hall system with high Chern number. Edge states from the lowest Landau level have similar eigenfunctions which are well localized at the system edge and independent of the Fermi energy. On t…

无序Weyl铁磁体中的反常热霍尔效应

Anomalous Thermal Hall Effect in a Disordered Weyl Ferromagnet

利用弯曲时空中的Keldysh形式，我们在一个平等的基础上研究了无序Weyl铁磁体中的电输运和热输运性质。特别地，我们计算了反常的霍尔热导率，其中包括久保公式和热磁化，而不依赖于Wiedemann-Franz定律。我们考虑到在自洽的$T$ -矩阵近似和再现的外费米面和本征费米海条款，分别Wiedemann-Franz定律的杂质。这是迈向有限温度下反常霍尔效应统一理论的第一步，在这个统一理论中，我们应该同时考虑无序和相互作用。

无序光子系统中分数量子霍尔态的稳定性

Stability of Fractional Quantum Hall States in Disordered Photonic Systems

在光子系统中实现分数量子霍尔液体的可能性最近引起了人们极大的兴趣。与电子系统不同，光子系统中的相互作用必须由非线性元件设计，因此会受到位置无序的影响。拓扑液体的稳定性依赖于排斥相互作用。在本文中，我们研究分数量子霍尔液体的稳定性主机吸引相互作用的杂质。我们发现，足够强的吸引力的相互作用，这些杂质可以破坏拓扑液体。然而，我们发现，液体是相当强大的这些缺陷，一个事实，这预示着很好的实现拓扑量子霍尔液体在光子系统。

无序对5/2分数量子霍尔态的影响

Impact of disorder on the 5/2 fractional quantum Hall state

我们比较了在常规高迁移率调制掺杂量子阱样品中获得的ν=5/2分数量子霍尔效应态的能隙与在高质量GaAs晶体管（异质结绝缘栅场效应晶体管）中获得的能隙。我们能够识别的不同角色，长程和短程的障碍发挥在5/2状态，并观察到，长程潜在的波动是更有害的5/2状态的强度比短程潜在的障碍。

磁性无序系统的动态自旋霍尔电导

Dynamical spin Hall conductivity in a magnetic disordered system

研究了掺杂磁性杂质的量子阱半导体中的本征自旋霍尔效应，作为一种操纵载流子自旋的手段。使用一个简单的哈密顿与Rashba自旋轨道耦合和交换相互作用，我们分析计算自旋霍尔电导率。它表明，使用适当的顺序的限制，一个恢复的内在普遍价值。紧束缚模型的数值计算，在弱无序制度，证实了自旋霍尔效应的磁性杂质的存在下保存。的光学自旋电导率显示大的样品样品在低频区域的波动。因此，对于弱无序，静态自旋电导率被发现遵循一个宽的高斯分布，其平均值附近的内在清洁值。

Plasmon modes of coupled quantum Hall edge channels in the presence of disorder-induced tunneling

Coupled quantum Hall edge channels show intriguing non-trivial modes, for example, charge and neutral modes at Landau level filling factors 2 and 2/3. We propose an appropriate and effective model with Coulomb interaction and disorder-induced tunneling characterized by coupling capacitances and tunneling conductances, respectively. This model explains how the transport eigenmodes, within the interaction- and disorder-dominated regimes, change with the coupling capacitance, tunneling conductance, and measurement frequency. We propose frequency- and time-domain transport experiments, from which …

无序多能带金属中的反常霍尔效应

Anomalous Hall Effect in Disordered Multiband Metals

本文提出了金属多带铁磁体中反常霍尔效应的微观理论，它考虑了所有与散射无关的贡献，即，包括内在的和所谓的侧跳。对于高斯无序的模型，反常的霍尔效应仅用主体材料的电子能带结构来表示。我们的理论系统地处理带间散射相干效应。我们证明了在二维Rashba和三维铁磁（III，Mn）V半导体模型的方法。我们的形式主义是直接服从从头计算处理范围广泛的铁磁金属。

无序石墨烯纳米带的量子霍尔边态输运

Edge state transport through disordered graphene nanoribbons in the quantum Hall regime

石墨烯纳米带中存在强无序在高电荷密度下产生低迁移率扩散传输，而在低密度下发生传输间隙。在这里，我们调查的纵向和横向的磁阻窄（60 nm）纳米取向在六端霍尔酒吧的几何形状。在B= 11 T时，在$σ_{xy}=\pm2e^2/h$、$\pm6e^2/h$和$\pm10e^2/h$处出现量子霍尔平台，其朗道能级间距大于朗道能级展宽。有趣的是，当零能量朗道能级出现在电荷中性点时，量子霍尔机制中的输运能隙并没有消失，这意味着它不能起源于横向限制能隙。在高电荷密度，纵向和霍尔电阻表现出可再现的波动，这是最明显的霍尔平台之间的过渡区。偏置相关的测量强烈表明，这些波动可以归因于无序带中的相位相干散射。

Robust magnetotransport in disordered ferromagnetic kagome layers with quantum anomalous Hall effect

The magnetotransport properties of disordered ferromagnetic kagome layers are investigated numerically. We show that a large domain-wall magnetoresistance or negative magnetoresistance can be realized in kagome layered materials (e.g. Fe$_3$Sn$_2$, Co$_3$Sn$_2$S$_2$, and Mn$_3$Sn), which show the quantum anomalous Hall effect. The kagome layers show a strong magnetic anisotropy and a large magnetoresistance depending on their magnetic texture. These domain-wall magnetoresistances are expected to be robust against disorder and observed irrespective of the domain-wall thickness, in contrast to c…

强无序晶格模型中的量子霍尔-绝缘体跃迁

Quantum Hall - insulator transitions in lattice models with strong disorder

本文报道了在二维正方形晶格中，在一个随机势和一个垂直于晶格方向的均匀磁场作用下，紧束缚模型中的整数量子霍尔效应的数值研究结果.我们认为场的大小，使每个通量量子的面积是相称的晶格结构。单电子波函数的拓扑性质被用来识别负责量子化霍尔电导的载流状态。我们研究了磁场和无序之间的相互作用，发现了一种普遍的模式，即随着无序强度的增加，载流态被破坏，系统被驱动到绝缘态。我们还讨论了如何将格点模型的结果插值到连续极限。讨论了低磁场下强无序系统中量子霍尔-绝缘体跃迁与以前理论和实验研究的关系。

石墨烯中Dirac费米子的量子霍尔效应：无序效应和Phase Diagram

Quantum Hall Effect of Dirac Fermions in Graphene: Disorder Effect and Phase Diagram

数值研究了磁场作用下石墨烯二维电子系统的能带结构、拓扑不变量和无序效应之间的相互作用。能带中存在两种\emph{distinct}量子霍尔效应（QHE）机制，其中非常规的“半整数”QHE出现在带中心附近，与实验观察一致。后者是更强大的对无序散射比传统的QHE状态附近的带边。得到了非常规QHE的相图，其中在强无序下，Hall平台的破坏是通过扩展能级向带中心的上浮实现的，且较高的平台总是首先消失。我们进一步预测了一个新的绝缘相之间的$ν=\pm 2$ QHE状态在能带中心，这可能解释实验观察到的电阻不连续性接近零栅电压。

Disordered contacts can localize chiral edge electrons

Chiral integer quantum Hall (QH) edge modes are immune to backscattering and therefore are non-localized and show a vanishing longitudinal as well as non-local resistance along with quantized 2-terminal and Hall resistance even in the presence of sample disorder. However, this is not the case for contact disorder, which refers to the possibility that a contact can reflect edge modes either partially or fully. This paper shows that when all contacts are disordered in a N-terminal quantum Hall bar, then transport via chiral QH edge modes can have a significant localization correction. The Hall a…

无标度无序对Anderson金属-绝缘体相变的影响

Effects of Scale-Free Disorder on the Anderson Metal-Insulator Transition

我们通过改进的转移矩阵方法研究了存在无标度对角无序的三维Anderson局域化模型，其特征在于无序关联函数$g(r)$渐近衰减为$r^{-α}$ .我们研究了局域长度指数$ν$对相关强度指数$α$的依赖关系。%对于固定型疾病$W$，存在临界$α_{\rm c}$，因此对于$α< α_{\rm c}$、$ν=2/α$和对于$α> α_{\rm c}$，根据扩展Harris标准，$ν$保持不相关系统的$α_{\rm c}$。在谱带中心，$ν$与$α$无关，但与不相关系统的$α$相等。这种不同的行为的物理机制进行了讨论。

Spin Hall angle fluctuations in a disorder device

We investigate a disorderly mesoscopic device that supports spin-orbit interaction. The systemis connected to four semi-infinite leads embedded in the Landauer-Buttiker setup for quantumtransport and, according to our analysis, exhibits spin Hall angle fluctuations. We show analyticallyand numerically the fingerprint of the universal fluctuation of the polarization mediated by theconversion of charge current into spin current. Our investigation shows the complete compatibilityof our analytical and numerical results with the most recent experiments. Furthermore, we shownonzero and universal fea…

The Effect of Disorder on Local Electron Temperature in Quantum Hall Systems

The local electron temperature distribution is calculated considering a two dimensional electron system in the integer quantum Hall regime in presence of disorder and uniform perpendicular magnetic fields. We solve thermal-hydrodynamical equations to obtain the spatial distribution of the local electron temperature in the linear-response regime. It is observed that, the variations of electron temperature exhibit an antisymmetry regarding the center of the sample in accordance with the location of incompressible strips. To understand the effect of sample mobility on the local electron temperatu…

整数量子化霍尔效应相互作用理论中的无序效应

The effect of disorder within the interaction theory of integer quantized Hall effect

本文在屏蔽理论的基础上，系统地研究了无序对整数量子化霍尔效应的影响。考虑到潜在的波动范围的无序势进行了分析。单杂质势的短程部分用于定义自洽玻恩近似内的电导率张量元素，而长程部分在Hartree水平自洽处理。使用简单的，但是，基本的费米子-费米屏蔽，我们发现，长程无序势被很好地屏蔽。而短程部分几乎不受屏蔽的影响，并且适合于定义消失磁场处的迁移率。根据这些范围的依赖关系，我们讨论了量子化霍尔平台的延伸考虑“流动性”的晶片和样品的宽度，通过重新制定欧姆定律在低温和高磁场。我们发现，平台宽度主要取决于无序的长程涨落，而态密度展宽的重要性不太明显，甚至被显著抑制。这些结果与传统的单粒子图像形成了强烈的对比。我们发现量子化霍尔平台的宽度随着无序度的增加而增加，而能级展宽可以忽略不计。

高能电子在弱无序量子霍尔边缘态中的退相干

Decoherence of high-energy electrons in weakly disordered quantum Hall edge states

在填充因子为$ν=2$的整数量子霍尔效应中，考虑了无序和边态间库仑相互作用，从理论上研究了边态电子输运的相位相干性.在一个福克-普朗克的方法，我们计算分析的Aharonov-Bohm振荡的电流通过电子马赫-曾德尔干涉仪的可见性。与最近的实验一致，我们发现可见度与费米海上方注入的载流电子的能量无关。相反，边缘处的无序量设置可用于边缘间状态能量交换的相空间，从而控制可见性抑制。

自旋子带强烈重叠的无序GaAs层量子霍尔效应中的自旋分裂

Spin-splitting in the quantum Hall effect of disordered GaAs layers with strong overlap of the spin subbands

对角电导G_{xx}和导数的绝对值最小|dG_{xy} /dB|在霍尔电导值G_{xy} =e^{2}/h时，在电子迁移率为2000 cm ^2/Vs的重掺Si GaAs层的量子霍尔效应中观察到自旋分裂，尽管自旋分裂远小于能级展宽。实验结果可以在量子霍尔效应的标度理论的框架内解释，该理论独立地应用于两个自旋子带中的每一个。

量子霍尔杆中局域化与离域化的维数交叉

Dimensional Crossover of Localisation and Delocalisation in a Quantum Hall Bar

在电子在非关联杂质势中运动的模型下，研究了有限宽无序量子线$L_y$中电子局域化长度的二维到一维交叉.的解析公式的本地化长度推导，描述的功能的宽度$L_y$，电导$g$和垂直磁场$B$的尺寸交叉。在此基础上，重新考虑了高朗道能级下量子霍尔效应的标度分析和量子霍尔线中的离域跃迁。

Imaging disorder-induced scattering centers in quantum Hall incompressible strip

While the disorder-induced quantum Hall (QH) effect has been studied previously, the effect ofdisorder potential on microscopic features of the integer QH effect remains unclear, particularly forthe incompressible (IC) strip. In this research, a scanning gate microscope incorporated with thenonequilibrium transport technique is used to image the region of QH IC strip that emerges near thesample edge. It was found that different mobility samples with varying disorder potentials showedthe same spatial dependence of the IC strip on the filling factor (ν). In the low-mobility samplealone, scatteri…

量子霍尔铁磁体的无序诱导稳定化

Disorder-induced stabilization of the quantum Hall ferromagnet

我们报道了$ν=1$整数量子霍尔态的电子自旋极化的绝对测量。通过在不同磁场（电子密度）和塞曼能量配置下进行的电阻NMR实验，在$ν=1$附近（包括恰好在$ν=1$处）提取自旋极化。在最低的磁场，极化被发现是完整的在一个狭窄的区域周围$ν=1$。增加的磁场（电子密度）诱导系统的显着去极化，我们归因于量子霍尔铁磁体和Skyrmion玻璃相之间的过渡理论上预期的库仑相互作用和无序之间的比率增加。这些观测结果解释了先前在高迁移率2D电子气中观察到的极化的脆弱性，并通过实验证明了存在最佳无序量以稳定铁磁状态。

Conductance fluctuations in disordered 2D topological insulator wires: From quantum spin-Hall to ordinary quantum phases

Impurities and defects are ubiquitous in topological insulators (TIs) and thus understanding the effects of disorder on electronic transport is important. We calculate the distribution of the random conductance fluctuations $P(G)$ of disordered 2D TI wires modeled by the Bernevig-Hughes-Zhang (BHZ) Hamiltonian with realistic parameters. As we show, the disorder drives the TIs into different regimes: metal (M), quantum spin-Hall insulator (QSHI), and ordinary insulator (OI). By varying the disorder strength and Fermi energy, we calculate analytically and numerically $P(G)$ across the entire pha…

无序量子霍尔双层膜的涡旋态

Vortex states of a disordered quantum Hall bilayer

提出并求解了在强光滑无序极限下无序量子霍尔双层膜涡旋结构的模型。我们认为，有一个特征性的无序强度，低于该强度的涡旋将是罕见的，而高于该强度的涡旋则会激增。我们预测，这可以观察到在一个给定的样品中调整电子密度。强无序区的基态可以理解为涡旋-反涡旋晶体的乳状液。其特征包括抑制逆流电流的空间衰减。我们发现，与一个干净的系统相比，这种衰变的长度尺度至少增加了一个数量级。这提供了一个可能的解释，通过层间隧道的逆流电流的泄漏明显的情况下，即使在实验中进行的相干相，其中观察到增强层间隧道深。

量子霍尔跃迁的性质

Nature of Integer Quantum Hall Transitions

基于无序任意子模型，重新讨论了量子霍尔系统的金属-绝缘体跃迁与超流-绝缘体跃迁之间的映射。采用超流-绝缘体跃迁的单参数标度法分析了整数量子霍尔跃迁的标度行为。分析表明，在弱无序极限下，量子霍尔平台直接跃迁到绝缘体，而在强无序极限下，量子霍尔平台则发生漂移跃迁。在这两种情况下，过渡对应于一个非手性超流绝缘体过渡，与纵向和横向量子霍尔电导率以下的半圆关系。

$ν=1$附近量子霍尔铁磁体中的无序和相互作用

Disorder and interactions in quantum Hall ferromagnets near $ν=1$

本文报道了用有限尺寸的Hartree-Fock方法研究了在朗道能级填充因子$ν=1$附近的二维电子气中无序和相互作用之间的竞争。$ν=1$的基态随无序度的增加从一个完全自旋极化的带电荷隙的铁磁体演化到一个部分自旋极化的铁磁安德森绝缘体，再到一个准金属顺磁体，在$i=0$和$i=2$量子霍尔平台之间的临界点。远离$ν=1$，基态从铁磁Skyrmion准粒子玻璃演变到常规准粒子玻璃，最后演变到常规Anderson绝缘体。我们评论这些不同的制度在低温运输和NMR lineshape和峰位置数据的签名。

空间关联无序晶格模型中量子Hall critical states的悬浮

Levitation of quantum Hall critical states in a lattice model with spatially correlated disorder

研究了当无序强度增加，量子霍尔液体向霍尔绝缘体转变时，量子霍尔系统载流态的命运.我们研究了具有空间关联无序势的二维晶格模型，并利用递归格林函数方法和直接对角化结合能级统计方法计算了态密度和局域化长度。从知识的能量和无序的本地化长度和相应的朗道带的态密度（DOS）的依赖性，载流状态的无序-能量和无序-填充因子平面的运动可以跟踪通过调整无序强度。我们显示所有子带的结果，特别是陈省身和反陈省身状态的痕迹，以及DOS的峰值位置。对于小的无序强度$W$，我们恢复了众所周知的弱悬浮的临界状态，但我们也揭示了，对于较大的$W$，这些国家的强悬浮的朗道间隙没有合并。我们发现的行为是类似的指数，高斯和洛伦兹相关的无序势。我们的研究解决了以前发表的工作中的矛盾，证明冲突的结果是空间相关的无序势的一般晶格模型的特殊情况。为了测试连续朗道带之间的混合是否是所观察到的浮动的起源，我们截断我们的模型哈密顿量的希尔伯特空间，并计算在这些限制条件下的载流态的行为。

Disordered contacts can localize helical edge electrons

It is well known that quantum spin Hall (QSH) edge modes being helical are immune to backscattering due to non-magnetic disorder within the sample. Thus, quantum spin Hall edge modes are non-localized and show a vanishing Hall resistance along with quantized 2-terminal, longitudinal and non-local resistances even in presence of sample disorder. However, this is not the case for contact disorder. This paper shows that when all contacts are disordered in an N-terminal quantum spin Hall sample, then transport via these helical QSH edge modes can have a significant localization correction. All the…

调制量子霍尔系统中的金属绝缘体跃迁

Metal insulator transition in modulated quantum Hall systems

本文用数值方法研究了二维电子调制系统在无序情况下的量子霍尔效应。基于霍尔电导率的标度性质以及局域化长度，确定了态扩展的临界能量。我们发现，临界能量，这是分布到每个子带，结合成一个时，无序变得强大，在依赖于无序和/或周期性电位的对称性的方式。

量子Hall边缘态的无序相位分类

Classification of Disordered Phases of Quantum Hall Edge States

在低能边缘动力学的手征-Luttinger-液体模型下，分析了杂质散射对一般阿贝尔分数量子霍尔（HHH）边缘态的影响。我们发现，一些无序的边缘可以有几个不同的相位特征不同的对称性。稳定的杂质边缘相通常比原始清洁系统更对称，并且在低能量和长尺度下表现出动力学对称性恢复的现象。不同无序相之间的相变具有对称性破缺的特征，并且服从Landau连续相变的对称性破缺原理。各种边缘的相图中发现使用一个新的坐标系中的量子霍尔边缘模式之间的相互作用。计算了点接触隧穿的温度依赖性，并发现它能够区分同一个H2OH态的不同杂质边缘相。

无序石墨烯中的电荷、自旋和谷霍尔效应

Charge, Spin and Valley Hall Effects in Disordered Graphene

上世纪80年代初发现的整数量子霍尔效应，具有$e^2/h$倍数的霍尔电导的高度精确的量子化值，是由磁场和无序驱动的物质的拓扑状态的第一个迷人的表现，并且与非耗散电流的形成有关。2005年，在强自旋轨道耦合和外磁场消失的条件下，人们预言了自旋霍尔效应和量子自旋霍尔效应等新现象。最近，塞曼自旋霍尔效应和谷霍尔拓扑电流的形成已经分别在时间反转或反转破环条件下被引入基于石墨烯的系统。本文从量子输运的二维体系统（通过Kubo形式）和多末端纳米结构（通过Landauer-Büttiker散射和非平衡格林函数方法）的数值模拟的角度，对无序石墨烯中的所有这些霍尔效应进行了全面的综述。与通常的二维电子气相比，石墨烯中缺陷的存在产生了更复杂的电子特征，例如电子-空穴不对称性，缺陷共振或局域杂质态之间的渗透效应，这些特征与额外的自由度（亚晶格赝自旋，谷同位旋）一起带来了更高的复杂度并扩大了输运相图。

无序量子Hall系统局域态密度的非局域关联

Nonlocal correlations of the local density of states in disordered quantum Hall systems

基于最近的高分辨率扫描隧道显微镜（STM）在量子霍尔机制下对大质量二维电子气和石墨烯的实验研究，我们从理论上研究了在高磁场作用下电子在光滑无序势场中运动时局域态密度（LDoS）的无序平均非局域关联.的两个不同位置的STM尖端周围的两个量子回旋加速器环的交叉点，相关的本地无序，提供峰值的LDoS-LDoS相关性的空间色散时，intertip距离匹配的两个量子拉莫尔半径的总和。能量依赖性也显示出复杂的行为：对于局部LDoS-LDoS平均值（即，在相同的尖端位置），在朗道能级附近，尖端电压有很强的正相关关系，而在朗道能级附近，则有很弱的负相关关系。