由电子驱动的拓扑在LaSbTe中的切换
Electronic switching of topology in LaSbTe
AI总结：
通过化学掺杂和电子掺杂，研究在LaSbTe中实现拓扑狄拉克节点环的电子驱动切换，揭示了电子浓度对拓扑结构的调控作用。
摘要：
在过去二十年中，各种拓扑材料类别已被发现，涵盖拓扑绝缘体、半金属和金属。尽管对材料拓扑的观察和理解一直是主要关注点，但对单一材料中拓扑的精确和简便控制仍 largely 未被探索。在此，我们通过化学掺杂和电子掺杂证明了在正方形网络材料LaSb$_\mathrm{x}$Te$_\mathrm{2-x}$中对拓扑狄拉克节点环的完全实验控制。利用角分辨光电子能谱（ARPES），我们展示通过改变体内的锑浓度x从0.9到1.0，可以在节点环中打开高达400 meV的间隙。基于单晶X射线衍射和最小紧束缚模型的对称性分析表明，正方形网络层中n滑移对称性的破坏是导致间隙打开的原因。值得注意的是，我们还可以通过使用钾沉积进行化学栅极，在LaSb$_\mathrm{x}$Te$_\mathrm{2-x}$的表面实现这种拓扑相变，这使得拓扑可以从有间隙的节点环切换回无间隙的节点环。在体和表面的结构和拓扑转变中的基本控制参数是电子浓度。这为通过静电栅极实现拓扑切换的器件应用开辟了道路。
英文摘要：
In the past two decades, various classes of topological materials have been discovered, yet the deliberate control of topology in a single material remains largely unexplored. Here, we demonstrate full experimental control over the topological nodal loop in the square-net material LaSb$_x$Te$_{2-x}$ by chemical substitution and electron doping. Using angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES), we show that changing the antimony concentration x from 0.9 to 1.0 in the bulk opens a gap larger than 400~meV in the nodal loop. Symmetry analysis establishes that this effect originates from the breaking of \textit{n} glide symmetry in the square-net layer. Remarkably, the same topological phase transition can also be driven reversibly on the surface of LaSb$_x$Te$_{2-x}$ by \textit{in situ} chemical gating via potassium deposition, enabling on-demand switching of topology. The control parameter for both the bulk and surface transition is the electron concentration, providing a pathway towards applications based on switching topology by electrostatic gating.
机构、总结、中文摘要均由AI分析而来，可能存在错误，请以论文正文为准。
