Topological superconductivity, ferromagnetism, and valley-polarized phases in moire systems: Renormalization group analysis for twisted double bilayer graphene
最近的实验已经在扭曲双层石墨烯中观察到可能的自旋和谷极化绝缘体和自旋三重态超导性，扭曲双层石墨烯是由一对Bernal堆叠的双层石墨烯组成的莫尔结构。除了连续可调的带宽控制施加的位移场和扭曲角，这些莫尔带也具有范霍夫奇点附近的费米面和场依赖嵌套这是远远不够完美的。本文采用微扰重整化群分析方法，无偏地研究了在有限弱排斥相互作用下，扭曲双层石墨烯及其相关系统中所有可能的不稳定性之间的竞争.我们的关键发现是，有几个竞争的磁，谷，电荷和超导不稳定性所产生的相互作用在扭曲的双层石墨烯，这可以通过控制位移场和扭转角进行调谐。特别是，我们表明，自旋或谷极化均匀不稳定性一般占主导地位的温和的相互作用小于带宽，而$p$波自旋三重态拓扑超导性和奇异自旋单重调制配对状态成为重要的相互作用减少。实现我们的研究结果在一般的莫尔系统与类似的范霍夫费米学应该开辟了新的机会，操纵拓扑超导性和自旋或谷极化状态在高度可调的平台。
2020-08-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Higher-order van Hove singularity in magic-angle twisted trilayer graphene
我们研究了镜像对称扭曲三层石墨烯中高阶范霍夫奇异性的存在。这种几何形状最近在实验上成为研究相关和奇异超导相的迷人场所。我们发现，三层主机的零能量高阶van Hove奇异性的指数为-1/3。奇异性由三重旋转对称性和组合的镜-粒子-孔对称性保护，并且它可以仅用扭转角和垂直电场来调谐。它产生于范霍夫奇点和狄拉克锥在零能量下的合并，超越了范霍夫奇点的最近分类。此外，我们发现，改变第三个参数，如λ，使系统的拓扑Lifshitz过渡，与异常指数-2/5，分离区域的局部开放和封闭的半经典轨道。
2022-07-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Nonlinear electrical transport unveils Fermi surface malleability in a moiré heterostructure
针对零磁场下线性输运对魔角扭曲双层石墨烯能带拓扑探测灵敏度有限的问题，本研究利用非线性输运测量揭示费米面重构与莫尔能带的关联，确立其为探测能带拓扑和关联现象的新工具。
2024-08-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic and Kohn-Luttinger instabilities near a Van Hove singularity: monolayer versus twisted bilayer graphene
我们研究了单层和扭曲双层石墨烯中范霍夫奇点附近电子相互作用的多体不稳定性。我们表明，配对不稳定性必须占主导地位的趋势磁秩序的费米能级被调谐到范霍夫奇异性的石墨烯的导带。由于色散鞍点的扩展特性，我们发现电子的配对优先发生在f波对称的通道中，在沿费米线鞍点的位置上序参量为零.在扭曲双层的情况下，色散的对称性降低到C_{3v}群，最重要的是，它导致在鞍点发散但沿费米线可积的双折射率。这意味着铁磁不稳定性在范霍夫奇点附近的扭曲石墨烯双层中占主导地位，其强度随着电子系统的最低子带对于减小的扭曲角变得更平坦而放大。
2013-07-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Cascade of transitions in twisted and non-twisted graphene layers within the van Hove scenario
受扭曲双层石墨烯的压缩性和STM光谱测量的启发，我们分析了范霍夫奇点附近的巡游费米子的对称性破缺模式。利用Landau泛函的近似SU（4）对称性，我们证明了自旋/同位旋序参量的结构通过级联跃迁随填充的增加而变化.我们计算反馈从不同的自旋/同位旋费米子订单，并认为每个订单分裂最初的4倍简并范霍夫峰在一个特定的方式，符合STM数据和压缩性测量，提供了一个统一的解释的级联的过渡在扭曲的双层石墨烯。我们的结果来自SU（4）对称朗道泛函的一般分析，并且在特定的基础费米模型之外是有效的。我们认为，一个类似的范霍夫的情况下解释了级联的相变在非扭曲的Bernal双层和菱形三层石墨烯。
2022-12-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magic of high order van Hove singularity
我们在二维空间中引入了一种新的范霍夫奇点，其中动量空间中的鞍点从二阶变为高阶。相应地，这种“高阶van Hove奇异性”附近的态密度从对数发散到幂律发散显著增强，这预示着更强的电子相关效应。高阶范霍夫奇异性通常可以通过在莫尔超晶格中用单个参数调节能带结构来实现，例如通过调节扭曲角或施加压力来调节扭曲的双层石墨烯，以及通过施加垂直电场来调节三层石墨烯。
2019-05-11 cond-mat.str-el
Novel phases in twisted bilayer graphene at magic angles as a result of van Hove singularities and interactions
由于关联而发现不同的相，特别是在低维材料中，一直是一个令人兴奋的基础研究课题。最近的实验扭曲的双层石墨烯揭示了作为掺杂的函数，以及Mott状绝缘相，当两个层相对于彼此扭曲在一定的“魔”角对应于每个莫尔晶胞两个粒子的掺杂时，可重入的非常规超导性。在这项工作中，我们提出了一个微观模型，考虑到相互作用和范霍夫奇异性的扭曲双层石墨烯在掺杂对应于一个粒子（$ν$ =1）每个莫尔晶胞的态密度和研究如何出现超导性。我们确定可能的对称性的序参量为$s^{\pm}$，而如果谷间耦合是可以忽略的对称性是$s^{++}$。此外，我们还发现了系统的绝缘区，这是一个具有均匀电荷不稳定性的区域，在该区域中金属相和绝缘相共存。
2018-11-11 cond-mat.str-el
Altermagnetism from coincident Van Hove singularities: application to $κ$-Cl
本文提出利用能量和动量重合的范霍夫奇点稳定二维交变磁性的微观机制，揭示其产生的新型跃迁相互作用可诱导交变磁性、向列性、带间d波超导等BCS不稳定性，并成功应用于准二维有机材料κ-Cl。
2025-05-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Chiral p-wave superconductivity in Sb(111) thin films close to Van Hove singularities
我们从理论上研究了当Sb（111）薄膜的费米能级被调谐到非时间反演不变动量处的范霍夫奇异点（VHS）附近时，非常规超导性的发展。通过补丁重整化群分析，我们证明了主导不稳定性是一个手征p + ip波超导序。这种配对的起源依赖于VHS的六边形结构和强的自旋-轨道耦合，导致电子-电子散射的各向异性，以提供有吸引力的通道。我们的研究表明，VHS物理产生的超导Sb薄膜可能具有磁涡旋中的Majorana零模，并为这种材料提供了另一种应用前景。
2016-04-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Observation of near EF Fermi-arc van Hove singularity with prominent coupling to phonon in a van der Waals coupled Weyl semimetal
采用扫描隧道显微镜/光谱和第一性原理计算相结合的方法研究了一种范德华耦合Weyl半金属材料NbIrTe 4.我们观察到一个尖锐的峰值附近的零偏置能量的隧穿电导，其起源是归因于一个van Hove奇异性与拓扑非平凡费米弧状态的Lifshitz过渡。此外，隧道光谱测量显示出令人惊讶的大签名的电子玻色子耦合，这大概是通过增强的电荷磁化率的强烈增强的电子声子耦合。我们在范德华耦合材料中的发现是特别宝贵的，由于适用的剥离技术，通过进一步操纵纳米尺度薄片及其器件中的近费米能范霍夫奇点来搜索奇异的拓扑状态。
2021-08-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Ferromagnetic instability and finite-temperature properties of two-dimensional electron systems with van Hove singularities
利用泛函重整化群方法研究了二维哈伯德模型中范霍夫填充附近的铁磁倾向。我们计算了包括无公度磁性在内的磁化率随温度的变化。铁磁倾向被发现发生在一个圆顶状的区域周围的范霍夫填充与不对称的属性：无公度磁性是有利的边缘附近的圆顶上方范霍夫填充，而一个一阶的铁磁基态的过渡预计低于范霍夫填充。圆顶形的相图是很好地捕捉在斯通纳理论通过调用一个较小的库仑相互作用。三重态p波超导倾向于在圆顶内部的低温下发展，并且延伸超过范霍夫填充上方的铁磁区域。
2011-02-17 cond-mat.str-el
Tunable interband and intraband plasmons in twisted double bilayer graphene
扭曲莫尔超晶格中的平带支持各种拓扑和强关联现象以及容易调谐的电学和光学性质。在这里，我们证明了扭曲的双层石墨烯中存在可调谐的，长寿命的，平坦的带内和带间太赫兹等离子体。我们发现，带间等离子体激元起源于一个范霍夫奇点的存在下，在联合状态密度和一个有限的Berry连接对涉及的频带。我们发现带隙的带间等离子体激元模具有普遍的色散，等离子体激元带隙由范霍夫奇点在联合态密度中的位置决定。金属云纹系统支持一个额外的带内等离子体激元模式，由于带间相关性的影响，该模式在大动量极限下变得平坦。我们表明，无阻尼和平坦的等离子体模式在莫尔系统是高度可调的，可以通过改变垂直电场和电子掺杂控制，他们坚持在很宽的扭转角范围。
2022-05-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Competing phases of interacting electrons on triangular lattices in moiré heterostructures
本文研究了具有SU（2）$\times$ SU（2）对称性的相互作用电子在三角晶格上van-Hove填充附近的量子多体不稳定性。我们的工作是由有效的模型，如扭曲的双层氮化硼和三层石墨烯氮化硼系统的六方云纹异质结构的平带的动机。我们考虑一个扩展的哈伯德模型，包括现场Hubbard和Hund的耦合，以及最近邻交换相互作用和分析不同的排序趋势的帮助下，一个公正的功能重整化群的方法。我们发现三类控制的填充和裸露的相互作用的不稳定性。对于范霍夫填充的嵌套费米面，类亨德耦合导致了自旋或轨道密度波相位的弱不稳定性。SU（4）交换相互作用使系统向陈氏绝缘体移动，这对于Hund类相互作用的扰动或完美嵌套的偏差是鲁棒的。此外，在一个扩展的范围内的填充和相互作用，我们发现拓扑$d\pm id$和（自旋单线态）-（轨道单线态）$f$波超导。
2019-02-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Competing phases in the extended U-V-J Hubbard model near the van Hove fillings: 2-patch approach
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2003-01-29 cond-mat.str-el
Properties of electrons near a Van Hove singularity
大多数空穴掺杂铜氧化物的费米面在M点接近于范霍夫奇点。费米面接近范霍夫奇点的二维电子系统表现出多种弱耦合不稳定性。它是研究反铁磁性和各向异性超导性相互作用的一个方便的模型。重整化群方法的审查，重点是潜在的物理过程。一般性质的相图和可能的变形的费米面由于范霍夫接近。
2002-04-11 cond-mat.str-el
A chiral twist on the high-$T_c$ phase diagram in Moiré heterostructures
我们发现，固有的大的轨道简并在莫尔异质结构自然会产生一个“高$T_c$”的相图与手性扭曲-其中一个异国情调的$\textit{quantum anomalous Hall}$绝缘体相两侧的手性$d+id$超导圆顶。具体来说，我们分析了排斥相互作用费米子的六边形（三角形或蜂窝）晶格附近的范霍夫填充，与${\rm SU}(N_f)$味简并。该模型的灵感来自于最近对石墨烯莫尔异质结构的实验。在这一点上，一个嵌套的费米面和发散的态密度引起强（$\ln^2$）的不稳定性相关的阶段，之间的竞争可以通过弱耦合parquet重整化群和Landau-Ginzburg分析的组合可控地解决。对于$N_f=2$（即仅自旋简并），已知手征$d+id$超导性是明确的主要弱耦合不稳定性。在这里，我们表明，$N_f\geq4$导致一个更丰富的（但仍然明确和完全可控）的行为，其中在弱耦合的领先的不稳定性是一个完全带隙和手性$\textit{Chern insulator}$，其特征在于自发打破时间反演对称性和量子化霍尔响应。在掺杂时，该相让位于手性$d+id$超导体。我们进一步考虑变形这个最小的模型，通过引入一个轨道分裂的范霍夫奇点，并讨论由此产生的RG流和相图。因此，我们的分析桥梁的最小模型和实际的莫尔带结构，从而提供了一个透明的图片如何相关的相位出现在各种情况下。同时，对正方形晶格的类似分析预测了一个相图，其中…
2019-05-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Parquet renormalization group analysis of weak-coupling instabilities with multiple high-order Van Hove points inside the Brillouin zone
我们分析了当布里渊区内部存在多个高阶范霍夫点时可能出现的弱耦合不稳定性。我们考虑的模型是受扭曲双层石墨烯的启发，尽管分析应该更普遍适用。我们采用了一个parquet重整化群分析，以确定领先的弱耦合不稳定性，补充金兹伯格-朗道处理，以解决任何退化。因此，我们确定的领导不稳定性，可以发生从弱排斥与幂律发散态密度。沿着不同的稳定的固定轨道，包括$s$波铁磁性，$p$波手征/螺旋超导，$d$波手征超导，$f$波谷极化秩序，和$p$波极谷极化秩序的五个相关阶段被揭露。相图是稳定的带变形，保持高阶范霍夫奇异性。
2020-12-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Classification of Topological Phase Transitions and van Hove Singularity Steering Mechanism in Graphene Superlattices
我们研究了石墨烯超晶格在外磁场中的量子相变，给出了一个框架来分类描述整数和分数Hofstadter-Chern绝缘体跳跃调谐拓扑相变的多味Dirac费米子临界点.我们认为，并提供数值支持的存在过渡，可以解释由一个非平凡的相互作用的陈省身带和范霍夫奇点附近的电荷中性。这项工作提供了一条途径，超越传统的量子霍尔平台过渡的关键现象。
2020-12-03 cond-mat.str-el
Kinematics of electrons near a Van Hove singularity
Fermi面接近Van Hove奇点的二维电子系统表现出多种弱耦合不稳定性，是研究反铁磁性与各向异性超导性相互作用的方便模型。我们提出了一个详细的分析在这个模型中的电子散射的运动学。的相似之处，和差异，一个标准的重整化群的方法和以前的工作的基础上的拼花求和的日志$^2$分歧进行了分析，重点是底层的物理过程。讨论了相图的一般性质。
1999-05-12 cond-mat.str-el
Sr$_2$MoO$_4$ and Sr$_2$RuO$_4$: Disentangling the Roles of Hund's and van Hove Physics
Sr $_2$ MoO $_4$与非常规超导体Sr $_2$ RuO $_4$同构，但在Mo/Ru-t $_{2g}$轨道上有两个电子而不是两个空穴。这两种材料都是洪德金属，但是Sr $_2$ RuO $_4$在费米面附近具有范霍夫奇点，而Sr $_2$ MoO $_4$的范霍夫奇点远离费米面。利用密度泛函加动力学平均场论，我们确定了van Hove和Hund的金属物理对关联性质的相对影响。我们表明，理论上预测的签名洪德的金属物理发生在被占领的一侧的电子光谱的Sr $_2$钼$_4$，识别Sr $_2$钼$_4$作为一个理想的候选系统的理论概念，洪德的金属通过光电子能谱的直接实验确认。
2020-10-17 cond-mat.str-el
Competing orders at higher-order Van Hove points
范霍夫点是能量色散中的特殊点，在那里态密度表现出解析奇点。当范霍夫点接近费米能级时，密度波序、波梅兰丘克序和超导性的趋势都可以增强，通常在一个以上的通道中，导致不同序和非常规基态之间的竞争。在这里，我们考虑从高阶范霍夫点，周围的色散是平坦的比附近的一个传统的范霍夫点的影响，态密度有一个幂律发散。我们认为，这些点存在于插层石墨烯和其他材料中。我们使用一个有效的低能量模型的电子附近的高阶范霍夫点和分析之间的竞争不同的有序化倾向使用无偏的重整化群的方法。对于纯粹的排斥相互作用，我们发现两个关键的竞争对手是铁磁性和手征超导性。对于小的吸引交换作用，我们发现了一种新的自旋Pomeranchuk序，其中自旋序参量围绕费米面缠绕。超金属状态，预测为一个单一的高阶范霍夫点，是一个不稳定的固定点在我们的情况下。
2020-06-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The Kondo-lattice state in the presence of Van Hove singularities: a next-leading order scaling description
在次领先阶标度下，对电子态密度具有对数Van Hove奇异性的Kondo模型进行了重整化群处理，并考虑了不同的磁相位.有效的耦合常数仍然很小，重整化磁矩和自旋涨落频率降低了几个数量级。因此，广泛的非费米液体的行为区域被发现从裸耦合参数的一个广泛的范围内的标度轨迹。应用巡回磁学理论进行了讨论。
2017-07-18 cond-mat.str-el
Charge-density-wave formation by Van Hove nesting in the α-phase of Sn/Ge(111)
本文研究了Sn/Ge（111）界面电子关联在表面电荷密度波态形成中的作用。覆盖层的费米能被视为一个动力学变量，它经历了一个实质性的重整化的相互作用。我们发现费米能级被钉扎在态密度的范霍夫奇点上，这解释了电荷密度波的形成，光电发射实验中观察到的非常平坦的带以及低温阶段光谱权重的减少。
2000-04-04 cond-mat.str-el
Renormalization group analysis of magnetic and superconducting instabilities near van Hove band fillings
用两片方法和温度截断多片重整化群方法计算了二维单带t-t'哈伯德模型的相图。在小的t'和范霍夫带的填充反铁磁性占主导地位，而随着增加的t'或改变填充反铁磁性取代d波超导。在t '= t/2附近和接近van Hove带填充时，系统对铁磁性是不稳定的。远离范霍夫带填充铁磁不稳定性取代主导三重态p波超导相关的区域。的重整化群方法的结果进行了比较的平均场的结果和T-矩阵近似的结果。
2003-04-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Giant density-of-states van Hove singularities in the face-centered cubic lattice
在最近邻和次最近邻近似下，发现了面心立方晶格态密度中的所有van Hove奇异性，并对其进行了分类。当最近邻和次最近邻跳跃积分的比值$τ$、$t$和$t'$为特定值时，由范霍夫线或面引起的巨大DOS奇点就会形成。提出了一个精确的DOS公式，它提供了有效的数值实现。标准的四面体方法被证明是不适用的，由于其收敛性差，在附近的扭结所造成的范霍夫奇点。与大的空间维数（无限的协调数），包括次近邻的情况下进行比较。
2022-04-12 cond-mat.other cond-mat.str-el
Magnetic correlations and superconducting pairing near higher-order Van Hove singularities
School of Physics and Astronomy, and Key Laboratory of Multiscale Spin Physics (Ministry of Education), Beijing Normal University（北京师范大学物理与天文学院，多尺度自旋物理教育部重点实验室）
研究揭示了高阶Van Hove奇点附近磁振荡与超导配对的相互作用，发现磁交叉区域中配对增强机制及能带工程对量子相调控的影响。
2026-02-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Charge instabilities near a Van Hove singularity
本文用威尔逊重整化群方法分析了正方晶格中电子系统在范霍夫奇点附近的电荷不稳定性。我们表明，该方法保留了在所有尺度的自旋旋转不变性，允许严格确定的自旋和电荷的不稳定性的$t-t'$哈伯德模型。对于高于$\approx 0.276 t$的$t'$，排斥相互作用分为两种不同的普适性类。其中一个在电荷扇区中具有非奇异响应函数，而另一个的特征在于Van Hove奇点的分裂。在边缘扰动的水平上，哈伯德模型原来是在两个普适类之间的边界，而最近邻排斥相互作用的扩展模型属于后一类。在开放系统的情况下，允许交换粒子与水库，我们表明存在一系列的填充禁止以上和以下的范霍夫奇点。这具有吸引费米能级在上述范围内的性质，因为当费米能量处于奇点时，系统达到其最低能量。
2000-07-22 cond-mat.str-el
Superconductivity near two-dimensional Van Hove singularities: a determinant quantum Monte Carlo study
University of Wisconsin-Madison（威斯康星大学麦迪逊分校）；University of Notre Dame（圣母大学）
研究通过确定性量子蒙特卡洛模拟，探讨二维吸引性Hubbard模型在普通和高阶Van Hove奇点附近超导临界温度Tc的变化，发现弱耦合下Tc增强不明显，强耦合下Tc最大值出现在非奇点密度区域。
2026-04-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The Kondo-lattice state and non-Fermi-liquid behavior in the presence of Van Hove singularities
考虑到对数范霍夫奇点（VHS）的电子态密度的近藤晶格的缩放进行。给出了不同磁相的标度轨迹。结果表明，由于重整化过程中磁振子分支的软化，VHS导致非费米液体行为区的显著增加。虽然有效的耦合常数保持适度，重整化磁矩和自旋涨落频率可以减少几个数量级。一个可能的应用f-系统和弱巡回磁铁进行了讨论。
2011-12-03 cond-mat.str-el
Exceptional van Hove Singularities in Pseudogapped Metals
受铜氧化物赝能隙态启发，提出“例外”范霍夫奇点概念，描述强电子相互作用导致费米面分裂时的接触，并证明其邻近二阶范霍夫奇点，由此产生的 Lifshitz 相变以增强的比热和向列序磁化率为特征，与实验相符。
2023-09-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetotransport of dirty-limit van Hove singularity quasiparticles
电子态密度奇异性的调节是非常规金属物理学的一条常见途径。概念上，范霍夫奇点只在干净的二维系统中实现。因此，很少注意到无序（脏）限制。在这里，我们提供了一个肮脏的变磁性系统钙掺杂的SrCl_2O_3的磁输运研究。费米液体的性质持续整个变磁性转变，但与一个异常强烈的变化的Kadowaki-Woods比。这是揭示了一个强去耦的非弹性电子散射和电子质量推断的状态密度探针。我们讨论了这种费米液体的行为在一个磁场可调的范霍夫奇点在无序的存在。更一般地说，我们展示了维度和无序度如何控制跨变磁性转变的输运性质的命运。
2021-01-04 cond-mat.str-el
Magnetic fluctuations and itinerant ferromagnetism in two-dimensional systems with van Hove singularities
本文用准静态方法分析了费米能级位于范霍夫奇点附近的二维系统的铁磁性判据。它表明，自旋激发（顺磁子）的频谱是积极的定义时，电子和顺磁子之间的相互作用，这对应于哈伯德在现场排斥U，是足够大的。临界相互作用I_c和U_c在Van Hove填充时仍然是有限的，并且由于在铁磁量子相变附近重要的无公度自旋涨落而大大超过了由Stoner判据得到的值。结合准静态近似和格林函数的运动方程方法，我们得到了自旋分量的倒数为一阶的电子自能。
2012-09-19 cond-mat.str-el
Magnetic fluctuations near the Van Hove singularity in the kagome-lattice Hubbard model at finite doping
Key Laboratory for Microstructural Material Physics of Hebei Province, School of Science, Yanshan University（燕山大学理学院河北省微观结构材料物理重点实验室）；School of Physics and Astronomy, and Key Laboratory of Multiscale Spin Physics (Ministry of Education), Beijing Normal University（北京师范大学物理学系与教育部多尺度自旋物理重点实验室）
研究kagome晶格Hubbard模型中Van Hove奇点附近磁振荡特性，揭示其作为临界点对磁振荡交叉的影响，并建立计算框架探索新量子相的扁平带物理。
2026-03-01 cond-mat.str-el
Van Hove singularity and spontaneous Fermi surface symmetry breaking in Sr3Ru2O7
观察到的最显着的特点，以及周围的变磁转变在Sr3Ru2O7的自发费米面对称性破缺下的磁场的一个简单的模型中捕获，而不调用一个假定的量子临界点。费米表面对称性破缺发生在多数和少数自旋带，但具有不同的大小的序参量，当任一带被调谐接近范霍夫填充的磁场。高温时为二级相变，低温时转变为一级相变。一级相变伴随着变磁相变。均匀磁化率和比热系数表现出很强的T依赖性，特别是在van Hove填充的log T发散。费米表面不稳定性切断了这种非费米液体行为，并在转变温度下引起磁化率的尖点和比热跳变。
2007-01-25 cond-mat.str-el
One- and two-channel Kondo model with logarithmic Van Hove singularity: a numerical renormalization group solution
简单的标度考虑和NRG解决方案的一个和两个通道的近藤模型在费米能级的对数范霍夫奇异性的存在。计算了局域磁化率、杂质磁化率和杂质熵随温度的变化关系。杂质磁化率和杂质熵的低温行为在Kondo意义下是非普适的，与$s-d$耦合$J$无关.强耦合区的共振能级模型解证实了NRG的结果。在双通道的情况下，局部磁化率表现出非费米液体幂律行为。
2018-01-03 cond-mat.str-el
Magnetic and superconducting instabilities of the Hubbard model at the van Hove filling
我们使用一种新的温度流重整化群技术来分析二维t-t'哈伯德模型中的磁和超导不稳定性，其中粒子密度接近van Hove填充，作为次近邻跳跃t'的函数。在van Hove填充的单回路流动中，流动到强耦合的特征温度在t '_c附近被显著抑制。-0.33t，表明在中等t '> t'_c的d波配对和t '<t'_c的铁磁性之间存在一个量子临界点。在后一种情况下，当增加粒子密度时，在三重态配对通道中发生主导不稳定性。
2001-09-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Fermi surface and van Hove singularities in the itinerant metamagnet Sr3Ru2O7
用角分辨光电子能谱和密度泛函方法研究了巡游变磁体Sr 3Ru 2 O 7的低能电子结构。我们发现定义良好的准粒子带的分辨率有限的线宽和费米速度高达一个数量级低于单层Sr 2 RuO 4。完整的地形，回旋质量和费米面的轨道特性的确定，与体敏感的德哈斯-范阿尔芬测量。dxy带色散的分析揭示了一个复杂的状态密度，包括范霍夫奇点（vHs）附近的费米能级，这是有利于磁不稳定性的情况。
2008-06-26 cond-mat.str-el
Scattering rate collapse driven by a van Hove singularity in the Dirac semi-metal PdTe$_{2}$
我们提出了过渡金属二硫属PdTe $_{2}$的光学测量。的反射率显示了一个不寻常的温度和能量的依赖性，在远红外，我们只能解释在低温下的散射率的崩溃，导致附近的范霍夫奇点附近的费米能量。的光学电导率的分析表明，低于150 K的减少在可用的相空间的散射发生，导致长寿命的准粒子激发。我们认为，这种减少相空间提供了实验证据的范霍夫奇点接近费米能级。我们的数据还表明，一个非常弱的电子-声子耦合。结合起来，这表明超导转变温度是由与范霍夫奇点相关的态密度决定的。
2019-11-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Fermi Liquid Properties of a Two Dimensional Electron System With the Fermi Level Near a van Hove Singularity
本文用图解法研究了费米能级在能谱中范霍夫奇点附近的二维电子系统的低能物理。我们发现在$ε_F-T$相图的大部分区域，系统表现为正常的费米液体，而不是边缘费米液体。特别地，自能的虚部比激发能小得多，这意味着良好定义的准粒子激发，并且单粒子性质仅受van-Hove奇点的存在的微弱影响。高温超导的相关性进行了讨论。
1999-05-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spin fluctuations and ferromagnetic order in two-dimensional itinerant systems with Van Hove singularities
用准静态方法分析了费米能级位于电子能谱的范霍夫（VH）奇点附近的二维系统的铁磁性判据。它示出的自旋激发（顺磁子）的频谱是积极的定义时，电子和顺磁子之间的相互作用，确定的哈伯德现场排斥U，是足够大的。由于铁磁量子相变附近的无公度自旋波动，临界相互作用Uc在VH填充处保持有限，并且大大超过从Stoner准则获得的值。与功能的重整化群的结果和平均场近似产生的相位分离的比较也进行。
2008-09-18 cond-mat.str-el
Ferromagnetic instability in itinerant fcc lattice electron systems with higher order van Hove singularities: Functional renormalization group study
利用泛函重整化群技术，以温度为尺度参数，研究了面心立方晶格非简并哈伯德模型中铁磁有序的可能性.我们假设最近的，次最近的，和次次最近的跳跃参数之间的关系提供更高阶（巨大的）范霍夫奇异的状态密度。在单圈近似下描述了两粒子电子相互作用的单粒子不可约顶点的铁磁不稳定性随温度降低的形成过程。计算了化学势-温度相图。我们发现铁磁秩序，只有足够强的发散状态和填充的范霍夫奇点附近的密度。得到的居里温度比随机相位近似的结果小一个数量级以上。铁磁性被抑制的主要原因是粒子-粒子通道中相互作用的屏蔽。我们也没有发现明显的趋势，走向无公度秩序时，费米能级是远离范霍夫奇点，这样的一阶量子相变从铁磁到顺磁相得到。
2023-03-06 cond-mat.str-el
On the violation of the Fermi-liquid picture in two-dimensional systems owing to the Van-Hove singularities
我们考虑费米能级接近范霍夫奇点的二维t-t'哈伯德模型。讨论了该模型的相图。在较宽的能量范围内，奇点处的自能与能量近似成线性关系。对态密度的相应修正与ln^3（e）成正比。自能的实部和虚部在量子相变附近增加，进入磁有序或超导相，这意味着违反费米液体行为。讨论了结果在铜酸盐中的应用。
2002-05-06 cond-mat.str-el
Anisotropic transport in the overdoped High-Tc superconductors within the Van Hove scenario
最近的拉曼实验[F. Venturini等人，物理修订信函{$Bi_2 Sr_2 Ca Cu_2 O_4$ 89}，107003-1，（2002）]发现，当掺杂从过掺杂变化到最佳掺杂时，波节准粒子变成绝缘的，而波节准粒子保持金属性。我们提出了一个简单的解释的基础上的谱函数的非相干性的波腹方向由于强散射所遭受的准粒子在附近的范霍夫奇点。
2004-08-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Van Hove Singularity Arising from Mexican-Hat-Shaped Inverted Bands in the Topological Insulator Sn-doped Bi$_{1.1}$Sb$_{0.9}$Te$_{2}$S
Sn掺杂的Bi $_{1.1}$ Sb $_{0.9}$ Te $_{2}$ S，迄今为止最大的体绝缘拓扑绝缘体的光学性质，已在不同的温度下在宽的频率范围内进行了检查。在低至30 cm $^{-1}$的低频范围内没有检测到Drude响应，证实了该材料优异的体绝缘性能。有趣的是，我们观察到在5~K的光学电导率中，在约2\,200~cm $^{-1}$处的尖锐峰。结合第一性原理计算，进一步的定量分析的线形和温度依赖性的这个尖锐的峰，建议它对应于一个范霍夫奇异性所产生的墨西哥帽形倒置带。这种范霍夫奇点是各种强关联相的关键成分。
2021-01-08 cond-mat.str-el
Efficient Fermionic One-Loop RG for the 2D Hubbard Model at Van Hove Filling
提出了费米子单圈单粒子不可约重整化群（RG）方案中四点顶点函数的一种新的参数化方法。它是基于有效的两个费米子相互作用分解成费米子双线性，通过交换玻色子相互作用。除了比以前的N-补丁计划更有效，这种参数化也减少了引入玻色子场的歧义。我们使用一种新的$Ω$-频率正则化将这种参数化应用于二维（t，t'）-哈伯德模型。
2009-02-10 cond-mat.str-el
Electronic band structure and pinning of Fermi energy to van Hove singularities in twisted bilayer graphene: a self consistent approach
扭曲双层石墨烯中平带的出现导致了相互作用效应的增强，从而导致了低温下的绝缘和超导相，尽管确切的机制仍然存在广泛的争论。平带的位置和分裂对剩余相互作用也非常敏感。此外，扭曲的石墨烯双层的低能带显示出丰富的奇异结构的态密度，范霍夫奇异性，这可以进一步增强相互作用的作用。研究了长程相互作用对扭曲石墨烯双层膜的能带结构和低能带的van Hove奇异性的影响。合理的远程静电相互作用的值导致带色散与填充的显着依赖。电子填充的能带的形状和位置的变化意味着范霍夫奇点保持接近费米能量的填充范围很广。这个结果可以被描述为费米能在奇点处的有效钉扎。能带结构对环境屏蔽的敏感性可以开辟操纵系统的新途径。
2019-11-14 cond-mat.str-el
One- and two-particle properties of the weakly interacting two-dimensional Hubbard model in proximity to the van Hove singularity
利用直接微扰方法研究了二维正方形格子上$t-t^\prime-U$哈伯德模型的弱耦合极限。借助符号计算工具，我们计算了$χ_{\uparrow \uparrow}$基和$χ_{\uparrow \downarrow}$基下的纵向密度-密度关联函数，由此可以得到任意掺杂和温度下的自旋和电荷的动态极化率.我们发现，对于非零的$t^\prime$，零频率相称的$\mathbf{q} = (π, π)$自旋和电荷激发在不同的密度是每个最强的，我们观察到一个明确的行为变化，似乎绑在非相互作用的分散体的范霍夫奇点上的微扰膨胀。我们发现一个强烈减少的可压缩性在附近的范霍夫奇点，以及在双重占有的行为变化。对于有限的$t^\prime$，所观察到的范霍夫奇点发生远离半填充导致我们得出结论，这种减少的压缩性是不同的莫特绝缘物理，人们期望在强耦合制度。我们计算了完整的动态自旋和电荷激发，并观察到不同的结构，电子和空穴掺杂的情况下，与铜酸盐材料的实验。最后，我们观察到一个特殊的分裂自旋和电荷激发附近的范霍夫奇点，其起源是追溯到附近的带底部的分裂。
2022-03-17 cond-mat.str-el
Effects of the Van Hove singularities on magnetism and superconductivity in the t-t' Hubbard model: a parquet approach
在重整化群和Parquet方法中考虑了范霍夫奇点附近费米能级的t-t'哈伯德模型。铁磁，反铁磁，超导通道的相互作用进行了研究，并构建了模型的相图。与以前的方法相比，铁磁波动的帐户抑制超导配对，反之亦然，库珀通道的影响降低居里温度，使斯通纳标准是不适用的，甚至定性。
2001-02-21 cond-mat.str-el
Temperature dependence of NMR Knight shift in pnictides: proximity to a van Hove singularity
在铁基超导体AFe $_2$ As $_2$（A = K，Rb，Cs）中观察到的奈特位移（静态自旋磁化率）的非常规温度变化可以用范霍夫奇异性的近似来解释。利用哈伯德模型，我们表明，当费米能量是在附近的范霍夫奇点，自旋磁化率的下降发生的温度降低。这种行为的特征在于温度$T^*$，其由费米能级和范霍夫奇点之间的能量差确定。当在动力学平均场近似中考虑顶点修正时，相关性的影响放大了奈特位移的相对下降，并将$T^*$移动到较低的温度。
2018-07-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Microscopic description of d-wave superconductivity by Van Hove nesting in the Hubbard model
我们设计了一个计算方法的哈伯德模型，捕捉到强烈的耦合动力学时，费米能级是在一个范霍夫奇点的状态密度。我们依赖于一个近似简并之间的多体状态占系统的主要不稳定性（反铁磁性，d波超导）。费米线原来是变形的方式与费米能级的范霍夫奇点钉扎一致。对于一个掺杂率$δ\sim 0.2$，基态的特点是d波对称性，准粒子间隙只在鞍点的带，和一个大的峰值在零动量的d波配对的相关性。
2000-04-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The Kondo effect in the presence of Van Hove singularities: A numerical renormalization group study
本文用数值重整化群（NRG）方法研究了正方形晶格中的单中心$t-t'$ Kondo问题，其中考虑了电子态密度中的对数范霍夫奇异性（VHS）.计算了磁化率、熵和比热。在VHS的存在下的热力学性质的温度依赖性原来是不平凡的。对于有限的$t'$的逆对数相应的近藤温度$T_K$证明了交叉从平方根到标准的线性依赖的$s-d$交换耦合。研究了磁化率和线性比热的低温行为，得到了威尔逊比。对于$t' -> 0$，费米液体行为被破坏。
2011-09-08 cond-mat.str-el
Deviation from the Fermi-Liquid Transport Behavior in the Vicinity of a Van Hove Singularity
最近的实验揭示了非费米液体电阻率在非常规超导体Sr $_{2}$ RuO $_{4}$当应变推动一个费米面接近范霍夫奇点。这种行为的起源以及它是否可以从定义明确的准粒子的图像中理解还不清楚。我们采用玻尔兹曼输运分析超出了单一的弛豫时间近似的基础上，经历了一个Lifshitz过渡，其中费米面跨越范霍夫奇点，无论是由于单轴或外延应变的单带。首先分析研究杂质散射，我们澄清的发散态密度与局部平坦带的Lifshitz过渡点的作用。此外，包括电子-电子散射数值，我们发现良好的定性协议与电阻率测量单轴应变Sr $_{2}$ RuO $_{4}$，包括温度标度和温度依赖性的电阻率峰值。我们的结果意味着，即使接近Lifshitz过渡，从定义良好的准粒子开始的描述。为了测试玻尔兹曼输运理论的有效性附近的范霍夫奇点，我们提供了进一步的实验可访问的参数，如热输运，塞贝克系数，霍尔电阻率和比较不同的应变情况。
2019-03-10 cond-mat.str-el
Self-energy effects in functional renormalization group flows of the two-dimensional $t$-$t'$ Hubbard model away from van Hove filling
研究了费米子自能对二维$t$哈伯德模型单圈泛函重整化群流的影响，重点研究了范霍夫填充后的电子密度.在反铁磁热点的存在下，反铁磁涨落导致费米面的平坦化，移动磁相边界，并显着提高临界尺度。我们追溯这种效应的存在下的磁性一阶跃。对于某些参数，后者的一阶特征是由自能效应降低。为了可靠地确定相图，如果热点之间的散射是重要的，那么在泛函重整化群研究中应该考虑费米子自能。
2015-12-28 cond-mat.str-el
Superconducting and pseudogap phases from scaling near a Van Hove singularity
我们研究了二维电子系统费米能的量子修正，表明在一定范围的掺杂水平下，费米能被吸引向范霍夫奇点。费米能级的缩放允许治愈BCS通道中留下的红外奇异性后的领导对数附近的发散态密度的重整化。一个阶段的d-波超导性出现超出点对应的超导不稳定性的峰值的最佳掺杂。对于较低的掺杂水平，由于鞍点的嵌套的粒子-空穴对的冷凝接管，导致在奇异点附近的准粒子的间隙的开放。
2001-10-17 cond-mat.str-el
