Control of polymorphism during epitaxial growth of hyperferroelectric candidate LiZnSb on GaSb (111)B
铁电器件面临的一个主要挑战是去极化场，它与铁电薄膜的极限范围内的长程极性序竞争并经常破坏它们。最近的理论预测表明，一类新的材料，称为超铁电，这应该是强大的对退极化场，使铁电性下降到单层极限。在这里，我们展示了超铁电候选材料之一的六方晶系LiZnSb的外延生长，在GaSb（111）B衬底上的分子束外延。由于所有三种原子物种的高挥发性，我们发现，LiZnSb可以生长在一个吸附控制的窗口，使用过量的锌通量。在该窗口内，所需的极性六方相相对于竞争的立方多晶型物是稳定的，如通过X射线衍射和透射电子显微镜测量所揭示的。第一性原理计算表明，对于适度量的外延应变和适度浓度的Li空位，立方LiZnSb相的形成能比六方相低，但每个分子式单元仅低几毫电子伏。因此，我们认为动力学在低温下稳定所需的六方相方面发挥着作用。我们的研究结果提供了一个路径，实验证明铁电性和超铁电性在一类新的三元金属间化合物。
2020-01-16 cond-mat.mtrl-sci
Tunable polymorphism of epitaxial iron oxides in the four-in-one ferroic-on-GaN system with magnetically ordered α-, γ-, ε-Fe2O3 and Fe3O4 layers
半导体材料和磁性材料的杂化被认为是潜在的适用于新型功能自旋电子器件的设计。本文报道了四种磁性有序氧化铁相（Fe_3 O_4，γ-Fe_2 O_3，α-Fe_2 O_3和最奇异的亚稳ε-Fe_2 O_3）在GAN（0001）表面以纳米尺度单晶膜的形式外延稳定化。在广泛用于电子器件制造的GAN半导体衬底上，在相同的单靶激光MBE技术工艺中，证明了多达四种明显不同的氧化铁相的外延生长。所讨论的铁氧化物属于一类简单的磁性材料，具有丰富的物理性质，包括Fe_3O_4和α-Fe_2O_3的Verwey和Morin相变以及介稳硬磁ε-Fe_2O_3铁氧体的多铁性。从基本观点来看，外延生长过程中特定相的成核背后的物理原因值得关注。本研究的实际方面是利用铁氧化物的可调多态性，用于创建可用于新型自旋电子器件的铁-半导体异质结构。本文采用多种实验技术，对GAN上单相氧化铁外延膜的表面形貌、晶体结构、电学和磁学性质进行了研究。一个全面的比较已经取得了相同的铁氧体材料的性能，在散装和纳米结构的形式由其他研究小组报告。
2017-12-15 cond-mat.mtrl-sci
Spin-Lattice Coupling Induced Rich Magnetic States in CrF$_3$ monolayer
通过积分CrF$_3$单层的声子自由度推导包含四自旋项的有效哈密顿量，揭示了自旋-晶格耦合在铁磁与反铁磁相变边界附近诱导出多种分数磁化平台态。
2024-01-05 cond-mat.mtrl-sci
Stacking up electron-rich and electron-deficient monolayers to achieve extraordinary mid- to far-infrared excitonic absorption: Interlayer excitons in the C3B/C3N bilayer
本研究通过高精度多体微扰理论预测，富电子C3N与缺电子C3B构成的二维II型范德华异质结可产生高亮度、大结合能的低能层间激子，为中远红外/太赫兹波段的室温应用提供理想材料候选。
2022-11-25 cond-mat.mtrl-sci
The unexpected magnetism in 2D group-IV-doped GaN for spintronic applications
通过第一性原理计算发现，在富N条件下Ge和Sn掺杂单层GaN可形成屈曲结构并产生1 μB磁矩，而本征空位会消除磁性，为二维GaN基自旋电子学应用提供了理论指导。
2023-04-05 cond-mat.mtrl-sci
Stability of extended defects on boron nitride and graphene monolayers: the role of chemical environment
我们进行从头计算表明，反相界（APB）的相对稳定性与扶手椅和锯齿形手性在单层氮化硼（BN）的合成过程中的硼和氮物种的化学势决定。在富氮环境中，具有富氮核的锯齿形APB是最稳定的结构，而在富硼或本征生长条件下，具有化学计量核的扶手椅形APB是最稳定的结构。这种稳定性的转变是由APBs的核心中的同极键（B-B和N-N）和弹性能成本之间的竞争引起的。此外，在碳源的存在下，我们发现，碳掺杂的锯齿形APB成为最稳定的边界附近的富氮限制。BN中两种类型的APB的电子结构被示出为是特别不同的，与锯齿形APB描绘的带隙中的缺陷样深电子带，而扶手椅式APB显示批量样浅电子带。
2012-12-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Low-symmetry polymorph of GaP upends bonding paradigms of metallic high-pressure III-V compounds
该研究以GaP为对象，通过X射线微衍射和第一性原理计算发现其高压II相为有序底心单斜结构，颠覆了八隅体高压相有序性的传统认知，为相关化合物多晶型及性质调控研究提供了新方向。
2024-04-11 cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Alloying, de-alloying and reentrant alloying in (sub-)monolayer growth of Ag on Pt(111)
本文报道了Ag/Pt（111）表面合金化体系的原位纳米尺度研究。用低能电子显微镜研究了在800 K左右生长的Ag-Pt薄膜的形貌和结构。揭示了一个令人惊讶的丰富的动态行为，其中压力缓解起着主导作用。初始生长导致表面合金化，延长和延迟ad岛的成核。超过50%的覆盖率去合金化收益，加入了部分偏析的Pt对中心的大岛在激烈的过程。在聚结时，不规则形状的空位簇通过分离Pt而被填充，然后Pt采取紧凑的形状（黑点）。结果，在约85%的覆盖率下，最初的假形态膜的应变几乎完全减轻，并且Pt偏析处于其最大值。Ag的进一步沉积导致瞬时重入合金化和伪形态层的恢复。即使在几层厚的膜中/上，黑点也持续存在。非原位原子力显微镜的数据证实，这些可能是由非晶Pt（富）结构。（亚）单层膜是非常不均匀的。
2016-11-19 cond-mat.mtrl-sci
Hexcitons and oxcitons in monolayer WSe$_2$
在原型单层半导体WSe $_2$中，导带中自旋极化谷（低能袋）的不同排序允许不仅研究简单的中性激子和带电激子（即，trions），但也更复杂的多体状态，预测在更高的电子密度。我们讨论了富电子WSe $_2$单分子膜的磁光测量，并解释了谱线，出现在高电子掺杂的6体激子状态（“hexitons”）和8体激子状态（“oxcitons”）的光学跃迁。当光激发的电子-空穴对同时与多个费米海相互作用时，这些多体状态就会出现，每个费米海都有可区分的自旋和谷量子数。此外，我们确定的主要和卫星的光致发光光谱中的六激子的光学跃迁的能量。
2022-02-20 cond-mat.mtrl-sci
Phase engineering in tantalum sulfide monolayers on Au(111)
我们在H $_2$ S的反应背景下，通过蒸发Ta在Au（111）上制备了硫化钽单层膜。在富硫条件下，形成2 H-TaS $_2$的单层，而在贫硫条件下形成TaS，该结构可通过除去底部S层而从2 H-TaS $_2$衍生。我们用扫描隧道显微镜（STM）分析了Au（111）人字形重构中各层相对于衬底的取向以及与畴的关系。借助密度泛函理论（DFT）计算，我们可以确定这两个阶段与衬底的注册。我们开发了一种生长方法，可以在Au（111）上制备独特取向的2 H-TaS $_2$。2 H-TaS $_2$和TaS具有非常相似的面内晶格结构，我们观察到横向2 H-TaS $_2$ -TaS异质结构的形成，其具有原子级定义良好且无缺陷的边界。我们观察到镜像孪晶边界内2 H-TaS $_2$沿S-和Ta-边缘。
2022-11-28 cond-mat.mtrl-sci
BP_5 Monolayer with Multiferroicity and Negative Poisson's Ratio: A Prediction by Global Optimization Method
基于变组分全局优化算法，我们预测了一种稳定的二维磷化硼相，即五磷化硼（BP 5）单层，其形成能低于通常认为的石墨相（g-BP）。BP_5单分子膜是一种具有铁电性和铁弹性耦合的多铁性材料。预测的可逆应变高达41.41%，这是所有报道的铁弹材料中最大的。由于硼和磷原子的非中心对称结构和电负性差异，BP_5中出现了326.0 pC/m的面内自发极化。此外，在BP_5中还观察到最近发现的负泊松比性质。BP_5是一种带隙为1.34eV的间接半导体材料，具有明显的可见光各向异性吸收和高载流子迁移率等优良的光学和电学性质。BP_5丰富而非凡的性质使其成为一种潜在的纳米材料，用于设计机电或光电子器件，如具有方便读写能力的非易失性存储器。最后，我们证明了AlN（010）表面是一个适合于BP_5单层外延生长的衬底。
2017-03-10 cond-mat.mtrl-sci
Sampling polymorphs of ionic solids using random superlattices
多晶型现象为发现新型功能材料提供了丰富且几乎未开发的空间。为了利用这种潜在的方法能够探索空间的多态性和评估其可实现性是必要的。一个这样的方法设计的部分离子固体。结构预测部分是通过对大量随机超晶格（RSLs）进行局部DFT弛豫来进行的，这些超晶格具有以有利于阳离子-阴离子配位的方式随机分布在不同平面上的原子。应用RSL采样MgO，ZnO和SnO 2表明，由此产生的概率发生给定的结构提供了一个衡量其实现充分解释实验观察到的，亚稳多晶型物在这三个系统。
2015-09-19 cond-mat.mtrl-sci
Leaving the Valley: Charting the Energy Landscape of Metal/Organic Interfaces via Machine Learning
无机/有机界面所表现出的丰富的多晶性是材料设计的主要挑战。在这项工作中，我们提出了一种方法来有效地探索的势能面和预测的形成能的多晶型和缺陷。这是通过在仅100个候选结构的列表上训练机器学习模型来实现的，这些结构通过色散校正的密度泛函理论（DFT）计算来评估。我们证明了这种方法的功率为四氰基乙烯在Ag（100）和解释实验观察到的各向异性排序。
2018-04-28 cond-mat.mtrl-sci
Exciton Brightening in Monolayer Phosphorene via Dimensionality Modification
二维单层磷烯是一个含有准一维激子的二维体系，它为研究激子的降维动力学和基本的多体相互作用提供了一个独特的二维平台。然而，另一方面，准一维激子的性质可以限制发光量子产率显着。在这里，我们报告的激子增亮单层磷烯实现通过准一维到零维（0 D）的激子的维度修改，通过转移单层磷烯样品到缺陷丰富的氧化物衬底上沉积的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。由此产生的界面发光局域态导致激子局域化，并在~920 nm的新波长处触发有效的光子发射。在单层磷烯中，类0 D局域激子的发光量子产率至少是本征准1D自由激子的33.6倍。这主要是由于非辐射衰变率的降低和可能增强的辐射复合概率。由于捕获能量大，单层磷烯中局域激子的这种新光子发射可以在高温下观察到，这与过渡金属二硫属化物（TMD）半导体单层中缺陷诱导的光子发射形成鲜明对比，后者只能在低温下观察到。我们的研究结果为开发基于单层磷烯的新型光子器件引入了新的途径，例如可在高温下操作的近红外照明器件。更重要的是，具有准一维自由激子和类一维定域激子的二维磷烯为研究理想的二维-一维-一维杂化体系中的基本现象提供了一个独特的平台。
2016-02-02 cond-mat.mtrl-sci
Photo-induced electronic and spin topological phase transitions in monolayer bismuth
该研究通过从头计算揭示光可诱导单层铋产生四个瞬态相，并借助自旋带与自旋分辨Wilson环阐明其非平凡拓扑变化，为超快调控电子与自旋拓扑提供了新策略。
2024-03-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Regulation of electronic structures in ReSeS monolayer with anisotropic deformations
本文通过第一性原理计算研究具有Janus结构的ReSeS单层，发现各向异性形变可调控其电子结构、金属性、有效质量及光谱响应，为可调控光电器件设计提供理论基础。
2025-02-09 cond-mat.mtrl-sci
High-performance Thermoelectric Monolayer γ-GeSe and its Group-IV Monochalcogenide Isostructural Family
本文通过第一性原理与玻尔兹曼输运理论研究发现，单层γ-GeSe及其同构家族γ-GeX具有优异热电性能，其中γ-GeSe在300-600 K下n型掺杂ZT值可达1.13-2.76，是一种有前景的中温热电材料。
2023-08-10 cond-mat.mtrl-sci
Wetting Phase Transition at the Surface of Liquid Ga-Bi alloys: An X-ray Reflectivity Study
X射线反射率的测量表明，在单晶温度$T_{mono}=222^{\circ}$ C以上和以下，二元液态Ga-Bi合金的表面结构明显不同。吉布斯吸附的Bi单层驻留在这两个政权的表面。然而，对于$T > T_{mono}$，30 μ m厚的富Bi润湿膜侵入Bi单层和富Ga块体之间。的润湿膜的内部结构确定与dielectric分辨率，显示出理论上意想不到的浓度梯度和高度扩散的界面与体相。
2004-07-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Monolayer 1T-NbSe2 as a 2D correlated magnetic insulator
单层V族过渡金属二硫属化物在其1 T相最近出现作为一个平台，以研究丰富的物质相，如自旋液体和铁磁性，导致强电子相关。虽然1 T相NbSe 2不会自然地以块体形式出现，但是已经发现，当通过分子束外延（MBE）生长单层NbSe 2时，1 T和1H相可以共存。这一发现激发了理论研究，预测集体现象，如二维铁磁性。在这里，通过控制MBE生长参数，我们证明了单相1 T-NbSe 2的成功生长。通过结合扫描隧道显微镜/光谱和从头计算，我们表明，该系统是一个电荷转移绝缘体，与上哈伯德带位于价带最大值以上。此外，通过创建一个垂直的1 T/2 H NbSe 2异质结，我们发现的证据之间的交换相互作用的本地磁矩在1 T相和金属/超导相，表现为近藤共振和Yu-Shiba-Rusinov束缚态。
2021-03-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Theory of intervalley Coulomb interactions in monolayer transition-metal dichalcogenides
过渡金属二硫属化物中的激子光学跃迁为研究丰富的多体物理提供了独特的机会。最近在单层WSe $_2$和WS $_2$中的实验表明，虽然中性激子和三体复合物的低温光致发光在电子密度升高或强光激发的存在下被抑制，但在光谱的低能量侧出现新的主峰。我提出了一个理论，阐明了这些光学跃迁的性质，显示谷间库仑相互作用的作用。在推导出一个紧凑的动力学形式的库仑势，我计算的自能量的电子，由于他们与这个潜在的相互作用。对于自旋分裂导带的上谷中的电子，自能包括由于交换而引起的适度红移，并且最重要的是，带隙中的相关诱导虚态。后者揭示了单层WSe $_2$和WS $_2$中存在明显的多体相互作用时发光的起源。
2016-03-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Structural phase transition in monolayer gold(I) telluride: From a room-temperature topologicalinsulator to an auxetic semiconductor
半导体和拓扑绝缘体之间的结构相变在纳米电子学中有着丰富的应用，但在二维（2D）材料中却很少发现。在这项工作中，通过结合从头计算和进化结构搜索，我们研究了两个稳定的二维形式的金（I）碲化物（Au $_{2}$ Te）的正方形对称，记为s（I）-和s（II）-金$_{2}$ Te。s（II）-Au $_{2}$ Te是全局最小结构，是室温拓扑绝缘体。s（I）-Au $_{2}$ Te是一种具有高载流子迁移率和不寻常的面内负泊松比的直接带隙半导体。s（I）和s（II）相都具有超低的杨氏模量，这意味着高柔性。通过施加小的拉伸应变，s（II）-Au $_{2}$ Te可以转变为s（I）-Au $_{2}$ Te。因此，从室温拓扑绝缘体到拉胀半导体的结构相变被发现在二维形式的Au $_{2}$ Te，这使得相变电子器件的潜在应用。此外，我们还借助声子谱和群论分析阐明了相变的机制。
2020-12-17 cond-mat.mtrl-sci
Designing 1D correlated-electron states by non-Euclidean topography of 2D monolayers
二维（2D）双层，扭曲到特定的角度显示电子平带，正在被广泛探索的强关联的2D系统的物理。然而，一维（1D）强关联系统的类似丰富物理仍然难以捉摸，因为它在很大程度上是无法通过扭曲来实现的。在这里，提出了一种独特的方式来创建1D平坦带，通过冲压或生长的2D单层上的非欧几里德地形图案化的表面。以氮化硼（hBN）为例，采用弹性板理论、密度泛函和粗粒紧束缚方法分析表明，hBN的双周期正弦形变产生了具有空间依赖性的赝电场和磁场.这些领域的组合导致各向异性的限制和一维平坦带。此外，改变周期性波动可以调谐带宽，以将系统驱动到不同的强相关区域，例如密度波、Luttinger液体和莫特绝缘体。这些状态的一维性质不同于扭曲材料中获得的状态，可以用来研究一维量子系统的激发物理。
2021-11-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
First principles studies of the electronic and structural properties of the rutile VO$_{2}$(110) surface and its oxygen-rich terminations
采用密度泛函理论（DFT）研究了金红石VO $_{2}$（110）表面及其富氧末端的结构和电子性质.我们讨论了各种DFT泛函的性能，包括PBE，PBE+U（U = 2 eV），SCAN和SCAN+rVV泛函与非磁性和铁磁自旋序。我们预测存在的环状终止，这是电子和结构相关的V $_{2}$ O $_{5}$（001）单层，并显示出比纯氧吸附相更高的稳定性。尽管事实上，所计算的相稳定性取决于所选择的功能，我们的研究结果表明，采用自旋极化的扫描功能提供了一个很好的折衷产生的金红石VO $_{2}$体相的结构和电子性质的合理描述和形成的焓为不同阶段的钒氧化。
2021-07-16 cond-mat.mtrl-sci
Mechanical strain induced topological phase changes of monolayer and bilayer ZrTe$_5$
Hungarian Research Network, HUN-REN Centre for Energy Research, Institute of Technical Physics and Materials Science（匈牙利研究网络，HUN-REN能源研究中心，技术物理与材料科学研究所）；MTA - HUN-REN EK Lendület "Momentum" Topology in Nanomaterials Research Group（匈牙利科学院-HUN-REN EK Lendület“动量”纳米材料拓扑研究组）；ELTE Eötvös Loránd University, Department of Physics of Complex Systems（厄特沃什·罗兰大学，复杂系统物理学系）；ELTE Eötvös Loránd University, Department of Biological Physics（厄特沃什·罗兰大学，生物物理学系）
本研究揭示单层与双层ZrTe$_5$的应变诱导拓扑相变存在差异，其中双层ZrTe$_5$可通过1-2%应变实现多种拓扑态调控，为拓扑材料的应变调控提供了候选体系。
2026-08-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Multiple magnetic states, valley electronics, and topological phase transitions in two-dimensional Janus XYZH (X = Sc, Y, La, Y = Cl, Br, I, and Z = S, Se, Te): From monolayers to bilayers
本研究提出27种二维Janus XYZH铁磁半导体单层，揭示其谷极化、应变诱导拓扑相变及双层中的多铁性、层极化谷霍尔效应和交变磁性，为量子器件设计提供理论基础。
2025-02-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Rectangular carbon nitrides C4N monolayers with a zigzag buckled structure: Quasi-one-dimensional Dirac nodal lines and topological flat edge states
基于第一性原理计算提出两种具有锯齿曲折结构的 C4N 单层，发现其具有准一维 Dirac 节线和边缘依赖的拓扑平带结构，Fermi 速度达 105 m/s，在高频电子器件中具应用潜力。
2024-01-07 cond-mat.mtrl-sci
Manipulating single excess electrons in monolayer transition metal dihalide
本文利用STM/STS在单层CoCl2中实现四种极化子的可视化与单粒子级产生、移动、擦除和相互转化，揭示其不同稳定机制，为过渡金属卤化物中极化子操控提供了新途径。
2022-07-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Observation of metallic electronic structure in a single-atomic-layer oxide
过渡金属氧化物（TMOs）中的关联电子表现出多种不同的出射相位。当TMO被限制在单原子层厚度时，迄今为止的实验表明，它们通常会失去各种特性并成为绝缘体。在试图扩大的范围内的单原子层氧化物的电子相，我们寻找一个金属相在单层厚的外延SrRuO $_3$膜。结合原子尺度外延和角分辨光电发射测量，我们表明，单层SrRuO $_3$是一个强相关的金属。系统的研究表明，尺寸和电子关联之间的相互作用，使单层SrRuO $_3$的非相干金属轨道选择相关。此外，单层SrRuO $_3$的独特的电子相被发现是高度可调的，作为电荷调制演示了二维金属的非相干到相干交叉。我们的工作强调了单原子层氧化物的潜在丰富的阶段，并提供了一个指导，其二维相关电子系统的操作。
2021-09-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Vacancies and dopants in two-dimensional tin monoxide: An ab initio study
层状氧化锡（SnO）提供了一个令人兴奋的二维（2D）半导体系统，具有巨大的技术潜力，为下一代电子和光催化应用。采用第一性原理模拟和应变场分析相结合的方法，研究了单层SnO中氧空位的结构动力学及其通过C、Si、N、P、S、F、Cl、H和H $_{2}$等轻掺杂剂的功能化.我们的研究结果表明，O空位是占主导地位的本征缺陷下的Sn丰富的生长条件下，具有积极的扩散特性，是可比的石墨烯空位。取决于材料内的替代物种和其浓度的选择，显着的机会被揭示在掺杂的SnO系统促进$n$ / $p$型倾向，功函数降低，和金属化的单层。发现N和F掺杂剂表现出与主晶格的优异机械相容性，其中F特别可能参与取代并导致具有高露天稳定性的简并掺杂相。这里报道的研究结果表明，在富含Sn的条件下生长后填充O空位为掺杂2D一氧化锡提供了一个可行的通道，为利用缺陷工程SnO纳米结构用于新兴技术开辟了新的途径。
2020-11-20 cond-mat.mtrl-sci
Structural and vibrational properties of two-dimensional $\rm Mn_xO_y$ nanolayers on Pd(100)
使用不同的实验技术结合基于密度泛函理论的方法，我们已经探索了形成界面稳定的锰氧化物结构生长在Pd（100）（子）单层覆盖。在实验观察到的众多阶段中，我们将注意力集中在四种结构上，这些结构可以分为两个不同的制度，其特征在于不同的构建块。两个富氧相被描述为MnO（111）类O-Mn-O三层，而其他两个具有较低的氧含量，并基于MnO（100）类单层结构。计算和实验扫描隧道显微镜图像和振动电子能量损失谱之间的良好协议允许探索模型的详细原子描述。
2008-11-14 cond-mat.mtrl-sci
Effect of arsenic doping on structural and electronic properties of MoSe$_2$ monolayer: an ab initio study
本文通过DFT计算研究MoSe₂单层中Mo空位、As替代掺杂和As间隙掺杂对结构与电子性质的影响，发现As替代掺杂最稳定且体系带隙增大，并揭示不同缺陷诱导p型或n型半导体行为及其在光催化和红外电子学中的应用潜力。
2024-12-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Competing Coulomb and electron-phonon interactions in NbS$_2$
库仑和电子-声子相互作用与热涨落和量子涨落的相互作用促进了二维电子系统中丰富的相图。层状过渡金属二硫属化物承载电荷，激子，自旋和超导秩序在这方面形成一个缩影材料类。对NbS $_2$等材料的理论研究主要集中在电子-声子耦合上，而库仑相互作用（在单层极限下特别强）基本上保持不变。在这里，我们分析的相互作用的短期和长期的库仑以及电子-声子相互作用的NbS $_2$单分子膜。这些相互作用的组合导致电子相关性，这些电子相关性与单独从相互作用项中预期的电子相关性根本不同。完全相互作用的电子光谱函数类似于非相互作用的能带结构，但具有明显的展宽。一个意想不到的共存的强电荷和自旋波动把NbS $_2$接近自旋和电荷的顺序，表明单层NbS $_2$作为一个平台的原子尺度工程的电子量子相位。
2018-07-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
The first-principles phase diagram of monolayer nanoconfined water
该研究结合多种第一性原理计算方法构建类石墨烯通道内单层水的相图，揭示其随温度与范德华压力变化的丰富相态，并预测六方相和电导率超过电池材料的超离子相。
2022-07-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
High-temperature ferromagnetism and antiferromagnetism in monolayer \ce{CrTe2}: Roles of strong spin-lattice coupling and charge doping
Indian Institute of Science Education and Research（印度科学教育研究院）
通过第一性原理计算和蒙特卡洛模拟，揭示了单层CrTe2中晶格应变与载流子密度调控的丰富磁相图，预测了新型双条纹反铁磁相，并实现了室温铁磁和反铁磁性。
2026-06-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
