Fractional charges on an integer quantum Hall edge
我们提出了在\emph{integer}量子霍尔边缘态中产生和检测分数电荷激发的方法。由于在不同边缘沟道上传输的电子之间的库仑相互作用，发生了电荷分馏。类孤子集体激发的分数电荷可以在时间分辨或频率相关的散粒噪声测量中观察到。
2009-05-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Fractional statistics in the fractional quantum Hall effect
分数量子霍尔效应中{ \em准粒子}的分数统计的微观证实至今仍缺乏。通过计算一个闭环系统中另一个复合费米子准粒子的Berry相，计算了复合费米子准粒子在$ν=1/3$和$ν=2/5$的统计量.仔细考虑由于额外准粒子的存在而导致的轨迹中的微小扰动对于获得统计的正确值至关重要。讨论了分数阶统计量概念的适用条件。
2003-07-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Mapping a fractional quantum Hall state to a fractional Chern insulator
建立了分数量子Hall态到分数Chern绝缘体的变分原理。我们发现，该映射具有规范自由度，可以产生一类适用于不同形式相互作用的FCI基态波函数。因此，规范应固定的变分原理，使FCI模型的相互作用能最小化。对于软的各向同性电子-电子相互作用，该原理导致与朗道能级的最大定域\emph{two-dimensional}投影Wannier函数相一致的规范。
2015-10-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Edge tunneling in fractional quantum Hall regime
我们解决了一个明显的分歧之间的理论和实验的I-V特性的电子隧穿从金属的边缘的二维电子气在分数量子霍尔制度的问题。我们的结果的一部分是半满朗道能级的边缘理论。
1998-09-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Fractional quantum Hall effect in a tilted magnetic field
讨论了倾斜磁场对抛物量子阱中量子霍尔效应的轨道效应。利用有限尺寸精确对角化方法研究了在第二电子子带分数1/3和1/2填充下实现的多体态。在这两种情况下，我们得到的相图组成的分数量子霍尔流体相，持续适度的倾斜，并最终经历了直接过渡到条纹相。结果表明，倾斜的字段探针的分数量子霍尔流体的几何自由度，并可以部分地与带质量各向异性的影响。
2013-06-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
The enigmatic 12/5 fractional quantum Hall effect
通过精确对角化方法，包括有限阱宽和朗道能级混合，数值研究了填充因子为$ν=12/5$和13/5（12/5的粒子-空穴共轭）的高质量二维GaAs异质结构中的分数量子霍尔效应.我们发现朗道能级混合抑制了$ν=13/5$相对于$ν=12/5$的分数量子霍尔效应。相比之下，我们发现$ν=2/5$和（它的粒子-空穴共轭）$ν=3/5$分数量子霍尔效应在朗道能级混合和有限阱宽修正下是鲁棒的。我们的结果提供了一个可能的解释，实验上没有13/5分数量子霍尔态所造成的朗道能级混合效应。
2016-08-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Multi-component fractional quantum Hall states in graphene: SU(4) versus SU(2)
由于石墨烯的自旋和Dirac谷自由度，石墨烯允许在不同的参数区域观察到单组分、双组分或四组分分数量子霍尔效应。我们认为，在最近的实验中观察到的一些（虽然不是全部）明显令人困惑的特征与双组分分数量子霍尔效应是一致的，电子自旋被冻结，但狄拉克谷对称性几乎完好无损。在SU（4）极限下，我们预言新的低能Goldstone模决定了分数量子Hall态在2/5，3/7等处的稳定性; SU（4）skyrmions与低能物理无关。
2012-05-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Insulating and Fractional Quantum Hall States in the N=1 Landau Level
本文报道了二维电子在第一激发朗道能级上的新绝缘相的观测结果。这些状态表现为再入整数量子化霍尔效应，与在nu=7/2和5/2处发展良好的偶数分母分数量子化霍尔态以及在nu=3+1/5和3+4/5处的新奇数分母态一起存在。
2001-10-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Resonant tunneling in fractional quantum Hall effect: superperiods and braiding statistics
理论上研究了复合费米子在分数量子霍尔岛周围的准束缚态的共振隧穿，发现了一组丰富的可能的岛态跃迁，它们是磁场或背栅电压的函数.这些考虑可能与最近的一项实验研究有关，并提出了许多涉及推导分数编织统计的微妙之处。
2006-03-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Exact wavefunctions for excitations of the nu=1/3 fractional quantum Hall state from a model Hamiltonian
我们研究了具有开放边界的圆柱几何中的分数量子霍尔态。通过截断电子间的库仑相互作用，我们证明了可以构造无限多个精确的本征态，包括基态、准空穴、准电子和激发态的磁子支。
2012-04-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Spin-Allowed Chern-Simons Theory of Fractional Quantum Hall States for Odd and Even Denominator Filling Factors
通过引入自旋自由度，我们提出了一个广义的自旋允许的$U(1)\times U(1)$ Chern-Simons分数量子霍尔效应理论.该理论再现了所有可能的奇分母填充因子对应于自旋非极化，部分极化，和完全极化的分数量子霍尔态。紧接着我们先前的理论，我们导出了自旋非极化和部分极化分数量子霍尔态的电磁极化张量和霍尔电导率的形式表达式。最后，我们报告的集体激发的计算谱的偶数和奇数分母填充因子，满足科恩的定理。
1997-06-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Low Energy Effective Hamiltonian for the Fractional Quantum Hall Effect
利用对称群的不可约表示，得到了分数量子霍尔效应的低能有效哈密顿量。结果表明，用有效哈密顿量描述的模型与海森堡自旋链相似。研究了有效哈密顿量的对称性，以分解相关的希尔伯特空间。这种分解将有助于进一步对量子霍尔系统能隙的数值分析。
1999-06-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Thermopower as a Probe of Non-Abelian Quasiparticle Statistics in Fractional Quantum Hall States
本文已被一个新的预印本所取代：Kun Yang和Bertrand I。Halperin，arXiv：0901.1429.
2009-01-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Nature of excitations of the 5/2 fractional quantum Hall effect
它表明，与精确的对角化研究的帮助下，系统与多达16个电子，在存在多达两个δ功能杂质，Pfiran模型是不足以为实际的准空穴和准粒子的5/2分数量子霍尔效应。非阿贝尔统计的影响进行了讨论。
2006-09-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Anomalous fractional quantum Hall effect and multi-valued Hamiltonians
讨论了在没有外加磁场的情况下存在的反常分数量子霍尔效应。我们建议，在这样的系统中的激发可以有效地描述非相互作用的粒子上定义的布里渊区与分支切割的哈密顿量。这种系统的霍尔电导率通过单粒子格林函数表示。我们证明，对于所提出的类型的哈密顿量，这个表达式需要分数值倍Klitzing常数。讨论了这种结构与基态简并度的可能关系。
2021-06-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Fractional Quantum Hall Effect in Graphene
与常规电子自旋不同，石墨烯中费米点的赝自旋简并度不直接耦合到磁场。因此，石墨烯提供了一种天然的工具，可以在类似于GaAs系统中零塞曼分裂的难以捉摸的极限下观察积分和分数量子霍尔物理。这个极限可以表现出新的积分平台所产生的相互作用，大pseudoskyrmions，分数序列，偶/奇分子效应，复合费米子pseudoskyrmions，和一个pseudospin-singlet复合费米子费米海。B=0光谱的狄拉克性质导致整个光谱的定性变化，与石墨烯的$n=0$朗道能级中的分数量子霍尔效应无关。石墨烯的第二朗道能级比GaAs的第二朗道能级具有更强的分数量子霍尔效应。
2006-09-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Coulomb Blockade in the Fractional Quantum Hall Effect Regime
我们利用手征Luttinger液体理论研究了分数量子霍尔效应下量子点的输运，发现了丰富的非费米液体隧穿特性。特别是，我们预测了一个显着的库仑阻塞型能隙，是量化的非相互作用的水平间距，新的幂律隧穿指数的电压超过阈值的单位，和线的形状作为栅极电压的函数，是显着不同的费米液体。我们提出实验，利用这些独特的光谱特性作为一个新的探针的分数量子霍尔效应。
2000-03-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Composite fermion model for entanglement spectrum of fractional quantum Hall states
我们证明了与一类强关联多体态--Laughlin和Jain提出的描述分数量子霍尔效应的波函数--相关的纠缠谱可以很好地用一个简单的非相互作用（或弱相互作用）复合费米子模型来描述。
2015-06-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
A note contrasting two microscopic theories of the fractional quantum Hall effect
对于分数量子霍尔效应的微观解释，人们提出了两种理论，即Haldane-Halperin层次理论和复合费米子理论。关于它们之间的关系，从它们是不同的到它们是完全等同的，已经作出了相互矛盾的陈述。本文试图澄清这个问题。结果表明，这两种理论假设不同的微观机制的起源分数量子霍尔效应，并作出实质上不同的预测，允许实验来区分它们。
2014-03-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Fractional quantum Hall states in charge-imbalanced bilayer systems
我们研究了电荷分布不平衡双层膜中的分数量子霍尔效应，例如，由偏置栅电压引起的。由于电子之间的库仑排斥，双层可以是本征的，也可以在宽量子阱中自发形成。我们重点研究了填充因子nu=4/11的非对称双层系统中的分数量子霍尔效应，并证明了非对称Halperin试探波函数对系统的基态给出了有效的描述.
2013-09-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Anomalous Hall effect in ferromagnetic semiconductors
本文提出了铁磁（Mn，III）V半导体反常霍尔效应的理论。我们的理论涉及到一个均匀的铁磁体的异常霍尔电导的Berry相获得的准粒子波函数后，穿越封闭的路径上的自旋分裂费米表面的铁磁状态。它同样适用于任何巡回电子铁磁体。我们的理论和实验数据之间的定量协议在（In，Mn）As和（Ga，Mn）As系统表明，这种无序独立的贡献异常霍尔电导率占主导地位的稀磁半导体。
2001-10-22 cond-mat.mes-hall
Ab initio calculation of intrinsic spin Hall effect in semiconductors
相对论能带理论计算结果表明，典型半导体Ge、GaAs和AlAs的本征自旋霍尔电导率都是大的$[\sim 100 (\hbar/e)(Ωcm)^{-1}]$，表明自旋霍尔效应可能存在于四带Luttinger哈密顿量之外.计算的轨道角动量（轨道）霍尔电导率是一个数量级较小，表明没有取消之间的自旋和轨道霍尔效应在体半导体。此外，还发现自旋霍尔效应可以被应变强烈地操纵，并且半导体中的$ac$自旋霍尔电导率在纯半导体和杂质半导体中都很大。
2005-05-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
SU(N) fractional quantum Hall effects in topological flat bands
基于密度矩阵重整化群方法，研究了SU $(N)$不变相互作用下拓扑格点模型中的$N$分量相互作用粒子（硬核玻色子和费米子）.通过调节种间和种内相互作用的相互作用，我们证明了一类SU $(N)$分数量子霍尔态可以出现在最低Chern带的玻色子的分数填充因子$ν=N/(N+1)$（费米子的$ν=N/(2N+1)$），其特征在于非平凡的分数霍尔响应和分数电荷泵。在此基础上，建立了基于$\mathbf{K}$矩阵的拓扑刻画，讨论了拓扑平坦带中陈数$N$与分数量子霍尔物理的密切关系.
2018-01-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Electron spin polarization induced by spin Hall effect in semiconductors with a linear in the momentum spin-orbit splitting of conduction band
结果表明，自旋霍尔效应使半导体中的电子产生均匀的自旋极化，导带的动量自旋分裂呈线性。反过来，即使在没有外部磁场的情况下，在样品边缘处积累的非均匀自旋极化的轮廓也在空间中振荡。
2005-08-05 cond-mat.mes-hall
Fractionalization in spontaneous integer quantum Hall systems
人们普遍认为，整数量子霍尔系统不具有分数激发。在这里，我们证明了相反的是真实的一类系统，整数量子霍尔效应自发出现由于巡游电子和非共面磁有序的相互作用。我们表明，磁$Z_2$涡在这样的系统，其拓扑稳定性是由结构的序参量，确实携带分数电荷。
2012-08-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el quant-ph
Light Induced Hall effect in semiconductors with spin-orbit coupling
我们证明了在具有自旋轨道耦合的半导体中，受弱电场作用的圆偏振光的光激发电子将携带横向于电场的霍尔电流。这种光感生的霍尔效应是光和电场的量子干涉的结果，并且可以被视为由电场感生的自旋电流的物理结果。计算了p型GaAs体材料、n型和p型量子阱结构的光感生霍尔电导。
2006-05-06 cond-mat.mes-hall
Fractional charge and fractional statistics in the quantum Hall effects
具有分数电荷和分数统计的准粒子是分数量子霍尔效应的关键特征。我们将详细讨论分数电荷和统计的定义，以及这些性质可能被观察到的方式。除了理论基础之外，我们还回顾了该领域的实验现状。我们还讨论了非阿贝尔统计的概念，并试图找到非阿贝尔准粒子在某些量子霍尔系统中存在的实验证据。
2021-05-19 cond-mat.mes-hall
On the ground state of fractional quantum Hall effect
这篇论文已被作者撤回。
1998-11-12 cond-mat.mes-hall
The Fractional Quantum Hall Effect
简要介绍了1998年获得诺贝尔奖的分数阶量子霍尔效应现象。我们还解释了把分数量子霍尔效应描述为复合费米子的整数量子霍尔效应的复合费米子图像。
1999-02-22 cond-mat.mes-hall
Spin-Hall Effect in Chiral Electron Systems: from Semiconductor Heterostructures to Topological Insulators
介观自旋-霍尔效应现象表现为在弹道导体的边缘或更一般地在具有变化的电子密度的区域中的非平衡自旋积累（由电流驱动）。本文回顾了我们最近对具有Rashba/Dresselhaus自旋轨道相互作用的弹道二维半导体异质结构中自旋积累的研究结果，并将以前发展的方法推广到预测三维拓扑绝缘体表面自旋-霍尔效应的存在.新的自旋-霍尔效应的主要区别在于它的大小，预计比半导体异质结构中的强得多。这是因为在半导体中，由于小的自旋-轨道相互作用而出现自旋累积，而自旋-轨道构成拓扑绝缘体的哈密顿量中的主导项。
2009-12-23 cond-mat.mes-hall
Fractional Quantization and Fractional Quantum Hall Effect
提出了一种二维空间的分数阶量化方法。利用多层黎曼曲面上的边界条件，将二维电子的角动量量子化为分数。给出了不可压缩量子流体态的扩展波函数，并给出了凝聚能和激发能。
1998-11-02 cond-mat.mes-hall
Topological quantization of the spin Hall effect in two-dimensional paramagnetic semiconductors
我们提出了二维顺磁半导体模型，其中固有的自旋霍尔效应是完全量子化的拓扑电荷的整数单位。该模型描述了一个拓扑绝缘体的体积，和一个“全息金属”的边缘，其中扩展的边缘状态的数量跨越费米能级是由（正好等于）的体积拓扑电荷。我们还证明了自旋霍尔效应明确的绝热磁通插入所造成的自旋积累。
2006-08-31 cond-mat.mes-hall
Transient processes in disordered semiconductor structures under dispersive transport conditions: Fractional calculus approach
我们继续发展一种新的方法来描述无序半导体中的电荷动力学。它是基于分数阶扩散方程。这篇文章致力于色散输运条件下的结构瞬态过程。我们证明，这种方法使我们能够（i）考虑到充满活力的和拓扑类型的共同障碍，（ii）考虑运输的局部化状态的空间分布的样品，和（iii）描述运输的非均匀材料与分布的色散参数。分数阶近似为解释无序半导体中的飞行时间实验提供了一些规范。
2013-10-01 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Topological excitation in the Fractional Quantum Hall system
在Ginzburg-Landau理论框架下研究了涡旋和Skyrmions两种拓扑激发。我们得到了分数量子霍尔系统的拓扑激发与序参量之间的严格关系。我们还讨论了分数量子霍尔系统中涡旋的演化。
2001-11-01 cond-mat.mes-hall
Band mixing in the quantum anomalous Hall regime of twisted semiconductor bilayers
本文通过全面数值研究揭示能带混合在 $θ\leq 4^\circ$ 范围内对扭曲半导体双层 $t$MoTe$_2$ 竞争态能量与能隙有显著影响，为理解其分数量子反常霍尔效应相图奠定基础。
2024-04-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Real-Time Ramsey Interferometry in Fractional Quantum Hall States
利用Ramsey干涉法研究了分数阶准粒子在量子Hall态中的含时动力学相位。Ramsey双脉冲电压调制在量子点接触的电流噪声中产生一个干扰项，该干扰项随动态相位振荡。我们表明，干涉图样探测的格林函数的分数准粒子在时域和揭示分数电荷。我们解决的情况下，一个点状的隧道结和动量分辨隧穿的情况下，也提供了信息，这些准粒子沿边缘传播的速度。对于5/2分数量子霍尔情况，拉姆齐信号可以区分Pfronan态和反Pfronan态。
2019-01-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el quant-ph
Conductance fluctuations at the fractional quantum Hall plateau transitions
我们得到了一个“平均场”标度流的纵向和霍尔电导率在分数量子霍尔制度。利用复合费米子图像，假设复合费米子遵循整数量子霍尔效应的Khmelnitskii-Pruisken标度流，确定了决定不同分数量子霍尔态之间跃迁的不稳定不动点.得到了临界纵向电导率和临界霍尔电导率在不稳定不动点处的分布，并讨论了这些结果对介观量子霍尔系统实验的意义.
1997-11-18 cond-mat.mes-hall
Two-Roton Bound State in the Fractional Quantum Hall Effect
分数量子霍尔效应的最低能量、长波长中性激发的真实性质一直是一个悬而未决的问题。在这封信中，我们确定它是一个两轮束缚态。
2000-04-27 cond-mat.mes-hall
Magnetic Induction Dependence of Hall Resistance in Fractional Quantum Hall Effect
通过分析[J. P. Eisenstein和H. L. Stormer，{Science} { \bf 248}，1510（1990）]。该公式是作为磁感应强度、化学势和温度的函数给出的。霍尔电阻函数包含一个单电子能谱，它具有三个可调参数的唯象微扰项。该公式产生了与实验一致的12个平台。这些扰动可以解释为三维空间中朗道轨道的岁差或章动。
2018-01-12 cond-mat.mes-hall
Topologically induced fractional Hall steps in the integer quantum Hall regime of $MoS_2$
利用线性响应理论推导了二硫化钼单层膜的量子磁输运性质。特别分析了拓扑项对纵向电导率和霍尔电导率的影响。霍尔电导率在整数量子霍尔区呈现分数阶跃。进一步完整的自旋和谷极化的纵向电导率被认为是在这些拓扑条款的存在。最后，舒布尼科夫-德哈斯振荡被抑制或增强的这些拓扑项的符号。
2016-07-14 cond-mat.mes-hall
Exclusonic Quasiparticles and Thermodynamics of Fractional Quantum Hall Liquids
分数量子霍尔液体中的准电子和准空穴服从分数（包括非平凡）互斥统计。它们的统计矩阵可以从几种可能的状态计数方案中确定，涉及对统计相关性的不同假设。在广义理想气体近似下，研究了分数量子霍尔液体在填充物$1/m$（$m$ odd）附近的准粒子对的热激活和低温下的热力学性质.分数量子霍尔效应中的分级态的存在被证明是相关准粒子的排斥性质的一种表现。对于磁性，顺磁性-抗磁性转变似乎是可能的，在有限的温度。
1997-06-04 cond-mat.mes-hall
Non-Linear hydrodynamics and Fractionally Quantized Solitons at Fractional Quantum Hall Edge
我们认为，无隙分数量子霍尔边缘态的动力学本质上是非线性的，它的特点是分数量子孤子沿边缘传播。孤子的观测将是分数电荷的直接证据。我们证明了Laughlin的量子态的非线性动力学是由量子Benjamin-Ono方程。无带隙边缘态的非线性动力学是由BohOH液体中的带隙模决定的。边缘模的色散可追溯到双边界层。
2012-01-14 cond-mat.mes-hall
High field fractional quantum Hall effect in optical lattices
我们考虑了在模拟的大磁场作用下光晶格中相互作用玻色子原子。我们发展了一个类似于双层分数量子霍尔系统的模型，该模型在每个晶格单元的磁通量量子数的简单有理数附近有效。然后，我们计算了它的基态，磁长度，分数填充，并发现意想不到的符号变化的霍尔电流。最后，我们研究通过散粒噪声和霍尔电流测量检测这些新功能的方法。
2006-04-26 cond-mat.mes-hall
Activation energies for spin-reversed excitations in the fractional quantum Hall effect
在分数霍尔制度的运输实验中测得的活化能对应于所需的能量，以创建一个远分离的粒子空穴对。我们计算了几个分数量子霍尔态，激发复合费米子反转其自旋量子数的激发能隙。我们的研究结果表明，这种自旋反转激发可能是相关的实验可访问的制度。
2002-07-25 cond-mat.mes-hall
Paired fractional quantum Hall states and the nu=5/2 puzzle
本文综述了$ν=5/2$分数量子霍尔态的研究工作，重点介绍了有关成对态的最新进展。
2000-11-24 cond-mat.mes-hall
Fractional quantum Hall effect without energy gap
在分数量子霍尔效应下，我们测量了门控GaAs/Al $_{x}$ Ga $_{1-x}$ As异质结中二维电子系统（2DES）的对角（$ρ_{xx}$）和霍尔（$ρ_{xy}$）磁阻张量分量，以及2DES与门极之间的电容.我们在相当低的磁场下观察到了1/3和2/3分数量子霍尔效应，此时相应的量子态密度的分数极小值已经消失，表明准粒子能隙被完全抑制。
2006-03-31 cond-mat.mes-hall
The stability of the fractional quantum Hall effect in topological insulators
随着最近在拓扑绝缘体表面观察到类石墨烯朗道能级，分数量子霍尔效应的可能性，这是强关联的基本特征，已经变得令人感兴趣。一些实验已经报道了朗道内能级结构，这暗示了分数量子霍尔效应。本文从理论上讨论了分数量子霍尔效应的可行性，并认为虽然这种效应在理想情况下应该发生在$n=0$和$|n|=1$朗道能级上，但在更高的$|n|$朗道能级上却被排除了。与石墨烯不同，拓扑绝缘体中的分数量子霍尔效应被预测为由于自旋轨道耦合而在$n=1$和$n=-1$朗道能级之间显示出有趣的不对称性。
2011-06-22 cond-mat.mes-hall
Experimental Test of Condensate-Excitation Theories of the Fractional Quantum Hall Effect
它表明，作为凝聚的电子系统到一个基态与分数带电激发的描述是不符合实验观察。分数平台中的霍尔电压作为化学电势差的性质消除了作为载流子的冷凝物，并且纵向电导的温度依赖性消除了载流子的激发图像。
2000-09-27 cond-mat.mes-hall
Enhanced spin Hall effect in semiconductor heterostructures with artificial potential
我们从理论上研究了半导体异质结构中的非本征自旋霍尔效应（SHE），这是由于由反点、STM针尖等产生的人工电势的散射引起的。首先，我们制定的SHE在分波展开二维电子气的相移。当适当调节吸引势时，共振散射显著增强了这种效应。其次，我们研究了一个三端设备，包括antidot，这可能会产生一个自旋电流的极化超过50%。
2009-05-28 cond-mat.mes-hall
Topological spin-Hall current in waveguided zinc-blende semiconductors with Dresselhaus spin-orbit coupling
本文描述了具有拓扑起源的$n$型体相锌掺杂半导体中的本征自旋霍尔效应。当电子输运被限制在波导结构中，并且所施加的电场使得电子的自旋保持为Dresselhaus自旋轨道场的本征态，子带混合可以忽略时，在系统的动量空间中出现规范结构。特别地，动量空间表现出非平凡的Berry曲率，其影响自旋各向异性的电子的横向运动，从而产生有限自旋-霍尔效应。这种效应应该可以用文献中的标准技术如克尔旋转来检测，并且很容易与自旋霍尔效应的其他机制区分开来。
2008-05-27 cond-mat.mes-hall
Hall effect driven by non-collinear magnetic polarons in diluted magnetic semiconductors
本文发展了稀磁半导体（DMS）中由非共线磁织构驱动的霍尔效应（拓扑霍尔效应- THE）理论。我们证明了载流子自旋轨道相互作用在束缚磁极化子（BMP）内部诱导了手性磁有序。非共线BMP的内部结构由自旋轨道耦合的类型控制，允许创建skyrmion-（Rashba）或antiskyrmion-样（Dresselhaus）配置。巡游载流子在极化子上的非对称散射导致了霍尔信号，这种信号存在于弱的外磁场和低温下。我们指出，DMS为基础的系统允许一个实验研究的载体自旋极化和非共线的磁性织构形状的依赖。
2018-01-29 cond-mat.mes-hall
Edge reconstructions in fractional quantum Hall systems
表现分数量子霍尔效应的二维电子系统具有量子化的霍尔电导和无耗散的体积。这些系统中的输运只发生在存在无隙激励的边缘。利用推广的分数量子霍尔效应的哈密顿理论，对不同填充因子下分数量子霍尔系统的边缘态进行了{ \it微观}计算.我们发现，在$ν=1/3$的量子霍尔边缘经历了重建的背景电位软化，而量子霍尔边缘在较高的填充因子，如$ν=2/5, 3/7$，是强大的重建。我们提出的结果的边缘状态依赖于各种系统参数，如温度，电子-电子相互作用的功能形式和范围，和限制的潜力。我们的结果对分数量子霍尔系统边缘的隧穿实验具有指导意义。
2003-08-01 cond-mat.mes-hall
Fractional Quantum Hall Hierarchy and the Second Landau Level
我们推广分数量子霍尔层次图像适用于任意的，可能非阿贝尔，分数量子霍尔状态。将其应用于nu = 5/2的Moore-Read态，构造了新的显式试探波函数来描述第二朗道能级的分数量子霍尔效应.由此产生的层次结构的状态，再现填充分数的所有观察到的霍尔电导高原在第二朗道水平，其特征在于电子配对的基态和激发光谱，其中包括非阿贝尔的伊辛型的任意子。我们提出这是一个统一的图片，其中p波配对的特点分数量子霍尔效应在第二朗道水平。
2008-09-18 cond-mat.mes-hall
Dependence of the Fractional Quantum Hall Edge Critical Exponent on the Range of Interaction
对A.M.Chang等人，PRL 86，143（2001）的评论。
2001-01-16 cond-mat.mes-hall
