Confinement effect enhanced Stoner ferromagnetic instability in monolayer 1T-VSe2
单层1 T-VSe 2已被报道为室温铁磁体。利用第一性原理计算，我们揭示了单层1 T-VSe 2的铁磁性是由于其固有的巨大的Stoner不稳定性被限制效应增强，从而消除了层间耦合，并由于Van Hove奇异性的存在导致费米能级处态密度的急剧增加。计算还表明，Stoner不稳定性对层间距离非常敏感.这些结果提供了一个有用的路线，调制的铁磁转变在几个层或块1 T-VSe 2，这也揭示了提高其居里温度，通过扩大层间距离。
2020-08-21 cond-mat.mtrl-sci
Interplay between Kitaev interaction and single ion anisotropy in ferromagnetic CrI$_3$ and CrGeTe$_3$ monolayers
磁各向异性对于二维（2D）磁性的稳定性至关重要，这在自然界中是罕见的，但在自旋电子学和推进基础知识中是非常需要的。最近对CrI $_3$和CrGeTe $_3$单层膜的研究不仅观测到了长期以来一直在寻找的二维铁磁性，而且还揭示了这两个系统中不同的磁各向异性，即CrI $_3$的伊辛行为与CrGeTe $_3$的海森堡行为。这种磁性差异与这两种材料的结构和电子相似性形成强烈对比，在微观尺度上理解它应该有很大的好处。在这里，第一性原理计算和分析，以开发一个简单的哈密顿量，调查的CrI $_3$和CrGeTe $_3$单层的磁各向异性。在这两个系统中的各向异性交换耦合是令人惊讶地确定Kitaev型。此外，Kitaev相互作用和单离子各向异性（SIA）之间的相互作用被发现自然地解释了不同的磁性行为的CrI $_3$和CrGeTe $_3$。最后，Kitaev相互作用和SIA被进一步发现是由重配体（I的CrI $_3$或Te的CrGeTe $_3$），而不是通常认为的3d磁性Cr离子的自旋轨道耦合引起的。
2018-11-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Discovery of Intrinsic Ferromagnetic Ferroelectricity in Transition Metal Halides Monolayer
在纳米结构中实现多铁性，结合大的电偶极子和铁磁有序，可能会导致新的应用，如高密度多态数据存储。虽然多铁性已经被广泛研究了几十年，铁磁性铁电性很少被探索，特别是在二维（2D）系统。在这里，我们报告发现的二维铁磁铁电性层状过渡金属卤化物系统。第一性原理计算的基础上，我们揭示了带电CrBr 3单层膜具有面内多铁性，这是由八面体Cr-Br 6单元的不对称Jahn-Teller畸变实现的轨道和电荷有序的组合所保证的.作为一个例子，我们进一步证明了（CrBr 3）2Li是一种铁磁铁电多铁性材料。在这个二维系统中探索的多铁性现象和机制不仅对多铁性的基础研究有用，而且在纳米器件中有着广泛的应用。
2018-02-25 cond-mat.mtrl-sci
Theoretical prediction of Curie temperature in two-dimensional ferromagnetic monolayer
居里温度的理论预测对于二维铁磁材料自旋电子器件的设计具有重要意义。本文在广泛研究蒙特卡罗模拟的基础上，总结并提出了一种改进的方法来更精确地估计TC，该方法包含了多个近邻相互作用的不同贡献。以单层CrI3为例，利用蒙特卡罗模拟、平均场公式和本文的方法研究了双轴应变下TC的变化趋势。此外，该方法不仅可以准确、方便地预测二维铁磁蜂窝晶格CrI3的相变温度，而且可以推广到其他二维晶格的相变温度。我们的工作为加速预测和发现用于自旋电子学应用的新型2D铁磁体铺平了道路。
2022-09-11 cond-mat.mtrl-sci
Prediction of two-dimensional ferromagnetic ferroelectric VOF$_2$ monolayer
目前，设计和寻找具有多种功能特性的材料是实现高性能电子器件的关键。在众多的候选材料中，二维多铁性材料在高密度非易失性存储器等高集成度磁电器件中具有巨大的应用潜力。在这里，我们预测一个二维材料VOF 2单层具有本征铁电和铁磁性能。VOF $_2$单分子膜在VO $X_2$（$X$：卤素）卤氧化物中具有最大的面内铁电极化（$332$ pC/m）。不同于其他VO $X_2$单层的磁性基态是反铁磁或非共线螺旋织构，VOF $_2$单层具有坚固的铁磁基态，这是罕见的，但非常可取的。我们的理论预测提供了一个很好的候选人和起点，进一步追求更多的二维多铁性材料的高性能磁电。
2020-10-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Dirac fermions in half-metallic ferromagnetic mixed Cr$_{1\textrm{-}x}$M$_x$PSe$_3$ monolayers
用密度泛函理论（DFT $+U$）和紧束缚方法（TBA）研究了CrPSe $_3$和混合CrPDMATHABMN M $_x$ PSe $_3$（M = Zn，Cd，Hg）单分子膜的电子和磁性.虽然原始的CrPSe $_3$单层具有反铁磁（AFM）基态，但其与MPSe $_3$的合金化可产生具有高居里温度的半金属铁磁体（HMF）。由此产生的单分子膜表现出单自旋狄拉克锥的主要Cr-$d$字符直接位于第一布里渊区的费米能量。计算的狄拉克费米子的费米速度表明，在混合的Cr $_{1\textrm{-}x}$ M $_x$ PSe $_3$单层非常高的流动性，这使得这种材料的低维自旋电子学应用的吸引力。
2021-12-22 cond-mat.mtrl-sci
The origin of insulating and non-ferromagnetic SrRuO3 monolayers
电磁性能的外延薄膜一直是争论的主题。在这里，我们结合实验与理论研究（SrTiO 3）5-（SrRuO 3）n-（SrTiO 3）5（STO 5-SROn-STO 5）异质结与n = 1和2的晶胞，包括广泛的原子分辨率扫描透射电子显微镜成像，电子能量损失光谱化学映射，以及运输和磁运输测量。实验数据表明，STO 5-SRO 2-STO 5异质结构是化学计量的，金属的，铁磁的TC ~ 128 K，即使它缺乏特征的体SRO八面体倾斜和匹配的立方STO结构。相比之下，STO 5-SRO 1-STO 5异质结构的特征在于RuO 2层中的Ru-Ti混合，也没有八面体倾斜，但伴随着金属性和铁磁性的损失。密度泛函理论计算表明，化学计量比n = 1和n = 2的异质结构是金属和铁磁的，没有八面体倾斜，而非化学计量比的Ru亚晶格在n = 1的情况下打开了一个能隙，诱导了反铁磁有序.因此，结果表明，所观察到的非化学计量比是在n = 1的情况下所观察到的金属性和铁磁性损失的原因。
2021-12-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Controlling phase transition in monolayer metal diiodides XI$_{2}$ (X: Fe, Co, and Ni) by carrier doping
应用推广的Bloch定理，通过第一性原理计算，验证了单层金属二碘化物1 T-XI $_{2}$（X：Fe，Co，Ni）的基态（最稳定态）.基态可以是铁磁态、反铁磁态或螺旋态，由原始晶胞中的波矢量指定。虽然Fe I $_{2}$的基态是铁磁性的，但螺旋态成为Co I $_{2}$和Ni I $_{2}$的基态。由于金属二卤化物中的多铁性行为可以通过螺旋结构来保持，我们认为CoI $_{2}$和NiI $_{2}$是最稳定状态下有希望的多铁性材料。当晶格常数增大时，NiI $_{2}$的基态转变为铁磁态，而其它的仍保持其初始的基态.在最后的讨论中，我们揭示了由于铁磁超交换和反铁磁直接交换之间的自旋-自旋竞争，空穴-电子掺杂操纵的相变。这些结果使我们相信，金属二碘化物对未来的自旋电子器件有很多好处。
2021-07-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
High-Temperature Ferromagnetic Semiconductors: Janus Monolayer Vanadium Trihalides
二维（2D）本征铁磁半导体有望在自旋电子学领域脱颖而出。近年来，人们在实验上合成了单层VI $_{3}$，但由于其弱铁磁性和低居里温度（$T_C$）限制了其潜在的应用。在这里，我们报告的Janus结构可以提高$T_C$到240 K。讨论了Janus结构中高$T_C$的原因是由于最近邻V原子的$t_{2g}$和$e_{g}$态之间的虚交换能隙较低。此外，$T_C$可以进一步大幅增强拉伸应变由于铁磁性的快速淬火直接交换相互作用驱动的。我们的工作支持了一种可行的方法来提高居里温度的单层VI $_{3}$，并揭示了新的稳定的本征FM半导体自旋电子学的实际应用。
2020-01-14 cond-mat.mtrl-sci
Prediction of topological phases in metastable ferromagnetic MPX$_3$ monolayers
利用密度泛函理论计算研究了铁磁亚稳磁态下$M$ P $X_3$（$M$ = Mn，Fe，Co，Ni，$X$ = S，Se）单分子膜的电子和拓扑性质.我们发现，FM MnPSe $_3$单层主机拓扑半金属签名时，自旋轨道耦合（SOC）的间隙。Berry曲率和Chern数的显式计算支持了这些发现。的哈伯德- $U$参数来描述的$d$ -电子的选择进行了彻底的讨论，以及使用混合功能的方法的影响。带反转和相关的拓扑特征的存在被发现是形式依赖。尽管如此，还是证明了通过施加外部双轴应变来实现拓扑相的途径。在混合功能的图片，拓扑能带结构的压力下恢复15%（17 GPa）。本工作为揭示亚稳铁磁相的新拓扑相提供了一条潜在的途径。
2022-12-07 cond-mat.mtrl-sci
Coexisting charge density wave and ferromagnetic instabilities in monolayer InSe
最近制造的InSe单层表现出显着的特性，表明这种材料的主机的多体现象的潜力。在这里，我们一致地描述集体电子效应在空穴掺杂的InSe单层使用先进的多体技术。为此，我们从第一性原理中推导出一个现实的电子结构模型，该模型考虑了这种材料最重要的特性，包括电子光谱中具有突出van Hove奇点的平坦带，强电子-声子耦合和弱屏蔽长程库仑相互作用。我们计算的随温度变化的相图作为带填充的函数，并观察到该系统是在一个政权与共存的电荷密度波和铁磁不稳定性，由强电子库仑相关驱动。这种制度可以在现实的掺杂水平和足够高的温度下实现，并且可以通过实验验证。我们发现电子-声子相互作用在这些效应中并不起关键作用，有效地抑制了局域库仑相互作用，而不改变定性的物理图像。
2021-07-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
From ferromagnetic semiconductor to anti-ferromagnetic metal in epitaxial Cr$_x$Te$_y$ monolayers
University of St Andrews（圣安德鲁斯大学）；STFC Central Laser Facility, Research Complex at Harwell（STFC中央激光设施，哈韦尔研究综合体）；Diamond Light Source（钻石光源）；Universität Bonn（波恩大学）
研究通过控制Cr基硫化物的自插入，揭示单层CrTe₂为反铁磁金属，而Cr$_{2+\varepsilon}$Te$_3$为铁磁半导体，为二维自旋电子学提供新材料体系。
2024-08-30 cond-mat.mtrl-sci
Room temperature ferromagnetic semiconductors through metal-semiconductor transition in monolayer MnSe2
本研究利用密度泛函理论提出通过拉伸应变诱导单层 MnSe2 及 MnSe2/X 异质结构发生金属-半导体转变，从而获得室温铁磁半导体并产生显著 MOKE。
2023-12-23 cond-mat.mtrl-sci
Dielectric tunability of magnetic properties in orthorhombic ferromagnetic monolayer CrSBr
本文结合格林函数形式与第一性原理计算，系统研究了不同介电屏蔽下单层CrSBr的磁性，发现外部屏蔽可显著调控其磁各向异性与热力学性质，使其在易面与易轴铁磁态间转变，为研究衬底屏蔽对低维磁有序的影响提供了理想平台。
2023-02-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Two-dimensional Ferroelectric Ferromagnetic Half Semiconductor in VOF monolayer
本文提出了一种高稳定性的二维多铁性VOF单层材料，它是一种具有大自旋极化度~2 $μ_{B}/V$原子和沿a轴（410 $μeV/V$原子）显著的单轴磁各向异性的本征铁磁半导体。同时，VOF具有很好的铁电性，其自发极化强度为32.7 $μC/cm^{2}$，两个铁电态之间的能垒为43 meV/atom，这归因于Jahn-Teller畸变，并且VOF单层在面内方向具有超大的负泊松比（~-0.34）.基于伊辛模型的蒙特卡罗模拟结果表明，VOF单层材料的居里温度约为215 K，在室温下，该温度在-4%的双轴压缩应变下可以得到提高.
2021-05-31 cond-mat.mtrl-sci
Huge out-of-plane piezoelectric response in ferromagnetic monolayer NiClI
二维（2D）材料中压电和铁磁（FM）有序的组合，即2D压电铁磁性（PFM），可能为新型器件应用开辟前所未有的机会。在这里，我们预测一个平面FM半导体Janus单层NiClI具有相当大的磁各向异性能（MAE）为1.439毫电子伏，表现出动态，机械和热稳定性。NiCl单层具有与$\mathrm{MoS_2}$相当的更大的面内压电性（$d_{11}$ $=$ 5.21 pm/V）。此外，NiClI具有巨大的面外压电性（$d_{31}$ $=$ 1.89 pm/V），这对于压电器件应用是高度期望的。证明了巨型离面压电对电子相关的鲁棒性，从而证实了巨型$d_{31}$的可靠性。最后，与NiCl I类似，在NiClBr和NiBrI的Janus单层中也可以实现具有大的面外压电性的PFM，预测的$d_{31}$分别为0.73 pm/V和1.15 pm/V。预测的巨大的面外压电响应使得Janus单层NiCl I成为多功能半导体自旋电子应用的良好平台，这也与传统半导体纳米电子器件的底/顶栅技术兼容。
2022-04-14 cond-mat.mtrl-sci
A family of high-temperature ferromagnetic monolayers with locked spin-dichroism-mobility anisotropy: MnNX and CrCX (X=Cl, Br, I; C=S, Se, Te)
自2017年Cr2 Ge 2 Te 6和CrI 3被实验剥离和测量以来，二维磁体越来越受到关注。虽然层状铁磁金属在室温下被证明，但具有高居里温度（Tc）的层状铁磁半导体尚未被揭开。在这里，我们从理论上预测了一个家庭的高Tc铁磁单层，即MnNX和CrCX（X=Cl，Br和I; C=S，Se和Te）。采用各向异性海森堡模型，用蒙特卡罗模拟预测了它们的Tc值从100 K到500 K。其中八个成员显示半导体带隙从大约0.23到1.85 eV不等。这些半导体单层也显示出极大的各向异性，即沿这些层的两个面内晶格方向的有效质量约为101，载流子迁移率约为102。额外的轨道各向异性导致自旋锁定的线性二向色性，不同于先前已知的层状材料中的圆和线性二向色性。与迁移率各向异性一起，它提供了自旋、二向色性和迁移率各向异性锁定。这些结果表明，这种二维家庭的基础研究和高性能的自旋相关的电子和光电子器件的潜力。
2019-03-02 cond-mat.mtrl-sci
CrCTe$_3$: Computational design of a robust two-dimensional anti-ferromagnetic semiconductor
使用密度泛函理论计算，我们建立了迄今未知的化合物CrCTe $_3$是一个稳定的反铁磁半导体的R $\bar{3}$晶体结构与间接的基本间隙。本体化合物中的连续层通过范德华力弱结合，因此各个层可以很容易地剥落。单层CrCTe $_3$也是反铁磁半导体。单层在大范围的压缩和拉伸应变下结构稳定，并且反铁磁状态在该应变范围内是稳健的。单层的带隙可以通过在此范围内施加应变来调节多达50%。
2017-07-04 cond-mat.mtrl-sci
Generating high-order optical and spin harmonics from ferromagnetic monolayers
固体中的高次谐波产生（HHG）已经进入了深入研究的新阶段，设想在超短时间尺度上的能带结构映射。这在一定程度上得益于一系列新的HHG材料的发现，但到目前为止还没有发现一个重要的群体。磁性材料中的高次谐波将对未来磁存储技术的发展产生深远的影响。在这里，我们介绍和证明HHG在铁磁单层。我们发现高次谐波携带自旋信息，并且敏感地依赖于相对论自旋轨道耦合;如果将高次谐波色散到晶体动量${\bf k}$空间，则源于实跃迁的谐波可以被${\bf k}$分辨，并携带能带结构信息.几何上，HHG信号对单层的空间取向敏感。与光学对应物不同，自旋HHG虽然可能很弱，但只出现在偶数阶，这是SU（2）对称性的结果。我们的发现打开了一个未探索的前沿-磁高次谐波产生。
2018-09-03 cond-mat.mtrl-sci
Ferromagnetic MnSn monolayer epitaxially grown on silicon substrate
二维铁磁材料在自旋电子学器件等方面具有广阔的应用前景。在硅衬底上外延生长磁性薄膜，在单层极限下，具有重要的实际意义，但也具有挑战性。在本研究中，我们在Si（111）衬底上实现了MnSn单层的外延生长，采用了原子级薄的Sn/Si（111）-$2\sqrt{3}\times2\sqrt{3}$-缓冲层，并以原子级的精度控制了MnSn的厚度。我们发现MnSn单层膜具有铁磁性，居里温度（Tc）约为54 K.当MnSn膜生长到4个单层时，Tc相应地增加到~235 K.外延MnSn单层以及Sn/Si（111）-$2\sqrt{3}\times2\sqrt{3}$的晶格与硅完全相容，因此在MnSn、Sn和Si之间形成尖锐的界面。该系统为研究二维铁磁性、磁性单层膜与硅基技术的集成以及自旋电子学异质结构的工程化提供了一个新的平台。
2020-05-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetization-Tunable Topological Phase Transitions in Ferromagnetic Kagome Monolayers of Co$_3$X$_3$Y$_2$ ($X=\mathrm{Sn},\mathrm{Pb}$; $Y=\mathrm{S},\mathrm{Se}$)
Indian Association for the Cultivation of Science（印度科学文化研究所）
研究通过磁矩方向调控实现Kagome单层费磁体的非平凡拓扑相变，结合自洽模型和DFT计算验证了拓扑相变机制。
2026-01-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Strain-induced effects in the electronic and spin properties of a monolayer of ferromagnetic GdAg2
我们报道了单层GdAg 2的结构、电子和磁性，在Ag（111）上形成莫尔图案。结合扫描隧道显微镜和从头算自旋极化计算，我们表明，电子能带结构可以线性移动通过热依赖应变的层内原子距离在1- 7%之间的范围内，导致横向异质结构。此外，不可熔化的GdAg 2合金层与Ag（111）衬底的耦合导致空间变化的原子弛豫，从而引起次表面层屈曲、电子和自旋性质的纹理化以及跨层的磁各向异性能量的不均匀性。这些结果提供了在原子薄层的电子性质和磁有序的控制的前景。
2017-12-19 cond-mat.mtrl-sci
Magneto-optical Kerr effect and magnetoelasticity in weak ferromagnetic RuF$_4$ monolayer
非共线磁结构以其独特的物理性质和广阔的应用前景吸引了人们的研究兴趣。在这项工作中，基于相对论密度泛函理论，我们揭示了有趣的磁有序和相关的性质，单层RuF $_4$，它可以从它的体相剥离。虽然Ru离子的自旋在最近邻之间几乎是反铁磁排列的，但由于反对称的Dzyaloshinskiii-Moriya相互作用以及单离子各向异性，产生了弱铁磁性。一个突出的磁光克尔效应可以观察到这种反铁磁体，类似于那些规则的强铁磁体。此外，单轴应变可以诱导铁弹开关连同自旋方向的面内旋转，从而产生强的内禀磁弹性。我们的工作不仅为二维磁性材料的研究提供了一个新的方向，而且为基于反铁磁磁弹性或磁光材料的未来器件提供了线索。
2022-09-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Room-temperature ferromagnetism in monolayer WSe2 semiconductor via vanadium dopant
稀磁半导体包括Mn掺杂的GaAs在栅控自旋电子学中具有很大的应用前景，但其在室温下的长程铁磁有序居里转变至今仍存在争议。本文报道了用化学气相沉积法制备的V掺杂WSe_2半导体单层膜中具有长程序的室温铁磁畴。利用磁力显微镜在360 K下观察到铁磁有序结构，同时在0.1%V掺杂浓度下保持~105的高开/关电流比。通过高分辨率扫描透射电子显微镜观察，V-取代到W位点保持5 nm的V-V分离距离而没有V-V聚集，这意味着Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida相互作用（或Zener模型）通过在V掺杂的WSe 2单层中通过自由空穴载流子建立长程铁磁有序的可能性。更重要的是，铁磁顺序明显调制通过应用背栅。我们的研究结果打开了新的机会，使用二维过渡金属dichalcogenides为未来的自旋电子学。
2020-01-20 cond-mat.mtrl-sci
Magnon softening in a ferromagnetic monolayer: a first-principles spin dynamics study
我们采用第一性原理计算和原子自旋动力学模拟相结合的方法研究了Fe/W（110）单层系统。我们主要研究平行于[001]方向的自旋波的色散。我们的研究结果与Prokop等人的实验数据[Phys. Rev. Lett. 102，177206]，并正确地捕捉到一个急剧软化的磁振子谱，相对于体心立方铁。反驳了巡游电子模型，特别是密度泛函理论给出的巡游电子模型的缺点。我们还表明，有限的温度效应是显着的，原子自旋动力学模拟代表了一个强大的工具，其中包括这些。
2010-04-26 cond-mat.mtrl-sci
Realization of room-temperature ferromagnetic semiconducting state in graphene monolayer
室温铁磁半导体在非易失性数字电路中具有重要的应用价值，它可以提供一个理想的系统，使我们可以同时利用电子的电荷和自旋。然而，寻找室温铁磁半导体至今仍只是一个诱人的想法，从未在实践中实现。在这里，我们证明了石墨烯单层，与下面的Ni（111）衬底杂交，是室温铁磁半导体，已经持续了几十年的研究。我们的自旋极化扫描隧道显微镜（STM）的实验，辅以第一性原理计算，明确表明，石墨烯和镍衬底之间的相互作用产生了一个大的间隙在石墨烯，同时导致相对移动之间的多数和少数自旋带。因此，Ni衬底上的石墨烯片即使在室温下也表现出具有几十meV能量的自旋极化带隙。这一结果使室温铁磁半导体的科学和应用成为可能，并为基于石墨烯的新型信息技术带来了希望。
2017-11-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ferromagnetic monolayer with interfacial Dzyaloshinskii-Moriya interaction: magnon spectrum and effect of quenched disorder
研究铁磁单层中界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用导致的准一维磁振子谱，揭示其阻碍有限温度磁有序，并证明缺陷破坏长程有序，建立幂律关联的短程有序。
2023-08-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Triaxial magnetic anisotropy in the two-dimensional ferromagnetic semiconductor CrSBr
二维（2D）铁磁体近来引起了广泛的关注，本文采用第一性原理计算和蒙特卡罗模拟研究了CrSBr体相和单层相的电子结构和磁性.结果表明，CrSBr是一种磁性半导体材料，具有易磁化的b轴、难磁化的c轴和中间磁化的a轴。因此，实验三轴磁各向异性（MA）在这里被很好地再现，它被确定为自旋轨道耦合（SOC）和磁偶极-偶极相互作用的联合效应。我们发现，大块CrSBr有一个强的铁磁（FM）层内耦合，但一个边缘层间。我们还详细研究了CrSBr单层，发现层内FM交换持续存在，形状各向异性对MA有更明显的贡献。利用FM交换和三轴MA参数，我们的蒙特卡罗模拟表明CrSBr单层膜的居里温度Tc = 175 K。此外，我们发现沿a（b）轴的单轴拉伸（压缩）应变将进一步增加Tc。
2021-10-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Structural dimerization and charge-orbital ordering in a ferromagnetic semiconductor LiV2S4 monolayer
本研究基于密度泛函理论探究二维单层LiV₂S₄的物理性质，发现电子不稳定性引发钒二聚化，进而解除电荷分布简并并稳定电荷与自旋有序态，揭示其铁磁半导体特性及金属-绝缘体转变等独特行为。
2023-12-15 cond-mat.mtrl-sci
Controlled Curie temperature, magnetocrystalline anisotropy, and valley polarization in 2D ferromagnetic Janus 2H-VSeS monolayer
受成功合成具有内禀铁磁性和高居里温度（T $_{c}$）的二维V基Janus dichloride单分子膜的启发，采用第一性原理计算对Janus 2 H-VSeS单分子膜的电子结构、自旋谷分裂和磁各向异性进行了详细的研究.结果表明，Janus 2 H-VSeS单分子膜具有105 meV的大的谷分裂，278 K的高T $_{c}$和良好的磁晶各向异性（0.31meV），这是由V原子的面内d $_{x^{2}-y^{2}}$ /d $_{xy}$轨道贡献的.双轴应变（$-$ 8%< $\varepsilon$ <8%）可以有效地调节Janus 2 H-VSeS单分子膜中V原子的磁矩、谷裂$Δ$ E、T $_{c}$和MAE。相应的$Δ$ E和T $_{c}$分别从72 meV调整到106.8meV和从180 K调整到340 K。由于V 3d轨道占据的变化，还观察到了从双极磁性半导体（BMS）到半导体（HSC）、自旋无隙半导体（SGS）和半金属（HM）的电子相变。由于空间和时间反转对称性的破坏，相反的谷电荷载流子携带相反的Berry曲率，这导致在K和K $^{\prime}$谷处显著的异常霍尔电导率。通过施加双轴应变和载流子掺杂，Berry曲率的最大调制分别达到45%和9.5%。稳定的面内磁晶各向异性和大的自发谷极化使铁磁Janus 2 H-VSeS单层膜成为实现自旋电子学和谷电子学器件…
2022-07-07 cond-mat.mtrl-sci
Above room-temperature two-dimensional ferromagnetic half-metals in Mn-based Janus magnets
该研究通过第一性原理计算发现一系列稳定的Mn基Janus二维铁磁半金属，具有高居里温度、大自旋带隙和面内磁各向异性。
2024-06-09 cond-mat.mtrl-sci
STM Study of Quantum Hall Isospin Ferromagnetic States of Zero Landau Level in Graphene Monolayer
在相对论零朗道能级（LL）的石墨烯单分子层中，预言了大量量子霍尔同位旋铁磁（QHIFM）态。这些状态，特别是电荷中性石墨烯的LL填充因子v = 0的状态，已经在实验中被广泛探索。迄今为止，这些高场对称性破缺态的识别主要依赖于宏观输运技术。在这里，我们研究分裂的零LL的石墨烯在部分填充，并展示了一种直接的方法，通过成像的QHIFM状态在原子尺度上与扫描隧道显微镜。在零LL（v = 0）的一半填充，该系统是在自旋非极化状态，我们观察到一个线性磁场标度的谷分裂。同时，两个谷中的自旋简并度也被磁场提升。当费米能级处于自旋极化态（v = 1或-1）时，由于强的多体效应，自旋分裂显著增强。在v = 0时，我们直接对QHIFM态的波函数进行原子尺度的成像，观察到相互作用驱动的密度波具有凯库勒畸变的特征，这是高磁场中电荷中性点处大能隙的原因.
2019-04-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Ferroelectricity and ferromagnetism in VOI$_2$ monolayer: the role of Dzyaloshinskii-Moriya interaction
具有内禀铁磁性和铁电性的多铁性材料非常理想，但相当罕见，而大多数铁电磁体是反铁磁性的。最近的一项理论工作[Phys. Rev. B { \bf 99}，195434（2019）]预测，卤氧化物VO $X_2$（$X$：卤素）单层是二维多铁性的，违反了经验$d^0$规则。最有趣的是，成员VOI $_2$被预测表现出自发的铁磁性和铁电性。在本工作中，我们利用密度泛函理论和蒙特卡罗模拟对VOI $_2$单分子膜的结构和磁性进行了研究。具有强自旋轨道耦合的重元素碘的存在导致极性结构中有效的Dzyaloshinskiii-Moriya相互作用，这有利于短周期螺旋磁结构。另一个有趣的结果是，原位库仑相互作用可以强烈抑制极性畸变，从而导致铁磁金属态。因此，VOI 2单层是具有螺旋磁性的铁电绝缘体或铁磁金属，而不是铁磁铁电系统。我们的研究突出了Dzyaloshinskiii-Moriya相互作用的关键物理作用。
2020-10-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Out-of-plane high-temperature ferromagnetic monolayer CrSCl with large vertical piezoelectric response
对于二维材料，压电铁磁材料具有较大的面外压电响应，是多功能压电器件应用的理想材料。在这里，我们预测Janus单层CrSCl是一个面外铁磁（FM）半导体，具有大的垂直压电响应和高居里温度。预测的面外压电应变系数$d_{31}$为-1.58 pm/V，高于大多数2D材料的压电应变系数（比较$d_{31}$的绝对值）。大的平面外压电性对于电子相关性和双轴应变是稳健的，从而证实了大$d_{31}$的可靠性。计算结果表明，拉伸应变有利于获得高的居里温度、大的磁各向异性能和大的$d_{31}$。最后，通过比较CrYX（Y=S; X=Cl，Br I）和CrYX（Y=O; X=F，Cl，Br）的$d_{31}$，我们得出结论：$d_{31}$的大小与X和Y原子的电负性差呈正相关。这些发现可以为设计具有较大垂直压电响应的二维压电材料提供有价值的指导。
2022-07-10 cond-mat.mtrl-sci
Two-dimensional ferromagnetic semiconductor VBr3 with tunable anisotropy
二维铁磁体因其在自旋电子学中的应用前景而受到广泛关注。在这里，我们探索的电子结构和单层的VBr $_{3}$在蜂窝晶格中的磁性，使用第一性原理计算，晶体场能级分析，和Monte Carlo模拟。结果表明，VBr $_{3}$块材具有$e'_{g}$ $^2$（$S$ =1）基态，轨道磁矩小，面内磁各向异性弱.这些结果很好地解释了最近的实验。更有趣的是，我们发现，拉伸应变的半导体VBr $_{3}$单层调谐到$a_{1g}$ $^1$ $e'_{g}$ $^1$的基态，从而产生一个大的轨道时刻和强大的面外各向异性。然后，在2.5 $\%$ -5 $\%$应变下，显著增强的FM超交换和单离子各向异性（SIA）将使$T_{\rm C}$从裸VBr $_{3}$单层的20 K提高到100-115 K。因此，VBr $_{3}$将是一种有前途的具有可调各向异性的二维FM半导体。
2020-10-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Ferromagnetic nodal-line metal in monolayer {\em h}-InC
基于第一性原理计算，我们预测了一种新的具有奇异费米面拓扑结构的二维铁磁材料。我们发现，单层六方晶系的碳化铟（{ \em h}-InC）是热力学和动力学稳定的，它积极有利于铁磁有序的自旋。在两个维度上的完美平面几何形状，加上铁磁性，产生了一个独特的机会，遇到有趣的电子特性，在费米表面和能带拓扑结构中捕获。我们发现，多个节线共存的动量空间，伴随着电子和空穴口袋，彼此线性接触的节线。自旋轨道耦合的引入丰富了{ \em h}-InC的磁性和电子性质。自旋-轨道耦合导致易平面型磁晶各向异性，并且节点线可以被调谐成拓扑节点，取决于磁化方向。对称性分析和紧束缚模型提供了解释带的节点结构。我们的研究结果表明，{ \em h}-InC作为一个新的场所，支持碳基磁性和异国情调的带拓扑结构在两个维度。
2019-06-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetic properties of molecular beam epitaxy-grown ultrathin Cr2Ge2Te6 films down to monolayer limit on Si substrates
Tsinghua University（清华大学）；Shanghai Aerospace Electronic Communication Equipment Research Institute（上海航天电子通信设备研究所）；Beijing Academy of Quantum Information Sciences（北京量子信息科学研究院）；Southern University of Science and Technology（南方科技大学）；Frontier Science Center for Quantum Information（量子信息前沿科学中心）；Hefei National Laboratory（合肥国家实验室）
本研究通过分子束外延法成功制备单层Cr2Ge2Te6薄膜，揭示其内在铁磁性及垂直磁各向异性，并发现随着厚度增加，磁性从二维波动向长程铁磁有序转变。
2025-12-10 cond-mat.mtrl-sci
Strongly Enhanced Gilbert Damping in 3d Transition Metal Ferromagnet Monolayers in Contact with Topological Insulator Bi2Se3
铁磁金属薄膜的工程吉尔伯特阻尼对于开发和设计超高速自旋电子器件具有重要意义。基于Gilbert阻尼的散射理论，我们将原来用于研究磁晶各向异性的力矩法推广到理论上确定铁磁金属的Gilbert阻尼。利用该方法研究了典型的拓扑绝缘体Bi2Se3接触的3D过渡金属铁磁体、钴和镍单层膜的吉尔伯特阻尼。令人惊讶的是，我们发现，他们的吉尔伯特阻尼强烈增强约一个数量级，与阻尼的散装和独立的单层相比，由于强自旋轨道耦合的Bi2Se3。我们的工作提供了一个有吸引力的路线，剪裁吉尔伯特阻尼铁磁金属薄膜，把它们与拓扑绝缘体。
2019-02-22 cond-mat.mtrl-sci
Limited ferromagnetic interactions in monolayers of MPS$_3$ (M=Mn, Ni)
本文系统地研究了二维有序合金的电子和磁性，该合金由两种典型的过渡金属磷三硫属化物掺杂$3d$元素的基质（MnPS $_3$和NiPS $_3$）组成.对于这两个主机，我们的DFT+U计算能够定性地再现所有实验观察到的磁耦合的比率和符号。所有的反铁磁交换耦合的相对强度，无论是在MnPS $_3$以及在NiPS $_3$，可以成功地解释使用一个有效的直接交换模型：他们揭示，第三邻居交换占主导地位的NiPS $_3$由于填充的$t_{2g}$ subshell，而MnPS $_3$的第一邻居交换是占主导地位的，由于存在的$t_{2g}$磁性。另一方面，NiPS $_3$中的最近邻铁磁耦合只能使用更复杂的超交换模型来解释，并且（也）主要是由$t_{2g}$磁性的缺失触发的。对于掺杂的系统，DFT+U计算表明，磁性杂质不影响在纯相中观察到的磁有序，因此在这些系统中，铁磁性可能不容易由这种元素掺杂引起。然而，与主体不同，第一和第二（掺杂剂-主体）交换耦合具有相似的数量级。这导致在反铁磁耦合的情况下的挫折，可能是观察到的掺杂系统的较低的磁有序温度的原因之一。
2022-03-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Two-dimensional Ferromagnetic van der Waals CrX3 (X=Cl, Br, I) Monolayers with Enhanced Anisotropy and Curie Temperature
在最近广泛研究的范德瓦尔斯层状磁体CrX_3（X=Cl，Br，I）中，CrCl_3单层（ML）特别令人困惑，因为它仅由实验表明具有面内磁易磁化轴，而且，所有以前的第一性原理计算结果都与此相矛盾。通过系统的第一性原理计算，揭示了CrCl 3 ML的面内易磁化轴是由其面内形状各向异性决定的.为了将CrCl3 ML的面内铁磁性调整为所需的垂直铁磁性，我们提出用等价钨（W）取代Cr。发现CrWCl_6具有很强的垂直磁各向异性，居里温度高达76 K。我们的工作不仅提供了深入了解范德华ML的二维铁磁性，但也揭示了新的光工程纳米器件的性能。
2019-09-06 cond-mat.mtrl-sci
Enhanced Curie temperature and skyrmion stability in room temperature ferromagnetic semiconductor CrISe monolayer
我们报告的CrISe单层作为一个室温铁磁半导体的居里温度（$T_C$），磁各向异性能（MAE）和带隙分别为322 K，113 $μ$ eV和0.67 eV。拉伸应变可使$T_C$和MAE进一步提高到385 K和313 $μ$ eV。更有趣的是，易磁化轴可以通过压缩应变在面外和面内之间切换。特别地，由于Se原子的破缺反转对称性和强自旋轨道耦合，获得了2.40 meV的大的Dzyaloshinskiii-Moriya相互作用（dzyaloshinskii-Moriya interaction，dzyaloshinski-Moriya interaction，dzyaloshinski-Moriya interaction）。更重要的是，通过微磁模拟，在从$-2\%$到$6\%$的宽应变范围内，具有小于10 nm半径的稳定skyrmions通过高于室温的大的应变而稳定。我们的工作表明CrISe作为下一代基于skyrmion的信息存储设备的一个有前途的候选人，并为室温铁磁半导体中的铁磁和skyrmion的研究提供指导。
2022-07-23 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph physics.comp-ph
Electrically switchable valley polarization, spin/valley filter, and valve effects in transition-metal dichalcogenide monolayers interfaced with two-dimensional ferromagnetic semiconductors
过渡金属二硫属化物单层中的电子谷驱动新的物理学，并允许设计多功能架构的应用。我们建议通过能带工程来操纵这些系统中的自旋/谷滤波器和阀器件的电子谷。在我们的策略中，电子谷直接耦合到二维铁磁体的自旋极化态，而不是在以前的研究中广泛使用的磁邻近效应。我们发现，这种耦合的结果在谷选择性的间隙开放，由于自旋动量锁定在过渡金属二硫属化物单层。这种物理现象引起了各种意想不到的电子性质和现象，包括半金属性，电可切换的谷极化，自旋/谷过滤器和阀效应的过渡金属二硫属化物单层。基于第一性原理计算，我们在MoTe $_2$/CoCl $_2$和CoCl $_2$/MoTe $_2$/CoCl $_2$ van der Waals异质结中进一步证明了我们的想法.因此，我们的研究提供了一种新概念器件的过渡金属二硫属化物单分子膜的电子谷工程的方法。
2021-11-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Monolayer MoS2 field effect transistor with low Schottky barrier height with ferromagnetic metal contacts
二维MoS 2由于其奇异的性质而成为纳米电子学和自旋电子学的有前途的材料。然而，金属半导体MoS 2界面处的高接触电阻仍然是一个悬而未决的问题。在这里，我们报告的场效应晶体管器件使用单层二硫化钼通道和坡莫合金（Py）作为铁磁（FM）金属接触的电子特性。采用化学气相沉积技术在SiO2/Si衬底上直接生长单层MoS 2沟道。电流随背栅电压的增加表明FET特性的可调谐性。Py/MoS 2接触的肖特基势垒高度（SBH）估计为+28.8 meV（零偏压），这是迄今为止报道的任何直接金属（磁性或非磁性）/单层MoS 2接触的最小值。随着栅极电压（+10V）的施加，SBH显示出急剧减小至-6.8meV的值。负的SBH揭示了Py/MoS 2接触的欧姆行为。具有FM接触的受控欧姆性质的低SBH是基于MoS 2的自旋电子学的主要要求，因此在本研究中使用直接生长的MoS 2沟道可以为大规模应用的高性能器件铺平道路。
2019-09-13 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Prediction of High Curie Temperature, Large Magnetic Crystal Anisotropy in 2D Ferromagnetic Co$_2$Ge$_2$Te$_6$ Monolayer and Multilayer
Co $_2$ Ge $_2$ Te $_6$具有本征铁磁（FM）有序性，其居里温度（$T_c$）为161 K。Co $_2$ Ge $_2$ Te $_6$单层（ML）是半金属（HM），并且自旋- $β$电子是带隙为1.311 eV的半导体。Co $_2$ Ge $_2$ Te $_6$ ML倾向于面内各向异性（IPA），磁各向异性能（MAE）为-10.2 meV/f.u.。Co $_2$ Ge $_2$ Te $_6$ ML具有良好的动态和热稳定性。最有趣的是，双层膜呈现铁磁半金属性，与堆叠顺序无关。Notley，多层膜（$N\ge 6$）呈现铁磁HM，而磁电性能与较薄多层膜的堆叠模式有关。此外，磁电子性质依赖于体的堆叠顺序。多层膜的磁序由超-超交换和弱范德华相互作用决定。Co $_2$ Ge $_2$ Te $_6$具有本征铁磁性、良好的铁磁性稳定性和半金属性，有助于研究其在自旋电子学中的广泛应用。
2022-07-05 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Chiral Porphyrin Monolayers on Ferromagnetic Thin Films: Ultrafast Spectroscopy of Hybrid Interfaces
Faculty of Chemistry, Adam Mickiewicz University（亚当·密茨凯维奇大学化学系）；Center for Advanced Technologies, Adam Mickiewicz University（亚当·密茨凯维奇大学先进技术中心）；Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research（德累斯顿-罗斯多夫亥姆霍兹中心离子束物理与材料研究所）；Faculty of Physics and Astronomy, Adam Mickiewicz University（亚当·密茨凯维奇大学物理与天文学系）
研究铁磁多层结构对含血红素染料的分子动态的影响，发现表面吸附缩短激发态寿命，但未观察到长寿命电荷转移产物。
2026-05-11 cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Half-metallic to ferromagnetic phase transition in CrSH monolayer using DFT+U and BO-MD calculations
本研究通过DFT+U和BO-MD计算揭示1T-CrSH为稳定铁磁半导体、2H-CrSH为亚稳半金属且300K下转变成1T相，解决声子虚频问题，为自旋/谷电子学提供可调材料候选。
2024-11-27 cond-mat.mtrl-sci
Mn2C monolayer: hydrogenation/oxygenation induced strong room-temperature ferromagnetism and potential applications
具有强铁磁性和高居里温度的二维铁磁材料在纳米器件的应用中具有重要的意义。在这里，基于第一性原理计算，我们报告氢化/氧化Mn 2C单层是这样的材料具有强的室温铁磁性。裸露的Mn 2C单层膜是一种反铁磁金属，其局域磁矩为Mn ~ 3μB。而在氢化/氧化过程中，Mn原子间的反铁磁耦合可以转变为铁磁有序。特别是氢化/氧化Mn_2C单层膜的磁矩可达6 μB/晶胞，居里温度在290 K以上。除了在自旋电子器件中的潜在应用外，我们的工作表明Mn 2C单层膜也有希望用于氢/氧检测和去除器件。
2019-05-09 cond-mat.mtrl-sci
Magnetisms in $p$-type monolayer gallium chalcogenides (GaSe, GaS)
用密度泛函方法研究了$p$型单层GaX（X=S，Se）的磁性.由于价带边缘附近的态密度很大，这些单层半导体在很小的空穴掺杂范围内是铁磁的。本征Ga空位能提高局域磁矩，而Se空位不能。空位引起的局部磁矩之间的磁耦合是铁磁性的，并且令人惊讶地长范围。结果表明，磁化强度可以通过空穴掺杂诱导，并可以通过控制缺陷的产生来调节。
2014-09-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Unusual ferromagnetic band evolution and high Curie temperature in monolayer 1T-CrTe2 on bilayer graphene
本研究在双层石墨烯上成功合成单层1T-CrTe2，发现其居里温度高达150 K，铁磁性源于超交换和双交换作用，为二维铁磁机制提供关键见解。
2025-09-11 cond-mat.mtrl-sci
First-principles design of ferromagnetic monolayer MnO$_2$ at the complex interface
本文通过第一性原理计算研究SrTiO$_3$基异质界面中单层MnO$_2$的界面工程，发现其具有与覆盖层厚度无关的金属-绝缘体转变和磁转变，并实现100%自旋极化二维电子气及室温磁性，为二维自旋电子学材料设计提供了新途径。
2023-05-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetic Phase Control in Monolayer Films by Substrate Tuning
我们建议通过调整相邻的非磁性基底来定制磁性单层膜中的交换相互作用。作为一个例子，我们证明了一个单层Fe在Ta（x）W（1-x）（001）表面的铁磁-反铁磁相变作为Ta浓度的函数。在临界Ta浓度下，最近邻交换相互作用很小，磁相空间急剧加宽。复杂的磁序，如自旋螺旋，多Q，甚至无序的局部磁矩状态可能会发生，提供了在零磁化状态矩阵中存储铁磁点信息的可能性。
2007-11-05 cond-mat.mtrl-sci
Dependence of the magnetic interactions in MoS$_2$ monolayer on Mn-doping configurations
理解在$2H$ -MoS $_2$单层中可能遇到的各种Mn掺杂配置的磁性可能对其在自旋电子学中的使用是有益的。采用密度泛函理论加Hubbard U（DFT $+$ U）方法，研究了MoS $_2$单层中Mn原子的单取代、双取代和三取代构型对MoS单层总磁化强度的影响.我们发现，掺杂配置起着关键作用，在稳定的铁磁态Mn掺杂的MoS $_2$单层。事实上，Mn-Mn磁性相互作用被发现是铁磁的，并且对于Mn在等距替代位置处的磁性相互作用是强的，其中平均间隔范围为6-11 μ m。最强的铁磁相互作用被发现时，取代是在第二近邻的扶手椅链的Mo-网站。成簇在能量上是有利的，但它强烈地降低了铁磁交换能。我们的研究结果表明，有序的Mn掺杂剂的MoS $_2$单层需要增加其潜在的铁磁性。
2019-05-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin-orbit-proximitized ferromagnetic metal by monolayer transition metal dichalcogenide: Atlas of spectral functions, spin textures and spin-orbit torques in Co/MoSe$_2$, Co/WSe$_2$ and Co/TaSe$_2$ heterostructures
由超薄铁磁金属（FM）和具有强自旋轨道（SO）耦合的材料组成的双层异质结构是自旋电子学中SO扭矩和自旋电荷转换非平衡效应的主要来源。我们演示了如何杂交的波函数的Co层和过渡金属二硫属化物（TMD）的单层--如半导体MoSe $_2$和WSe $_2$或金属TaSe $_2$ --可以导致显着的嬗变的电子和自旋结构的Co在一定距离内远离其界面与TMD，当相比，大量的Co或其表面与真空接触。这是由于邻近诱导的SO分裂的Co带编码的光谱函数和自旋纹理的单层，我们得到使用非共线密度泛函理论（ncDFT）结合平衡格林函数（GF）计算。事实上，SO分裂是存在的，由于结构反转的双层的不对称性，即使在TMD单层内的SO耦合被人为地关闭在ncDFT计算，但切换它使与邻近的CO层内的SO耦合的影响约5倍大。注入自旋非极化的电荷电流通过SO-接近的单层的Co产生非平衡自旋密度超过他们，使其与Co的磁化的交叉产品确定SO扭矩。通过第一性原理量子输运方法计算的SO扭矩，它结合了ncDFT与非平衡GF计算，可以用作筛选参数，以确定最佳组合的材料和它们的界面在自旋电子学中的应用。特别是，我们确定异质结构两个单层-Co/单层-WSe $_2$作为最佳的。
2020-06-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Optical and magneto-optical properties of ferromagnetic monolayer CrBr$_3$: A first-principles $GW$ and $GW$ plus Bethe-Salpeter equation study
原子级薄的二维磁性半导体材料的发现引起了人们极大的研究兴趣。在这项工作中，我们使用第一性原理多体微扰理论来研究一个典型的二维铁磁半导体，单层三溴化铬（CrBr $_3$）。利用全旋量$GW$和$GW$ + Bethe-Salpeter方程（$GW$ -BSE）方法，考虑了时间反演对称性破缺、自旋轨道耦合和激子效应，计算了控制光学和磁光性质的频率依赖层极化率张量和介电函数张量.此外，我们提供了一个详细的理论形式来模拟磁圆二色性，磁光克尔效应，法拉第效应，演示单层CrBr $_3$的方法。由于减少介电屏蔽在2D和本地化性质的Cr $d$轨道，我们发现强烈的自能效应的准粒子能带结构的单层CrBr $_3$，给一个3.8 eV的间接带隙。此外，激子效应占主导地位的低能量的光学和磁光响应在单层CrBr $_3$，其中发现一个大的激子结合能为2.3 eV的最低亮激子态的激发能在1.5 eV。我们进一步发现，磁光信号表现出强烈的依赖于激发频率和衬底折射率。我们的光学和磁光效应建模的理论框架可以作为一个强大的理论工具，为未来的研究组成的范德华二维磁铁的光电和自旋电子学器件。
2022-01-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
