A narrow bandwidth extreme ultra-violet light source for time- and angle-resolved photoemission spectroscopy
Qinda Guo, Maciej Dendzik, Antonija Grubišić-Čabo, Magnus H. Berntsen, Cong Li, Wanyu Chen, Bharti Matta, Ulrich Starke, Björn Hessmo, Jonas Weissenrieder, Oscar Tjernberg
Here we present a high repetition rate, narrow band-width, extreme ultraviolet (XUV) photon source for time- and angle-resolved photoemission spectroscopy (tr-ARPES). The narrow band width pulses $ΔE=9, 14, 18$ meV for photon energies $hν=10.8, 18.1, 25.3$ eV are generated through High Harmonic Generation (HHG) using ultra-violet (UV) drive pulses with relatively long pulse lengths (461 fs). The HHG setup employs an annuluar drive beam in a tight focusing geometry at a repetition rate of 250 kHz. Photon energy selection is provided by a series of selectable multilayer bandpass mirrors and thin film filters, thus avoiding any time broadening introduced by single grating monochromators. A two stage optical-parametric amplifier provides $< 100$ fs tunable pump pulses from 0.65 $μ$m to 9 $μ$m. The narrow bandwidth performance of the light source is demonstrated through ARPES measurements on a series of quantum materials including the high-temperature superconductor Bi-2212, WSe$_2$ and graphene.
Theory of Angle Resolved Photoemission Spectroscopy of Altermagnetic Mott Insulators
Technical University of Munich（慕尼黑工业大学）；Munich Center for Quantum Science and Technology (MCQST)（慕尼黑量子科学与技术中心）；Indian Institute of Science, Bangalore（印度科学学院班加罗尔分校）
Evolution of the electronic structure across the filling-control and bandwidth-control metal-insulator transitions in pyrochlore-type Ru oxides
我们已经进行了光电子发射和软X射线吸收的研究，即填充控制系统Sm $_{2-x}$ Ca $_x$ Ru $_2$ O $_7$和带宽控制系统Sm $_{2-x}$ Bi $_x$ Ru $_2$ O $_7$，这表明绝缘体到金属的转变，随着钙和铋浓度的增加，分别。Sm $_{2-x}$ Ca $_x$ Ru $_2$ O $_7$中的芯能级和O 2 $p$价带随Ca浓度的变化呈现出几乎相同的单调向上的能量移动，这表明空穴掺杂导致化学势向下移动。Sm $_{2-x}$ Ca $_x$ Ru $_2$ O $_7$中的Ru 4 $d$带也随着空穴掺杂而向费米能级（$E_F$）移动，并且$E_F$处的态密度（DOS）增加.另一方面，Sm $_{2-x}$ Bi $_x$ Ru $_2$ O $_7$中的芯能级除了Ru 3 $d$芯能级之外没有显示出明显的能量移动，其线形变化也反映了金属屏蔽随Bi浓度的增加。我们观察到明显的光谱重量转移从非相干的Ru 4d $t_{2g}$带与Bi浓度，这是预期的带宽控制莫特-哈伯德系统的相干部分。根据最近的理论预测，在$E_F$下，在带宽控制Sm $_{2-x}$ Bi $_x$ Ru $_2$ O $_7$中的DOS增加比在填充控制Sm $_{2-x}$ Ca $_x$ Ru $_2$ O $_7$中的DOS增加更突然。讨论了Bi 6 $sp$带和R…
Minority-spin $t_{2g}$ states and the degree of spin polarization in ferromagnetic metallic La$_{2-2x}$Sr$_{1+2x}$Mn$_2$O$_7$ ($x=0.38$)
利用角分辨光电子能谱（ARPES）研究了铁磁La $_{2-2x}$ Sr $_{1+2x}$ Mn $_2$ O $_7$（$x=0.38$）的电子能带结构和费米面.除了预期的两个空穴口袋和一个电子口袋的多数自旋$e_g$电子，我们显示了一个额外的电子口袋周围的$Γ$点。与第一性原理自旋极化能带结构计算的比较表明，额外的电子口袋来自少数自旋特征的$t_{2g}$电子，表明该化合物不是一个完整的半金属铁磁体，与轻掺杂立方锰氧化物类似的预期。然而，我们的数据表明，一个完整的半金属状态是可能达到的，只要带宽是温和的减少。此外，ARPES的带分辨能力，使我们能够研究不同的实验条件下的自旋极化的能带结构的影响。
Non-rigid band shift and non-monotonic electronic structure changes upon doping in the normal state of the pnictide high temperature superconductor Ba2(Fe1-xCox)2As2
Direct visualization of gate-tunable flat bands in twisted double bilayer graphene
Carnegie Mellon University（卡内基梅隆大学）；Stanford University（斯坦福大学）；Aarhus University（奥胡斯大学）；National Institute for Materials Science（国立材料研究所）；E. O. Lawrence Berkeley National Laboratory（E.O.劳伦斯伯克利国家实验室）
