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通过单原子厚度的2D材料进行离子筛选,实现用于神经形态计算的模拟非易失性存储器

Ionic Sieving Through One-Atom-Thick 2D Material Enables Analog Nonvolatile Memory for Neuromorphic Computing

Revannath Dnyandeo Nikam, Jongwon Lee, Wooseok Choi, Writam Banerjee, Myonghoon Kwak, Manoj Yadav, Hyunsang Hwang

摘要:

第一份关于通过原子薄2D材料的原子筛的离子输运的报告被提供以解决电化学随机存取存储器(ECRAM)设备的关键限制。

英文摘要:

The first report on ion transport through atomic sieves of atomically-thin 2D material is provided to solve critical limitations of electrochemical random-access memory (ECRAM) devices.

机构、总结、中文摘要均由AI分析而来,可能存在错误,请以论文正文为准。

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