Pressure-induced Superconductivity in Tellurium Single Crystal
本研究结合拉曼光谱、同步辐射XRD与理论计算，系统揭示了Te单晶在40 GPa内的结构相变、Tc非单调演化及DOS关联，建立了压力诱导超导相图。
2023-12-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Growth of whisker-like and bulk single crystals of PrFeAs(O,F) under high pressure
用六面顶砧高温高压技术，在3GPa和1500 ℃下，从NaAs助熔剂中生长出了PrFeAs（O，F）超导晶须和块状单晶。带状晶须状晶体的长度为400-1300微米，宽度为40-70微米，厚度为5-10微米，具有在ab平面中的长尖锐边缘和垂直于该面的c轴。发现生长的块状晶体具有不规则的板状形状，线性尺寸高达1 mm，厚度为120微米。这两种类型的单晶体都以相同的四元结构结晶，并且在磁化强度的温度依赖性方面显示出单相行为，超导转变温度约为31 K。温度梯度和反应助熔剂的存在似乎对PrFeAs（O，F）单晶晶须和块体单晶的生长起着重要的作用。这些观察结果表明，晶体的形态特性不仅取决于所需材料的晶体结构的对称性，而且还取决于生长介质。
2013-11-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
High pressure crystal growth of the antiperovskite centrosymmetric superconductor SrPt3P
首次采用自熔法在2GPa和1500 °C下，利用压砧、高压和高温技术生长了SrPt_3P大块单晶。发现生长的黑色晶体具有板状或柱状形态，最大尺寸为~ 1 - 0.6 - 0.3 mm 3。根据测角研究，晶体在ab平面中伸长，c轴垂直于该平面。通过X射线衍射（P4/nmm，129，Z = 2，a = b = 5.7927（2）nm，c = 5.3729（2）nm和V = 180.290（11）nm 3）确认晶体结构。随温度变化的磁化率测量结果表明，单相行为和超导转变温度为8.6 K。单晶的该值略高于先前报道的多晶SrPt 3 P的值。磁化率下降的尖锐性（ΔTc = 0.07 K）支持所获得的晶体的高均匀性。
2016-10-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Simultaneous measurement of pressure evolution of crystal structure and superconductivity in FeSe0.92 using designer diamonds
在44 GPa和4K的压力下，用自制的金刚石压砧在同步辐射源上对PbO型α-FeSe_（0.92）化合物进行了高压X射线衍射和电阻测量。在室温下，在11 GPa下观察到从四方晶系（P4/nmm）相到正交晶系（Pbnm）相的结构相变，Pbnm相持续到74 GPa。超导转变温度（TC）随压力迅速升高，在6 GPa时达到最大值28 K，在较高压力时降低，在14.6GPa时完全消失。在低温下同时进行的压力相关的X射线衍射和电阻测量表明，超导性仅存在于α-FeSe 0.92的低压正交相（Cmma）中。当在TC附近的10 K下增加压力时，晶相从正交（Cmma）和六方（P63/mmc）的混合物变为高压正交（Pbnm）相，其中TC在6.4 GPa附近是最大的。
2012-10-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Non-bulk Superconductivity in Pr$_4$Ni$_3$O$_{10}$ Single Crystals Under Pressure
在高达73 GPa压力下对Pr$_4$Ni$_3$O$_{10}$单晶进行磁输运和磁化测量，发现约31 K的超导迹象，但因非渗流超导体积分数仅约10%，证实其为非体超导体。
2024-10-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Synthesis, Crystal Growth and Epitaxial Layer Deposition of FeSe0.88 Superconductor and Other Poison Materials by Use of High Gas Pressure Trap System
制备了多晶、单晶和薄膜形式的FeSe样品并进行了表征。合成的材料已在0.45GPa的5 N纯度氩气的压力下使用高气压阱系统（HGPTS）进行热等静压。薄膜已经通过使用DC溅射的混合过程从各种类型的靶制备并且使用HGPTS处理。所使用的HGPTS确保了用于材料合成或晶体生长的活性体积与惰性气体介质的完全分离。所得FeSe 0.88样品的Tc在8 ~ 12 K之间。采用SEM、EDX、XRD、磁化率和电阻率等测试手段对样品进行了表征。
2011-08-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Giant enhancement in critical current density, up to a hundredfold, in superconducting NaFe0.97Co0.03As single crystals under hydrostatic pressure
铁基超导体（FeSC）的临界电流密度（Jc）的改善，特别是在相对较低的温度和磁场下，迄今为止已经通过不同的方法做出了巨大的努力，取得了实际进展。然而，为了满足实际应用的要求，高温高场下的Jc仍需要进一步提高。在这里，我们展示了一个简单的方法来实现这一点。静水压可以显着提高Jc在NaFe 0.97Co 0.03 As单晶在低场至少10倍，在高场超过一百倍。在高压下，NaFe0.97Co0.03As单晶在钉扎力密度（Fp）方面的外场性能得到显著增强。在P=1GPa时，在12K和14K的高场下，Fp分别比常压下高20倍和80倍以上。我们相信，钴掺杂的NaFeAs化合物是非常令人兴奋的，值得更深入的研究。最后，值得一提的是，通过使用静水压力，我们可以在不同的超导体中实现更多的高Jc值的里程碑。
2015-06-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Predicted formation of superconducting platinum-hydride crystals under pressure in the presence of molecular hydrogen
贵金属在常压下呈密排结构，在高压下很少发生结构转变。特别是铂（Pt），通常被认为是不活泼的，因此预计在压力下不会形成硫化物。我们预测，铂氢化物（PtH）有一个较低的焓比它的组成部分固体铂和分子氢在21.5 GPa以上的压力。我们计算了在70和80 GPa之间从四元到六方密排或面心立方（fcc）PtH的结构相变。线性响应计算表明，PtH在这些压力下是超导体，其临界温度约为10- 25 K。这些发现有助于阐明最近在富氢材料中观察到的压力诱导金属化和超导性。我们表明，在压力下形成面心立方金属超导体是常见的贵金属超导体，并研究在这些材料的超导性的可能性。
2011-08-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Pressure-enhanced superconductivity in cage-type quasiskutterudite Sc5Rh6Sn18 single crystal
采用电输运、同步辐射X射线衍射（XRD）和拉曼光谱研究了具有笼型准方钴矿晶格和II型超导性的Sc 5 Rh 6Sn 18（超导转变温度Tc = 4.99 K）在静高压下的电输运性质.我们的数据表明，HP提高了系统的金属性质和Tc。在2.5GPa时，Tc连续增加，达到5.24K。虽然该体系是金属性质的，但常压下的Raman光谱研究表明，在165.97、219.86和230.35 cm-1处存在三个弱模，主要与Sc原子的振动有关。HP-XRD数据表明，在~7 GPa压力下，该笼状结构是稳定的，没有任何结构相变。晶格参数和体积表现出平滑的下降，没有任何异常的压力在此压力范围内的函数。特别地，二阶Birch-Murnaghan状态方程可以很好地描述晶胞体积的压力依赖性，产生约97 GPa的体积模量。HP拉曼研究表明，所有三个拉曼模式的线性位移，以更高的波数与增加的压力高达~8 GPa。由于压力增强了键的重叠，从而诱导更多的电子电荷进入系统，HP-XRD和拉曼光谱的结果可能表明，在该压力范围内，随着压力的增加，获得更高的Tc的可能性。
2022-03-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Pressure and strain tuning of the alternating bilayer-trilayer Ruddlesden-Popper nickelate: crystal and electronic structure
Arizona State University（亚利桑那州立大学）
通过第一性原理计算研究了氢压和双轴压缩应变下双层-三层层镍酸盐的晶体和电子结构，发现压力和应变可抑制八面体倾斜，使结构四方化，并改变d_{z^2}键合带位置。
2026-03-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Signature of superconductivity in pressurized La4Ni3O10-x single crystals grown at ambient pressure
本文报道常压碳酸钾助熔法生长的La4Ni3O10-x单晶在77.9 GPa、约30 K出现超导迹象，为高质量镍酸盐单晶制备和高压超导研究提供新路径。
2025-01-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure induced superconductivity in BaFe2As2 single crystal
通过电阻率随温度变化的研究，研究了BaFe_2As_2单晶和多晶样品在0-7 GPa压力范围内压力诱导超导电性的演化。虽然超导转变在多晶样品中仍然是不完全的，但在单晶样品中观察到了明显的压力诱导超导性，其电阻率为零，而磁性转变则与自旋密度波（SDW）有关。超导转变温度（TC）被认为是增加到约1.5 GPa的中等压力和单调下降超过这个压力。SDW转变温度TSDW随压力的增加而迅速降低，在~ 1.5GPa以上消失.
2009-03-25 cond-mat.supr-con
Hydrostatic and uniaxial pressure dependence of superconducting transition temperature of KFe2As2 single crystals
我们目前的热容，c轴热膨胀和压力依赖，低场，温度依赖磁化的压力高达~ 12千巴，数据为KFe 2 As 2单晶。Tc在压力下以dTc/dP ~ -0.10 K/kbar降低。推断的单轴c轴压力导数为正，dTc/dpc ~ 0.11 K/kbar。与过掺杂铁基超导体的数据进行了比较分析。论证了KFe_2As_2的超导电性可能不同于122族中的其他过掺杂Fe基材料。
2012-12-26 cond-mat.supr-con
Pressure-induced Superconductivity in Sulfur-doped SnSe Single Crystal Using Boron-doped Diamond Electrode-prefabricated Diamond Anvil Cell
采用熔融缓冷法成功合成了硫掺杂SnSe单晶。用X射线光电子能谱学分析了样品的化学组成和价态。使用纳米多晶金刚石压砧将具有硼掺杂金刚石电极的金刚石压砧单元的压力范围升级到104 GPa，以研究样品的压力效应。电阻率测量的硫掺杂的SnSe单晶显示的绝缘体-金属-超导体的转变，通过施加高压高达75.9 GPa。
2018-07-23 cond-mat.supr-con
High Pressure Growth of Transition-Metal Monosilicide RhGe Single Crystals
本研究通过助熔剂法高压生长出毫米级高质量RhGe单晶，确认其金属与顺磁行为，未发现超导，为拓扑性质的光谱研究奠定基础。
2025-06-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Growth and transport properties under high pressure of PrOBiS2 single crystals
使用KCl助熔剂成功地生长了PrOBiS 2单晶。所得晶体具有典型尺寸为0.5-1.0 mm的板状形状和发育良好的ab平面。Pr价生长的晶体，由X-射线吸收精细结构光谱分析确定，几乎是三价的。PrOBiS 2单晶在低至0.25 K时没有表现出超导性。在高达50 GPa的高压下的输运性质确保了使用金刚石对顶砧单元在2-300 K下的半导体行为。
2019-04-20 cond-mat.supr-con
Pressure-induced Superconductivity in Crystalline Boron Nanowires
报道了高压下菱方晶体结构硼纳米线的超导电性。与块状菱面体硼明显不同，这些BNW在比块状硼低得多的压力下显示出超导体-金属转变。此外，我们发现这些BNW成为超导体的Tc=1.5 K在84 GPa，在该压力下，散装硼仍然是一个半导体，通过在金刚石对顶砧单元的原位电阻测量。随着压力的增加，BNW的Tc增加。超导电性的发生在BNW的压力低至84 GPa可能是由于尺寸效应。
2009-04-08 cond-mat.supr-con
Single Crystal Growth of the New Pressure-induced-superconductor CrAs via Chemical Vapor Transport
单砷化物CrAs，在室温压力下，在~ 265 K发生螺旋反铁磁有序转变。最近，在CrAs中的螺旋反铁磁序附近发现了压力诱导超导性[Wei Wu等人，Nature Communications 5，5508（2014）.]。然而，通过锡助熔剂法生长的晶体的尺寸在最长尺寸上小至1 mm。本文报道了用化学气相输运法生长尺寸为1 × 5 × 1 mm ~ 3的CrAs单晶及其物理性质。
2016-03-16 cond-mat.supr-con
Single crystal growth of MgB2 and thermodynamics of Mg-B-N system at high pressure
通过MgNb 9的包埋分解，在高压下生长了MgB 2单晶。晶体的尺寸高达1.5 × 0.9 × 0.2 mm 3，重量高达0.23 mg，通常具有37 - 39的转变温度，宽度为0.3-0.5 K。P-T相图的研究证明，MgB_2相在高压下在Mg蒸气存在下在高静水压下至少在2190 ℃是稳定的。Tc的小变化是由掺杂来自前体的金属元素或晶体生长过程中缺陷的退火引起的。
2003-01-06 cond-mat.supr-con
Effects of pressure-induced phase transitions on superconductivity in the single crystal Fe1.02Se
在6.7GPa的高压下测量了单晶Fe_（1.02）Se的交流磁化率随温度的变化。在0.5 - 1GPa的两相区，超导转变温度Tc从7 K大幅度增加到30 K。压力的进一步增加导致Tc的降低。7 GPa附近超导性的破坏可能与从正交晶系到六方晶系的结构转变有关。.
2009-05-22 cond-mat.supr-con
High pressure effects on La(O,F)BiS$_{\mathrm{2}}$ single crystal using diamond anvil cell with dual-probe diamond electrodes
La（O，F）BiS $_{\mathrm{2}}$的高压相在所有BiS $_{\mathrm{2}}$基超导体中具有最高的转变温度。各种研究，如同位素效应的调查，已经进行了解释其超导机制。然而，关于La（O，F）BiS $_{\mathrm{2}}$单晶在高压下的电输运性质和振动模式的报道却非常少。本研究利用双探针金刚石对顶砧装置测量了La（O，F）BiS $_{\mathrm{2}}$单晶和Pb的低温电输运性质。利用所开发的系统，在La（O，F）BiS $_{\mathrm{2}}$单晶上施加压力时，观察到转变温度和声子硬化的线性下降。
2021-03-09 cond-mat.supr-con
High-Pressure Electrical Resistivity Measurements of EuFe2As2 Single Crystals
在3.0GPa压力下对剩余电阻率比RRR=7和15的EuFe_2As_2单晶进行了高压电阻率测量。在常压下，对于RRR=7和15的样品，在T0 = 190 K和194 K时分别观察到了与FeAs层相关的磁/结构转变。流体静压的施加抑制了T0，然后在具有不同RRR值的样品中诱导类似的超导行为。然而，对于RRR=15的样品，临界压力2.7GPa，其中T0=0，略微但明显地大于RRR=7的样品的2.5GPa。
2010-08-04 cond-mat.supr-con
Trapped flux in a small crystal of CaKFe$_4$As$_4$ at ambient pressure and in a diamond anvil pressure cell
本研究延伸此前工作，对CaKFe$_4$As$_4$小单晶分别在常压和2.2 GPa金刚石对顶砧压腔条件下开展俘获磁通相关的温度依赖磁化测量，验证了受压超导体样品中开展该类测量的可行性。
2024-05-13 cond-mat.supr-con
High-pressure study of superconducting and non-superconducting single crystals of the same nominal composition Rb0.8Fe2Se2
两个单晶样品具有相同的标称组成的Rb 0.8Fe2Se2通过略有不同的前体路线在相同的热处理条件下制备的在环境和高压下进行了研究。一个样品被发现超导的Tc为~31 K，没有先前报道的磁导率驼峰，另一个被意外地发现是一个窄隙半导体。虽然高压数据可以理解为掺杂的压力诱导变化，但详细的掺杂对超导性的影响尚未确定。
2011-10-27 cond-mat.supr-con
Phase Diagram of Pressure-induced Superconductivity and its Relation to Hall Coefficient in Bi2Te3 Single Crystal
本文报道了已知拓扑绝缘体Bi_2 Te_3的压致超导电性及其与霍尔系数（RH）的关系。一个完整的相图，它示出了一个复杂的依赖性的超导转变温度作为压力的函数在一个广泛的范围。高压RH测量揭示了这些复杂行为的密切关系，特别是在结构相变之前dRH/dP的急剧变化和高压阶段的压力诱导RH交叉。
2010-09-20 cond-mat.supr-con
High-Tc Phase of PrO0.5F0.5BiS2 single crystal induced by uniaxial pressure
我们证明了压力诱导相变从低Tc相（3.5 K）的高Tc相（8.7 K）在单晶PrO 0.5F0.5BiS2。即使在0.7GPa下，通过从具有极薄厚度的单晶的几何效应获得的单轴压力，也容易观察到高Tc相。在该相变中，超导各向异性和沿c轴的相干长度分别从γ = 20变化到9.3和从γ c = 0.56变化到0.71 nm。有人建议，通过施加单轴压力的c晶格常数的收缩增强了在超导状态下的三维性。
2014-07-19 cond-mat.supr-con
Coexistence of Eu-antiferromagnetism and pressure-induced superconductivity in EuFe2As2 single crystal
通过高压单晶中子衍射测量，研究了流体静压下EuFe 2As 2的结构和磁有序的演化。四方-斜方结构转变和Fe自旋密度波（SDW）转变都随着压力的增加而逐渐被抑制并变得解耦。反铁磁顺序的Eu亚晶格，然而，强大的对施加的压力高达24.7千巴，没有显示出任何变化的有序温度。在24.7 kbar的压力下，EuFe_2As_2的晶格参数在27（3）K处显示出明显的反常，与以前高压电阻率测量中观察到的超导转变相一致。这种在Tc附近的反常热膨胀强烈地暗示了流体静压诱导的EuFe_2As_2的体超导电性和强的电子-晶格耦合的出现。在EuFe_2As_2基铁磷属化合物中，长程有序Eu反铁磁性和压力诱导超导电性共存的现象是非常罕见的。
2019-06-20 cond-mat.supr-con
MgB2 and Mg1-xAlxB2 single crystals: high-pressure growth and physical properties
采用高压立方对顶砧技术生长了MgB 2单晶。它们通过MgNb 9三元氮化物的包埋分解生长。这些晶体的尺寸高达2x1x0.1mm3，重量高达230微克。典型地，它们的转变温度在38和38.6 K之间，宽度为0.3-0.5 K。P-T相图的研究证明，在高压下，在Mg蒸气存在下，MgB_2相至少在2190 ℃以下是稳定的。用铝取代镁，使单晶的Tc逐步下降。这表明可能出现具有不同Tc的超结构或相。上临界场随Al掺杂而减小。
2003-08-20 cond-mat.supr-con
High-pressure growth of fluorine-free SmFeAsO$_{1-x}$ superconducting single crystals
用自熔法在3.3 GPa和1350-1450 $^\circ$ C温度下生长了无氟掺杂的SmFeAsO $_{1-x}$超导单晶。获得横向尺寸为几个~ 150 $μ$ μ m的板状单晶。单晶在53.5K左右发生超导转变，转变宽度仅为0.5K。同步辐射X射线衍射图案和高角度环形暗场扫描透射电子显微镜图像指向具有良好定义的层状四元结构的晶体的高质量。用电子探针X射线微区分析法测定了晶体的化学组成。
2008-11-12 cond-mat.supr-con
High-pressure synthesis of bilayer nickelate Sr$_{3}$Ni$_{2}$O$_{5}$Cl$_{2}$ with tetragonal crystal structure
受超导性理论预测启发，研究人员通过高压合成首次制备出新型氧氯化物双层镍酸盐Sr$_{3}$Ni$_{2}$O$_{5}$Cl$_{2}$，证实其与超导体La$_{3}$Ni$_{2}$O$_{7}$同构，为镍酸盐超导研究提供新材料体系。
2024-12-12 cond-mat.supr-con
High-pressure single-crystal neutron scattering study of magnetic and Fe vacancy orders in (Tl,Rb)2Fe4Se5 superconductor
利用高压中子衍射技术研究了超导（Tl，Rb）2Fe 4Se 5单晶中的磁空位和铁空位有序。类似的温度效应，块反铁磁秩序逐渐减少，随着压力的增加，而Fe空位超结构秩序保持完整，然后在临界压力Pc = 8.3 GPa的急剧消失。结合先前确定的Pc超导性，我们的压力下的相图揭示了块AFM顺序，铁空位顺序和超导性的245超导体的并发。本文试图把当前的实验数据综合成一幅相干的物理图象。
2014-12-12 cond-mat.supr-con
Pressure effects on superconducting properties of single-crystalline Co doped NaFeAs
外压下的电阻率和磁化率的测量进行单晶NaFe 1-xCoxAs（x=0，0.01，0.028，0.075，0.109）。在欠掺杂和最佳掺杂的NaFe 1-xCoxAs中，由压力增强的最大Tc是相同的，高达31 K。x = 0.075的过掺杂样品也表现出对Tc的正压力效应，在2.3GPa的压力下，Tc提高了13 K。与Ba（Fe_（1-x）Co_x）_2As_2不同，所有样品都表现出较大的超导电性正压力系数。然而，在重过掺杂的非超导NaFe 0.891Co 0.109As中，压力不能诱导超导电性。这些结果提供了证据，超导和重过掺杂的非超导NaFe 1-xCoxAs之间的电子结构有很大的不同，与角分辨光电子能谱的观察是一致的。
2012-07-23 cond-mat.supr-con
High-Pressure Synthesis and Superconductivity of Ag-doped Topological Crystalline Insulator SnTe (Sn1-xAgxTe with x = 0-0.5)
采用高压合成法合成了Sn_（1-x）Ag_xTe，Ag掺杂的拓扑晶体绝缘体SnTe（x = 0-0.5）的单相多晶样品。室温下Sn_（1-x）Ag_xTe的晶体结构为NaCl型立方结构，不随Ag的取代而改变。在x = 0.15-0.25范围内观察到体相超导电性，转变温度为2.4K，最佳Ag含量为x = 0.2。Sn_（1-x）Ag_xTe超导相的存在将有助于理解载流子掺杂SnTe系统的超导性质和机制。
2016-02-28 cond-mat.supr-con
Pressure-induced lattice collapse in tetragonal phase and structural phase transition in single crystalline Fe1.05Te
本文报道了高压下Fe_（1.05）Te化合物单晶的原位X射线衍射（XRD）和电子性质的研究。结果表明，在室温下，当压力为4GPa时，样品发生了四方相（cT）的压致晶格崩塌。随着压力增加到14 GPa，cT相又转变为单斜（M）相。压力下的电阻测量结果表明，结构相变（TSTR）起始温度在从四方相（T）向cT相转变时降低，并在T-cT相的边界压力4GPa处升高。反铁磁转变（TAF）的开始显示出很小的变化高达0.8 GPa的磁化测量。在M相区，样品在低温下表现出半导体性质。在所研究的压力下没有观察到超导性。
2009-07-20 cond-mat.supr-con
Pressure induced superconductivity in a CeRhSi$_{3}$ single crystal -- the high pressure study
非中心对称CeRhSi $_{3}$和CeIrSi $_{3}$化合物的压力诱导超导电性自15年前被发现以来就引起了科学界的极大关注。迄今为止，所有报道的实验结果都是采用混合缸活塞压力单元获得的，最大可达压力为3 GPa。目前的研究集中在超导状态，在较高的，迄今未报道的，压力使用布里奇曼砧室和CeRhSi $_{3}$单晶合成的Sn-真通量方法。超导临界温度从1.1 GPa时的0.4 K上升到2.4 GPa时的1.1 K，当压力超过3.0 GPa时，超导态逐渐被抑制，形成一个典型的圆顶。在4.5 ~ 5.0GPa的压力范围内，压力诱导的超导性将被完全抑制。在恒定磁场和高压的电阻率的温度依赖性，以及磁阻测量，揭示了一个大的临界场，超过19 T，在0.6 K和2.4 GPa，急剧下降后退的超导圆顶。利用我们的高压数据完成了以前报道的$\it{T-p}$和$\it{H-T}$相图，并在以前结果的框架内进行了讨论。
2020-07-30 cond-mat.supr-con
Crystal structure and lattice dynamics of AlB2 under pressure and implications for MgB2
利用同步辐射X射线粉末衍射、拉曼光谱和第一性原理计算研究了40 GPa高压对AlB 2晶体结构和晶格动力学的影响。没有压力诱导结构相变的迹象。在0 GPa下，金属样品的拉曼光谱在980 cm^{-1}附近有一个清晰的峰，这可以归因于具有拉曼活性的E_{2g}带心声子。如X射线数据所示，AlB 2中约11%的Al缺陷定性地改变了电子结构，并且有迹象表明它可能对E_{2g}声子频率的压力依赖性产生相当大的影响。非化学计量比引起的声子频率的压力依赖性的类似变化，被提出作为对不同样品的MgB 2的T_c的压力依赖性的异常大的变化的解释。
2002-06-05 cond-mat.supr-con
Analysis of Prospective Elements and Crystal Lattice Structures via Computer Algorithms to Identify Standard Temperature Pressure (STP) Superconductors
超导体具有革命性的技术潜力，因为它们具有零电阻的能力。然而，超导体材料需要低温或高压才能在超导状态下发挥作用。因此，研究人员现在正在寻找有史以来第一个室温，环境压力超导体。然而，最近的发现只显示超导体在环境压力下在低温下工作或在高压下在室温下工作。由于影响超导性的变量的数量，这两个极端之间的区域尚未确定。为了减少需要测试以识别第一个STP超导体的排列的数量，我建议使用计算机算法来测试超导材料的各种晶体结构和具有零电阻并表现出迈斯纳效应的元素组合。在标准压力下具有最高临界温度的一些元素超导体是V、Zr、La、Hf、Re、Th、Pa、U和Am。这些元素一旦与其他元素在正确的晶体结构中结合，就可以产生一种亚稳态，在这种状态下，超导体一旦形成就可以保持它们的物理特性。
2021-10-28 cond-mat.supr-con
Increase in Tc and change of crystal structure by high-pressure annealing in BiS2-based superconductor CeO0.3F0.7BiS2
近年来，人们发现了几种BiS 2基超导体，如Bi 4 O 4S 3、REO 1-xFxBiS 2（RE：稀土）和Sr 1-xLaxFBiS 2。在本研究中，我们研究了两种BiS 2基超导体CeO_（0.3）F_（0.7）BiS_2多晶样品（生长态和高压退火样品）的晶体结构和超导性能。我们发现，无论是生长和高压退火的CeO0.3F0.7BiS2样品显示体超导性。在高压退火样品中观察到较高的Tc。通过高压退火，CeO_（0.3）F_（0.7）BiS_2的Tc从Tczero = 2.7 K提高到Tczero = 3.7 K。a轴和c轴的晶格常数没有表现出显着的差异之间的生长和高压退火的样品。然而，（200）峰的峰对称性似乎变得更对称，而（004）峰没有显示出这种差异，这表明在CeO 0.3F 0.7BiS2中通过高压退火，ab平面内的晶体结构改变为更高对称性的相，即完全的四方晶系。
2014-08-05 cond-mat.supr-con
Pressure dependence of upper critical fields in FeSe single crystals
研究了FeSe单晶上临界场（μ $_0$ $H$ $_{c2}$）与压力的关系.超导（SC）性质在临界压力下表现出不同的行为，其中压力诱导的反铁磁相与超导性共存。$H//ab$和$H//c$的磁电阻非常不同：对于$H//c$，磁场在接近$T_c$的电阻率中诱导并增强了高于1.2 GPa的压力，而对于$H//ab$则不存在。由于FeSe样品的测量的μ $_0$ $H$ $_{c2}$小于由Werthamer Helfand和Hohenberg（WHH）模型估计的轨道限制上临界场（$H$ $^{orb}$ $_{c2}$），因此额外考虑与泡利自旋顺磁效应相关的Maki参数（α）来描述μ $_0$ $H$ $_{c2}$（$T$）的温度依赖性。有趣的是，对于$H//ab$，α值几乎不受压力的影响，而对于$H//c$，α值随压力的增加而显著增加。发现FeSe单晶的μ $_0$ $H$ $_{c2}$（0）s的压力演化与$T_c$（$P$）的压力演化几乎相似，表明压力诱导磁序对上临界场和SC转变温度有不利影响.
2016-02-12 cond-mat.supr-con
Pressure induced superconductivity in Bi single crystals
在10.5GPa压力下对Bi单晶进行了电阻率和磁化率的测量。温度依赖的电阻率在环境压力和低压（低于约1.6GPa）下显示出半金属行为。随着压力的增加，低温区的电阻率出现上升，这是一种半导体行为。这一特征逐渐增强，直到约2.52GPa的压力。随着压力的进一步增加，电阻率呈现出非单调的温度依赖性，并伴随着对低温电阻率上升的强烈抑制。同时，在约2.63GPa的压力下，在约3.92K发生超导转变。随着压力的进一步增加，在约2.8GPa下，在约7 K处出现第二次超导转变。对于这两种超导态，超导诱导的磁屏蔽体积都很大。当压强进一步增加到8.1GPa时，我们观察到了约8.2K的第三次超导转变。磁场下的电阻率测量使我们能够确定超导相的上临界场$μ_0 H_{c2}$。含$T_c=3.92$ K相的上临界场极低。根据Werthamer-Helfand-Hohenberg（WHH）理论，估计该相的$μ_0 H_{c2}$值约为0.103 T。而$T_c$ = 7 K的相的上临界场很高，约为4.56T。最后，我们给出了Bi单晶的压力相关相图。我们的结果揭示了铋单晶在高压下有趣而丰富的物理现象。
2016-10-19 cond-mat.supr-con
Pressure-induced phase transition for single crystalline LaO0.5F0.5BiSe2
我们已经证明了在超导体LaO_（0.5）F_（0.5）BiSe_（2）单晶中的压力诱导的从低Tc相到高Tc相的相变。在2.44GPa下，高温超导相出现在6.7K处。虽然低Tc相的各向异性（γ）估计为20，但在高Tc相中约减少一半（9.3）。这种趋势对于BiS2系统是相同的。LaO0.5F0.5BiSe2的Tc持续增加到本研究的最大压力（2.44 GPa）。因此，进一步施加压力有可能在该系统中诱导更高的Tc。
2014-08-01 cond-mat.supr-con
Microscopic phase diagram of LaFeAsO single crystals under pressure
我们研究了LaFeAsO单晶的同步穆斯堡尔谱学的压力高达7.5 GPa和13 K下，并提供了一个微观相图。我们发现，随着压力的增加，磁超精细场的连续抑制，它完全消失在$\sim$ 7.5 GPa，这是在多晶样品中的磁性顺序消失在$\sim$ 20 GPa的行为相反。多晶样品的不同行为可能是由于As空位。我们的结果与密度泛函理论的计算结果定性一致，发现磁矩随压力的增加而减小.我们发现，在常压下，不同样品的磁相变温度以及低温磁超精细场随晶胞体积的增加而减小.
2018-08-20 cond-mat.supr-con
Superconducting properties and hydrostatic pressure effect on ABi3 (A=Ba,Sr) single crystals
本文报道了ABi_3（A=Ba，Sr）超导体的晶体生长和表征。这两种化合物的单晶生长的自熔剂技术。BaBi 3晶体为四方晶系，空间群为P4/mmm，SrBi 3晶体为立方晶系，空间群为Pm-3 m。BaBi_3在Tc = 6.0 K和SrBi_3在Tc = 5.6 K的超导性已通过直流磁化率和电输运测量得到证实。在静水压下的直流磁化率表明，BaBi 3的正压力系数为dTc/dP = 1.22 K/GPa，SrBi 3的负压力系数为dTc/dP = -0.48 K/GPa。正常状态的电阻率表明，这两种化合物是高度金属性质。通过磁场$ρ(T,H)$下的电阻率评估的上临界场Hc 2对于BaBi 3为22 kOe，对于SrBi 3为2.9 kOe。$ΔCe/γTc = 1.05$的比热跃变表明BaBi 3的弱耦合超导性，而SrBi 3的$ΔCe/γTc = 2.08$高于BCS理论值1.43，表明强耦合超导体。
2016-07-12 cond-mat.supr-con
Pressure induced Lifshitz transition and anomalous crystal field splitting in AFeAs (A=Li/Na) Fe-based superconducting compounds: A first principles study
利用Zhang等人[1]预测的超高压下的晶体结构，通过基于密度泛函理论的第一性原理研究，给出了流体静压对铁磷属元素化物超导化合物LiFeAs和NaFeAs电子结构的影响。轨道选择性压力引起的偏态密度和电子能带结构的变化揭示了这些化合物的混合多带多轨道性质，在环境压力下具有能量简并的dxz/dyz轨道。由于较大的流体静压力，一些电子/空穴能带穿过费米能级，导致费米表面的显著拓扑修改，称为Lifshitz跃迁。本文叙述了当前研究的一个重要课题--Lifshitz转变与超导性的相互关系。基于这种相互联系，本研究预测了111种化合物的超导Tc在如此高的压力下不能提高。基于Wannier函数的电子结构研究揭示了在较高压力下Fe-3d和As-4p轨道之间相对较大的杂化，作为这种杂化的效应，dxz和dyz轨道的轨道简并度被提升。不同的杂交贡献中的晶体场分裂分离使用Wannier函数为基础的形式主义，通过将不同的频带与一个特定的轨道字符中的Wannier函数的建设。利用低能紧束缚模型讨论了Fe-d轨道间的轨道内/轨道间跳跃幅度与压力的关系。
2021-08-17 cond-mat.supr-con
Pressure Tuned Enhancement of Superconductivity and Change of Ground State Properties in LaO0.5F0.5BiSe2 Single Crystals
利用流体静压，我们成功地调谐了LaO_（0.5）F_（0.5）BiSe_2单晶的基态和超导电性。结果表明，随着压力的增加，Tc约为3.5K的超导相可以被调谐到一个较低的Tc状态，然后出现一个新的Tc约为6.5K的超导相。伴随着这种交叉，基态从半导体态转换到金属态。相应地，正常态电阻率也随外压呈现非单调变化。此外，通过施加磁场，在压力下的新的超导态（Tc约为6.5 K）被抑制，正常状态再次显示出弱半导体特征。这些结果说明了在这个新发现的超导系统中正常态性质和超导性之间的非平凡关系。
2014-07-22 cond-mat.supr-con
Pressure-induced superconductivity in single crystal CaFe2As2
我们报道了CaFe_2As_2单晶的压力诱导超导性。在大气压下，这种材料在低于170 K时是反铁磁的，但在0.69 GPa的外加压力下变成超导的，转变温度Tc超过10 K。外加磁场对Tc的抑制率为-0.7 K/T，外推零温上临界场为10- 14 T。
2008-07-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The pressure-induced enhancement of superconducting properties of single-crystalline FeTe0.5Se0.5
的压力依赖性，高达11.3 kbar，超导状态的基本参数，如临界温度（Tc），下，上临界场，相干长度，穿透深度，和它们的各向异性，从磁性测量进行的两个电子晶体样品的FeTe 0.5Se 0.5。我们已经发现，压力引起的增强的所有超导状态的属性，这需要的超导载流子的密度的增长。然而，我们注意到在压力下超导载流子密度的增加比在临界温度下更明显，这可能表明出现了限制Tc随压力增加的机制。我们已经观察到，临界电流密度在压力下至少增加一个数量级。
2012-05-17 cond-mat.supr-con
Superconductivity and its Enhancement under High Pressure in "F-free" Single Crystals of CeOBiS$_2$
“无F”CeOBiS $_2$单晶已成功生长，通过使用高纯度CsCl助熔剂彻底消除了对F污染的担忧。所获得的晶体具有板状形状，在发育良好的平面中具有1.0- 3.0mm的尺寸。单晶X射线结构分析清楚地显示CeOBiS $_2$以空间群$P4/nmm$（具有$a$ = 4.0189（6），$c$ = 13.573（2）的晶格参数）结晶。键价和估算和X射线光电子能谱学分析表明，Ce以Ce $^{3+}$和Ce $^{4+}$的混合价态存在。单晶在$\sim$ 1.3 K下表现出零电阻的超导性。这是第一次确凿的证据，在确定的非掺杂CeOBiS $_2$的超导电性由Ce价涨落驱动。超导转变温度提高到$\sim$ 3.8 K，通过施加静水压力。
2017-06-12 cond-mat.supr-con
Competition between the modification of intrinsic superconducting properties and the pinning landscape under external pressure in CaKFe$_4$As$_4$ single crystals
研究通过最高 7.5 GPa 下的磁化与磁通蠕变测量，揭示 CaKFe$_4$As$_4$ 单晶中超导本征性质与钉扎景观的竞争，并以双钉扎源假说解释结构转变前后的行为。
2024-09-05 cond-mat.supr-con
Comment on "Trapped flux in a small crystal of CaKFe$_4$As$_4$ at ambient pressure and in a diamond anvil pressure cell" by S. L. Bud'ko et al
针对Bud'ko等人关于CaKFe₄As₄小晶体俘获磁通的研究，指出其新实验证据反而支持了高压氢化物样品不具有超导性的观点，反驳了原研究对高压氢化物超导性的解释。
2024-05-29 cond-mat.supr-con
Resistivity and magnetoresistance of FeSe single crystals under Helium-gas pressure
在He气压高达800 MPa和磁场$B \leq$ 10 T的条件下，测量了FeSe单晶的面内电阻率随温度的变化.在$T_s$温度略低于90 K时，在四方相到正交相转变处出现了明显的相变异常。随着压力的增加，$T_s$以线性方式减少，速率为d $T_{s}$ /d $P$ $\simeq$ -31 K/GPa。这伴随着超导转变温度在$T_c \sim$ 8.6 K处的$P$线性增加，其中$T_{c}$ /dPDMATHABMP $\simeq$ +5.8 K/GPa。正常状态电阻率的压力研究突出了两个明显不同的区域：对于$T > T_s$，即，在四方相中，面内电阻率随压力强烈变化。这与超导转变之前的$T \ll T_s$正交相深处的状态形成对比。这里观察到$T$ -线性电阻率，其斜率不随压力变化。在环境和有限压力下的变化磁场中的电阻率研究揭示了通过$T_s$冷却时磁阻$Δρ\propto B^{2}$的明显变化。我们的数据是一致的费米面伴随着结构转变的重建。
2015-03-26 cond-mat.supr-con
Pressure phase diagram and quantum criticality of CePt2In7 single crystals
本文报道了CePt_2In_7单晶的温度-压力（T-P）相图，特别是反铁磁序的压力演化和超导电性的出现，并在近流体静力学环境下用电阻率和交流量热法进行了研究。与多晶超导体相比，体超导与反铁磁共存的压力范围要窄得多。在CePt 2 In 7中也观察到了织构超导性和局域量子临界性的可能存在，表现出与CeRhIn 5的显著相似性。
2013-06-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Effect of pressure on the structural phase transition and superconductivity in (Ba$_{1-x}$K$_x$)Fe$_2$As$_2$ ($x = 0$ and 0.45) single crystals
本文研究了压力对轻掺Sn的BaFe $\sim 20$ As $_2$的结构相变以及（Ba $_{0.55}$ K $_{0.45}$）Fe $_2$ As $_2$单晶的超导转变温度和上临界场的影响。这两种转变都以几乎线性的方式随压力而减小。在压力下，上临界场曲线$H_{c2}(T)$在温度下向下移动，以跟随零场$T_c$，斜率变化很小。
2008-07-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Enhancement of the Superconducting Transition Temperature with Hydrostatic Pressure in Ca_{3}Ir_{4}Sn_{13} Single Crystals
我们报告的高压磁化率和电阻率测量Ca_{3} Ir_{4} Sn_{13}单晶高达60千巴。这些测量使我们能够跟踪超导临界温度T_c、电阻率反常温度T ~*、超导相干长度和费米速度在压力下的演化。Ca_{3} Ir_{4} Sn_{13}的压力-温度相图显示T_c对压力的圆顶形依赖性。T_c的初始升高伴随着T* 的降低，这与压力下费米面部分能隙的减小是一致的。
2011-05-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
