Mechanically probing coherent tunnelling in a double quantum dot
我们从理论上研究了一个少电子双量子点和一个电容耦合的AFM悬臂梁，在最近的几个实验中实现的设置之间的相互作用的电荷动力学。我们证明，点引起的频率偏移和阻尼的悬臂梁可以被用来作为一个敏感的探针相干点间隧穿，这些效果可以用来定量提取的相干点间隧穿的大小和（在某些情况下）的值的双点T_1时间。我们还展示了如何绝热调制的双点本征态的悬臂梁运动导致新的效果相比，单点的情况。
2011-11-09 cond-mat.mes-hall
Cotunneling effects in GaAs vertical double quantum dot
在稀释冰箱温度为10 mK时，我们观察到了低势垒GaAs垂直双量子点中库仑阻塞的解除，这是由共隧穿机制引起的.与单点情况相比，观察到了几个明显的特征，并给出了相应的解释
2010-11-17 cond-mat.mes-hall
Nonlinear Transport through Coupled Double Quantum Dot Systems
结合简单的微观量子限制模型和Mott-Hubbard型关联模型，研究了半导体双量子点结构中的序贯隧穿输运.我们非微扰地计算了库仑阻塞振荡随点间势垒电导的演化，从弱耦合的单个点到强耦合的相干双点分子系统，在整个隧穿区得到了与实验数据很好的定性一致.
1996-11-26 cond-mat.mes-hall
Quantum manipulation of two-electron spin states in metastable double quantum dots
我们实验研究了所谓的亚稳双量子点中两个反平行电子自旋之间的交换相互作用的动力学，其中与电子库的耦合可以忽略。我们证明，这种双点的控制水平高于传统的双点。特别是，它允许耦合相干两个电子自旋在一个有效的方式以下的计划最初提出的损失和Dijuenzo。本研究表明，亚稳态量子点是增加相干耦合量子点数量的一种可能途径。
2014-11-25 cond-mat.mes-hall
Ion implanted Si:P double-dot with gate tuneable interdot coupling
本文报道了磷离子注入硅双点系统的毫开尔文电荷传感测量。铝单电子晶体管（SET）是电容耦合到每个注入点，使充电行为的双点系统进行研究独立的电流传输。使用静电门，点间耦合可以从弱耦合调谐到强耦合。在弱的点间耦合区域，系统表现出明确的双点充电行为。相比之下，在强点间耦合制度，系统表现为一个单点。
2006-02-23 cond-mat.mes-hall
Electrostically defined few-electron double quantum dot in silicon
采用金属氧化物半导体（MOS）兼容工艺制备了一种少电子双量子点，通过低温输运测量研究了该器件的能谱.双点结构是电可调的，使得点间耦合能够在宽范围内调整，如在电荷稳定性图中所观察到的。在偏置光谱测量中清楚地观察到了双点基态和激发态的共振单电子隧穿。
2009-04-02 cond-mat.mes-hall
Electron transport through double quantum dots
综述了串联耦合的两个横向量子点的电子输运实验。介绍了电荷稳定性图的两个点的电化学电位。共振隧穿实验表明，双点几何结构允许在量子点中的离散能量状态的本征寿命的准确测定。研究了离散能级在磁场中的演化。该分辨率允许分辨量子点的光谱中的避免的交叉。利用微波光谱，可以探测双点人工分子中从离子键合（对于弱的点间隧道耦合）到共价键合（对于强的点间隧道耦合）的转变。本文综述了双量子点的实验研究现状，并指出了它们与实现固态量子比特的关系。
2002-05-21 cond-mat.mes-hall
Spectroscopy of double quantum dot two-spin states by tuning the inter-dot barrier
双量子点中双自旋态的输运谱可以通过一个交流电场来实现。然而，当状态之间的转变率较小时，就会出现问题，因此AC感应电流会被抑制。在这里，我们表明，如果AC场调谐的点间隧道势垒，然后为大失谐的过渡率急剧增加，导致高电流。多光子共振增强了几个数量级。我们的研究为快速双自旋跃迁提供了一种有效的方法。
2019-02-05 cond-mat.mes-hall
Theory of a double-dot charge detector
采用极小模型分析了一个库仑耦合于待测电子，另一个受随时间变化的柱塞电压调制的双量子点电荷探测器。探测器的信号和噪声由标准主方程和麦克唐纳公式技术计算。我们发现在噪声频谱中的双拉比频率的双点，定义的带宽可用于检测运动中的电荷下降。
2008-02-12 cond-mat.mes-hall
Statistical electron excitation in a double quantum dot induced by two independent quantum point contacts
实验研究了电流通过两个独立的量子点接触对GaAs-AlGaAs异质结中邻近的双量子点的影响。观察到的电流通过双量子点可以解释耦合到玻色子浴。浴的温度取决于通过量子点接触的电流所产生的功率。我们确定了双量子点中的主要吸收和发射机制为与声学声子的相互作用。实验排除了双量子点与由量子点接触产生的散粒噪声的耦合作为主导机制。
2009-02-12 cond-mat.mes-hall
Charge State Measurement and Persistent Current in a Double-Dot Aharonov Bohm Ring
这篇论文由于一个重大错误而被作者撤回。
2006-06-15 cond-mat.mes-hall
Probing level renormalization by sequential transport through double quantum dots
我们研究了串联双量子点的电子输运。离散点能级与外部引线的隧道耦合导致它们的能量转移。这种能量重整化影响的输运特性，即使在弱的点-铅耦合的限制，当顺序运输占主导地位。我们提出了一个实验装置，它揭示了重整化效应的电流-电压特性或稳定性图。
2005-08-19 cond-mat.mes-hall
Phase readout of a charge qubit capacitively coupled to an open double quantum dot
研究了电荷量子比特与开放双量子点的电容耦合动力学。取决于量子位状态，通过开放量子点的传输可以是谐振的或非谐振的，使得量子位影响通过开放双点的电流。我们将初始量子比特状态与出现的瞬态电流峰值的大小相关联。这些量之间的关系使得不仅能够读出电荷，而且能够读出量子位的相位。
2010-03-08 cond-mat.mes-hall
Large voltage-tunable spin valve based on a double quantum dot
研究了基于双量子点的自旋阀的自旋相关输运性质。假设每个量子点与其自身的铁磁铅强耦合，而量子点之间的耦合相对较弱。通过系统的电流是在点之间的跳跃微扰理论内确定的，而量子点-铁磁铅子系统的光谱是通过数值重整化群方法确定的。铁磁体和量子点之间自旋相关的电荷涨落产生了一个有效的交换场，使双量子点能级分裂。对于每个量子点，可以通过栅极电压或通过改变外部引线的磁配置来单独地控制这样的场。我们证明，所考虑的双量子点自旋阀设置具有增强的磁阻特性，包括正常和反向隧道磁阻。我们还表明，该系统允许产生高自旋极化电流，这可以通过纯电气手段控制。所考虑的双量子点与铁磁接触，因此可以作为一个有效的电压可调的自旋阀，其特征在于高输出参数。
2021-03-30 cond-mat.mes-hall
Top-gate defined double quantum dots in InAs nanowires
本文介绍了金属有机物气相外延生长的InAs纳米线中双量子点的低温输运测量。两个点串联创建光刻定义的顶栅的过程中，不涉及额外的绝缘层。我们证明了从强到弱耦合点之间的完整的可调谐性。耦合的量子力学性质导致在两个点上延伸的分子状态的形成。单个点的激发光谱可通过它们在非线性输运中的特征来观察。
2006-09-19 cond-mat.mes-hall
Molecular states in carbon nanotube double quantum dots
我们报告通过半导体单壁碳纳米管（SWNT）与三个额外的顶栅的电输运测量。在低温下，该系统充当具有大的点间隧道耦合的双量子点，允许观察在整个双点系统上延伸的隧道耦合分子态。我们精确地提取了隧道耦合，并通过微分电导中共振的顺序隧穿线形来识别分子态。
2006-03-14 cond-mat.mes-hall
Compact silicon double and triple dots realized with only two gates
我们报告电子输运硅双和三重点创建优化数量的两个门。使用氮化硅间隔物，在与硅纳米线重叠的两个顶栅下方创建串联的两个点。点之间的耦合由栅极电压控制。第三个点是由栅极电压或局部掺杂的组合作用，这取决于间隔物的长度。对三点稳定图的主要特征进行了定量拟合。
2010-05-31 cond-mat.mes-hall
Spin-polarized currents in double and triple quantum dots driven by ac magnetic fields
我们分析了交叉直流和交流磁场存在下，通过双量子点和三量子点的非均匀塞曼分裂的输运。我们发现，通过调节量子点塞曼分裂能级的相对能量，可以获得强自旋极化电流：根据能级的失谐量，双量子点可以作为自旋上滤波器或自旋下滤波器工作.我们证明了三重量子点在交、直流磁场作用下不仅可以作为自旋过滤器，而且可以作为自旋反转器。
2010-11-27 cond-mat.mes-hall
Cooper pair tunnelling and quasiparticle poisoning in a galvanically isolated superconducting double dot
我们通过将超导双点与任何电极电隔离来增加超导双点与其环境的隔离。我们探测它使用高频反射技术，发现2e周期性的行为，并计算其电荷态的能量结构。通过模拟的设备的响应，我们确定的准粒子中毒率显着恶化比一个未隔离的双点，并得出结论，准粒子之间的点和引线的交换是一个重要的松弛机制。
2017-10-12 cond-mat.mes-hall
Zero temperature conductance of parallel T-shape double quantum dots
分析了平行T型双量子点系统的零温电导。我们提出了一个解析表达式的电导的系统中的两个量子点的电子总数。我们的研究结果证实，系统的电导是强烈的影响，这是不直接连接到引线的点。我们讨论了我们的研究结果与文献中报道的类似结果。
2007-08-14 cond-mat.mes-hall
Double quantum dot as detector of spin bias
提出了利用双量子点作为自旋偏置探测器的设想。从理论上研究了在与量子点接触的两个导电引线上施加纯自旋偏压时电子通过双量子点的输运。研究发现，当量子点内能级位于自旋偏置窗口内时，左右量子点的自旋极化可以自发地产生，并打破了两个量子点的左右对称性.结果，产生了一股巨大的电流。对于开放的外部电路，将在平衡中感应电荷偏置而不是充电电流，这被认为是根据当前纳米技术可测量的。该方法可以通过测量双量子点中的电荷偏置或电流来检测自旋偏置（或自旋电流），为自旋偏置（或自旋电流）的检测提供了一种实用的全电学方法。
2008-08-06 cond-mat.mes-hall
Optimal tunneling enhances quantum photovoltaic effect in double quantum dots
利用非平衡量子主方程研究了双量子点中的量子光伏效应。在开路电压附近观察到光伏电流的急剧抑制，这导致大的填充因子。我们发现，总是存在一个最佳的点间隧穿，显着提高光伏电流。最大输出功率也将在最佳点间隧穿附近获得。此外，开路电压近似表现为本征能级间隙和卡诺效率的乘积。这些结果表明双量子点作为高效光伏器件具有巨大的潜力。
2013-10-22 cond-mat.mes-hall
Fast sensing of double-dot charge arrangement and spin state with an rf sensor quantum dot
报道了双量子点的电荷排列和自旋态的单次测量，测量时间可达~ 100 ns。感测使用在库仑阻塞状态中的近端量子点的射频反射测量。该传感器的量子点比同类量子点接触传感器灵敏30倍，在射频单次测量中信噪比提高3倍。数值模拟与实验定性一致，表明量子点传感器灵敏度的提高是由于减少了屏蔽和寿命展宽。
2010-04-26 cond-mat.mes-hall
Surface Acoustic Wave induced Transport in a Double Quantum Dot
我们报道了在片上产生的表面声波的照射下通过双量子点的非绝热输运。在低激发功率下，观察到单个和多个声子的吸收和发射。在较高的功率下，连续的声子辅助隧穿过程激发处于高度非平衡态的双点。该系统对于研究压电耦合下的电子-声子相互作用具有重要意义。
2006-01-09 cond-mat.mes-hall
Low energy excitations of double quantum dots in the lowest Landau level regime
利用精确对角化技术，在填充因子接近2的情况下，研究了N=6和N=7电子系统中不同的跳跃参数和塞曼参数下双量子点在最低朗道能级下的光谱和磁性.我们比较了我们的结果与双量子层和单量子点。本文还讨论了Kohn定理。
2003-01-17 cond-mat.mes-hall
Determining the electronic triplet-singlet transition probability in double quantum dots: Analogy with the double slit experiment
我们采用初等测量方法计算了双量子点中由超精细相互作用引起的电子三重态-单重态跃迁。我们展示了超精细相互作用和核反作用过程（触发器）的局部特征是如何消除三重态-单重态跃迁几率的相消干涉的。正是这种抵消作用将超精细相互作用与混合三重态和单重态本征态的各向异性磁场区分开来。
2010-02-22 cond-mat.mes-hall
Tunable capacitive inter-dot coupling in a bilayer graphene double quantum dot
我们报道了一个双量子点，它是在一个宽度调制的蚀刻双层石墨烯纳米管形成。许多横向石墨烯门使我们能够在很宽的能量范围内调整器件的量子点能级和隧道势垒。电荷稳定性图，特别是单独的三相点对允许研究可调电容点间耦合能量以及多个单独的三相点上的电子激发态的光谱。我们提取的互电容点间耦合的范围为2 - 6 meV和点间隧道耦合的数量级为1.5 μeV。
2011-10-26 cond-mat.mes-hall
Quantum Photovoltaic Effect in Double Quantum Dots
我们分析了通过耦合到高质量驱动微波谐振器的双量子点系统的光伏电流。即使在双量子点系统的引线上的零偏压下，谐振器中的光子到电子激发的转换也产生电流。我们证明，由于谐振器中的电磁场的量子性质，光伏电流表现出双峰依赖于外部微波源的频率$ω$。峰之间的距离由共振器中的光子与双量子点中的电子之间的相互作用的强度确定。随着弛豫过程强度的增加，双峰结构消失，当微波频率等于谐振器频率时，恢复了最大电流的简单经典条件。
2013-01-16 cond-mat.mes-hall
Geometrical pumping in spin coupled double quantum dots
基于量子主方程（QME），解析地研究了双量子点系统的非平衡泵浦，其中双量子点通过自旋耦合与两个外引线相连.每个引线都有两个可调参数，温度和化学势。利用QME方法，我们得到了QME本征态的类Berry-like相位在参数空间中的解析表达式。我们证明了Berry-like曲率在参数空间的整个区域内都是非零的。我们还证明了在单个量子点和两个孤立量子点的情况下，类Berry曲率为零。
2013-02-27 cond-mat.mes-hall
Electron Transport in Double Quantum Dot governed by Nuclear Magnetic Field
本文从理论上研究了受核磁场支配的双点电子转移：这是最近在实验上实现的。我们展示了如何部分补偿核磁场来恢复自旋封锁。
2005-07-28 cond-mat.mes-hall
Kondo Physics and Exact Solvability of Double Dots Systems
我们研究两个双点系统，一个与点在平行，一个与点在串联，并认为他们承认一个精确的解决方案，通过贝特anomaly。在平行点的情况下，我们利用精确解来提取线性响应电导的行为。平行点系统的线性响应电导具有多重近藤效应，包括由非微扰反铁磁RKKY相互作用增强的近藤效应，在混合价区具有电导零点，并服从非平凡形式的Friedel和规则.
2007-07-24 cond-mat.mes-hall
Pauli spin-blockade in an InAs nanowire double quantum dot
我们测量了有限偏压下通过InAs纳米线中顶栅形成的双量子点的输运。泡利自旋波卡德被证实与几个电子在点。这是预期的，因为InAs中的小交换相互作用和大的单重态-三重态分裂，这可以通过栅极电压来测量和调节。
2007-09-20 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling spectroscopy of valley eigenstates on a hybrid double quantum dot
我们报道了通过由施主和量子点组成的硅混合双量子点的电子输运测量。输运谱显示了涉及不同谷态的共振隧穿峰，这说明了Si/SiO2界面上量子点的谷分裂。双点输运的详细栅极偏压依赖性允许首次直接观察量子点中的谷分裂，其在160-240 μ eV之间可控，电场依赖性为1.2 ± 0.2 meV/（MV/m）。大的谷分裂是在硅量子点中实现物理电子自旋量子比特的基本要求。
2016-04-14 cond-mat.mes-hall
Kondo effect in side coupled double quantum-dot molecule
研究了近藤机制下电子隧穿双量子点分子与量子线的相互作用。平均场有限U从玻色子形式主义被用来获得问题的解决方案。我们发现当侧边附着的双量子点的分子能量与费米能相交时，会出现电导抵消现象。我们研究了多体分子近藤态随系统参数的变化。
2004-11-25 cond-mat.mes-hall
Electronic spin precession and interferometry from spin-orbital entanglement in a double quantum dot
平行插入两个金属引线之间的双量子点允许使电子自旋与轨道（点指数）自由度纠缠。阿哈罗诺夫-玻姆轨道相位可以被转移到旋量波函数，提供围绕固定磁场的自旋进动的几何控制。在混合轨道/自旋近藤制度中获得完全相干的行为。自旋进动的证据可以通过使用自旋极化的金属引线或将双点放置在金属环的一个分支中来获得。
2006-12-18 cond-mat.mes-hall
Double quantum dots as a high sensitive submillimeter-wave detector
在GaAs/Al $_{x}$ Ga $_{1-x}$ As异质结晶体中制备了由平行双量子点构成的单电子晶体管（SET），该晶体管可用作亚毫米波（SMMW）的极高灵敏度探测器。通过Kohn模式等离子体激发，其中一个双量子点被SMMW电离，这通过另一个量子点影响SET电导，产生光响应。在70 mK时，探测器对波长约为0.6 mm的噪声等效功率可达$10^{-17}$ W/ $\sqrt{Hz}$的量级。
2001-04-06 cond-mat.mes-hall
Controlling Kerr nonlinearity with electric fields in asymmetric double quantum-dots
从理论上研究了与隧穿耦合的非对称双量子点系统中电场对克尔非线性的控制。研究发现，通过适当的双光束调谐和偏压隧穿，克尔非线性效应可以得到增强，并在很宽的范围内发生变化。
2008-01-24 cond-mat.mes-hall
Twisting enabled charge transfer excitons in epitaxially fused quantum dot molecules
具有长辐射寿命和净永久偶极矩的电荷转移激子对于基于量子点（QD）的能量收集和光电探测器件具有高度吸引力，其中光激发后的电荷分离效率限制了器件性能。在这里，使用混合的含时密度泛函理论，我们已经证明了，在外延融合量子点分子的电荷转移激子击穿的主要规则，选择材料与交错的II型带排列。激子的多体效应被发现是显着的和不同的取决于激子的性质，导致意想不到的激子态的逆序。引人注目的是，扭转量子点分子似乎是一种有效的手段，调制的轨道空间定位向电荷分离，这是强制性的电荷转移激子。同时，它表现出内能级分裂，抵消了不同性质的激子感受到的不同的多体效应，从而确保在同二聚体和异二聚体QD分子中成功产生能量有利的电荷转移激子。我们的研究扩展了扭旋的领域到零维材料，并提供了一个真正的路线操纵量子点分子中的激子的性质。
2021-08-29 cond-mat.mes-hall
Single, double, and triple quantum dots in Ge/Si nanowires
我们报告高度可调控制Ge/Si核/壳纳米线（NWs）中的空穴。我们展示了创建各种尺寸的单量子点（QD）的能力，具有低的空穴占据数和清晰可见的激发态。对于最小的点尺寸，我们观察到单孔占据的迹象。此外，我们制作了双和三隧道耦合量子点阵列。在双量子点结构中，我们观察到了泡利自旋阻塞（PSB）。这些结果为在这些器件中进行空穴自旋量子比特实验开辟了道路。
2018-05-07 cond-mat.mes-hall
Single wall carbon nanotube double quantum dot
我们报道了半导体单壁碳纳米管中的两个顶栅定义的耦合量子点，构成了一个可调谐的双量子点系统。单壁碳纳米管与钛电极接触，并由三个窄的顶栅电极以及背栅进行门控。我们表明，仅在两个量子点之一上的偏置光谱图可以用于提取两个量子点的附加能量。此外，蜂窝电荷的稳定性图进行了分析，包括交叉电容的静电电容模型，我们提取的耦合能量的双量子点。
2006-12-07 cond-mat.mes-hall
Quantum gates between capacitively coupled double quantum dot two-spin qubits
研究了双量子点中两个电子自旋态编码的双量子比特控制非门。我们假设电子可以在编码单个量子比特的两个量子点之间隧穿，而属于不同量子比特的量子点之间的隧穿是禁止的。因此，两个量子比特仅通过电子的直接库仑排斥相互作用。我们发现，纠缠两个量子比特门可以通过量子点的电偏置和/或调谐量子比特内的量子点之间的隧穿矩阵元素来执行。利用双量子点单重态和双重态基态之间的共振，调节偏压可以控制纠缠相互作用。
2006-10-13 cond-mat.mes-hall
Mesoscopic fluctuations of tunneling through double quantum dots
研究了两个串联点在库仑阻塞区的电导涨落。波动的模式对磁场极为敏感。这些电导涨落也提供了关于部分打开的单个量子点的电荷的介观涨落的信息，这是难以直接测量的。
1998-10-20 cond-mat.mes-hall
The signature of a double quantum-dot structure in the I-V characteristics of a complex system
我们证明，通过仔细分析的温度依赖特性的I-V测量给定的复杂系统，它是可能的，以确定它是否是由一个单一的，双或多个量子点结构。我们的方法是基于正统理论的双点的情况下，是能够模拟的I-V特性的系统与任何电阻和电容值和温度对应的热能大于点的水平间距。我们比较了单点和双点系统的I-V特性，表明对于给定的测量I-V曲线，考虑第二点的可能性相当于降低拟合温度。因此，我们的方法允许一个基于I-V测量的实验系统的结构的信息。
2005-11-11 cond-mat.mes-hall
Charge sensing and controllable tunnel coupling in a Si/SiGe double quantum dot
本文报道了Si/SiGe双量子点的集成电荷传感测量。该量子点被证明是可调谐的，从一个单一的，大的点，以及隔离的双点。电荷感测测量使得能够提取量子点之间的隧道耦合t作为限定器件的顶栅上的电压的函数。对单个这样的栅极上的电压的控制调谐分隔两个点的屏障。测得的隧道耦合是栅极电压的指数函数。控制t的能力是控制硅量子点中自旋量子比特的重要一步。
2009-05-11 cond-mat.mes-hall
Transport properties of proximitized double quantum dots
研究了耦合到金属和超导导线上的双量子点的亚带隙光谱和输运性质。两个量子点与超导导线的耦合通过Andreev反射过程在两个量子点中诱导非局域配对。此外，我们还得到了库珀对隧穿进入超导导线的两个通道。在这样的系统中，直接隧穿过程（通过两个量子点之一）或交叉隧穿过程（通过两个量子点同时）是可能的。我们考虑了Andreev透射率对点间隧穿振幅和量子点与超导导线之间耦合的依赖关系。我们还考虑在线性Andreev电导谱中干涉Fano型线形的发生。
2020-09-28 cond-mat.mes-hall
Precision control of charge coherence in parallel double dot systems through spin-orbit interaction
利用开放电子系统量子主方程的精确解，研究了在自旋轨道相互作用下，由两个平行量子点描述的两个电荷态的相干动力学.我们证明了双点系统可以保持在动态消相干自由空间中。两个双点电荷态之间的相干性可以通过自旋-轨道耦合来精确控制。温度，有限的带宽的铅，和能量偏差在相干操作的影响进行了探讨。
2013-08-19 cond-mat.mes-hall
Correlated Counting of Single Electrons in a Nanowire Double Quantum Dot
我们报道了InAs纳米线双量子点中单个电子的相关实时探测。在下面的二维电子气材料中的两个自对准量子点接触充当双量子点的高灵敏度电荷检测器。单个电子的隧穿过程和所有的隧穿速率通过同时测量量子点接触的相关信号来确定。
2008-12-10 cond-mat.mes-hall
Charge-localization and isospin-blockade in vertical double quantum dots
电荷局域化似乎不太可能发生在两个垂直耦合的对称量子点，即使一个小的偏置电压打破了系统的精确的同位旋对称性。而对于三电子双量子点，我们发现在一定的垂直磁场作用下，电荷有很强的局域化。的电荷本地化直接连接到新的基态之间的本征态不同，只有在宇称的过渡。电子之间的库仑关联依赖于磁场，并且在通过双点系统的输运中产生强的同位旋阻塞特征。
2004-01-22 cond-mat.mes-hall
Latched Detection of Excited States in an Isolated Double Quantum Dot
采用脉冲静电门控结合电容电荷传感技术对电隔离双量子点系统进行激发态光谱分析。在两个点之间移动的单个电荷的隧穿速率受到量子化能级的排列的影响;测量的隧穿概率从而揭示了光谱特征。两个脉冲序列的调查，其中之一，被称为锁存检测，允许测量一个单一的隧道事件，而不重复。两者都提供激发态光谱，而不与双点系统电接触。
2004-01-05 cond-mat.mes-hall
Gate-defined electron-hole double dots in bilayer graphene
我们提出了门控单，双，三点操作在静电间隙双层石墨烯。由于样品制造的最新进展，包括在六方氮化硼中封装双层石墨烯和使用石墨栅极，已经可以静电限制双层石墨烯中的载流子并完全夹断通过量子点器件的电流。在这里，我们讨论的操作和表征的电子空穴双点。我们显示了显着程度的控制我们的设备，这使得两个不同的栅极定义的电子空穴双点系统具有非常相似的能量尺度的实施。在单点制度，我们提取激发态能量和调查他们的演变在一个平行的磁场，这是在协议的塞曼自旋分裂预期的g-因子为2。
2018-06-25 cond-mat.mes-hall
Removing spin blockade by photon-assisted tunneling in double quantum dots
泡利不相容原理可以导致双量子点输运的抑制，即使两个量子点之间由一个共振驱动场连接。在这项工作中，我们研究如何这种效果，被称为自旋封锁，可以通过驱动场的影响，对接触的铅被删除。
2006-11-16 cond-mat.mes-hall
Coherent manipulation of electronic states in a double quantum dot
研究了半导体双量子点中电荷态（赝自旋量子比特）的相干时间演化。这个完全可调的量子比特是用高速电压脉冲来控制的，它控制着系统的能量和退相干。对于量子点的多体基态和激发态的几种组合，观察到量子比特的相干振荡。本文还讨论了该器件中可能的退相干机制。
2003-08-19 cond-mat.mes-hall
Observation of excited states in a graphene double quantum dot
我们研究了石墨烯双量子点在不同耦合机制下的性质。尽管点之间的强电容耦合，隧道耦合低于实验分辨率。我们观察到的有限偏置三角形内的其他结构，其中一部分可以归因于电子激发点状态，而其他可能是由于调制的传输的隧道势垒连接系统的源极和漏极引线。
2010-01-26 cond-mat.mes-hall
Collective luminescence and phonon-induced processes in double quantum dots
研究了双量子点系统在电磁环境和晶格模相互作用下，当两个量子点之间存在耦合时，系统的量子态的演化。我们提出了一个统一的方法来模拟两个水库联合影响下的系统演化。我们讨论了亚辐射和超辐射的辐射衰减系统，声子诱导的点之间的纠缠衰减，和它们之间的激发转移。
2009-08-01 cond-mat.mes-hall
