Silicon solar cells efficiency analysis. Doping type and level optimization
对n型和p型基区的高效硅太阳电池的光电转换效率进行了理论分析。当硅体中的Shockley-Read-Hall复合由Fe的深能级决定时，考虑了这种情况。结果表明，由于复合参数的不对称性，这一水平的光伏转换效率是增加在SC与n型基地和减少在SC与p型基地与掺杂的增加。当进行分析时，考虑两个近似的带-带俄歇复合寿命依赖于基掺杂水平。给出了基于本征薄层（HIT）$α-Si:H-n-Si$异质结太阳能电池的关键特性的实验结果。对HIT电池特性的实验值与计算值进行了比较。由此确定了表面复合速度和串联电阻，其SC参数的实验值与计算值完全吻合。
2015-06-09 cond-mat.mtrl-sci
Synthesis and characterization of chloride doped polyaniline by bulk oxidative chemical polymerization.Doping effect on electrical conductivity
导电聚合物或“有机金属”是由有机构建块制成的高度工程化的纳米结构材料。它们是纳米技术在分子电子学中应用的分子导线的候选者。在这些聚合物中的导电性是由于离域分子轨道的存在。在这项工作中，我们提出了合成氯化物掺杂聚苯胺的本体氧化化学聚合使用固体苯胺盐作为单体，而不是液体苯胺，以减少有毒危害。FTIR和紫外-可见光谱证实了聚合物的预期结构。使用四探针法测量的电导率为1.7S/cm。使用HP阻抗分析仪在10 kHz-13 MHz范围内测量阻抗模量对频率的依赖性。研究了掺杂和制备温度对导电性的影响。
2008-09-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft
Two-step conversion of metal and metal oxide precursor films to 2D transition metal dichalcogenides and heterostructures
本综述系统介绍了制备二维过渡金属二硫族化合物的两步转化法，梳理了工艺各环节的影响变量，阐明其多衬底沉积、低温加工等优势，并展望了其在电子、传感、光电器件及能源催化等领域的应用潜力。
2024-01-29 cond-mat.mtrl-sci
Synthesis and structural characterization of uranium-doped Ca2CuO3, a 1D quantum antiferromagnet
本文介绍了一种改进的溶胶-凝胶法制备超细均匀掺铀238（x=0-0.05）Ca_2CuO_3粉末的工艺条件。通过拉曼光谱、红外光谱和从头算方法对所观察到的光学声子进行了几乎完全的分类，并对化合物的结构、相纯度进行了分析，对铀在化合物中的作用进行了论证。通过掺杂实现了颗粒尺寸的显着减小，并且观察到电阻率与掺杂浓度之间的强相关性，并使用声子辅助电子跳跃导电模型进行解释。共价绝缘状态在所有化合物中的持久性是这类化合物的一个关键特征。
2008-04-30 cond-mat.mtrl-sci
Synthesis of Ni doped ZnO nanostructures by low temperature wet chemical method and their enhanced field emission properties
在这项研究中，我们报告的增强场发射（FE）性能的ZnO纳米结构的Ni掺杂的基础压力为~1 × 10-8毫巴，这是由简单的湿化学工艺生长。ZnO纳米结构显示单晶纤锌矿结构高达Ni 10%的掺杂。FESEM表示随着Ni掺杂ZnO的增加，纳米结构形态从厚纳米针经由薄纳米棒到纳米片的变化。对于ZnO（Ni 0%）、ZnO（Ni 5%）、ZnO（Ni 7.5%）和ZnO（Ni 10%），获得1μA/cm ~ 2场发射电流密度所需的开启电场分别为2.5、2.3、1.8和1.7 V/μm。
2017-08-31 cond-mat.mtrl-sci
Observations of two-dimensional quantum oscillations and ambipolar transport in the topological insulator Bi2Se3 achieved by Cd doping
我们提出了一种缺陷工程策略来优化拓扑绝缘体Bi2Se3的输运性质，以显示高的体电阻率和清晰的量子振荡。从通过结合Cd掺杂和富Se晶体生长条件获得的p型Bi2Se3开始，我们能够观察到通过后退火逐渐增加Se空位后的p型到n型转换。在最佳退火条件下，获得了高水平的补偿，在1.8 K下电阻率超过0.5 Ohmcm，并且在低于14 T的磁场中观察到由多个频率组成的二维Shubnikov-de Haas振荡。
2011-08-11 cond-mat.mtrl-sci
The synthesis and characterization of 1111-type diluted magnetic semiconductors (La1-xSrx)(Zn1-xTMx)AsO (TM = Mn, Fe, Co)
研究了Sr和过渡金属Mn、Fe、Co对直接带隙半导体LaZnAsO的掺杂效应。研究结果表明，当掺杂量达到x = 0.1时，（La 1-xSrx）（Zn 1-xTMx）AsO（TM = Mn，Fe，Co）仍保持单相ZrCuSiAs型四方晶系结构.当系统保持半导体时，用Sr和Mn掺杂导致TC ~ 30 K的铁磁有序，并且用Sr和Fe掺杂导致在低于~ 6 K的自旋玻璃状状态，饱和磁矩为~0.02 μ B/Fe，比Sr和Mn掺杂样品的~0.4 μ B/Mn小一个数量级。相同类型的磁性状态既没有观察到（Zn，Fe）取代没有载流子掺杂，也没有Sr和Co掺杂的标本。
2013-11-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Diffusion-Controlled Anion Conversion into Dense Polycrystalline and Single-Crystalline Oxyhydrides
针对高温氢脱附导致难以合成致密氧氢化物的问题，提出高压扩散控制（HPDC）方法，通过共扩散实现毫米级块体多晶及单晶氧氢化物的拓扑化学合成与阴离子转化，为获取可调阴离子组成和输运性质的致密亚稳态氧氢化物提供了通用平台。
2025-08-11 cond-mat.mtrl-sci
Can surface-transfer doping and UV irradiation during annealing improve shallow implanted Nitrogen-Vacancy centers in diamond?
据报道，如果费米能级在注入后的退火步骤期间升高或降低，则离子注入的NV中心的转换产率和相干时间提高。在这里，我们调查是否表面转移掺杂和表面充电，紫外线，可以利用诱导这种效果。我们分析的相干时间和产量的NV中心离子注入和退火，在退火过程中施加各种条件。具体而言，我们研究了用镍，钯或氧化铝涂覆金刚石，以诱导正表面转移掺杂，以及在紫外线照射下退火以引发空位充电。金属涂覆的金刚石显示出比其他样品高两倍的形成产率。相干时间$T_2$在所研究的样本之间的变化小于2倍。这两种效应都弱于以前的报告，这表明更强的修改能带结构是必要的，以找到一个显着的效果。UV照射对产率和$T_2$倍无影响。
2020-07-30 cond-mat.mtrl-sci
Enhanced stability of 2D organic-inorganic halide perovskites by doping and heterostructure engineering
有机-无机卤化物钙钛矿太阳能电池由于其低成本制造、灵活性和高功率转换效率而最近引起了人们的广泛关注。从三维到二维（2D）的减少为调整有机-无机卤化物钙钛矿的电子性质提供了令人兴奋的机会。在这里，我们提出了第一性原理密度泛函理论为基础的路线，研究降维，杂质掺杂，异质结构工程的能量稳定性，带隙和输运性质的2D杂化有机-无机卤化物钙钛矿的影响。我们表明，二维有机-无机卤化物钙钛矿的能量稳定性可以显着提高化学沉积二硫化钼单层作为前体的系统中的异质结构工程。虽然一方面，这些结构具有与它们的体对应物相似的和优异的输运性质，但另一方面，它们具有宽范围的可调谐带隙的优点。我们的预测将加快未来的努力（包括理论和实验）在高性能钙钛矿的合成，测量和应用。
2018-07-20 cond-mat.mtrl-sci
Doping of Bi2Te3 using electron irradiation
研究了电子辐照掺杂拓扑绝缘体Bi 2 Te 3的方法。为此，在室温下用2.5 MeV电子辐照p型Bi 2 Te 3单晶，并在高达14 T的磁场中进行原位和非原位电测量。通过辐照产生的缺陷充当电子供体，允许补偿材料的初始空穴型导电性以及导电性从p型到n型的转换。使用霍尔效应和Shubnikov-de Haas（SdH）振荡来研究载流子浓度的变化，这在照射前的p型样品中清楚地观察到，但在照射诱导的导电性转换为n型之后也是如此。沿三角轴的磁场观察到的SdH图案可以完全解释假设只有一个价带和导带的贡献，分别和塞曼分裂的轨道水平。
2013-12-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Synthesis and characterization of single phase Mn doped ZnO
采用传统固相烧结法制备了Zn_（1-x）Mn_xO系列样品。确定了掺杂到什么程度才能合成出单相多晶Mn掺杂ZnO样品，这是制备稀磁半导体的前提条件之一，并分析了它的某些其它物理性质。在合成样品中，Mn的比例从1原子%变化到5原子%。然而，仅对于2原子% Mn掺杂的样品改变研磨时间（6、12、24、48和96小时），而对于其它样品（1、3、4和5原子% Mn掺杂），研磨时间保持固定在96小时。室温X射线衍射（XRD）结果表明，Mn掺杂量为3at%时，所有样品均为纤锌矿结构，未发现Mn和/或其氧化物的偏聚; Mn掺杂量为4at%时，样品中除了常见的ZnO峰外，还出现了一个较弱的ZnMn 2 O 4峰，且该杂质峰的强度在Mn掺杂量为5at%时进一步增强。因此，超过3at%掺杂的单相行为被破坏。所有2at%Mn掺杂样品的带隙估计为3.21至3.19 eV，并且通过晶界捕获模型解释了这种低带隙值的原因。室温电阻率测量显示电阻率增加到研磨48小时，并且随着进一步研磨，其饱和。用正电子湮没寿命谱（PAL）技术研究了这些样品的缺陷态。这里，正电子的所有相关寿命参数，即自由湮灭（τ 1）、在缺陷位点处的自由湮灭（τ 2）和平均寿命（τ av）随着研磨时间而增加。
2009-01-07 cond-mat.mtrl-sci
Doping of Graphene Nanoribbons via Functional Group Edge Modification
我们报道了在表面上合成7个腈基取代的扶手椅型石墨烯纳米带（7-AGNRs）。CN基团通过修饰7-AGNR前体连接到GNR骨架上。虽然这些基团中的许多幸存的表面上的合成，反应过程导致一些CN从带状骨架和表面上的环异构化的几个腈到吡啶环的裂解。扫描隧道能谱和密度泛函理论揭示CN基团表现为非常有效的n型掺杂剂，显著地降低带的能带，并引入与氮电子孤对相关的深杂质能级。
2017-05-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Superconductivity in In-doped AgPbBiTe3 compounds synthesized by high-pressure synthesis
本文通过高压合成制备In掺杂AgPbBiTe3化合物，发现x=0.2-0.5时出现超导，最高Tc为2.8 K（x=0.4），并揭示In+3掺杂引入电子载流子。
2023-06-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Synthesis of thin-film black phosphorus on a flexible substrate
我们报告了一种可扩展的方法来合成一个大面积（高达4毫米）的薄黑磷（BP）薄膜上的柔性基板。我们首先在柔性聚酯基底上沉积一层赤磷（RP）薄膜，然后在室温下在高压多砧室中将其转化为BP。拉曼光谱和透射电子显微镜测量证实了形成的纳米晶体BP薄膜的厚度约为40 nm。光学表征表明，在转换BP的带隙约为0.28 eV，在剥离的薄膜中测得的带隙类似。薄膜BP晶体管表现出约0.5 cm 2/Vs的场效应迁移率，这可能会进一步提高在高温下的转换过程的优化。我们的工作为将来大规模、高质量的薄膜黑磷的示范开辟了道路。
2015-08-21 cond-mat.mtrl-sci
Controlled doping of electrocatalysts through engineering impurities
燃料电池将水从H2和O2中重新组合，从而为例如汽车或房屋提供动力，而没有直接的碳排放。在阴离子交换膜燃料电池（AEMFC）中，为了达到高功率密度，在高pH下操作是在阴极处使用大量贵金属催化剂的替代方案，在阴极处发生氧还原反应。然而，缓慢的氢氧化反应（HOR）的动力学阻碍放大，尽管有前途的催化剂。在这里，我们观察到一个意想不到的进入的B到Pd纳米催化剂合成的湿化学，获得控制这种B掺杂，并报告其在碱性条件下的HOR活性的影响。我们合理化我们的研究结果，使用从头计算的H-和OH-吸附在B-掺杂的Pd。使用这种“杂质工程”方法，我们因此设计了电化学能量转换装置（例如下一代AEMFC）中所需的无Pt催化剂，其满足经济和环境约束，即合理的运行成本和长期稳定性，以实现氢经济。
2022-03-01 cond-mat.mtrl-sci
Thermoelectric properties of orthorhombic group IV-VI monolayers from the first-principles calculations
二维（2D）材料可能在热电器件中具有潜在的应用。本文采用第一性原理计算和半经典Boltzmann输运理论，系统地研究了正交晶系IV-VI族$\mathrm{AB}$（A=Ge和Sn; B=S和Se）单分子膜的热电性质.自旋轨道耦合（SOC）被包括在研究它们的电子输运，产生可观察到的影响的功率因数，特别是对于n型掺杂。根据计算的$ZT$，四个单分子膜表现出不同的各向异性的热电性能，虽然他们有类似的铰链状晶体结构。GeS沿Z字形和扶手椅方向表现出最强的各向异性，而SnS和SnSe表现出各向同性的热电转换效率，这可以通过它们各自的功率因数、电子和晶格热导率的各向异性强度来理解。计算结果表明，对于GeS、SnS和SnSe，不同n型和p型载流子的$ZT$差别不大。结果表明，GeSe、SnS和SnSe在n型掺杂时表现出比GeS更好的热电性能，而SnS和SnSe在p型掺杂时表现出更高的热电转换效率。与许多二维材料相比，正交晶系IV-VI族单层$\mathrm{AB}$（A=Ge和Sn; B=S和Se）由于较高的功率因数和较低的热导率而具有更好的热电性能。本工作为进一步的实验研究奠定了基础。
2016-08-01 cond-mat.mtrl-sci
Reactive Laser Synthesis of Ultra-high-temperature Ceramics HfC, ZrC, TiC, HfN, ZrN, and TiN for Additive Manufacturing
超高温陶瓷（UHTCs）是需要极端温度弹性、耐化学侵蚀环境、耐磨性和机械应力的应用的最佳结构材料。由于各种障碍，利用基于激光的增材制造（AM）加工UHTC尚未完全实现。本文采用选择性激光反应烧结（SLRS）技术制备了HfC、ZrC、TiC、HfN、ZrN和TiN等近净形超高温陶瓷。第IV族过渡金属和金属氧化物前体材料被化学转化并使用在CH 4或NH3气体中的单步选择性激光加工反应结合成UHTCs层，这可能与流行的粉末床熔合技术兼容。首先研究了金属（Hf，Zr和Ti）或金属氧化物（HfO 2，ZrO 2和TiO 2）颗粒的转化，以检查与单组分前体系统的SLRS相关的反应机制和体积变化。单独的金属或金属氧化物的SLRS处理产生接近化学计量的UHTC相，其中碳化物和氮化物的总收率高达100重量%。然而，对于单组分前驱体，气-固反应性引起的体积变化导致产物层中的残余应力和开裂。为了减轻转化引起的应力，采用复合金属/金属氧化物前体来补偿金属（其在转化期间膨胀）或金属氧化物前体（其收缩）的体积变化。
2022-12-07 cond-mat.mtrl-sci
Suppressed Defect Emission and Enhanced Blue Luminescence of Zn-Doped CuBr Quantum Dots synthesized in Room-Temperature Synthesis
University of Calicut（喀拉拉大学）；Indian Institute of Technology (Indian School of Mines)（印度理工学院（印度矿业学院））
本研究通过室温环保合成制备Zn掺杂CuBr量子点，抑制缺陷发射并增强蓝色发光，实现96.4%色纯度，为高效无毒蓝光材料提供可扩展策略。
2026-09-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Erbium-doped WS$_2$ with Down- and Up-Conversion Photoluminescence Integrated on Silicon for Heterojunction Infrared Photodetection
本研究利用稀土元素掺杂策略合成2D WS$_2$:Er纳米片，实现可见至近红外上转换与下转换发光，并构建室温WS$_2$:Er/Si异质结红外光电探测器，有效抑制暗电流，为2D材料异质结红外探测奠定基础。
2023-09-08 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Synthesis and characterizations of arsenic doped FeSe bulks
本文合成并系统表征了一系列As掺杂FeSe块体，揭示低掺杂下As进入Se位产生化学压力，而高掺杂形成FeAs杂质并削弱超导性。
2025-02-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Synthesis-related nanoscale defects in Mo-based Janus monolayers revealed by cross-correlated AFM and TERS imaging
本研究通过交叉关联AFM和TERS成像，揭示了Mo基Janus单层中由双层纳米岛引起的纳米尺度缺陷，并阐明了基底和起始TMD对形貌的影响，为优化Janus转化过程提供了指导。
2025-03-28 cond-mat.mtrl-sci
Graphene Synthesis via the High Pressure - High Temperature Growth Process
我们报告了一种新的石墨烯合成方法，并评估了所得大面积石墨烯层的性能。以天然石墨为原料，利用熔融铁镍催化剂溶解碳，通过高压高温生长法制备石墨烯。将所得的大面积石墨烯薄片转移到硅-氧化硅基底上，用于光谱显微拉曼和扫描电子显微镜检查。对488 nm激光激发下的拉曼光谱G峰、D、T+D和2D带的分析表明，高压-高温技术能够制备出高质量、大面积、低缺陷密度的单层石墨烯。所提出的方法可以导致更可靠的石墨烯合成，并促进其纯化和化学掺杂。
2008-02-27 cond-mat.mtrl-sci
Nitrogen-Doped Graphene Sheets Grown by Chemical Vapor Deposition: Synthesis and Influence of Nitrogen Impurities on Carrier Transport
通过成功合成n型和p型掺杂的石墨烯，将为实现石墨烯作为纳米电子学中的二维材料的实际应用提供重大进展。然而，仍然缺乏可靠的掺杂和对石墨烯晶格中由电离的施主或受主控制的带电杂质存在下的载流子输运的透彻理解。在这里，我们报告的实验实现少层氮掺杂（N掺杂）石墨烯片的化学气相沉积的有机分子1，3，5-三嗪铜金属催化剂。通过降低生长温度，氮掺杂的原子百分比从2.1%提高到5.6%。随着掺杂浓度的增加，N掺杂石墨烯片表现出从p型到n型的交叉行为，伴随着电子-空穴输运不对称性的强烈增强，表现出掺入的氮杂质的影响。此外，通过对X射线光电子能谱学、拉曼光谱和电学测量数据的分析，我们发现吡啶类和吡咯类N杂质在决定N掺杂石墨烯片中载流子输运行为方面起着重要作用。
2013-10-23 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Synthesis and Microstructural Studies of Iron Based LaO1-xFxFeAs Superconducting Materials
报道了氟基铁掺杂超导体的合成和微结构研究。通过选择较低的温度和较长的合成时间，成功地合成了氟基新型超导材料LaO_（1-x）F_xFeAs。我们已经实现的超导转变温度是27.5 K，这是在x=0.2的掺杂水平观察。采用XRD、SEM和TEM等技术对材料的微观结构进行了表征。SEM和TEM显微照片显示了层状结构。
2008-06-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Synthesis, structural and magnetic characterizations of Li$_4$Cu$_{1-x}$Ni$_x$TeO$_6$ ( $x$ = 0, 0.1, 0.2, 0.5, and 1)
本文系统研究了Ni掺杂对量子自旋液体候选材料Li$_4$CuTeO$_6$的结构与磁性影响，发现50%掺杂时Ni与Cu占据不同晶体学位置，且磁化率测量显示Weiss温度随掺杂增加而升高，未观察到磁有序，表明存在丰富的低能激发。
2024-02-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
A Novel Single-Mode Microwave Assisted Synthesis of Metal Oxide as Visible-light Photocatalyst
采用一种新颖、简便的单模微波辅助合成工艺成功制备了可见光光催化剂二氧化钛（TiO 2）。该方法以Ti为靶材，在磁场中选择性氧化，快速加热，一步合成，能耗低，时间短。在所得到的TiO 2中，证实了Ti 3+的自掺杂，这使得TiO 2在波长大于400 nm的可见光区具有足够的光吸收。与化学计量的TiO 2（3.0-3.2 eV）相比，这种Ti 3+自掺杂TiO 2表现出窄得多的光学带隙（2.14 eV）。在可见光照射下，合成的TiO 2对罗丹明B的光催化降解性能优于市售TiO 2。
2022-02-03 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Enhancement in superconducting transition temperature and upper critical field of LaO0.8F0.2FeAs with antimony doping
报道了掺锑氧铌酸盐超导体LaO_（0.8）F_（0.2）FeAs_（1-x）Sb_x（x = 0.05和0.10）的合成和表征。掺杂氟的母体化合物LaOFeAs在最大转变温度约28.5 K时表现出超导性[11]。在本文中，我们用Sb部分取代As（LaO_（0.8）F_（0.2）FeAs_（1-x）Sbx），并观察到转变温度提高到30.1K。这是迄今为止唯一的实例，其中Tc随着导电层（FeAs）中的掺杂而增加，并且这导致在任何基于La的氧氮族化合物中的最高转变温度。XRD和EDAX测量证实了样品的相纯度和Sb的存在。磁阻测量表明，上临界场Hc 2（0）值约为73 T，对应于22埃的相干长度。Seebeck系数的测量表明电子输运与电子-电子相关的强贡献。这些结果提供了有趣的洞察这些新系列化合物的超导性的起源。
2008-10-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Extending the La Solubility Limit in Sr$_3$Ir$_2$O$_7$ through High-Pressure High-Temperature Synthesis
Michigan State University（密歇根州立大学）
采用高压高温合成方法，将La掺杂双层铱酸盐(Sr$_{1-x}$La$_x$)$_3$Ir$_2$O$_7$的La溶解度显著提高至x=0.23，发现高掺杂下出现铁磁相变和金属性行为，揭示了常规合成无法获得的电子和磁态。
2026-06-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Iridium-doping as a strategy to realize visible light absorption and p-type behavior in BaTiO3
BaTiO 3通常是一种强n型材料，通过掺杂和控制合成条件具有可调的光电性能。它有一个很宽的带隙，只能利用太阳光谱的紫外线区域。尽管取得了重大进展，但实现具有可调载流子浓度的可见光吸收BTO一直具有挑战性，这是许多应用的关键要求。在这项工作中，一个p型BTO与可见光吸收实现通过铱掺杂。使用先进的光谱工具和计算电子结构分析的详细分析是用来合理化的n-p型过渡后，Ir掺杂。结果提供了机制洞察掺杂剂的位置占据，带隙内的掺杂剂的位置，和影响载流子浓度的缺陷化学之间的相互作用。Ir掺杂后Ti 3+施主能级浓度和相互关联的氧空位的减少归因于p型行为。由于在禁带内形成了Ir 3+或Ir 4+的带隙内能级，因此可以从这些能级引发光学跃迁或向这些能级引发光学跃迁，从而导致可见光吸收。这种新开发的Ir掺杂BTO可以是一种有前途的p型钙钛矿氧化物，在太阳能燃料发电，自旋电子学和光电子学中具有潜在的应用。
2023-02-15 cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Photothermal effects during nanodiamond synthesis from a carbon aerogel in a laser-heated diamond anvil cell
纳米金刚石由于其在室温下具有显着的光稳定性和长的自旋相干时间的色心的能力，已经成为量子计算、生物标记和传感的有前途的材料。最近，一种自下而上的，高压，高温（HPHT）的方法被证明是从无定形碳前体在激光加热金刚石对顶砧单元（LH-DAC），这是由近流体静力学惰性气体压力介质的支持下生长纳米金刚石与色心。然而，光热加热及其对金刚石生长的影响，包括相转化条件和色心形成的温度依赖性的详细了解，还没有报道。在这项工作中，我们测量黑体辐射LH-DAC从碳气凝胶合成纳米金刚石，以检查这些温度依赖性的影响。黑体温度测量表明，纳米金刚石生长可以发生在16.3 GPa和1800 K。我们使用米氏理论和解析热输运来开发预测光热加热模型。该模型表明，在激光加热期间熔化惰性气体压力介质降低了局部热导率，以驱动向金刚石的相转化的高空间分辨率。最后，我们观察到氮空位中心的温度依赖性的形成和解释这种现象的背景下，高温高压碳空位扩散使用CBΩ理论。
2017-10-14 cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
(Ca,Na)(Zn,Mn)2As2: a new spin & charge doping decoupled diluted ferromagnetic semiconductor with hexagonal CaAl2Si2 structure
在这里，我们报告的自旋和电荷去耦稀磁半导体（Ca，Na）（Zn，Mn）2As 2，结晶成六方CaAl 2Si 2结构的成功合成。该化合物表现出铁磁转变，当Na掺杂量为10%时，居里温度高达33 K，载流子密度为np~10^20 cm^-3。新DMS是一种软磁材料，HC<400 Oe，在低于铁磁有序化温度时观察到反常的霍尔效应。随着Mn掺杂的增加，铁磁有序伴随着局部自旋和移动电荷之间的相互作用，在低温下引起电阻率的最小值并使传导电子局部化。该系统为研究局域自旋与传导电子的相互作用提供了一个理想的平台。
2014-10-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
