From Mott Insulator to Band Insulator: A DMFT Study
莫特绝缘体和带状绝缘体是否有本质上的不同，这个问题最近一直是深入研究的问题。在这里，我们考虑一个简单的模型，它允许通过调整一个参数，连续地从莫特绝缘体带绝缘体。该模型由两个通过单粒子跳跃连接的Hubbard系统组成。Hubbard哈密顿量由动力学平均场论求解，使用量子蒙特卡罗来解决由此产生的量子杂质问题。计算了准粒子谱函数。在这里，我们专注于光学电导率，特别是可以通过实验测量的Drude重量。从我们的计算中，我们得出结论，有一个连续的过渡带绝缘体的莫特绝缘体相在有限的温度。
2006-05-23 cond-mat.str-el
Buried topological edge state associated with interface between topological band insulator and Mott insulator
用层动力学平均场论研究了拓扑带绝缘体与莫特绝缘体界面的电子结构。为了表示这些系统的体相，我们使用广义Bernevig-Hughes-Zhang模型，该模型除了导致能带反转的自旋-轨道耦合项之外还包含Hubbard样的现场库仑能量U。分别通过适当选择较小和较大的U值来实现拓扑相和莫特绝缘相。正如预期的那样，界面被发现是金属，因为本地化的边缘状态。然而，当莫特绝缘体中的库仑能量接近临界值时，这种边缘状态在莫特绝缘体内部而不是在界面处表现出其最大幅度。这一发现对应于邻近拓扑带绝缘体诱导的新型邻近效应，并表明，由于莫特绝缘体内的自旋轨道耦合，界面附近的几个层从莫特绝缘相转变为拓扑绝缘相。此外，我们认为，普通的邻近效应，即近藤峰诱导在莫特绝缘体由相邻的金属状态，伴随着一个额外的反向邻近效应，近藤峰引起的状态密度在相邻的金属层的增强。
2014-08-29 cond-mat.str-el
Inhomogeneity in doped Mott insulator
我们引入了自然界中存在两类通用莫特绝缘体的概念。他们的区别在于他们对弱兴奋剂的反应。掺杂电荷在I型莫特绝缘体中形成团簇（即不均匀分布），而在II型莫特绝缘体中均匀分布。我们提出我们的意见的作用不均匀性在铜酸盐。
2002-08-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Characterization of a topological Mott insulator in one dimension
通过研究关联电子模型的体拓扑不变量和纠缠谱，研究了一维拓扑莫特绝缘体的性质。阐明了无相互作用拓扑带绝缘体中的无隙边态如何演化为拓扑莫特绝缘体中的自旋边态。此外，我们还提出了一种拓扑Mott相变，这是一种新的拓扑相变，在自由费米子系统中从未观察到过。这种非常规的转变发生在自旋液相中的莫特绝缘体，并伴随着零的单电子格林函数和自旋激发光谱的间隙关闭。
2014-05-09 cond-mat.str-el
Variational description of Mott insulators
强相关模型的Gutzwiller波函数，如果补充一个长程Jastrow因子，可以提供一个适当的变分描述的莫特绝缘体，到目前为止还没有。我们证明了这一概念的原型一维$t-t^\prime$哈伯德模型，在半填充，我们重现所有已知的阶段，即普通莫特未二聚体绝缘体与幂律自旋相关性在小$t^\prime/t$，自旋带隙金属以上的临界$t^\prime/t$和小$U$，和二聚体莫特绝缘体在大排斥。
2004-12-16 cond-mat.str-el
Purely electronic THz polarization in dimer Mott insulators
理论上发现了二聚体莫特绝缘体$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ X在太赫兹频段的纯电子极化模。不寻常的低频模式产生的内二聚体电偶极矩的振荡和交替的二聚体间键级之间的耦合。这些集体运动在二聚体莫特绝缘体的动态介电性质中起着重要的作用。在二聚体Mott相变的相界附近，通过引入电子-晶格耦合实现铁电基态。
2010-03-24 cond-mat.str-el
Phase separation in doped Mott insulators
受莫特绝缘体远离整数填充的常见观察的启发，我们构建了一个简单的热力学参数的相分离一阶掺杂驱动的莫特转变。我们展示了如何计算临界掺杂所需的驱动莫特过渡使用电子结构计算的钛酸盐家族的钙钛矿，发现与实验良好的协议。该理论预测，过渡是可逆的，应该表现出库仑阻挫。
2014-08-01 cond-mat.str-el
Higher-Order Topological Mott Insulator on the Pyrochlore Lattice
我们提供了第一个无偏的证据，高阶拓扑莫特绝缘体在三维数值精确的量子蒙特卡罗模拟。该绝缘相在非相互作用极限下与三阶拓扑绝缘体电连接，其特征在于烧绿石晶格拐角处的无隙模式，其特征在于$\mathbb{Z}_{4}$自旋Berry相。关联和非关联拓扑相位之间的区别在于，在前一相位中，无隙角模仅出现在Mott类自旋激发中。我们还表明，从三阶拓扑莫特绝缘体到通常的莫特绝缘体的拓扑相变发生时，体自旋能隙单独关闭。
2021-10-25 cond-mat.str-el
From band insulator to Mott insulator in one dimension
我们导出了最近由江上、石原和立木[Science，{ \bf 261}，1307（1993）]提出的铁电钙钛矿的一维模型的相图。我们发现，共价性，电离性和强关联之间的相互作用，在一个自发的二聚相分离的弱耦合带绝缘体的强耦合莫特绝缘体的结果。从带绝缘体的二聚相的过渡被确定为伊辛临界点。电荷间隙在该单个点处消失，光导率发散为$σ(ω)\sim ω^{-3/4}$。自旋激发在第二跃迁到莫特绝缘体相以上是无隙的。
1999-04-22 cond-mat.str-el
Colossal magnetoresistance in a Mott insulator via magnetic field-driven insulator-metal transition
我们提出了一种新型的巨磁电阻效应，这种效应是由于在适当的磁场作用下，双层层状钛掺杂的Ca $_3$ Ru $_2$ O $_7$中Mott绝缘态的反常崩塌引起的。这种绝缘体-金属转变伴随着晶格和磁性结构的变化。我们的发现具有重要的意义，因为磁场通常稳定的绝缘基态在Mott-Hubbard系统，因此需要更深入的理论研究，重新审视磁场调谐的Mott系统的磁和电子的不稳定性和自旋晶格电荷耦合。这项研究进一步提供了一个模型的方法来寻找CMR系统以外的锰氧化物，如莫特绝缘体之间的竞争相的边界附近。
2018-02-07 cond-mat.str-el
Comment on "Origin of Giant Optical Nonlinearity in Charge-Transfer--Mott Insulators: A New Paradigm for Nonlinear Optics"
评论物理。86、2086（2001）
2001-05-30 cond-mat.str-el
Mechanism of hopping transport in disordered Mott insulators
通过使用详细的实验研究和简单的理论论证相结合，我们确定了一种新的机制，其特征在于在莫特绝缘相的Ca $_{2-x}$ Sr $_x$ RuO $_4$附近的金属-绝缘体转变的跳跃输运。跳变指数$α$显示了从绝缘体中更深处的$α=1/2$值到更接近过渡的常规Mott值$α=1/3$的系统演化。这种行为，我们认为是一个普遍的特点，无序莫特系统接近金属-绝缘体过渡，反映了逐渐出现的无序诱导的局部电子状态填充莫特-哈伯德间隙。
2004-08-11 cond-mat.str-el
Quantitative Determination of the Critical Points of Mott Metal-Insulator Transition in Strongly Correlated Systems
本文利用动力学平均场理论研究Hubbard模型中的Mott相变，引入局部量子态保真度定量测定相变临界点，并一致描述了两种不同形式的Mott相变点。
2023-11-28 cond-mat.str-el
Finite-Temperature Charge Dynamics and the Melting of the Mott Insulator
莫特绝缘体是典型的强关联电子态。通过将从费米子（holon-doublon）描述扩展到有限温度，我们获得了对二维莫特绝缘体物理的完全了解。我们首先基准其预测对国家的最先进的量子蒙特卡罗模拟，证明定量协议。同时，短程自旋涨落既诱导出了holon-doublon束缚态，又重整化了电荷扇区，形成了Hubbard带。莫特能隙被理解为由这些自旋涨落向下重整化的电荷能隙。随着温度的升高，莫特能隙在电荷能隙之前闭合，导致在莫特绝缘体熔化期间自然出现赝能隙状态。
2019-06-28 cond-mat.str-el
Mechanism of Ambipolar Field-Effect Transistors on One-Dimensional Organic Mott Insulators
实验观察到的，双极场效应特性的莫特绝缘体复制在一维哈伯德模型连接到一个紧束缚模型的源极和漏极。肖特基势垒的形成，源于功函数的差异，考虑到由一个潜在的满足泊松方程与适当的边界条件。然后，这些场效应特性被证明是由独特的电流-电压特性的金属-莫特-绝缘体接口相关。
2007-10-18 cond-mat.str-el
Fractional Quantum Hall Effect and Featureless Mott Insulators
我们指出并明确证明了无特征的莫特绝缘体和分数量子霍尔液体之间存在着密切的联系。在最低朗道能级（LLL）下，以磁Wannier态为单粒子基，证明了LLL中相互作用玻色子的哈密顿量映射到由磁Wannier态形成的三角晶格上无特征莫特绝缘体的哈密顿量上.哈密顿量非常简单，只包含短程排斥和环交换项。
2010-03-11 cond-mat.str-el
Topological Bose-Mott insulators in one-dimensional non-Hermitian superlattices
研究了一维非厄米特超晶格中玻色-莫特绝缘体的拓扑性质，这些绝缘体可以作为具有两体损耗和单体损耗的冷原子光学系统的有效哈密顿量.我们发现，在强排斥极限下，整数填充下具有有限两体损耗的Bose-哈伯德模型的莫特绝缘体态是拓扑绝缘体，其特征在于有限的电荷间隙，非零的整数Chern数，以及在开边界条件下低能激发谱中的非平凡边缘模.由于强排斥作用抑制了两体损耗，得到了一个稳定的拓扑玻色-莫特绝缘体，它具有与厄米特绝缘体相似的特征。然而，对于与单体损耗有关的非厄米模型，我们发现非厄米拓扑莫特绝缘体在有限的虚激发能隙下是不稳定的。最后，通过求解Lindblad主方程，我们还讨论了在两体损失存在下Mott相的稳定性。
2020-07-28 cond-mat.str-el
Proximity effects in a topological-insulator/Mott-insulator heterostructure
利用非均匀动力学平均场论研究了二维莫特绝缘体（MI）和拓扑绝缘体（TI）关联异质结构中的邻近效应。我们表明，TI的边缘状态诱导MI区域内的强重整化的中间间隙状态，仍然有剩余的螺旋能谱。界面隧穿$V$控制的低能电子的穿透大大增强了MI内部的电子质量，并且在强$V$区域中将边缘位置处的单个Dirac锥分裂成空间分离的两个Dirac锥。
2013-03-12 cond-mat.str-el
Theory of Mott insulator/band insulator heterostructure
提出了一种由莫特绝缘体LaTiO $_3$和带状绝缘体SrTiO $_3$组成的异质结构理论。Ti $d$ % -电子的能带结构用最近邻紧束缚近似处理; La $^{3+}$ /Sr $^{2+}$电荷差和载流子引起的电场用Hartree近似处理;原位相互作用用无限制的Hartree-Fock近似处理。确定了作为相互作用强度和层数的函数的相图，并对光学电导率实验进行了预测。值得注意的发现是异质结构的边缘通常是金属的。
2004-04-13 cond-mat.str-el
Kondo proximity effect: How does a metal penetrate into a Mott insulator?
我们考虑一个异质结构的金属和一个顺磁莫特绝缘体使用适应的动态平均场论来描述非均匀系统。金属可以通过近藤效应渗透到绝缘体中。我们研究了接近莫特绝缘体临界点的金属-绝缘体界面的标度特性。在临界状态下，准粒子的重量按照我们的平均场论中的公式，随着离金属的距离x的增加，衰减为1/x^2。我们的数值结果（使用数值重整化群作为杂质解算器）表明，该幂律的前因子是非常小的。
2008-05-05 cond-mat.str-el
Field theories of paramagnetic Mott insulators
本文总结了作者最近发表的综述文章（cond-mat/0109419、cond-mat/0211005和cond-mat/0211027）中的一个中心论点。本文导出了具有共线自旋关联的顺磁莫特绝缘体中低能自旋单重态激发的有效场论。
2003-04-09 cond-mat.str-el
Surface effects in doping a Mott insulator
研究了在固体-真空界面存在下掺杂莫特绝缘体的物理过程。使用嵌入方法的动态平均场论，我们表明，在掺杂的莫特绝缘体的表面光谱演化的变化是由电荷转移效应和增强的相关效应的组合驱动。接近莫特绝缘相从金属侧，我们表明，死层形成在固体的表面，准粒子振幅呈指数抑制。表面跳跃积分的变化会对表面关联和电荷转移效应产生很大的影响。
2011-03-04 cond-mat.str-el
Relaxation Dynamics of Photocarriers in One-Dimensional Mott Insulators Coupled to Phonons
研究了一维莫特绝缘体中光生载流子与声子耦合的复合过程。通过密度矩阵重整化群计算，我们发现即使在小的电子-声子耦合下，也会动态地产生大量的声子，从而导致辐照后的初始弛豫过程。同时，抑制了由照射引起的高能态和低能态的混合引起的自旋-电荷耦合。我们讨论莫特和带状绝缘体的弛豫动力学之间的差异。
2012-02-02 cond-mat.str-el
Emergent Novel Metallic State in a Disordered 2D Mott Insulator
对于非相互作用的电子，增加的无序将金属驱动成无间隙的局部安德森绝缘体。虽然在三维中，过渡必须跨越无序的阈值，但在二维和更低的维度中，最小量的无序使金属不稳定。相互作用系统中金属-绝缘体转变的性质仍然没有得到解决。在这里，我们探讨的影响，在强关联莫特绝缘体不改变载流子浓度的无序。角分辨光电子能谱（ARPES）测量铜插层单晶的层状二硫属化物1 T-TaS 2揭示了新的离域状态的存在下，在莫特间隙。这是第一个实验实现了一种新的无序诱导金属，理论上预测存在于莫特绝缘体和安德森绝缘体之间。
2014-05-22 cond-mat.str-el
Cluster Mott insulators and two Curie-Weiss regimes on an anisotropic Kagome lattice
受量子自旋液体候选材料LiZn 2 Mo 3 O 8最近实验的启发，我们研究了各向异性Kagome晶格上1/6电子填充的单带扩展哈伯德模型.由于晶格的部分填充，需要产生莫特绝缘体，其中电子被定位在簇中，而不是在晶格位置处的位置间排斥相互作用。结果表明，这些团簇莫特绝缘体一般是具有自旋费米面的U（1）量子自旋液体.团簇莫特绝缘体中的电荷激发的性质与传统的莫特绝缘体有很大的不同，我们发现存在一种新颖的团簇莫特绝缘体，其中六角团簇周围的电荷波动诱导了元胞电荷序（PCO）。由于PCO的存在，自旋液体团簇莫特绝缘体中的自旋子激发谱被重构，只有1/3的自旋子激发是磁激活的。基于这些结果，我们提出LiZn_2 Mo_3 O_8中自旋磁化率的两个Curie-Weiss区域可以用具有PCO的团簇莫特绝缘体的有限温度性质以及自旋子的分数激发来解释。现有的和可能的未来实验LiZn 2 Mo 3 O 8，和其他钼基团簇磁体进行了讨论，根据这些理论预测。
2016-06-15 cond-mat.str-el
Spin susceptibility anomaly in cluster Mott insulators on a partially-filled anisotropic Kagome lattice: applications to LiZn2Mo3O8
受量子自旋液体候选材料LiZn 2 Mo 3 O 8最近实验的启发，我们研究了各向异性Kagome晶格上1/6电子填充的单带扩展哈伯德模型.由于晶格的部分填充，需要产生莫特绝缘体，其中电子被定位在簇中，而不是在晶格位置处的位置间排斥相互作用。我们提供了这样的集群莫特绝缘体的例子，并研究金属态和集群莫特绝缘体的各向异性的可果美晶格之间的相变。结果表明，这些团簇莫特绝缘体一般是具有自旋费米面的U（1）量子自旋液体.然而，在不同的集群莫特绝缘体的电荷激发的性质可能是完全不同的，我们表明，存在一种新的集群莫特绝缘体的电荷波动周围的六边形集群诱导的元胞电荷秩序（PCO）。由于PCO的存在，自旋液体团簇莫特绝缘体中的自旋子激发谱被重构，只有1/3的自旋子激发是磁激活的。同一模型的强耦合极限也通过一个Kugel-Khomskii-like模型进行了分析。基于这些结果，我们认为LiZn_2Mo_3O_8有限温度自旋磁化率的反常行为可以用具有PCO的团簇莫特绝缘体的有限温度性质以及自旋子的分形激发来解释.现有的和可能的未来实验LiZn 2 Mo 3 O 8，和其他钼基团簇磁体进行了讨论，根据这些理论预测。
2014-08-14 cond-mat.str-el
Electronic charge reconstruction of doped Mott insulators in multilayered nanostructures
采用动力学平均场论计算了由半无限金属铅层包围强关联材料势垒面（可通过金属-绝缘体Mott跃迁调谐）构成的多层非均匀器件的电荷重构。主要的重点是掺杂的莫特绝缘体的障碍，以及如何的电子电荷重建可以创建良好定义的莫特绝缘区的设备，其厚度是由本征材料的属性，因此可能是能够重现。
2006-12-13 cond-mat.str-el
The Mott metal-insulator transition in the 1D Hubbard model in an external magnetic field
研究了在外加磁场中一维哈伯德模型在Mott金属-绝缘体相变过程中的低能行为。特别是，我们计算任意哈伯德排斥和磁化数值和在某些限制情况下，分析的莫特过渡的临界点处的修饰电荷矩阵的元素。结合非微扰有效场论方法，揭示了时间反演对称性破缺对Mott跃迁的影响。
2008-01-08 cond-mat.str-el
Electronic Structure of Mott Insulators Studied by Inelastic X-ray Scattering
莫特绝缘体的电子结构仍然是物理学中一个主要的未解决的问题，尽管半个多世纪的紧张的研究工作。发展良好的动量分辨光谱学，如光电子能谱或中子散射不能探测整个莫特能隙。本文报道了利用高分辨率共振非弹性X射线散射技术在高Tc母体Ca_2CuO_2Cl_2中观察到的Mott能隙中的色散电荷激发，揭示了Mott能隙的各向异性。这些结果为哈伯德模型描述Mott能隙中的电荷激发提供了直接的支持。
2001-03-24 cond-mat.str-el
Mott Physics on Helical Edges of 2D Topological Insulators
我们研究了自旋轨道相互作用对蜂窝晶格上拓扑绝缘体电子关联的影响。精确的变分Monte Carlo计算表明，增加现场库仑相互作用导致的螺旋边缘金属态的电荷Drude重量的强烈抑制，导致一个假定的莫特过渡从传统的拓扑绝缘体的边缘莫特绝缘体过渡到大块反铁磁绝缘体。中间体拓扑和边缘Mott绝缘体相具有受保护的时间反转对称性的螺旋自旋液体特征。
2010-12-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Superconducting optical response of photodoped Mott insulators
超快激光脉冲可以在极短的时间尺度上重新分布莫特绝缘体中的电荷，导致光生载流子的快速产生。最近的研究表明，这些光生载流子可以在低温下形成一种新的$η$ --成对的凝聚体，其特征在于交错的超导配对场。在这篇会议论文中，我们讨论了起源的$η$ -配对隐藏的相位和它的光学响应，可以检测到的泵浦探测实验。隐藏相可能与莫特绝缘体中可能的光致超导性有关。
2020-01-01 cond-mat.str-el
Emergence of Spinon Fermi Arcs in the Weyl-Mott Metal-Insulator Transition
本文提出一个最小微观模型，证明Weyl-Mott绝缘体表面存在自旋子费米弧，并揭示有限温度下无准粒子的中间Weyl半金属相及表面Mott能隙被抑制的机制，为烧绿石铱氧化物中的坏半金属行为提供理论解释。
2023-07-19 cond-mat.str-el
Dynamics of screening in photo-doped Mott insulators
本文利用扩展的动态平均场论的非平衡实现方法研究了光激励莫特绝缘体中的动态屏蔽效应。双光子和空穴的插入增加了低能屏蔽模，并导致莫特能隙的减小。耦合到低能量玻色子模式进一步打开新的弛豫通道，并显着加快热化过程。我们还考虑了掺杂载流子的能量分布对屏蔽的影响。
2015-07-28 cond-mat.str-el
Spin-gapped incoherent metal with preformed pairing in the doped antiferromagnetic Mott insulator
我们研究了反铁磁莫特绝缘体如何通过空穴掺杂演化为d波BCS超导体。在强耦合方法中考虑自旋涨落，我们发现了一个自旋能隙的非相干金属作为反铁磁莫特绝缘体和d波超导体之间的中间相。这种非费米液态金属在自旋分解规范理论中被认为是红外稳定的固定点，类似于从玻色子规范理论中的自旋液体绝缘体。我们考虑了反常金属相的单粒子能谱和动态自旋极化率，并讨论了其物理意义。
2007-08-13 cond-mat.str-el
Direct observation of fragile Mott insulators on plaquette Hubbard lattices
利用扩展的胞腔动力学平均场论（CDMFT）和精确对角化杂质求解器，研究了半填充哈伯德模型在1/5耗尽和棋盘格两种格子上的基态相图和非磁性金属-绝缘体跃迁.我们确定三种不同的绝缘体的相图：二聚体绝缘体，反铁磁绝缘体，和plaquette绝缘体。我们证明了格形绝缘体是一种新的脆性莫特绝缘体（FMI），它具有$C_{4v}$晶体点群的非平凡的一维不可约表示，并且不能与任何具有时间反演对称性的能带绝缘体电连接.此外，我们还研究了从金属到FMI的非磁量子相变，发现这种Mott金属-绝缘体相变的特征是由于相互作用效应引起的非相互作用带的分裂。
2014-12-23 cond-mat.str-el
Metal-Mott insulator interfaces
受一阶Mott跃迁中电子相分离的直接观察的启发，我们模拟了金属和莫特绝缘体之间的界面。我们展示了如何建模所需的平板几何形状和提取的电子光谱。我们构造了一个有效的朗道自由能，并计算了它的参数在相图上的变化。最后，使用密度和双占用的线性混合物，我们确定了一个自然的伊辛序参量，统一的带宽和填充控制的莫特过渡的治疗。
2016-06-03 cond-mat.str-el
A simple metal-insulator criterion for the doped Mott-Hubbard materials
我们推导出一个简单的金属-绝缘体准则的解析形式的掺杂Mott-Hubbard材料。它的读数与晶胞的基态的轨道和自旋性质密切相关。在顺磁相的可用的标准读数（金属或绝缘体）点的绝缘体状态的掺杂材料与禁止的第一个去除电子状态的可能性。从物理意义上讲，该结果与巡游电子系统中的Wilson判据相似。讨论了该判据在高温铜酸盐中的应用。
2014-11-19 cond-mat.str-el
Study of interface phenomena in a topological-insulator/Mott-insulator heterostructure
我们从理论上研究了由拓扑绝缘体（TI）和莫特绝缘体（MI）组成的二维异质结构，阐明了在界面处可以实现何种电子态.利用非均匀动力学平均场论，我们证实了穿透到MI区的拓扑边缘态诱导了一个重费米子类的中间带隙态。我们进一步阐明了带隙中间态的空间调制准粒子重量的性质，并讨论了TI区域的局域关联效应。通过改变界面附近的电子隧穿，计算了电导率和Drude重量。
2013-09-12 cond-mat.str-el
Artificial $SU(3)$ Spin-Orbit Coupling and Exotic Mott Insulators
基于光晶格中类碱土原子实现人工规范场和$SU(N)$莫特绝缘体的最新进展，我们发展了一种无偏的$SU(N)$实空间动力学平均场理论（DMFT）方法，研究了自旋轨道耦合和Hubbard相互作用对$U$费米子系统的影响.我们研究了局域磁化强度、双占据率和三重占据率与Hubbard相互作用在金属到莫特绝缘体跃迁中的行为。我们绘制了大$U$极限下的磁相图，并表明自旋-轨道耦合可以稳定$SU(3)$莫特绝缘体中具有不同取向的长程序，如铁磁、螺旋和条纹。
2019-01-07 cond-mat.str-el
Dyon condensation in topological Mott insulators
我们考虑拓扑莫特绝缘体的量子相变，其中的分数激发（费米自旋）的基态是拓扑非平凡的。拓扑莫特绝缘体中的自旋子耦合到一个带有“轴子”项的涌现紧致U（1）规范场。我们研究了从拓扑莫特绝缘体到对称性破缺相的禁闭跃迁，这可能是通过双子的凝聚发生的。双子同时带有“电”和“磁”荷，在这个系统中自然产生，因为突现U（1）规范理论的单极子由于轴子项而获得规范荷。结果表明，双子凝聚，在一般情况下，诱导同时电流和键级。为了证明这一点，我们研究了立方晶格上拓扑莫特绝缘体的受限相。当磁跃迁由双子凝聚驱动时，我们确定了键序为价键固体序，电流序为标量自旋手征序。因此，拓扑莫特绝缘体的受限相是一种奇异相，其中标量自旋手性和价键序共存，并通过单一跃迁出现。我们讨论了我们的结果的拓扑莫特绝缘体的通用模型的影响。
2012-08-26 cond-mat.str-el
Emergent Superconductivity in the weak Mott insulator phase of bilayer Graphene Moiré Superlattice
我们提出了一个唯象的理解最近发现的弱莫特绝缘体在扭曲的双层石墨烯的莫尔超晶格，特别是在低温下出现的超导弱莫特绝缘体相，即随着温度降低，纵向电阻率首先增长低于温度$T_m$，但随后迅速下降到零，甚至更低的温度$T_c$。在绝缘体阶段出现超导体是非常不寻常的。在这里，我们提出，这种现象是由于纯二维性质的双层石墨烯莫尔超晶格。我们还将我们的结果与迄今为止提出的其他理论进行了比较。
2018-05-17 cond-mat.str-el
"Nonmagnetic" Dimer Mott insulator induced by the coupling of spin with quantum electric dipoles
基于强耦合分析，提出了一个有效的偶极自旋模型，该模型可以解释“自旋液体莫特绝缘体“的可能起源。这个问题与二聚体莫特绝缘体有关，它使人联想到有机三角晶格系统$κ$ Cu $_2$（CN）$_3$，它的无隙自旋液态已经在二聚体轨道上自旋之间交换耦合的几何阻挫（$J$）的背景下讨论过。事实证明，绝缘体中的另一个自由度，二聚体上的{ \it量子电偶极子}，通过库仑相互作用彼此相互作用，并通过偶极-自旋耦合带来对$J$的显著抑制。
2010-08-26 cond-mat.str-el
Solitons in the Crossover between Band Insulator and Mott Insulator: Application to TTF-Chloranil under Pressure
基于相位哈密顿量，发现一维带状绝缘体与莫特绝缘体的交叉区存在两种类型的孤子。这两个孤子都有分数电荷，但自旋不同，分别为零和1/2。所得结果与Kanoda等对TTF-四氯对苯醌加压实验结果一致。
2015-11-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Physics of interface: Mott insulator barrier sandwiched between two metallic planes
我们考虑异质结的金属和现场相关的障碍，在半填充使用不受限制的哈特里福克。我们发现，在势垒平面的相关强度超过一定值，系统是一个莫特绝缘体，而低于此值的系统仍然表现为一个无隙绝缘体。的能谱被发现是非常新颖的存在多个间隙。因此，对于任何有限的相关值，系统保持非金属。
2011-03-21 cond-mat.str-el
Suppression of Mott-Hubbard states and metal-insulator transitions in the two band Hubbard model
我调查带和莫特绝缘状态在两个波段的哈伯德模型，了解理想化的单轨道模型和更现实的多波段的情况下之间的差异的目的。使用投影animals我表明，额外的轨道抑制金属-绝缘体过渡，导致约8倍的裸带宽的临界耦合。我还展示了轨道排序的影响，这阻碍了莫特-哈伯德状态和打开带隙。由于多带相关性在实际材料中很常见，这项工作表明，非常强的相关带绝缘体的存在可能比莫特-哈伯德绝缘体更常见。
2007-02-27 cond-mat.str-el
Nature of the Peierls- to Mott-insulator transition in 1D
为了阐明从Peierls带绝缘体到关联Mott-Hubbard绝缘体的跃迁物理过程，我们利用准精确数值方法分析了一维半填充Holstein-哈伯德模型的基态和光谱性质.在绝热极限下，该跃迁与离子哈伯德模型的能带到莫特绝缘体的跃迁有关。取决于电子-声子耦合和哈伯德相互作用的强度的过渡是一阶或不断演变的中间阶段与有限的自旋，电荷，和光学激发间隙。
2002-11-11 cond-mat.str-el
Evolution of electronic structure of doped Mott insulators - reconstruction of poles and zeros of Green's function
本文采用集团扩展的动力学平均场论，在载流子掺杂的二维哈伯德模型中研究了金属从莫特绝缘体中的演化。传统金属的特征仅在于费米面（格林函数G的极点），而在掺杂莫特绝缘体中，G的零点面与极点面的干涉变得至关重要。相互干扰的极点和零表面显着转移的莫特间隙，当轻掺杂的空穴协同放松的doublon-holon绑定。莫特物理学的核心，如赝能隙、空穴、费米弧、能隙内态和Lifshitz跃迁，都是频率空间中这种全局干涉的自然结果。
2008-09-05 cond-mat.str-el
Excitonic effects on high-harmonic generation in Mott insulators
为了研究激子对莫特绝缘体中高次谐波产生的影响，我们在一维扩展哈伯德模型中研究了泵浦非平衡动力学。通过采用基于精确对角化和无限时间演化块抽取方法的含时计算，我们发现激子能量附近的高次谐波强度的强烈增强。亚Mott能隙区的子周期分析表明，激子能量附近的时间分辨谱的强度区域分裂成两个能级，并随驱动电场振荡。这种激子动力学性质上不同于自由的doublon和holon的动力学，但有利于促进莫特绝缘体中的高次谐波。
2022-06-11 cond-mat.str-el
Quantum criticality and confinement in weak Mott insulators
经历莫特跃迁的电子可能会失去它们的电荷，但作为量子自旋液体（QSL）的中性激发而持续存在。我们介绍了具体的二维模型表现出这种奇异的行为，因为它们从超导或拓扑相过渡到完全电荷本地化的绝缘体。我们研究这些莫特过渡和约束的中性费米子在第二次过渡到一个破缺相。在这个过程中，我们还得到了一个非阿贝尔QSL和一个$\mathbb{Z}_4$ QSL的耦合线父哈密顿量。
2022-05-30 cond-mat.str-el
Not all doped Mott insulators have a pseudogap: key role of van Hove singularities
母体化合物的Mott绝缘相经常被用作低掺杂高$T_c$铜酸盐超导体的起始点。特别地，赝能隙态通常被认为是源自莫特绝缘体。在本工作中，我们系统地研究了正方形和三角形晶格上不同的弱掺杂莫特绝缘体，以阐明赝能隙和莫特度之间的关系。我们表明，掺杂的二维莫特绝缘体不一定会导致赝隙相。尽管其固有的强耦合的性质，我们发现，存在或不存在的pseudogap敏感地依赖于非相互作用的带参数，并确定系统的范霍夫奇点所发挥的关键作用。受赝能隙态的SU（2）规范理论的启发，我们提出并数值验证了一个简单的方程，该方程控制了电子散射率特征的演化。
2019-12-31 cond-mat.str-el
A possible new phase of commensurate insulators with disorder: the Mott Glass
一个新的热力学相之间的竞争所产生的相称的潜力和相互作用的费米子或玻色子系统的无序的预测。它需要有限范围的相互作用。该相介于莫特绝缘体和安德森绝缘体之间，是不可压缩的，并且在导电性方面没有间隙。相应的相位也预测了相应的经典弹性系统的存在相关的障碍。
1999-03-22 cond-mat.str-el
Bound States at Semiconductor -- Mott Insulator Interfaces
研究半导体-莫特绝缘体界面和量子阱中准粒子束缚态的形成机制及影响因素。
2025-12-17 cond-mat.str-el
The types of Mott insulator
自然界中有两类莫特绝缘体，它们对弱掺杂的响应不同。随着化学势的增加，I型莫特绝缘体经历从未掺杂相到掺杂相的一阶相变。在存在长程库仑相互作用的情况下，这导致呈现“微相分离”的不均匀状态。相反，在第二类莫特绝缘体中，电荷在临界化学势以上持续进入。我们表明，如果绝缘状态有一个破缺的对称性，这将增加的可能性，它将是I型。在这两种类型的莫特绝缘体和我们熟悉的I型和II型超导体之间存在着密切的相似性。
2002-08-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Mott-Hubbard Scenario for the Metal-Insulator Transition in the Two Dimensional Electron Gas
通过比较金属-绝缘体转变（MIT）附近的面内磁场的响应，我们发现，在Si MOSFET中观察到的MIT可以用非微扰Mott-Hubbard方案来描述。通过重新绘制实验数据，揭示并证实了独立可测量之间的相互关系。从实验数据中提取了一个在MIT处消失的普遍的临界能标，并求出了临界指数。
2006-08-01 cond-mat.str-el
