Band insulator to Mott insulator transition in a bilayer Hubbard model
用集团动力学平均场论研究了双层膜中半满排斥哈伯德模型的基态相图。对于弱到中间值的库仑排斥$U$，该系统经历了一个过渡，从莫特绝缘相的金属相，然后到带绝缘相的层间跳跃增加。在强耦合的情况下，该模型表现出直接交叉从莫特绝缘相带绝缘相。这些结果是强大的相对于存在或不存在的磁性秩序。
2007-03-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Non thermal and purely electronic resistive transition in narrow gap Mott insulators
电场下的莫特绝缘体到金属的转变是当前许多基础和应用研究的主题。这种令人困惑的效应，涉及到相关系统中的非平凡的失衡效应，确实在一类新的电子存储器莫特存储器的操作中起作用。然而，在经历这种转变的莫特绝缘体中，组合的电子和热效应很难解开。我们在这里报告一个典型的莫特绝缘体和一个模型建立在一个现实的2D电阻网络能够捕捉热效应和电子跃迁的电场下的性能之间的比较。特别是对窄间隙莫特绝缘体AM4 Q8族（A = Ga或Ge; M=V、Nb或Ta，Q = S或Se）进行的这种比较明确地确立了在电场下实验观察到的电阻转变产生于纯电子机制。
2014-07-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Distinguishing a Mott Insulator from a Trivial Insulator with Atomic Adsorbates
在各种相互作用交织在一起的电子系统中，揭示其多体基态的起源是具有挑战性的，并且缺乏直接的实验方法来验证绝缘体的相关性质。在这里，我们展示了一种方法来明确区分一个典型的相关绝缘体，一个莫特绝缘体，从一个平凡的带状绝缘体的基础上，他们不同的化学行为的表面吸附使用1 T-TaS 2，这一直是一个自旋受抑的莫特绝缘体或自旋单线平凡绝缘体之间的争论。我们从观察不同的表面终端上的不同大小的光谱间隙，并表明，这两个表面层上的钾吸附原子的行为完全不同的方式。这可以从莫特绝缘体和带状绝缘体的不同性质中直接理解，因为它们分别涉及半满轨道和满满轨道的基本差异。这项工作不仅解决了这一特别有趣的材料中的一个突出问题，而且提供了一个简单的试金石，以确定相关的基态的电子实验。
2021-03-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Pseudogap metal and magnetization plateau from doping moiré Mott insulator
本研究基于半导体莫尔材料模拟三角晶格Hubbard模型，预测在小掺杂和中等磁场下，莫特绝缘体会因自旋极化子准粒子形成一种具有单粒子能隙和依赖掺杂磁化平台的赝能隙金属态。
2022-09-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Dimer Mott Insulator in an Oxide Heterostructure
研究了在相关氧化物异质结构中设计人工莫特绝缘体的问题。我们考虑了基于离子不连续掺杂的量子限制的极限，并认为在GdTiO $_3$基质中的单个SrO层的情况下可以实现独特的二聚体莫特绝缘体。在二聚体莫特绝缘体中，电子不是局限于单个原子，而是局限于在两个TiO $_2$平面的双层上形成的分子二聚体上的键合轨道，类似于20世纪90年代研究的哈伯德阶梯的莫特绝缘状态。我们通过从头算和模型哈密顿量研究验证了二聚体莫特绝缘体的存在，并发现对于合理的Hubbard $U$值，它是稳定的和铁磁性的，具有0.65 eV量级的明确的成键/反键分裂，以及显著较小的Mott带隙，其大小取决于$U$。极性不连续性、强结构弛豫和电子关联的综合作用都有助于实现这种独特的基态。
2013-01-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
A spin-gapped Mott insulator with the dimeric arrangement of twisted molecules Zn(tmdt)$_{2}$
对单组分分子材料Zn（tmdt）$_{2}$进行了$^{13}$ C核磁共振测量，其中tmdt在准二维莫特绝缘体和超导体中形成类似于所谓的$κ$型分子堆积的排列。对粉末光谱的详细分析揭示了tmdt $π$轨道中的局部自旋磁化率。所得到的位移和弛豫速率揭示了$π$自旋的单重态-三重态激发，表明Zn（tmdt）$_{2}$是自旋带隙的莫特绝缘体，与传统的分子莫特系统相比具有异常大的电子相关性。
2017-06-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Insulator-to-Metal Transition and Anomalously Slow Hot Carrier Cooling in a Photo-doped Mott Insulator
本文利用扫描超快电子显微镜直接观测了Mott绝缘体α-RuCl3中光激发物种的时空演化，发现低光通量下热载流子输运时间超过一纳秒，高光通量下出现光致绝缘体-金属转变，展示了SUEM探测强关联电子体系光激发的独特能力。
2024-06-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
The electronic structure of NaIrO$_3$, Mott insulator or band insulator?
基于五价后钙钛矿结构的NaIrO $_3$的电子绝缘行为的复杂性，我们采用局域密度近似和Gutzwiller方法研究了其在库仑排斥和自旋轨道耦合（SOC）平面上的电子结构和相图.我们的理论研究提出金属-绝缘体转变可以由两种不同的物理图象产生：重整化带绝缘体或莫特绝缘体区。对于NaIrO $_3$中的实际材料参数，库仑相互作用$U=2.0 (J=U/4)$ eV和SOC强度$η=0.33$ eV，它倾向于支持我们的研究所揭示的重整化带绝缘体图片。
2012-10-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Correlation-Driven Charge Order at a Mott Insulator - Band Insulator Digital Interface
为了研究数字莫特绝缘体LaTiO_3和带绝缘体SrTiO_3的界面，我们将关联带理论（LDA+U）应用于（n，m）多层膜，1<n，m<9.如果Ti上的原位排斥足够大，可以模拟立方块状LaTiO 3的磁绝缘行为，则在所有情况下，界面处的电荷不平衡都可以通过反离子化（Ti 4 + + Ti 3+）、电荷有序化和Ti 3 + d_xy轨道有序化来调节，并且界面层中的自旋之间具有反铁磁交换耦合。晶格弛豫通过移动（轻微但重要的）较低的哈伯德带来影响传导行为，但是弛豫和轨道有序对弛豫是鲁棒的。
2006-08-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Nonlinear optical response and spin-charge separation in one-dimensional Mott insulators
我们从理论上研究了莫特绝缘体的非线性光学响应和光激发态。用精确对角化方法计算了小团簇的非线性光学极化率χ^（3）。通过系统地研究χ^（3）与维数的关系，我们发现自旋-电荷分离在一维莫特绝缘体中对χ^（3）的增强起着至关重要的作用。在此基础上，我们提出了描述一维莫特绝缘体非线性响应的holon-doublon模型。这些发现表明自旋-电荷分离将成为光电子器件的一个关键概念。
2000-07-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Observation of excitonic Floquet states in a one-dimensional organic Mott insulator using mid-infrared pump near-infrared probe reflection spectroscopy
本研究利用中红外泵浦-近红外探测反射光谱，在一维有机Mott绝缘体ET-F2TCNQ中成功观测到激子Floquet态的瞬态反射率变化，证实了激子一阶Floquet边带的形成及其对激子态宽度的依赖性。
2024-07-25 cond-mat.str-el physics.optics
Floquet DMFT Analysis of High Harmonic Generation in Mott Insulators
利用Floquet动态平均场论（DMFT）研究了莫特绝缘体中的高次谐波产生（HHG）。我们发现莫特绝缘体中的高次谐波的主要来源是双光子-空穴复合，并且高次谐波谱的特征随电场强度的不同而不同。在弱场区，HHG光谱显示出单一的平台，如在HHG气体，和它的截止能量$ε_{\rm cut}$与场强$E_0$的比例线性为$ε_{\rm cut}=Δ_{\rm gap} + αE_0$，其中$Δ_{\rm gap}$是莫特间隙。另一方面，在较强的场区，出现多个平台，$m$的截止尺度为$ε_{\rm cut,m}=U + m E_0$。我们表明，这种差异源于不同的动力学的强，弱场制度的doublons和holons。我们还评论了HHG从莫特绝缘体和从半导体之间的异同。这篇论文补充了我们最近的工作，物理学。121，057405（2018），以及其他结果和分析。
2019-11-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Reply to "Comment on `Floquet Fractional Chern Insulators'"
我们对L. D'Alessio in arXiv：1412.3481 on our work“Floquet Fractional Chern Insulators”[Phys. Rev. Lett. 112，156801（2014）]。我们证实了有效哈密顿量的基态是一个相互作用的分数Chern绝缘体的中心结果。
2015-03-09 cond-mat.str-el
Higher-harmonic generation in the driven Mott-Hubbard model
该研究利用Floquet理论分析驱动Mott-Hubbard模型的高次谐波产生，发现驱动频率为Mott间隙三分之一时信号最强。
2023-09-02 cond-mat.str-el
Interface ordering and phase competition in a model Mott-insulator--band-insulator heterostructure
本文用半经典近似的动态平均场方法研究了模型莫特绝缘体-带-绝缘体异质结的相图，它是厚度、耦合常数和电荷限制的函数。一个界面稳定的铁磁相被发现，允许它的竞争和可能的共存与体莫特绝缘体的反铁磁序特性的研究。
2005-08-28 cond-mat.str-el
Visualizing Berry curvature in a Floquet-Chern insulator
University of Illinois Urbana-Champaign（伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校）
本文利用圆二色性Tr-ARPES直接映射Bi2Se3表面光诱导的Berry曲率，验证了Floquet-Chern绝缘体拓扑性质，为光诱导拓扑相变提供直接探测手段。
2026-09-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Metal-insulator transition via control of spin liquidity in a doped Mott insulator
量子自旋液体态，其中自旋是量子力学离域的方向，迄今已研究的电荷局域莫特绝缘体产生的强排斥相互作用。然而，最近发现具有三角形晶格的掺杂莫特绝缘体$κ$ -（ET）$_4$ Hg $_{2.89}$ Br $_8$既表现出类似自旋液体的磁性又表现出金属导电性。因此，现在可以通过实验探索自旋流动性如何影响电导，这是一个受到理论关注的问题。在这里，我们研究了一种新开发的方法，结合单轴和静水压力，在掺杂莫特绝缘体的导电与控制的三角形晶格几何形状和排斥强度，决定了自旋流动性和Mottness，分别。我们发现，在一个强相互作用的制度，电子状态急剧变化，从绝缘体到费米液体通过非费米液体不同的几何挫折，这表明自旋流动性促进电荷的离域。这一结果表明，自旋自由度的挫折通过掺杂的莫特绝缘体中的自旋和电荷的纠缠对电荷的输运具有决定性的影响。
2022-02-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spin-$0$ Mott insulator to metal to spin-$1$ Mott insulator transition in the single-orbital Hubbard model on the decorated honeycomb lattice
利用旋转不变的从玻色子研究了装饰蜂窝晶格上单轨道哈伯德模型在三分之二填充时强电子关联和三角形内自旋交换的相互作用.我们发现当自旋- $1$莫特绝缘体、金属和自旋- $0$莫特绝缘体之间的自旋交换是反铁磁的时，自旋交换是调谐的.莫特绝缘体产生于有效的三角形内多轨道相互作用，并与孤立三角形的基态电连接。反铁磁自旋交换，如确定的古德诺-Kanamori规则，可以发生在配位聚合物从动力学交换通过配体。我们的特点的磁性在该政权的自旋三重态占主导地位。对于小的$U$，自旋$1$ Slater绝缘体在三角形之间出现反铁磁序。自旋$1$莫特绝缘体中的磁性由蜂窝晶格上的自旋$1$海森堡模型描述，其基态为Néel有序.
2021-08-05 cond-mat.str-el
Generation and Manipulation of Localized Modes in Floquet Topological Insulators
本文研究了空间调制光作用下的Floquet拓扑绝缘体。我们扩展了以前的工作表明，光可以用来产生和控制本地化模式在这些系统的大部分。我们提供了通过调制光的不同特性（如相位、偏振和频率）产生的体模的例子。我们表明，这些效果可以实现在各种系统中，包括锌模型和石墨烯，也提供了这些结果的推广到三维系统。
2014-01-17 cond-mat.str-el
Anomalous Floquet Chiral Topological Superconductivity in a Topological Insulator Sandwich Structure
我们证明了Floquet手征拓扑超导性在磁性拓扑绝缘体-超导体三明治结构的约瑟夫森结中自然产生。约瑟夫森相位调制与施加的偏置电压在整个结驱动系统到反常Floquet手征拓扑超导体托管手征马约拉纳边缘模式的准能谱，与散装Floquet带进行零陈数。偏置电压作为一个调谐参数，使新的动力学拓扑量子相变驱动系统到无数的异国情调的马约拉纳携带Floquet拓扑超导相。我们的理论建立了一个新的范式实现Floquet手征拓扑超导性的固态系统，这应该是实验上直接访问。
2020-12-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Floquet engineering of binding in doped and photo-doped Mott insulators
本文通过Schrieffer-Wolff变换得到广义t-J模型，研究化学与光掺杂Mott绝缘体中的束缚态，发现两者束缚能可比且η配对涨落非关键，并利用Floquet工程显著增强束缚能，同时估计光掺杂态寿命并提出冷原子实验方案。
2024-06-07 cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el quant-ph
Peierls-insulator Mott-insulator transition in 1D
为了澄清从Peierls带绝缘体到Mott Hubbard绝缘体的交叉的性质，我们利用精确对角化技术分析了一维半填充Holstein哈伯德模型的基态和光谱性质.
2001-07-26 cond-mat.str-el
Floquet metal to insulator phase transitions in semiconductor nanowires
我们研究了半导体纳米线在强共振时间周期驱动下的稳态。稳态产生于电子-声子散射、电子-空穴通过光致发射的复合和俄歇散射过程之间的平衡。我们表明，调整驱动场的强度驱动电子空穴金属（EHM）相和Floquet绝缘体（FI）相之间的过渡。我们研究控制这种转变的临界点。EHM到FI的转变可以通过监测密度-密度响应函数中与EHM相的费米动量相关的峰的存在来观察，而FI相中不存在。我们的研究结果可能有助于指导未来的研究对诱导新的非平衡态阶段的物质周期性驱动。
2019-04-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Polarization as a tuning parameter for Floquet engineering: magnetism in the honeycomb, square, and triangular Mott insulators
磁交换耦合可以通过耦合到周期性光来调谐，其中频率和振幅通常是变化的：这一过程被称为Floquet工程。光的偏振也很重要，在本文中，我们展示了不同的偏振，包括几种类型的非偏振光，可以以不同的方式调谐交换耦合。例如，使用非偏振光，可以在不破坏时间反演或任何晶格对称性的情况下调谐材料。为了说明这些影响一般，我们考虑单带哈伯德模型在半填充蜂窝，正方形和三角形晶格。我们推导出有效的海森堡自旋模型的四阶微扰理论的任意固定的偏振，和几种类型的非偏振光，保持时间反演和晶格对称性。将这些模型耦合到周期性光调谐第一、第二和第三邻居交换耦合，以及正方形和三角形晶格上的环交换项。圆偏振光在蜂窝晶格和三角晶格中诱导出手征场，这有利于非共面磁性和潜在的手征自旋液体。我们讨论了如何最大限度地提高耦合，而不诱导加热。
2021-05-01 cond-mat.str-el
Gutzwiller description of non-magnetic Mott insulators: a dimer lattice model
我们介绍了一种新的扩展Gutzwiller变分波函数能够处理绝缘体逃脱任何平均场的描述，例如非磁性绝缘体。作为应用，我们研究了顺磁性金属到非磁性Peierls或价键莫特绝缘体的莫特跃迁。在大配位晶格的极限下，我们利用Gutzwiller波函数对该模型进行了分析，发现：（1）Mott跃迁是一级跃迁;（2）在莫特绝缘体中，Peierls能隙很大，但主要是由电子排斥作用造成的;（3）在跃迁附近出现了单重态超导.
2007-04-11 cond-mat.str-el
Breakdown of Luttinger's theorem in two-orbital Mott insulators
对Luttinger定理的分析表明，与最近的说法相反，它对一般的莫特绝缘体是无效的。研究了每格点有两个电子的双轨道哈伯德模型从非磁关联绝缘相（Mott或Kondo绝缘体）到能带绝缘体的渡越.莫特绝缘相的特征在于自能的极点和格林函数中相应的零点，定义了带状绝缘体不存在的"Luttinger表面“。然而，这种每个晶胞有两个电子的绝缘体的基态是电连接的。
2007-11-20 cond-mat.str-el
Spatial inhomogeneity and strong correlation physics: a dynamical mean field study of a model Mott-insulator/band-insulator heterostructure
本文利用动力学平均场方法研究了有限个莫特绝缘体层嵌入无限大带绝缘体中的异质结构的电子性质。确定了相关效应随Mott绝缘层数目和异质结构中的位置的演化，并计算了光学电导率。结果表明，异质结一般是金属，适度重整化带的准粒子出现在相关和非相关区域之间的界面。
2004-07-22 cond-mat.str-el
From Mott Insulator to Band Insulator: A DMFT Study
莫特绝缘体和带状绝缘体是否有本质上的不同，这个问题最近一直是深入研究的问题。在这里，我们考虑一个简单的模型，它允许通过调整一个参数，连续地从莫特绝缘体带绝缘体。该模型由两个通过单粒子跳跃连接的Hubbard系统组成。Hubbard哈密顿量由动力学平均场论求解，使用量子蒙特卡罗来解决由此产生的量子杂质问题。计算了准粒子谱函数。在这里，我们专注于光学电导率，特别是可以通过实验测量的Drude重量。从我们的计算中，我们得出结论，有一个连续的过渡带绝缘体的莫特绝缘体相在有限的温度。
2006-05-23 cond-mat.str-el
Buried topological edge state associated with interface between topological band insulator and Mott insulator
用层动力学平均场论研究了拓扑带绝缘体与莫特绝缘体界面的电子结构。为了表示这些系统的体相，我们使用广义Bernevig-Hughes-Zhang模型，该模型除了导致能带反转的自旋-轨道耦合项之外还包含Hubbard样的现场库仑能量U。分别通过适当选择较小和较大的U值来实现拓扑相和莫特绝缘相。正如预期的那样，界面被发现是金属，因为本地化的边缘状态。然而，当莫特绝缘体中的库仑能量接近临界值时，这种边缘状态在莫特绝缘体内部而不是在界面处表现出其最大幅度。这一发现对应于邻近拓扑带绝缘体诱导的新型邻近效应，并表明，由于莫特绝缘体内的自旋轨道耦合，界面附近的几个层从莫特绝缘相转变为拓扑绝缘相。此外，我们认为，普通的邻近效应，即近藤峰诱导在莫特绝缘体由相邻的金属状态，伴随着一个额外的反向邻近效应，近藤峰引起的状态密度在相邻的金属层的增强。
2014-08-29 cond-mat.str-el
Modulated Floquet Topological Insulators
Floquet拓扑绝缘体是通过在其他常规绝缘体上施加时间周期性扰动而产生的物质的拓扑相。我们证明了在二维系统中，时间周期势的空间变化会导致局域准定态。这些状态包括在节点处的外部势的一维界面模式，以及在外部势的涡旋处的分数激励。我们还提出了一个设置，通过它可以在这些系统中的光感生电流。我们解释了这些结果，显示出密切的类比px+ipy超导体。
2013-03-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Floquet Higher-Order Topological Insulators with Anomalous Dynamical Polarization
高阶拓扑绝缘体（HOTI）是一种新的相，它在传统拓扑绝缘体中的偶极子之外存在大量的高阶多极子，从而产生了强的间隙“角”模。在这里，我们将Floquet驱动到HOTI的，并报告第一次动态极化理论与异常非平衡多极。此外，一个建议，不仅检测角态，但也在冷原子的动力学起源证明，后者从来没有实现过。实验测定异常Floquet角模式也提出了建议。
2020-03-26 cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Characterization of a topological Mott insulator in one dimension
通过研究关联电子模型的体拓扑不变量和纠缠谱，研究了一维拓扑莫特绝缘体的性质。阐明了无相互作用拓扑带绝缘体中的无隙边态如何演化为拓扑莫特绝缘体中的自旋边态。此外，我们还提出了一种拓扑Mott相变，这是一种新的拓扑相变，在自由费米子系统中从未观察到过。这种非常规的转变发生在自旋液相中的莫特绝缘体，并伴随着零的单电子格林函数和自旋激发光谱的间隙关闭。
2014-05-09 cond-mat.str-el
Variational description of Mott insulators
强相关模型的Gutzwiller波函数，如果补充一个长程Jastrow因子，可以提供一个适当的变分描述的莫特绝缘体，到目前为止还没有。我们证明了这一概念的原型一维$t-t^\prime$哈伯德模型，在半填充，我们重现所有已知的阶段，即普通莫特未二聚体绝缘体与幂律自旋相关性在小$t^\prime/t$，自旋带隙金属以上的临界$t^\prime/t$和小$U$，和二聚体莫特绝缘体在大排斥。
2004-12-16 cond-mat.str-el
Comment on "Floquet Fractional Chern Insulators"
在最近的一份文件[物理。112 156801（2014）]，Grushin等人研究了耦合到外部极化电场的蜂窝晶格上的自旋电子的费米-哈伯德模型。通过微扰计算Floquet哈密顿量来排序$ω^{-1}$（其中$ω$是驱动的频率），他们预测，对于驱动和填充的特定值，系统可以过渡到分数陈绝缘体。本文指出：（1）Floquet哈密顿量的计算遗漏了$ω^{-1}$阶的某些项;（2）Floquet带与时间无关系统一样充满的假设是有问题的。
2014-12-10 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Inhomogeneity in doped Mott insulator
我们引入了自然界中存在两类通用莫特绝缘体的概念。他们的区别在于他们对弱兴奋剂的反应。掺杂电荷在I型莫特绝缘体中形成团簇（即不均匀分布），而在II型莫特绝缘体中均匀分布。我们提出我们的意见的作用不均匀性在铜酸盐。
2002-08-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Purely electronic THz polarization in dimer Mott insulators
理论上发现了二聚体莫特绝缘体$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ X在太赫兹频段的纯电子极化模。不寻常的低频模式产生的内二聚体电偶极矩的振荡和交替的二聚体间键级之间的耦合。这些集体运动在二聚体莫特绝缘体的动态介电性质中起着重要的作用。在二聚体Mott相变的相界附近，通过引入电子-晶格耦合实现铁电基态。
2010-03-24 cond-mat.str-el
Phase separation in doped Mott insulators
受莫特绝缘体远离整数填充的常见观察的启发，我们构建了一个简单的热力学参数的相分离一阶掺杂驱动的莫特转变。我们展示了如何计算临界掺杂所需的驱动莫特过渡使用电子结构计算的钛酸盐家族的钙钛矿，发现与实验良好的协议。该理论预测，过渡是可逆的，应该表现出库仑阻挫。
2014-08-01 cond-mat.str-el
Floquet Hopf Insulators
我们预言了三维双带系统中存在一种新的Floquet拓扑绝缘体，Floquet Hopf绝缘体，它具有两个不同的拓扑不变量。一个是霍普夫$\mathbb{Z}$不变量，一个表征（非驱动）霍普夫拓扑绝缘体的连接数。第二个不变量是一个固有的Floquet $\mathbb{Z}_2$不变量，并表示凝聚态实现的拓扑结构的基础上的威滕异常粒子物理学。这两个不变量都来自于系统时间演化中的拓扑缺陷，受到一个过程的影响，在这个过程中，不同准能量的缺陷交换甚至是拓扑电荷的数量。他们的对比分类导致一个可测量的物理后果，即，一个不寻常的散装边界对应的无间隙的边缘模式的拓扑保护，但可能存在于0-或$π$ -quasienergy。我们的研究结果代表了一个阶段的问题超出了传统的分类Floquet拓扑绝缘体。
2019-03-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Intervalley Band Crossing and Transition of Fractional Chern Insulators in Floquet Twisted Bilayer MoTe$_2$
Zhejiang Institute of Modern Physics, Zhejiang University（浙江大学现代物理研究所）；Zhejiang Key Laboratory of Micro-Nano Quantum Chips and Quantum Control, School of Physics, Zhejiang University（浙江大学物理学院微纳量子芯片与量子控制浙江省重点实验室）
研究光子驱动下MoTe₂双层的能隙区间带交叉及Floquet分数切赫绝缘体的相变，通过Floquet理论推导有效哈密顿量并分析谷极化行为变化。
2026-05-11 cond-mat.str-el
$SU(N)$ spin-phonon simulations of Floquet dynamics in spin $S > 1/2$ Mott insulators
本文开发了一种广义$SU(N)$自旋-声子Monte Carlo与分子动力学技术，模拟了自旋-1 Mott绝缘体在声子驱动下的Floquet动力学，揭示了非平衡相变与自旋波副本等丰富现象。
2025-07-15 cond-mat.str-el
Floquet-Weyl states at one-photon resonances in three-dimensional topological insulators
The University of Tokyo（东京大学）；Tokyo University of Science（东京理科大学）；RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS)（理化学研究所 物质创造科学研究中心）；Hiroshima University（广岛大学）
研究三维拓扑绝缘体Bi₂Se₃中 单光子共振的影响，应用弗洛凯理论发现中频区有四对弗洛凯 - 外尔点，由带间杂化介导且保持晶体对称性，数值计算表明空穴掺杂调化学势可产生大反常霍尔电导率，为实现单光子共振弗洛凯 - 外尔半金属提供途径。
2026-07-09 cond-mat.str-el
Higher-Order Topological Mott Insulator on the Pyrochlore Lattice
我们提供了第一个无偏的证据，高阶拓扑莫特绝缘体在三维数值精确的量子蒙特卡罗模拟。该绝缘相在非相互作用极限下与三阶拓扑绝缘体电连接，其特征在于烧绿石晶格拐角处的无隙模式，其特征在于$\mathbb{Z}_{4}$自旋Berry相。关联和非关联拓扑相位之间的区别在于，在前一相位中，无隙角模仅出现在Mott类自旋激发中。我们还表明，从三阶拓扑莫特绝缘体到通常的莫特绝缘体的拓扑相变发生时，体自旋能隙单独关闭。
2021-10-25 cond-mat.str-el
From band insulator to Mott insulator in one dimension
我们导出了最近由江上、石原和立木[Science，{ \bf 261}，1307（1993）]提出的铁电钙钛矿的一维模型的相图。我们发现，共价性，电离性和强关联之间的相互作用，在一个自发的二聚相分离的弱耦合带绝缘体的强耦合莫特绝缘体的结果。从带绝缘体的二聚相的过渡被确定为伊辛临界点。电荷间隙在该单个点处消失，光导率发散为$σ(ω)\sim ω^{-3/4}$。自旋激发在第二跃迁到莫特绝缘体相以上是无隙的。
1999-04-22 cond-mat.str-el
Colossal magnetoresistance in a Mott insulator via magnetic field-driven insulator-metal transition
我们提出了一种新型的巨磁电阻效应，这种效应是由于在适当的磁场作用下，双层层状钛掺杂的Ca $_3$ Ru $_2$ O $_7$中Mott绝缘态的反常崩塌引起的。这种绝缘体-金属转变伴随着晶格和磁性结构的变化。我们的发现具有重要的意义，因为磁场通常稳定的绝缘基态在Mott-Hubbard系统，因此需要更深入的理论研究，重新审视磁场调谐的Mott系统的磁和电子的不稳定性和自旋晶格电荷耦合。这项研究进一步提供了一个模型的方法来寻找CMR系统以外的锰氧化物，如莫特绝缘体之间的竞争相的边界附近。
2018-02-07 cond-mat.str-el
Photoinduced insulator-metal transition in correlated electrons -- a Floquet analysis with the dynamical mean-field theory
为了研究关联电子系统中观察到的光致绝缘体-金属跃迁，我们提出了一种新的理论方法，将交流驱动系统的Floquet矩阵方法与动力学平均场论相结合.该方法可以处理线性响应范围以外的非平衡稳态。我们将该方法应用于Falicov-Kimball模型与交流电场的耦合，数值计算得到了谱函数、非平衡分布函数和电流-电压特性。结果表明，强交流电场确实以非线性方式驱动Mott类绝缘态转变为光生金属态。
2009-07-06 cond-mat.str-el
Comment on "Origin of Giant Optical Nonlinearity in Charge-Transfer--Mott Insulators: A New Paradigm for Nonlinear Optics"
评论物理。86、2086（2001）
2001-05-30 cond-mat.str-el
Mechanism of hopping transport in disordered Mott insulators
通过使用详细的实验研究和简单的理论论证相结合，我们确定了一种新的机制，其特征在于在莫特绝缘相的Ca $_{2-x}$ Sr $_x$ RuO $_4$附近的金属-绝缘体转变的跳跃输运。跳变指数$α$显示了从绝缘体中更深处的$α=1/2$值到更接近过渡的常规Mott值$α=1/3$的系统演化。这种行为，我们认为是一个普遍的特点，无序莫特系统接近金属-绝缘体过渡，反映了逐渐出现的无序诱导的局部电子状态填充莫特-哈伯德间隙。
2004-08-11 cond-mat.str-el
Chiral Flow in One-dimensional Floquet Topological Insulators
我们提出了一个体积拓扑不变量的一维Floquet系统的手征对称性，量化的粒子输运过程中的每个子晶格。这种手征流是物理动机，本地可计算的，并通过适用于无序系统来改进现有的拓扑不变量。我们推导出一个散装边缘对应关系的手征流的保护动态边缘模式的数量上存在的边界上结束的演变。在这个过程中，我们引入了两个实空间的边缘不变量分类的动态拓扑边界行为在不同的点在演化过程中。我们的研究结果提供了第一个明确的体积边界对应Floquet系统在这个对称类。
2018-05-31 cond-mat.str-el
Quantitative Determination of the Critical Points of Mott Metal-Insulator Transition in Strongly Correlated Systems
本文利用动力学平均场理论研究Hubbard模型中的Mott相变，引入局部量子态保真度定量测定相变临界点，并一致描述了两种不同形式的Mott相变点。
2023-11-28 cond-mat.str-el
Anomalous and normal dislocation modes in Floquet topological insulators
具有非平凡体拓扑不变量的电子带通过边界处的鲁棒无隙模式显现，例如，边缘和表面。因此，这种体-边界对应在受驱动量子材料中也是有效的。例如，合适的周期性驱动器可以将普通绝缘体转换为Floquet拓扑绝缘体（FTI），其在与真空的界面处适应非耗散动态无间隙模式。在这里，我们从理论上证明，位错，晶体中无处不在的晶格缺陷，可以探测FTI以及非常规的$π$ -平凡的绝缘体在大部分驱动的量子系统通过支持正常和异常模式，本地化的缺陷核心附近。正常和异常位错模式分别位于Floquet区中心和边界。我们对二维Floquet Chern绝缘体和$p_x+ip_y$超导体的位错模分别由带电和中性的Majorana费米子构成的情形进行了研究。因此，我们的研究结果应该有助于探测Floquet拓扑相位在国家的最先进的实验驱动量子晶体，冷原子设置，光子和声子超材料通过散装拓扑晶格缺陷。
2021-07-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magnonic Floquet Quantum Spin Hall Insulator in Bilayer Collinear Antiferromagnets
我们研究了辐照后的二维绝缘双层蜂窝铁磁体和反铁磁耦合的反铁磁材料。前一个是实现在最近合成的双层蜂窝状三碘化铬CrI $_{\bf 3}$。在这两个系统中，我们表明圆极化电场打破了时间反转对称性，并在每个蜂窝层中诱导了动态的Dzyaloshinskiii-Moriya相互作用。然而，所得到的双层反铁磁系统仍然保留了时间反演和空间反演（$\mathcal{PT}$）对称性的组合。我们证明了双层反铁磁系统的磁振子拓扑具有$\pmb{\mathbb{Z}_2}$ Floquet拓扑不变量的特征。因此，该系统实现了具有自旋过滤磁振子边缘态的磁振子Floquet量子自旋霍尔绝缘体。这导致非零的Floquet磁振子自旋能斯特效应，而Floquet磁振子热霍尔效应由于$\mathcal{PT}$对称性而消失。我们研究了系统丰富的$\pmb{\mathbb{Z}_2}$ Floquet拓扑磁振子相图随光的振幅和偏振的变化。我们进一步讨论的结果对未来的实验实现的巨大影响。
2019-03-24 cond-mat.str-el
Finite-Temperature Charge Dynamics and the Melting of the Mott Insulator
莫特绝缘体是典型的强关联电子态。通过将从费米子（holon-doublon）描述扩展到有限温度，我们获得了对二维莫特绝缘体物理的完全了解。我们首先基准其预测对国家的最先进的量子蒙特卡罗模拟，证明定量协议。同时，短程自旋涨落既诱导出了holon-doublon束缚态，又重整化了电荷扇区，形成了Hubbard带。莫特能隙被理解为由这些自旋涨落向下重整化的电荷能隙。随着温度的升高，莫特能隙在电荷能隙之前闭合，导致在莫特绝缘体熔化期间自然出现赝能隙状态。
2019-06-28 cond-mat.str-el
Mechanism of Ambipolar Field-Effect Transistors on One-Dimensional Organic Mott Insulators
实验观察到的，双极场效应特性的莫特绝缘体复制在一维哈伯德模型连接到一个紧束缚模型的源极和漏极。肖特基势垒的形成，源于功函数的差异，考虑到由一个潜在的满足泊松方程与适当的边界条件。然后，这些场效应特性被证明是由独特的电流-电压特性的金属-莫特-绝缘体接口相关。
2007-10-18 cond-mat.str-el
Fractional Quantum Hall Effect and Featureless Mott Insulators
我们指出并明确证明了无特征的莫特绝缘体和分数量子霍尔液体之间存在着密切的联系。在最低朗道能级（LLL）下，以磁Wannier态为单粒子基，证明了LLL中相互作用玻色子的哈密顿量映射到由磁Wannier态形成的三角晶格上无特征莫特绝缘体的哈密顿量上.哈密顿量非常简单，只包含短程排斥和环交换项。
2010-03-11 cond-mat.str-el
