The Electronic States of Two Oppositely doped Mott Insulators Bilayers
我们研究了两个相反掺杂的低维tJ模型系统之间的库仑相互作用效应。我们精确地证明了，在一维情况下，任意的弱相互作用导致电荷中性的电子-空穴对的形成。然后，我们使用两种不同的平均场论来解决二维的情况下，层间激子也形成和凝聚。我们建议，这将导致新的功能，没有类似的单层，如绝缘自旋液相的出现。我们简单的双层模型可能与掺杂的莫特绝缘体界面和新的四层Ba 2CaCu 4 O 8化合物的物理学有关。
2006-12-09 cond-mat.str-el
Surface electronic Structure and magnetic properties of doped manganites
研究了La_{1-x} A_{x} MnO_3的电子结构和磁性。假设在最外层，Mn离子的环境不具有立方对称性。e_g轨道分裂，双交换机制减弱。Mn离子的电荷状态被修改，并且自旋的磁有序倾向于反铁磁。分析了表面磁化强度和输运性质通过所产生的表面势垒对外加磁场和温度的依赖关系。
1998-11-24 cond-mat.str-el
Spectroscopic studies on the electronic and magnetic states of Co-doped perovskite manganite Pr0.8Ca0.2Mn1-yCoyO3 thin films
我们利用各种光谱技术研究了Co掺杂Pr_（0.8）Ca_（0.2）MnO_3薄膜的电子和磁性。X射线吸收光谱和硬X射线光电子能谱分析表明，取代的Co离子处于二价态，导致Mn原子上的空穴掺杂。X射线磁性圆二色性的元素选择性磁性的研究发现了一个大的轨道磁矩的钴离子。这些光谱研究表明，取代的Co离子发挥几个角色的空穴掺杂的Mn，铁磁超交换耦合之间的Co 2+和Mn 4+离子，和轨道磁性的Co 2+离子。这些复杂的相互作用之间的竞争产生了独特的电子和磁性行为，包括Co掺杂的Pr0.8Ca0.2MnO3的高介电常数。
2013-11-12 cond-mat.str-el
In-plane anisotropy of the electronic structure for the charge/orbital-ordered state in half-doped manganite with layered structure
本文报道了半掺杂层状结构锰氧化物的自旋/电荷/轨道有序相的电子响应的面内各向异性。Eu $_{1/2}$ % Ca $_{3/2}$ MnO $_{4}$的单畴的光学电导率谱明确地显示了各向异性电荷动力学，其很好地对应于理论计算：沿锯齿形铁磁链方向极化的光学电导率在较低的能量下比垂直极化的光学电导率表现出更小的间隙和更大的强度，这主要是由于电荷/轨道有序和相关的量子干涉效应。
2006-06-05 cond-mat.str-el
Carrier localization and electronic phase separation in a doped spin-orbit driven Mott phase in Sr3(Ir1-xRux)2O7
对许多强自旋轨道耦合的5d过渡金属氧化物绝缘体的兴趣源于将它们的电子结构映射到J=1/2 Mott相。希望之一是建立它们的Mott母态，并探索这些系统在载流子掺杂后实现新电子态的潜力。然而，一旦掺杂，很少有人了解他们的库仑相互作用U相对于他们的强相关的3d电子表兄弟的作用。在这里，我们表明，在空穴掺杂的候选人J=1/2莫特绝缘体，载流子保持本地化的纳米级相分离的基态。局部区域和巡回区域之间的相互作用发生了一个双金属-绝缘体转变，稳定了临界区域以外的反铁磁金属相。我们的研究结果表明，掺杂的5d-和3d-电子莫特系统之间的一个令人惊讶的平行，并建议通过附近的电子相或直接的载流子本地化，U是必不可少的，这个掺杂的自旋轨道莫特绝缘体的载流子响应。
2014-03-14 cond-mat.str-el
Electronic and magnetic properties of the (001) surface of hole-doped manganites
采用模型紧束缚和\textit{ab initio}自相互作用修正的局域自旋密度近似方法研究了铁磁掺杂锰氧化物的电子和磁性.结果发现，通过打破立方对称性的表面单独诱导的两个$e_{g}$轨道在表面上的占领的差异。与\textit{ab initio}计算，我们发现一个轨道的表面定位，因此在Mn的化合价从4在散装到3在次表面的变化。不同的表面或无序的界面诱导的轨道的本地化被认为是太相对于表面/界面和块状区域之间的磁交换耦合的性质和强度。
2004-07-21 cond-mat.str-el
Electronically smectic-like phase in a nearly half-doped manganite
我们用中子散射研究了近半掺杂钙钛矿锰氧化物$Pr_{0.55}(Ca_{0.8}Sr_{0.2})_{0.45}MnO_3$（PCSMO）的自旋和电荷/轨道有序（CO-OO）。从室温冷却后，PCSMO首先进入低于$T_{CO}$的CO-OO状态，然后在低于$T_N$的温度下成为CE型长程有序反铁磁体。在高于$T_N$但低于$T_{CO}$（$T_N<T<T_{CO}$）的温度下，PCSMO中的自旋形成高度各向异性的近晶相液晶状织构，其具有铁磁（FM）准长程有序的一维锯齿形链弱反铁磁耦合。这种磁近晶状相直接由自旋-轨道相互作用产生，并表明掺杂莫特绝缘体中存在织构化的“电子软”相。
2005-08-29 cond-mat.str-el
Electronic state of a doped Mott-Hubbard insulator at finite temperatures studied using the dynamical mean-field theory
利用动态平均场论研究了掺杂Mott-Hubbard绝缘体的电子态。作为掺杂的函数的有限温度谱函数的演变显示在反铁磁和顺磁相的光谱权重的大的重新分布。特别是，金属反铁磁态的低频Slater分裂准粒子峰与Hubbard带共存。在高温顺磁金属相中，在减少掺杂时，系统具有通过"坏金属“状态的交叉，其特征在于准粒子峰远离费米能的异常位移。我们发现，{ \it电荷}的反铁磁金属的压缩性显着增强后，接近二阶Néel线。
2006-04-06 cond-mat.str-el
Antiferromagnetism and phase separation in electronic models for doped transition-metal oxides
我们研究了掺杂锰氧化物和镍氧化物的电子模型的基态性质。利用投影技术，从传导电子与局域自旋之间的强Hund耦合导出了一个有效的类t-J哈密顿量。得到了传导电子的吸引相互作用和局域自旋的反铁磁耦合。自旋背景对电子有效跃迁的调制作用使得电子有效跃迁与吸引跃迁的比值较大，从而导致相分离。无论是高密度电子还是低密度电子，都出现反铁磁相和相分离。讨论了锰氧化物和镍酸盐中的电荷条纹相的相分离的可能相关性。
1998-08-24 cond-mat.str-el
Effect of disorder on the resistivity anisotropy near the electronic nematic phase transition in pure and electron-doped BaFe$_2$As$_2$
我们表明，在四重态的代表性欠掺杂的铁砷化物BaFe $_2$作为$_2$，Ba（Fe $_{1-x}$ Co $_x$）$_2$作为$_2$和Ba（Fe $_{1-x}$ Ni $_x$）$_2$作为$_2$的应变诱导电阻率各向异性是独立的无序在很宽的缺陷和杂质浓度范围内。这一结果表明，在顺磁正交状态的平面电阻率的各向异性，这种材料是不是由于弹性散射各向异性缺陷，是最容易理解的电子结构中的固有各向异性。
2014-07-08 cond-mat.str-el
Evolution of electronic structure of Ru-doped single-crystal iridiates, Sr$_2$Ir$_{1-x}$Ru$_x$O$_4$
我们研究了Ru掺杂的单晶5 $d$铱酸盐，Sr $_2$ Ir $_{1-x}$ Ru $_x$ O $_{4}$，在三个不同的掺杂浓度（$x =$ 0.07和0.10）使用光谱。未掺杂的原始化合物（Sr $_2$ IrO $_{4}$）被称为新型$J_{eff}$ = 1/2 Mott绝缘体。值得注意的是，所有三个样品的光学电导率谱表现出绝缘行为，虽然我们观察到弱德鲁德组分的光学电导率谱下降到最低温度30 K。从德鲁德组分估计的Ru掺杂的iridiates的电荷载流子密度显着小于从标称Ru掺杂浓度估计的预期值。在这里，我们提供了温度和掺杂依赖的Ru掺杂的铱酸盐的电子结构的演变。我们希望我们的研究结果将有助于理解有趣的Ru掺杂依赖的性质5 $d$铱酸盐Sr $_2$ IrO $_{4}$。
2021-10-02 cond-mat.str-el
Electronic and magnetic structures of hole doped trilayer La(4-x)Sr(x)Ni3O8 from first principles calculations
采用LDA和GGA泛函（包括Hubbard U参数）对三层La 4 Ni 3 O 8的磁性和电子性质进行了研究，计算结果与空穴掺杂铜氧化物的结果相似.基于这些计算，我们发现La_4Ni_3O_8是一个C型反铁磁（C-AFM）莫特绝缘体，这与以前的实验和理论观察一致。计算结果表明，Ni ~（1+）和Ni ~（2+）离子处于高自旋态，平均价态为+1.33。考虑强关联效应后，两种Ni离子的dz 2电子均为中间带隙态。为了理解空穴掺杂对La 4 Ni 3 O 8的电子结构、相稳定性和磁性的作用，已经使用超晶胞方法对La（4-x）Sr（x）Ni 3 O 8作为x的函数进行了类似的计算。我们发现空穴掺杂虽然增强了两个Ni位置的磁矩，但在不改变C-AFM有序性的情况下，引起了绝缘体到金属的转变。此外，这些Ni原子总是处于平均价态，而不管空穴掺杂或体积变化。因此，空穴掺杂La_4Ni_3O_8的电子性质不能与高Tc的空穴掺杂铜酸盐相比。
2016-09-27 cond-mat.str-el
Pseudogap and electronic structure of electron-doped Sr$_2$IrO$_4$
我们提出了一个理论研究的相关性的影响的电子结构的莫特绝缘体Sr $_2$ IrO $_4$电子掺杂。发现掺杂后Mott能隙迅速崩塌，电子结构在低掺杂水平下表现出强烈的动量-空间差异：费米面由以$(π/2,π/2)$为中心的口袋组成，而赝能隙在$(π,0)$附近打开.它的物理起源被证明是与短程自旋相关。赝隙关闭后，增加掺杂，但分化制度的特点是沿费米表面的光谱强度的调制持续到更高的掺杂水平。这些结果，在细胞动力学平均场论框架内得到的，讨论比较最近的光电子实验和整体良好的协议被发现。
2018-01-26 cond-mat.str-el
Electronic structure of the electron-doped cuprate superconductors
在动能驱动的d波超导框架下，研究了电子掺杂铜氧化物超导体的电子结构。结果表明，虽然在相图中存在电子-空穴不对称性，但电子掺杂铜氧化物超导态的电子结构与空穴掺杂的情况相似。随着电子掺杂量的增加，$(π,0)$点处的谱权增加，而超导准粒子峰的位置向费米能方向移动。类似于空穴掺杂的情况，$(π,0)$点周围的超导准粒子随动量的分散非常弱。
2007-02-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Optical properties and electronic structure of Ca-doped alpha'-NaV2O5
在室温下，在0.8-4.5 eV的光子能量范围内，测量了α '-Na（1-x）Ca（x）V2 O 5（0 < x < 20%）的a和b轴的介电函数。通过改变Ca ~（2+）浓度，控制了V ~（4+）和V ~（5+）的相对吸收。我们观察到在1 eV处的主要光学吸收峰的强度与V5+离子的数量成正比。这排除了作为V4+ d-d激发的解释，并确定这是在梯级成键-反键转变。
2000-05-31 cond-mat.str-el
Evolution of the electronic structure from electron-doped to hole-doped states in the two-dimensional Mott-Hubbard system La1.17-xPbxVS3.17
本文用光电子能谱研究了二维Mott-Hubbard系统La_（1.17-x）Pb_xVS_（3.17）中填充控制的金属-绝缘体转变（MIT）。随着Pb取代x，化学势μ在x=0.15和0.17之间突然跳跃约0.07 eV，表明电荷间隙在x ~= 0.16处打开，与d2构型的Mott绝缘态一致。当空穴或电子被掺杂到x ~= 0.16的莫特绝缘体中时，间隙被填充，并且在μ处的光发射光谱权重ρ（μ）以与电子比热系数类似的方式逐渐增加，尽管与正常金属的预期相比，光谱权重在μ附近保持降低，显示金属样品中的伪间隙行为。观察到的varrho（mu）->0 x->0.16的行为进行了对比，通常的图片，费米液体系统的电子有效质量是朝着金属-绝缘体边界增强。随着温度的升高，能隙或赝能隙迅速被填满，在T=300 K时的光谱几乎与正常金属的光谱相同。在金属-绝缘体边界附近，μ周围的光谱与库仑能隙的形成一致，表明该系统固有的结构无序下的长程库仑相互作用的影响。
2004-05-07 cond-mat.str-el
121,123Sb NQR as a microscopic probe in Te doped correlated semimetal FeSb2 : emergence of electronic Griffith phase, magnetism and metallic behavior %
$^{121,123}Sb$核四极共振（NQR）被应用于低掺杂区的$Fe(Sb_{1-x}Te_x)_2$（\emph{x = 0, 0.01}和\emph{0.05}）作为微观零场探针，以研究\emph{3d}磁性的演变和金属行为的出现。而NQR光谱本身反映了通过个别NQR线的宽度的局部无序的程度，自旋晶格弛豫率（SLRR）$1/T_1(T)$探测在$Sb$ -网站的波动。涨落要么来自传导电子，要么来自磁矩。与半金属$FeSb_2$相比，在$1/T_1(T)T ( \sim exp/ (Δk_BT) ) $中具有明显的电荷和自旋能隙形成的特征，1\% $Te$掺杂的系统表现出几乎金属的导电性和几乎填充的能隙。SLRR系数$1/T_1(T)T \sim T^{-n} \sim T^{-0.2}$的弱发散指向电子相关对低温的存在，而\textit{5\%} $Te$掺杂的样品在SLRR系数中表现出大得多的发散，显示出$1/T_1(T)T \sim T^{-0.72} $。根据比热发散，SLRR符合$n\ =\ 2\ m\ =\ 0.56$的幂律。此外，$Te$掺杂的$FeSb_2$作为一种无序顺磁金属可能是电子格里菲斯相方案的平台。NQR证明了\emph{5\%}样品的$^{121,123}Sb$ NQR谱的显著不对称加宽。这具有与电子格里菲斯相一致的纯电子起源，并且可能源于增强的$…
2017-10-26 cond-mat.str-el
Electronic spectrum and hopping conductivity in highly doped lattice systems
本文考虑了局域载流子之间存在长程库仑相互作用的强无序晶格系统模型。总电子能量的特征在于存在多个亚稳态极小值（包括真正的基态），以及在这些极小值上的不同类型的激发光谱。一个数值计算的过程，占在有限尺寸的样品中的所有多体相关，证实了库仑间隙的存在，在单粒子谱，也提供了已知的平均场论的结果，作为非半填充间隙的不对称性，低能对激发的消失密度，修改的温度指数跳跃电导率。
1998-11-24 cond-mat.str-el
Metal Insulator Transition of Cr doped V2O3 calculated by hybrid density functional
用屏蔽交换杂化泛函方法计算了三氧化二钒不同相态的电子结构。的混合功能再现所有三个阶段，顺磁性金属（PM）相，反铁磁性绝缘相，和Cr掺杂的顺磁性绝缘（PI）相的电子性质。Cr掺杂V_2O_3的完全弛豫的超原胞模型在替代Cr原子周围存在极化子畸变，这种局部应变驱动PI-PM转变。PI相的带隙计算值为0.15eV，与实验结果吻合较好。
2013-03-21 cond-mat.str-el
Electronic structure of tungsten-doped vanadium dioxide
调节M $_{1}$ VO $_{2}$的金属-绝缘体转变温度的常用方法是通过掺杂或输入应力或应变来破坏Peierls配对。然而，由于即使添加少量的掺杂剂也会改变能带结构，因此尚不清楚掺杂的VO $_{2}$如何保持其在实验中观察到的绝缘特性。虽然强相关性可能是保持差距的原因，但由于所涉及的多体问题的复杂性，很难获得理论证据。在这项工作中，我们使用GW计算修改，包括强本地$\textbf{k}$空间相互作用，调查钨掺杂的能带结构的变化。我们发现，结合载流子掺杂和实验观察到的结构缺陷引入的列入钨是一致的变化，从带状莫特绝缘行为。
2017-09-18 cond-mat.str-el
Electronic States in the Antiferromagnetic Phase of Electron-Doped High-Tc Cuprates
利用数值精确对角化技术研究了t-t '-t''-J模型中电子掺杂铜氧化物反铁磁相的电子态。当AF关联随温度的降低而发展时，电导率出现了类似间隙的行为。同时，由于相同的子晶格跳跃的载流子的相干运动增强。我们认为该相位在动量k=（π，0）和（0，π）附近是一个具有小费米面的AF态.这与空穴掺杂的铜氧化物的行为形成显著对比。
2001-10-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic Griffiths Phase in the Te - Doped Semiconductor FeSb$_{2}$
我们报告出现的电子格里菲思相（EGP）的杂质半导体FeSb $_{2}$，预测无序绝缘体与随机本地化的时刻在附近的金属-绝缘体转变（MIT）。Fe（Sb $_{1-x}$ Te $_{x}$）$_{2}$单晶的磁性、输运和热力学测量显示出无序诱导的非费米液体行为的特征和强电子相关性的威尔逊比。EGP状态被发现在金属边界上，在绝缘状态（$x = 0$）和长距离但弱的磁序（$x \geq 0.075$）之间。
2016-04-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
A `checkerboard' electronic crystal state in lightly hole-doped Ca_{2-x}Na_{x}CuO_{2}Cl_{2}
空穴掺杂铜氧化物的相图显示在零温度下存在四种不同的电子相。其中常见的有莫特绝缘体、高转变温度超导体和金属相。第四阶段，ofunknown身份，发生在轻掺杂沿零温度约束的“pseudogap”制度。该政权富含奇特的电子现象，促使人们提出许多建议，认为它包含某种形式的隐藏电子秩序。在这里，我们提出了低温电子结构成像研究的轻空穴掺杂氧化铜：Ca_{2-x} Na_{x} CuO_{2} Cl_{2}。隧道光谱（在能量|E| >100 meV）显示电子提取概率大大超过那些注入，如预期的掺杂莫特绝缘体。然而，对于<100 meV的|E|，光谱表现出以E=0为中心的V形能隙。在这个间隙内的状态进行强烈的空间调制，与四个CuO_{2} -unit-cell正方形棋盘的空间相关性，独立于能量。复杂的原子尺度电子结构变化也存在于棋盘中。这些数据是一致的一个意想不到的晶体电子状态，可能是隐藏的电子秩序，存在于零温度赝能隙制度的Ca_{2-x} Na_{x} CuO_{2} Cl_{2}。
2004-09-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic correlations and Fermi liquid behavior of intermediate-band states in titanium-doped silicon
我们研究了硅中间隙钛形成的中间带的电子态的性质。我们的单站点的描述结合了电子相关性的影响，捕获的动态平均场论，和混乱，使用相干势近似和典型的介质平均场论建模。对于所有的研究浓度的扩展金属态具有强烈的耗尽态密度在费米能级获得。自能是费米液体的特征，并且在一定温度下揭示了相干准粒子的存在。
2021-11-16 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Electronic inhomogeneity and competing phases in electron-doped superconducting Pr0.88LaCe0.12CuO4
我们使用中子散射证明，电子掺杂的超导Pr 0.88 LaCe 0.12 CuO 4在欠掺杂制度是电子相分离的基态，表现出超导相与三维反铁磁有序相和准二维自旋密度波调制共存。两个反铁磁相的Neel温度随超导转变温度（Tc）的增加而线性下降，当达到最佳超导性时，Neel温度为零。这些结果表明，电子掺杂的铜氧化物接近量子临界点，其中不同竞争态之间的微妙能量平衡导致微观异质性。
2005-01-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic Transport Studies of Ag-doped Bi2Se3 Topological Insulator
介绍了掺银Bi_2Se_3单晶的结构、磁输运和角分辨光电子能谱（ARPES）。温度依赖的电阻率表现出金属的行为与斜率变化超过200 K的Ag掺杂的Bi 2Se 3。磁电阻在低场下表现出正的二次依赖性，满足Kohler规则。霍尔电阻率测量表明电子是主要的载流子。此外，这些结果与在T = 20 K时观察到的ARPES谱吻合得很好，其中费米能级位于体导带内。的拓扑表面状态的狄拉克点移向更高的结合能（~ 0.12 eV）的Ag掺杂的样品相比，原始的Bi 2Se 3。
2023-03-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Doping evolution of the electronic specific heat coefficient in slightly-doped La2-xSrxCuO4 single crystals
详细的掺杂依赖的电子比热系数γ的La 2-xSrxCuO 4（LSCO）的单晶在轻微掺杂制度进行了研究。我们发现，γ系统地增加与掺杂，而且，即使在反铁磁（AF）制度的样品，γ已经获得有限的值，并与x的增长。这表明有限的电子态密度（DOS）是在AF机制中产生的，其中输运在低温下显示出强烈的局域化，这意味着该系统不是一个具有明显间隙的真正绝缘体，即使它仍然保持长程AF秩序。
2008-08-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Strong similarities between the local electronic structure of insulating iron pnictide and lightly doped cuprate
关于非常规超导性的一个主要难题是，一些最有趣的超导体如何与位于附近的绝缘相相关。在这里，我们报告的局部电子结构的扫描隧道显微镜研究铜掺杂的NaFeAs的超导体到绝缘体的转变。我们发现，在高绝缘制度的电子光谱发展的能隙的状态密度在费米能级减少。光谱的整体线形和强烈的空间变化与靠近母体莫特绝缘体的轻掺杂铜酸盐惊人地相似。我们认为，铜掺杂对巡游电子态的抑制和强杂质势导致了这种绝缘的铁磷属元素化物。
2015-04-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic and optical properties of Cr and Cr-N doped anatase TiO2 from screened Coulomb hybrid calculations
采用混合密度泛函理论计算方法研究了Cr和N共掺杂的TiO 2的电子结构和原子结构。非定域屏蔽Hartree-Fock交换能与传统的半定域交换能部分混合。这不仅治愈了带隙低估，而且改善了阴离子/阳离子驱动的杂质状态和掺杂剂的磁化的描述。Cr和/或N掺杂改变了TiO 2的价带和导带边缘，导致显著的带隙减小。因此，Cr、N和Cr-N掺杂的TiO 2有望用于增强的光活性。
2013-03-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Influence of oxygen reduction on the structural and electronic properties of electron-doped Sr1-xLaxCuO2 thin films
采用射频反应溅射法在KTaO 3和DyScO 3衬底上外延生长了单相c轴取向e掺杂Sr 1-xLaxCuO 2薄膜。生长的薄膜由于氧过剩而绝缘，氧还原是观察超导性所必需的。为了达到超导性，采用了两种不同的方法。一方面，在两种类型的基板上沉积的一系列薄膜上进行原位还原过程。另一方面，异位还原程序上依次进行沉积在DyScO 3上的单个膜。氧还原对薄膜的结构和电子性质的影响的研究提出和讨论。
2008-11-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic and Magnetic Properties of Sr and Ca Doped Lanthanum Manganites from First-Principles
通过自旋极化第一性原理计算可以理解Sr和Ca掺杂镧锰氧化物的复杂的电子、磁性和庞磁电阻（CMR）性质。电子性质可以归因于Sr和Ca诱导的类金属O 2 p和多数自旋Mn eg离域态与费米能级（EF）附近的类绝缘体少数自旋Mn t2 g带之间的详细平衡。磁性可以归因于O介导的反铁磁超交换和离域的多数自旋Mn电子态介导的铁磁自旋-自旋耦合之间的详细平衡。而巨磁电阻的产生是由于外加磁场使被包围的磁畴排列起来，从而抑制了Mn的t2 g空态的俘获能力，而这种俘获能力正是阻碍Mn的自旋电子运动的主要原因.
2006-04-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Disentangling single-particle gap by electronic Raman absorption in electron-doped cuprates
在电子掺杂的铜氧化物的下至最佳掺杂制度中，理论上怀疑存在超导（SC）和反铁磁（AFM）有序共存。准粒子激发能隙可以由两个顺序，和有效的间隙是非单调的d-波在动量空间。或者，该缺口也被推测为纯配对缺口。使用一个有效的微观模型，我们认为在电子拉曼光谱中的准粒子间隙的表现在掺杂水平的范围内，其中的SC和AFM序参量的相对强度变化。我们证明，从电子拉曼光谱的有效单粒子间隙可以解开到两个不同的订单的贡献。这将有助于判断非单调间隙是否是由于SC和AFM订单的共存。
2006-10-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Competing Electronic Phases near the Onset of Superconductivity in Hole-doped SrFe2As2
一个有趣的复杂的相图Na掺杂SrFe2As2的发现使用高分辨率的热膨胀，磁化强度和热容测量。详细的温度依赖性的正交畸变和均匀磁化率的各向异性提供了证据，9个不同的电子相位附近的条纹反铁磁性和非常规的超导性之间的过渡区。特别是，我们报告发现了一个新的磁相，它与超导性的竞争令人惊讶地强烈。从理论研究中，我们提出，这个阶段是一个双Q相的混合物组成的独特的相称的磁秩序与一个特殊的温度依赖的磁矩重取向。
2019-06-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Absence of metallicity in K-doped picene: Importance of electronic correlations
钾掺杂的picene（$_x$ picene）最近被报道在$x=3$是一种超导体，其临界温度高达18 K。本文采用光电子能谱学和{ \it ab initio}密度泛函理论结合动力学平均场论（DFT+DMFT）方法研究了K掺杂的picene薄膜的电子结构.实验上，我们观察到，除了虚假的光谱重量，由于缺乏一个均匀的化学势在低K-浓度（$x \approx 1$），光谱总是显示一个有限的能隙。这一结果是支持我们的DFT+DMFT计算提供了明确的证据，K $_x$ picene是一个莫特绝缘体的整数掺杂浓度$x=1$，2和3。我们讨论了各种方案，以了解与以前的超导性和金属行为的报告的差异。
2013-04-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic structure of Fe (0-5 at. %) doped MoO2 thin films studied by resonant photoemission spectroscopy
用共振光电子能谱研究了脉冲激光沉积Mo_（1-x）Fe_xO_2（x=0，0.02和0.05）薄膜在Mo-4 p吸收边附近的电子结构。在所有的样品中，在整个价带区都观察到了~46 eV的宽Fano共振峰，这表明Mo-4 d态在整个价带区的贡献。Fe的掺杂导致Mo的4d态减少，而4d态对低结合能区的电子态贡献较大。除此之外，我们还观察到在掺杂样品的价带谱中在4.9 eV处的肩部。有人提出，这个肩膀的起源是由于Fe的杂化状态。
2008-07-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Signature of Electronic Correlations in the Optical Conductivity of the Doped Semiconductor Si:P
在高掺杂但仍然绝缘的硅中，电子在低温下的输运主要是局域态之间的跳跃;它可以作为无序固体的模型系统，可以研究电子相互作用。我们研究了掺磷硅在太赫兹频率范围内（30 GHz到3 THz）低温下的频率依赖电导率$T\geq 1.8$ K.定性地观察到Efros和Shklovskii预测的从线性到二次频率依赖性的光学电导率的交叉;然而，简单的模型不会导致定量的一致性。覆盖了很大范围的施主浓度，我们的温度和频率依赖的调查显示，在低温下，局域态之间的电子相关效应发挥着重要而复杂的作用。特别是，我们发现一个超线性的电导率的频率依赖性，突出的状态密度的影响，即库仑间隙，对光学电导率。当通过增加掺杂浓度接近金属到绝缘体转变时，介电常数和局域化长度表现出临界行为。
2007-03-06 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Appearance of a Domain Structure and its Electronic states in Iron Doped 1$T$-TaS$_2$ Observed using Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy
本文报道了铁掺杂1-$T$-Ta $_{1-x}$ Fe $_x$ S $_2$的扫描隧道显微镜和光谱（STM/STS）测量结果.在Ta $_{0.99}$ Fe $_{0.01}$ S $_2$中观察到了一种由畴壁分隔的局域畴组成的新型畴结构，Mott跃迁被完全抑制.这表明Mott态的熔化伴随着畴结构的出现。由于在超导Ta $_{0.98}$ Fe $_{0.02}$ S $_2$中畴壁的数目增加，所以畴壁似乎是铁掺杂1 $T$-Ta S $_2$中超导电性的原因.
2017-10-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic band structure of BaCo$_{2}$As$_2$: a fully-doped ferropnictide with reduced electronic correlations
本文报道了BaCo $_{2}$ As $_2$的费米面和电子能带结构的角分辨光电子能谱研究。虽然它的准嵌套自由费米面从它的Fe-磷属元素化物表兄弟，我们表明，BaCo $_{2}$作为$_2$系统可以被用来作为一个近似的裸未占用的能带结构的相关BaFe $_{2-x}$ Co $_x$作为$_2$和Ba $_{1-x}$ K $_x$ Fe $_2$作为$_2$化合物。然而，我们的实验结果，与动力学平均场理论计算一致，表明电子相关性在BaCo $_{2}$ As $_2$中比在铁磷族化合物中重要得多。我们的研究结果表明，这种效果是由于增加填充的电子3 $d$壳中存在显着的Hund的交换耦合。
2012-10-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Orbital disproportionation of electronic density - a universal feature of alkali-doped fullerides
碱金属掺杂的富勒烯化合物A $_n$ C $_{60}$在A= Li、Na、K、Rb、Cs和掺杂度$n=1-5$的函数中显示出非常宽的电子相范围。虽然强电子相关性的存在是公认的，最近的调查也给出了证据的动态扬-泰勒不稳定性的绝缘和金属相的A $_3$ C $_{60}$。为了揭示这些相互作用在富勒烯甚至$n$的相互作用，我们解决了电子阶段的$_4$ C $_{60}$与准确的多体计算在一个现实的电子模型，包括所有基本的相互作用提取的第一原则。我们发现在这些材料中也总是存在Jahn-Teller不稳定性。更值得注意的是，与强关联的A $_3$ C $_{60}$形成鲜明对比，A $_4$ C $_{60}$显示不相关的带绝缘状态，尽管在两个富勒烯中存在非常相似的相互作用。结果表明，简并LUMO带的Jahn-Teller不稳定性和伴随的电子密度轨道偏移是富勒烯的普遍特征。
2016-09-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Systematic changes of the electronic structure of the diluted ferromagnetic oxide Li-doped Ni$_{1-x}$Fe$_x$O with hole doping
利用光电子能谱（PES）和X射线吸收谱（XAS）研究了Li掺杂Ni $_{1-x}$ Fe $_x$ O的电子结构. Ni $2p$芯能级的PES和XAS谱没有被Li掺杂改变。相反，Fe $^{3+}$强度相对于Fe $^{2+}$强度随着Li掺杂而增加。而Fe $^{3+}$的增加只是掺杂Li含量的$\sim 5%$，表明大部分掺杂空穴进入O $2p$和/或电荷转移组态Ni $3d^8\underline{L}$。随着Li含量的增加，Fe的3d偏态密度和价带顶附近的主价带发射增加，这与电导率的增加是一致的。基于这些发现，束缚磁极化子的渗流被认为是铁磁行为的起源。
2007-11-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Influence of electronic correlations on orbital polarizations in the parent and doped iron pnictides
轨道极化和电子关联是理解多轨道FeAs基超导体正常态和超导性质的两个基本方面。在这封信中，我们提出了一个系统的研究铁磷属元素的轨道极化从弱到强库仑相关的KRSB方法。LaFeAsO的双轨道模型的磁相图清楚地表明，在很宽的掺杂范围内存在具有相当大的轨道极化的条纹状反铁磁金属相。在中间关联区，轨道极化发生反转，小的晶场分裂增强了轨道密度波阶。
2011-06-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theoretical study on spintronic and optical property prediction of doped magnetic Borophene
本研究基于第一性原理和密度泛函理论，分析了锂、钠、镁掺杂P6/mmm型硼烯的电子、磁学及光学性质，发现锂掺杂为最优异的自旋电子材料，适用于光电子器件设计。
2023-09-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Regimes of electronic transport in doped InAs nanowire
本文利用SGM技术研究Si掺杂InAs量子线的低温磁输运，通过背栅电压调节载流子浓度，实现了从库仑阻塞到扩散等多种输运机制的转变，并揭示了SGM图案与普适电导涨落的关系及分形行为。
2023-05-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
The competition between the superconducting and the excitonic phases on doped Dirac electronic systems
本文研究了二分平面晶格上狄拉克电子的超导相和激子相之间的竞争。由自由能的极小值给出了超导或激子凝聚出现的条件，并对我们的结果进行了解释。
2012-11-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Bulk electronic structure of optimally doped Ba(Fe$_{1-x}$Co$_{x}$)$_2$As$_2$
我们报道了高分辨率的体康普顿散射测量结果，揭示了最佳掺杂的铁砷化物超导体Ba（Fe $_{0.93}$ Co $_{0.07}$）$_2$ As $_2$的费米面。我们的测量结果与电子结构的第一性原理计算一致，揭示了$X$为中心的电子口袋和$Γ$为中心的空穴口袋。此外，我们的数据是一致的强三维性的这些表，已被预测的电子结构计算在本地密度近似最小的位置。非相互作用磁化率$χ_0({\bf q}, ω)$的补充计算表明，由于带间费米面嵌套而产生的宽峰，激发了这类材料的超导性的几种理论，在这个家族中测得的费米面的三维性中幸存下来。
2010-02-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconducting electronic state in optimally doped YBa2Cu3O7-d observed with laser-excited angle-resolved photoemission spectroscopy
利用激光激发角分辨光电子能谱研究了最佳掺杂YBa_2Cu_3O_（7-d）的低能电子结构。表面状态和CuO的链状带，通常重叠的CuO 2平面衍生的频带未被检测到，从而使体超导状态的一个清晰的观察。观察到的费米面的双层分裂沿（0，0）-（pi，pi）方向约为0.08埃^{-1}，明显大于Bi 2Sr 2CaCu 2 O 8 +d。在~60 meV的带色散反映重整化效应的扭结结构显示类似于在其他空穴掺杂的铜氧化物。超导能隙的动量依赖性显示出d_{x^2-y^2}波状振幅，但沿（0，0）-（pi，pi）方向显示出非零的最小值~12 meV。这种意想不到的“无节点”的间隙行为的可能起源进行了讨论。
2009-03-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Low-lying electronic structure of doped triangular cobaltates
我们报告详细的费米表面拓扑结构和准粒子动力学的主机钴酸钠0.7CoO2。费米面的直接映射进行角分辨光电子能谱（ARPES）。费米面在16K时是一个以γ点为中心的空穴袋。电子液体的高度相关的性质证明了通过一个价卫星和通过重整化的准粒子色散的强烈的现场库仑相互作用。准粒子只有在150K以下才表现出光谱相干性，其中包括非费米液体区域。
2006-05-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
On the microscopic origin of the magneto-electronic phase separation in Sr doped LaCoO3
用局域探针研究了掺杂La_（1-x）Sr_xCoO_3钙钛矿的纳米磁电子相分离。相分离是直接观察到的穆斯堡尔谱在所研究的掺杂范围为0.05 <= x <= 0.25在室温下，以及在低温磁相。扩展与当前的同步加速器为基础的X射线光谱，这些数据有助于表征的体积以及不同阶段的局部电和磁性能。基于掺杂Sr离子的随机分布的简单模型很好地描述了分离相的演化以及Co自旋态的变化。实验表明，Sr掺杂引发小液滴和高度掺杂驱动的钴自旋态转变，而无Sr的第二相随着Sr含量的增加而迅速消失。
2013-07-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Correlated Electronic Structures and the Phase Diagram of Hydrocarbon-based Superconductors
基于动力学平均场论，我们研究了电子掺杂烃分子固体的相关电子结构和相图。我们发现，在金属-绝缘体转变附近，烃类超导体如电子掺杂的并五苯和三苯的基态是多带费米液体，而非超导的电子掺杂的并五苯的基态是单带费米液体。分子轨道能级分裂的大小在产生电子掺杂烃固体的超导电性中起关键作用。碳氢化合物固体的多能带性质将通过费米能级处的态密度增强来增强超导性。
2013-06-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic structure of heavily electron-doped BaFe$_{1.7}$Co$_{0.3}$As$_2$ studied by angle-resolved photoemission
我们对重电子掺杂非超导BaFe $_{1.7}$ Co $_{0.3}$ As $_2$进行了高分辨角分辨光电子能谱研究。我们发现在空穴掺杂的超导体Ba $_{0.6}$ K $_{0.4}$ Fe $_2$ As $_2$中观察到的两个空穴费米面口袋在该化合物中不存在或非常小，而在M点处的两个电子口袋由于Co替代的电子掺杂而显著膨胀。非SC和SC样品的费米面的比较表明，通过反铁磁波矢连接的空穴和电子口袋的共存是实现铁基超导体的超导性机制的必要条件。
2009-03-05 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Van der Waals density functional study of the structural and electronic properties of La-doped phenanthrene
采用基于van der Waals密度泛函理论的第一性原理计算，研究了La掺杂菲的晶体结构和电子性质.通过对La $_1$菲不同初始结构的原子位置弛豫，得到了两种稳定的原子几何构型。结构- \uppercase \expandafter{\romannumeral1}是具有两个穿过费米能级的能带的金属，而结构- \uppercase \expandafter{\romannumeral2}显示具有0.15 eV的能隙的半导体状态，与结构- \uppercase \expandafter{\romannumeral1}相比，其具有每单位晶胞0.42 eV的能量增益。La $_1$菲最显著的特征是La $5d$电子对费米能级附近的总态密度（DOS）有显著贡献，这与钾掺杂菲和picene不同。我们的研究结果为理解La掺杂菲的超导电性提供了重要的基础。
2013-11-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic phase separation in lightly-doped La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$
研究了极轻掺杂La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$（$x<$ 0.02）中空穴浓度对磁关联的影响，结果表明在低温下存在三维反铁磁（AF）长程有序相和自旋玻璃相.发现在共存区中的自旋玻璃相也表现出与La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$（0.02 $\le x\le$ 0.055）中的纯自旋玻璃相一样的对角自旋调制。在$x\sim$ 0.02以下，对角线条纹结构与$x\sim$ 0.02中的对角线条纹结构相同，其体积分数几乎与空穴浓度成正比，这表明掺杂空穴发生电子相分离，从而形成空穴浓度为$h_c\sim$ 0.02的一些区域和$h_c\sim$ 0的其余区域。这一结果还表明，AF和自旋玻璃相之间的过渡约PDMATHAMT =0.02是一级。
2002-01-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Novel Electronic State and Superconductivity in the Electron-Doped High-Tc T'-Superconductors
在这篇综述文章中，我们展示了我们最近的结果有关的电子掺杂的高Tc铜氧化物与所谓的T'结构的未掺杂（无Ce）的超导电性。在引言部分，我们简要介绍了电子掺杂T ′-铜氧化物的特性，包括还原退火、常规相图和非掺杂超导电性。然后，我们的运输和磁性的结果和结果有关的超导配对对称性的未掺杂和欠掺杂的T '-铜酸盐。合作光谱和核磁共振结果也简要显示。已经发现，通过还原退火，在生长的样品中伴随着反铁磁赝能隙的载流子的强局域化状态在还原的超导样品中改变为具有短程磁序的金属和超导状态。在还原超导样品中由于极少量的过量氧而形成短程磁有序表明，母体化合物中表现出非掺杂超导性的T '-铜氧化物与空穴掺杂的高Tc铜氧化物一样，被认为是强关联电子系统。我们展示了我们提出的电子结构模型来理解未掺杂的超导电性。最后，对今后T ′-铜酸盐的研究方向进行了展望。
2017-07-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Nested Fermi surfaces and correlated electronic phases in hole-doped semiconductor quantum wells
我们证明了在空穴-杂质半导体量子阱中存在着新的相互作用效应，这种相互作用效应与掺杂变化时费米表面几何形状的巨大变化有关。我们目前的能带结构计算表明，在$p$型立方半导体中形成的量子阱在由量子阱的宽度$d$设定的临界空穴密度下发展出嵌套费米面。嵌套引起竞争超导和电荷或自旋密度波秩序，我们分析使用微扰重整化群方法。相关相可以通过将空穴密度朝向或远离临界密度调谐来产生或破坏。我们的研究结果建立了$p$型半导体量子阱作为一个平台，新的相关阶段，这可能是精确控制使用静电门控和外部磁场。
2021-11-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
