Anomalous dielectric response in the dimer Mott insulator $κ$-(BEDT-TTF)$_2$Cu$_2$(CN)$_3$
我们测量和分析了二聚体莫特绝缘体$κ-$（BEDT-TTF）$_2$ Cu $_2$（CN）$_3$的介电常数，它被称为自旋液体状态的操场。最出乎意料的是，这种特定的有机盐具有非平凡的电荷自由度，其特征在于低于约60 K的偶极玻璃样介电弛豫。这归因于二聚体内的电荷分离，由于位间库仑排斥。在这方面，这里观察到的偶极子是纯粹的量子力学，从而表现出意想不到的响应。
2010-07-19 cond-mat.str-el
Charge-Transfer Excitations in One-Dimensional Dimerized Mott Insulators
利用一维二聚扩展哈伯德模型研究了一维二聚莫特绝缘体的光学性质。数值计算和微扰分析从双聚体的限制澄清，有三个相关的类的电荷转移（CT）状态产生的光激发：interdimer CT未结合状态，interdimer CT激子状态，和intradimer CT激子状态。这种分类适用于理解的有机分子材料，1，3，5-三硫杂-2，4，6-三氮杂并环戊二烯基（TTTA），这是已知的光诱导从二聚自旋单重态相的顺磁相的转变的光学性质。结果表明，TTTA的最低光激发态是二聚体间CT激子态，次低光激发态是二聚体内CT激子态。
2007-05-16 cond-mat.str-el
Relaxor ferroelectricity induced by electron correlations in a molecular dimer Mott insulator
我们研究了具有正方晶格的反铁磁二聚体-莫特绝缘体β '-（BEDT-TTF）2 ICl 2与自旋液体候选物kappa-（BEDT-TTF）2Cu 2（CN）3的介电响应。介电常数的温度依赖性表现出一个峰结构服从居里-外斯定律，具有很强的频率依赖性。通过热释电测量发现了二聚体的各向异性铁电性，这表明二聚体中存在电荷极化。铁电体的实际电荷冻结温度与反铁磁相互作用有关，而反铁磁相互作用与系统中的电荷-自旋耦合自由度有关。
2013-01-29 cond-mat.str-el
Wigner-Mott quantum criticality: from 2D-MIT to 3He and Mott organics
在过去的20年里进行的实验已经揭示了几个二维（2D）费米子系统之间惊人的相似性，包括半导体中的稀释二维电子液体，3 He单层和层状有机电荷转移盐。这些实验结果，加上最近的理论进展，提供了令人信服的证据，强电子相关性-维格纳-莫特物理学-支配着相应的金属-绝缘体转变（MIT）的普遍特征。在这里，我们回顾了最近的理论工作，探索量子临界性的莫特和维格纳-莫特过渡，并认为，最令人费解的功能的实验发现自然和物理透明的解释基于这一观点。
2016-12-17 cond-mat.str-el
The ferroelectric Mott-Hubbard phase of organic (TMTTF)2X conductors
我们提出了准一维导体（TMTTF）2X族中铁电相变的实验证据。我们解释了这个新的过渡结合Mott-Hubbard状态的框架考虑到TMTTF分子堆上的自发电荷极化和X阴离子电位的双重作用。
2000-12-13 cond-mat.str-el
Magnetic-Field-Induced Mott Transition in a Quasi-Two-Dimensional Organic Conductor
通过在温度、压力和磁场控制下的电阻测量，研究了磁场对准二维层状有机导体$κ$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Cl中Mott转变附近的高关联金属的影响.结果表明，Mott转变附近的边缘金属相是敏感的一级场致局域化转变，从理论上预测。本研究结果的热力学考虑给出了一个概念性的压力场相图的莫特转变在低温下。
2004-09-22 cond-mat.str-el
Mott Transition, Antiferromagnetism, and d-wave Superconductivity in Two-Dimensional Organic Conductors
本文采用阻挫哈伯德模型的元胞动力学平均场论研究了层状有机导体的Mott相变、反铁磁性和超导电性。对于$t^{\prime}/t=0.3-0.7 $，d波超导相出现在反铁磁绝缘体和金属之间，或者对于$t^{\prime}/t\geq 0.8$，d波超导相出现在莫特绝缘体（自旋液体）和金属之间，这与包括$κ$ -（ET）$_{2}$ Cu $_{2}$（CN）$_{3}$的层状有机导体的实验一致。这些阶段是由一个强大的第一阶过渡分开。相图提供了许多深入了解d波超导的机制。有两个预测。
2006-09-13 cond-mat.str-el
Between Mott and cluster Mott: spin-orbit entangled dimer singlets in Ba$_3$CeRu$_2$O$_9$
University of Cologne（科隆大学）；Stockholm University（斯德哥尔摩大学）；Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY（德国电子同步辐射中心）；IFW Dresden（德累斯顿联邦物理研究所）；Technische Universität Dresden（德累斯顿工业大学）
研究Ba$_3$CeRu$_2$O$_9$中自旋-轨道纠缠单态的电子态行为，揭示其在局部莫特与准分子极限间的交叉区域特性。
2026-04-08 cond-mat.str-el
Electric-Field-Induced Mott Insulating States in Organic Field-Effect Transistors
我们认为注入到有机场效应晶体管的电子是强相关的可能性。单层并苯可以用哈伯德哈密顿量来模拟，类似于用于有机超导体的kappa-（BEDT-TTF）（2）X家族。注入的电子不一定经历到莫特绝缘体状态的转变，因为当系统被半填充时，它们将在块体晶体中经历。我们在从玻色子理论的框架下，在大哈伯德排斥的极限下，计算了获得绝缘态所需的填充物。我们还认为，这些莫特态是不稳定的一些临界层间耦合或长程库仑相互作用。
2002-10-25 cond-mat.str-el
Mechanism of Ambipolar Field-Effect Transistors on One-Dimensional Organic Mott Insulators
实验观察到的，双极场效应特性的莫特绝缘体复制在一维哈伯德模型连接到一个紧束缚模型的源极和漏极。肖特基势垒的形成，源于功函数的差异，考虑到由一个潜在的满足泊松方程与适当的边界条件。然后，这些场效应特性被证明是由独特的电流-电压特性的金属-莫特-绝缘体接口相关。
2007-10-18 cond-mat.str-el
Fragmented Electronic Spins with Quantum Fluctuations in Organic Mott Insulators near Quantum Spin Liquid
用~（13）C NMR研究了电子态位于量子自旋液体（X= EtMe 3Sb）附近的有机莫特绝缘体X[Pd（dmit）_2]_2（X= Me_4P，Me_4Sb）的磁性结构.反铁磁谱和核弛豫表明，Pd（dmit）2分子内存在两个不同的磁矩，不能用单带二聚体-Mott模型描述，需要分子内电子关联.这种非常规的S = 1/2电子自旋碎裂并伴随着强烈的量子涨落，推测是由近简并的分子内多轨道引起的，并且共享量子液体的概念，其中电子激发被碎裂，并且S = 1/2自旋不再是基本粒子。
2019-03-22 cond-mat.str-el
Exciton Recombination in One-Dimensional Organic Mott Insulators
我们提出了一个理论的复合（带电）holons和doublons在一维有机莫特绝缘体，这是负责的光激发金属态的衰变。由于电荷-自旋分离，在低电荷密度下复合的主要机制涉及多声子发射。我们表明，一个合理的耦合声子是足够的解释所观察到的快速复合ET-F $_2$ TCNQ的泵浦-探测实验，因此，我们也可以考虑测量的压力依赖性的复合率。
2015-08-14 cond-mat.str-el
Superconducting fluctuations in organic molecular metals enhanced by Mott criticality
非常规超导性通常发生在这样的材料中，其中一个参数的微小变化，如带宽或掺杂，导致反铁磁或莫特绝缘相。当这种竞争相接近时，超导体的性质往往变得越来越奇特。例如，在有机超导体和欠掺杂的高$T_\mathrm{c}$铜酸盐超导体中，波动的超导状态持续到显著高于$T_\mathrm{c}$的温度。通过对$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ X族准二维有机分子金属合金的研究，揭示了能斯特效应在极端Mott临界区的演化规律.我们发现强有力的证据表明，当相图穿过超导性到达莫特态时，超导涨落的温标急剧增加，最终接近准粒子完全可以识别的温度。
2013-10-14 cond-mat.str-el
Transport criticality of the first-order Mott transition in a quasi-two-dimensional organic conductor, $κ$-(BEDT-TTF)$_{2}$Cu[N(CN)$_{2}$]Cl
在连续可控的He气压下，对有机莫特绝缘体$κ$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Cl进行了电阻测量.一阶Mott转变被证明是由观察到的明显跳跃的电阻变化对压力。在38 K的临界点，电阻跃变消失，电阻的压力导数$|\frac{1}{R}\frac{\partial R}{\partial P}|$出现临界发散，这与动力学平均场论的预言相一致，并与液-气相变有唯象对应。这些结果为Mott相变临界态的物理研究提供了实验依据。
2003-09-18 cond-mat.str-el
Quantum Melting of Magnetic Order in an Organic Dimer-Mott Insulating System
研究了有机分子固体中电子自旋自由度和电荷自由度之间的量子纠缠效应，称之为二聚体-莫特绝缘体系，其中分子二聚体作为基本单元排列在晶体中.低能量有效模型包括反对称交换相互作用，作为主导磁相互作用之一。这种相互作用有利于90度自旋组态，并与海森堡型交换相互作用竞争。利用自旋波理论和Schwinger-boson理论研究了磁有序相的稳定性。研究发现，自旋-电荷相互作用促进了长程磁有序态在两个自旋-螺旋相合并的参数区域附近的不稳定性。讨论了在$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ Cu $_2$（CN）$_3$中观察到的量子自旋液体的意义。
2016-01-30 cond-mat.str-el
Mott Transition, Compressibility Divergence and P-T Phase Diagram of Layered Organic Superconductors: An Ultrasonic Investigation
本文用超声波速度测量法研究了有机超导体$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ Cu[N（CN）$_2$ Cl的相图。不同的相变被确定槽的几个弹性异常特征的等压和等温扫描。我们的数据揭示了两个交叉线的临界点上终止的一阶莫特过渡线。当临界点是接近沿这些线，我们观察到一个戏剧性的软化的速度是一致的发散压缩的电子自由度。
2002-09-23 cond-mat.str-el
Photoexcitation-Energy-Dependent Transition Pathways from a Dimer Mott Insulator to a Metal
在数值求解含时薛定谔方程的精确多体波函数的基础上，对二维四分之三填充扩展Peierls-哈伯德模型的光诱导二聚体-Mott绝缘体-金属跃迁的泵浦光子能量依赖途径进行了理论研究.当利用二聚体内部的分子自由度时，光激发可以减弱有效相互作用或增加光载流子的密度。在有机二聚体莫特绝缘体体$ κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ Cu[N（CN）$_2$ ]Br中，二聚体内和二聚体间电荷转移激发具有彼此重叠的宽带。即使在这种不利的情况下，光致电导率的变化在很大程度上取决于泵浦光子的能量，确认最近实验观察到的两个途径。通过计算有效相互作用的调制和参与低能光激发的载流子数，阐明了每条路径的特性。泵浦光子能量依赖的途径被证实是实现从发现，虽然有效的相互作用总是和缓慢减弱，载流子的引入是敏感的泵浦光子能量和进行得更快。
2011-06-14 cond-mat.str-el
Dimerization versus Orbital Moment Ordering in the Mott insulator YVO$_3$
本文利用精确对角化方法结合平均场论研究了立方钒酸盐自旋轨道模型的相图。自旋-轨道耦合与Hund交换竞争并触发新的相，其中$t_{2g}$轨道磁矩的有序性通过VO $_6$八面体的倾斜而稳定。它定性地解释了在YVO $_3$中观察到的自旋倾斜和磁化强度的降低。在有限温度下，即使在没有晶格畸变的情况下，$C$型反铁磁相的轨道Peierls不稳定性也会引起磁交换常数的调制。计算的自旋结构因子表明，由于轨道Peierls二聚化的磁振子分裂。
2003-06-25 cond-mat.str-el
Sound Velocity Anomaly at the Mott Transition: application to organic conductors and V2O3
在Mott转变附近，晶格自由度对电子自由度的软化作出反应。这将导致晶格间距的变化，发散的压缩性和声速的临界异常。在一个简单的模型，在动态平均场论的框架内，这些影响进行了研究。结果与最近的层状有机κ-（BEDT-TTF）_2Cu[N（CN）_2]Cl导体的实验结果相比较。我们预测，类似的幅度的影响预计V2 O3，尽管该材料的弹性模量的值大得多。
2004-10-12 cond-mat.str-el
Non-Fermi-liquid behavior and doping asymmetry in an organic Mott insulator interface
高$T_{\rm C}$超导体在正常状态下表现出反常的输运性质，如坏金属和赝能隙行为。为了讨论它们的起源，重要的是要通过研究相似但不同的材料系统来推测这些行为是依赖于材料还是在莫特转变附近的普遍现象。由于二维Mott绝缘和超导状态之间的相邻性、简单的电子性质以及同一样品中的高掺杂/带宽可调谐性，有机Mott晶体管适合于此目的。在这里，我们报告的电子和空穴掺杂下的有机莫特双电层晶体管的输运性质的温度依赖性。在高温下，坏金属行为广泛出现，除了在半填充，无论掺杂极性。在较低的温度下，只观察到的赝隙行为下的空穴掺杂，而费米液体的行为下观察到的电子掺杂。坏金属行为似乎是一个普遍的高能尺度现象，而赝能隙行为是基于较低的能量尺度的物理，可以通过能带结构的细节的影响。
2019-09-09 cond-mat.str-el
Critical Behavior in Doping-Driven Metal$-$Insulator Transition on Single-Crystalline Organic Mott-FET
我们提出了在场效应晶体管（FET）沟道中观察到的掺杂驱动的Mott转变附近的载流子输运性质，所述场效应晶体管（FET）沟道使用典型的二维有机莫特绝缘体$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ CuN（CN）$_2$ Cl（$κ$-Cl）的单晶。相变似乎涉及两步交叉，一个在霍尔测量中，另一个在电导率测量中。电导率的交叉发生在电导量子$e^2/h$周围，因此与“坏金属”行为无关，这与半填充有机莫特绝缘体或掺杂无机莫特绝缘体中的MIT形成鲜明对比。通过对电导率的深入标度分析，发现上述MIT附近的载流子输运性质可以用高温Mott量子临界渡越来描述，理论上认为这是各种类型Mott跃迁的普遍特征. [This本文件是提交作品的未经编辑的作者版本，该作品随后在同行评审后被接受在Nano Letters上发表，版权所有©American Chemical Society。要访问最终编辑和出版的工作，请参阅http：//dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b03817]
2017-01-12 cond-mat.str-el
Electronic Ferroelectricity in a Dimer Mott Insulator
基于最近的实验结果，研究了kappa-（BEDT-TTF）_2Cu_2（CN）_3二聚体-莫特绝缘体的介电和磁性。我们推导出有效的哈密顿量，其中每个二聚体的电子数为1。利用平均场方法和蒙特卡罗方法获得了有限温度下的电荷和磁结构。磁性相和铁电相是相互排斥的。在二聚体-莫特相和铁电相之间的相边界附近，介电波动是显著的。讨论了kappa-（BEDT-TTF）_2Cu_2（CN）_3的研究结果。
2010-02-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Competition of Dimerization and Charge Ordering in the Spin-Peierls State of Organic Conductors
本文用Peierls-哈伯德模型研究了在四分之一填充下，在二聚作用、在位排斥作用和最近邻排斥作用下，电荷有序对自旋Peierls（SP）态的影响.考虑到二聚化的存在，用基于玻色化的重整化群方法变分计算了键畸变。当电荷有序化出现在V=V_c时，随着最近邻相互作用（V）的增加，由于二聚化和电荷有序化之间的竞争，畸变出现最大值。结果表明，在V = V_c时，从具有键交替的SP态到具有位置交替的混合态发生了二级相变.
2003-03-25 cond-mat.str-el
Mott and spin-Peierls physics in TiPO$_4$ under high pressure
TiPO $_4$是一种莫特绝缘体，是少数几种在低温下具有自旋Peierls相的无机化合物之一。最近的实验研究表明，在环境温度下，尽管在高压下，也存在自旋佩尔斯二聚化。在这里，我们提出了一个相结合的实验和理论研究的能量的高压阶段。我们分析了二聚化性质及其与自旋自由度的耦合。最重要的是，我们认为，TiPO $_4$ resents直接类似于著名的二元过渡金属氧化物VO $_2$。TiPO $_4$允许以受控方式评估高压区域中的自旋二聚体物理，具有成为二聚过渡金属氧化物类的重要模型系统代表的潜力。
2019-12-20 cond-mat.str-el
THz-Frequency Modulation of the Hubbard U in an Organic Mott Insulator
我们使用中红外脉冲与稳定的载波包络相位偏移驱动分子振动的电荷转移盐ET-F2 TCNQ，一个典型的一维莫特绝缘体。我们发现，莫特间隙，这是与10 fs的激光脉冲共振探测，与泵浦场振荡。这一观察结果表明，分子激发可以相干扰动电子的现场相互作用（哈伯德U）通过改变本地轨道波函数。间隙振荡的频率是振动模式的两倍，表明分子扭曲耦合平方的本地电荷密度。
2015-12-09 cond-mat.str-el
Field-induced carrier delocalization in the strain-induced Mott insulating state of an organic superconductor
本文报道了场效应对有机超导体$κ$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Br应变诱导Mott绝缘态直流电阻和霍尔系数的影响。电导率遵循活化传输公式$σ_{\Box} = σ_{0}\exp(-W/k_{B}T)$，其中$σ_{0}$为常数，$W$取决于栅极电压。霍尔系数的栅极电压依赖性表明，与传统FET不同，密集空穴载流子的有效迁移率（$\sim1.6\times 10^{14}$ cm $^{-2}$）通过正栅极电压而增强。这意味着载流子掺杂涉及由于电子相关而最初局部化的本征载流子的离域。
2009-09-21 cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transition in the Dimerized Organic Conductor $κ$-(BEDT-TTF)$_2$Hg(SCN)$_2$Br
有机电荷转移盐$κ$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ Hg（SCN）$_{2}$ Br是在环境条件下具有半填充导带的准二维金属。当冷却到低于$T=80$ K时，它经历到绝缘相的显著转变，其中电阻率增加许多数量级。为了阐明这种金属-绝缘体过渡的性质，我们进行了全面的运输，介电和光学调查。这些发现与其他二聚$κ$ -（BEDT-TTF）盐，特别是Cl-类似物，其中电荷顺序转换发生在$T_{\rm CO}=30$ K。
2017-07-21 cond-mat.str-el
Dimer Mott Insulator in an Oxide Heterostructure
研究了在相关氧化物异质结构中设计人工莫特绝缘体的问题。我们考虑了基于离子不连续掺杂的量子限制的极限，并认为在GdTiO $_3$基质中的单个SrO层的情况下可以实现独特的二聚体莫特绝缘体。在二聚体莫特绝缘体中，电子不是局限于单个原子，而是局限于在两个TiO $_2$平面的双层上形成的分子二聚体上的键合轨道，类似于20世纪90年代研究的哈伯德阶梯的莫特绝缘状态。我们通过从头算和模型哈密顿量研究验证了二聚体莫特绝缘体的存在，并发现对于合理的Hubbard $U$值，它是稳定的和铁磁性的，具有0.65 eV量级的明确的成键/反键分裂，以及显著较小的Mott带隙，其大小取决于$U$。极性不连续性、强结构弛豫和电子关联的综合作用都有助于实现这种独特的基态。
2013-01-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Optical probe of carrier doping by X-ray irradiation in organic dimer Mott insulator $κ$-(BEDT-TTF)$_{2}$Cu[N(CN)$_{2}]$Cl
研究了有机二聚体莫特绝缘体$κ$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Cl在X射线辐照下的红外光谱。我们观察到，照射造成了一个大的光谱重量转移从中红外区域，在二聚体和莫特-哈伯德带的带间跃迁发生，德鲁德部分在低能量区域，这导致莫特间隙崩溃。Drude部分的增加表明载流子掺杂到莫特绝缘体中是由于辐照缺陷。光谱权重的强重新分布表明有机莫特绝缘体非常接近带宽控制的莫特跃迁的相边界。
2008-10-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Mott transition and dimerization in the one-dimensional SU$(n)$ Hubbard model
采用密度矩阵重整化群（DMRG）方法，对一维SU $(n)$哈伯德模型的$n=2,3,4$、5在半填充和$1/n$填充下进行了数值研究.计算了能隙和各种量子信息熵。在半满的情况下，如果$n > 2$满足，则对于任意正的$U$，都可以得到有限的自旋和电荷能隙。此外，它表明，在$U_{\rm c}=0$的缺口相的转变是Kosterlitz-dieldless类型，并伴随着键二聚化的偶数和奇数$n$。在充满$1/n$的情况下，该跃迁具有与半充满SU（2）哈伯德模型中的金属-绝缘体跃迁相似的特征。对于$U>U_{\rm c}=0$，电荷间隙以指数方式缓慢打开，自旋扇区保持无间隙，并且基态是非二聚的。
2006-12-19 cond-mat.str-el
Charge and spin criticality for the continuous Mott transition in a two-dimensional organic conductor
研究了二维单带哈伯德模型中连续带宽控制的Mott跃迁，重点研究了电荷和自旋自由度的临界标度行为。利用元格集团动力学平均场论，我们发现有机导体的电荷和自旋临界性与实验结果一致。特别是，通过费米能级的局域态密度测量的电荷自由度显示出比伊辛普适类和单站点动力学平均场论预期的更平滑的过渡，揭示了在两个空间维度中短程非局域关联的重要性。通过局部自旋磁化率测量的自旋临界同意定量与核磁共振测量的自旋晶格弛豫率。
2011-08-01 cond-mat.str-el
Low-frequency charge-carrier dynamics in the vicinity of the Mott transition in quasi-two-dimensional organic superconductors $κ$-(BEDT-TTF)${}_{2}$X
本文利用涨落（噪声）谱研究了准二维有机电荷转移盐中Mott金属-绝缘体相变附近的相关载流子动力学。所观察到的$1/f$型波动的定量非常好地描述了基于非指数动力学的概念的唯象模型。主要的结果是一个相关性引起的增强的波动伴随着大量的频谱重量转移到低频率接近莫特临界端点。这种电子动力学的突然减慢可能是金属到绝缘体跃迁的普遍特征。对于相关性较低的金属材料，我们发现了一个交叉/过渡或多或少本地化的载流子在高温下跳跃运输到一个低温制度，其中的层的金属耦合允许相干层间传输离域电子。
2011-05-17 cond-mat.str-el
Anomalous Lattice Response at the Mott Transition in a Quasi-2D Organic Conductor
用高分辨衍射法研究了层状有机导体$κ$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Br的氘代晶体在Mott金属-绝缘体转变时的晶格参数的不连续变化。单轴膨胀率揭示了惊人的和意想不到的各向异性，特别是沿面内c轴的电子相互作用相对较强的零效应。一个巨大的热膨胀异常的端点附近的一级转变线，使探索具有非常高的灵敏度的临界行为。分析产生了临界波动，指数为$\tildeα \simeq$ 0.8 $\pm$ 0.15，与最近提出的这些材料的新临界性不一致[Kagawa \textit{et al.}，Nature \textbf{436}，534（2005）]。我们的数据表明，本材料的莫特转变中的晶格自由度的复杂作用。
2007-12-11 cond-mat.str-el
Collective Charge Excitation in a Dimer Mott Insulating System
研究了非极性二聚体Mott（DM）相和极性电荷有序（CO）相相互竞争的二聚体Mott绝缘体系中的电荷动力学。特别是，集体电荷激发在三个不同的模型，其中考虑到在二聚体的内部自由度进行了分析。集体电荷激发在非极性DM相和极性CO相中均存在，并在相界软化。该模式可通过光学电导率光谱观察到，其中光偏振平行于极性CO相中的电极化的强度。讨论了kappa-（BEDT-TTF）_2Cu_2（CN）_3的理论与实验结果之间的联系。
2012-08-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Ferroelectric Mott-Hubbard phase in organic conductors
本文介绍了有机金属铁电性和电荷歧化的相关现象的关键问题。在（TMTTF_2X）中，介电常数表明了铁电和反铁电相变的明显情况.磁化率和电导率证明了“无结构”铁电跃迁和通常的“阴离子”铁电跃迁的独立性和偶尔共存。他们的序列提供了通过几个对称性破缺步骤冷却时出现的三种类型的孤子的物理学。该理论引用了组合Mott-Hubbard态的概念，其重点是来自键的内置不等价性和站点的自发不等价性的电子Umklapp散射的弱过程。我们认为，Se亚族（TMTSF）_2X中也隐藏着铁电性形式的电荷有序，导致了未解释的低频光峰和增强的赝能隙。
2003-04-23 cond-mat.str-el
Phonon-Spectrum Narrowing Induced by Ultrafast Charge Fluctuation in an Organic Dimer Mott Insulator
我们在有机二聚体莫特绝缘体kappa-（ET）_2Cu_2（CN）_3中观察到了分子间声子谱的特征温度依赖性，在30 K时表现出介电反常。在稳态高斯过程的框架下，从运动窄化的角度分析了30 K时55 cm-1声子峰的反常谱窄化。例如，声子频率由超快电荷波动调制。在30 K时，相关时间τ c的时间常数和频率调制Δ的幅度满足关系式τ c在低于30 K时，在6 K时，在电荷玻璃附近或短程有序附近，τ c的增加干扰了运动窄化。另一方面，对于高于30 K的温度，动态变窄被干扰的增量随温度的升高。
2013-08-15 cond-mat.str-el
Inelastic neutron scattering measurements on the molecular dimer-Mott insulator $κ$-(BEDT-TTF)$_{2}$Cu[N(CN)$_{2}$]Cl reveal a phonon anomaly in a wide temperature range. Starting from $T_{\rm ins}\sim50$-$60$ K where the charge gap opens, the low-lying optical phonon modes become overdamped upon cooling towards the antiferromagnetic ordering temperature $T_\mathrm{N} = 27$ K, where also a ferroelectric ordering at $T_{\rm FE} \approx T_{\rm N}$ occurs. Conversely, the phonon damping becomes small again when spins and charges are ordered below $T_\mathrm{N}$, while no change of the lattice sym…
2020-12-14 cond-mat.str-el
Polaronic states with Spin-Charge-Coupled Excitation in a 1D Mott Insulator K-TCNQ
本文讨论了一维二聚莫特绝缘体四氰基醌二甲烷钾（K-TCNQ）的光生中隙态。两种类型的声子模式考虑：分子间和分子内的振动。我们用密度矩阵重整化群（DMRG）对这些声子模进行了理论处理，并对一个理论模型进行了分析。我们的数值计算结果表明，分子间晶格畸变是必要的再现光诱导的带隙吸收在K-TCNQ。我们发现两种类型的midgap状态。一种是通常的极化子态，其特征在于局域基元激发。另一种是掺杂载流子态和三重态二聚体态两种激发态的叠加，这通常可以在一维二聚莫特绝缘体中观察到，而不限于K-TCNQ。
2008-05-19 cond-mat.str-el
Spin-Density-Wave Phase Transitions in Quasi-One-Dimensional Dimerized Quarter-Filled Organic Conductors
研究了通过链间单粒子跳跃弱耦合的二聚四分之一填充Hubbard链的自旋密度波相变。结果表明，在SDW转变温度以上，金属相的非相干金属区（$t_{b0}<t_{b}^\ast$）和费米液相区（$t_{b0}>t_{b}^\ast$）之间存在一个临界$t_{b0}$，$t_{b}^\ast$.通过使用双回路微扰重整化群方法和随机相位近似，我们提出了一个涵盖两个区域的SDW相图。从$t_{b0}<t_{b}^\ast$的非相干金属相的SDW相变是由链内电子-电子umklapp散射向低温方向的增长引起的，这被认为是Mott能隙的预形成。讨论了准一维二聚四分之一填充有机导体（TMTTF）$_2$ X和（TMTSF）$_2$ X的SDW相变与本结果的关系.
1999-07-26 cond-mat.str-el
X-ray Irradiation-induced Carrier Doping Effects in Organic Dimer-Mott Insulators
我们报道了X射线辐照诱导载流子掺杂对有机二聚体-莫特绝缘体$κ$ -（ET）$_{2}$ $X$ with $X =$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Cl和Cu $_{2}$（CN）$_{3}$电导率的影响。对于$κ$ -（ET）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Cl，我们已经观察到在300 K的辐照下电阻率大幅度降低了40%，并且在50 K左右具有类似金属的温度依赖性。在供体分子位点处预期的辐照诱导的缺陷可能导致晶体中电荷转移的局部不平衡。这种分子缺陷导致载流子有效地掺杂到半填充的二聚体-莫特绝缘体中。
2007-10-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The physics of quantum many-body systems have been studied using bulk correlated materials, and recently, moiré superlattices formed by atomic bilayers have appeared as a novel platform in which the carrier concentration and the band structures are highly tunable. In this brief review, we introduce an intermediate platform between those systems, namely, a band-filling- and bandwidth-tunable electric double-layer transistor based on a real organic Mott insulator $κ$-(BEDT-TTF)$_{2}$Cu[N(CN)$_{2}$]Cl. In the proximity of the bandwidth-control Mott transition at half filling, both electron and ho…
2022-01-26 cond-mat.str-el
Local gate control of Mott metal-insulator transition in a 2D metal-organic framework
本文在二维绝缘体上合成kagome结构MOF，通过STM与模板诱导栅控局域调节电子占据，首次实验实现单层二维MOF中的Mott金属-绝缘体转变。
2024-05-01 cond-mat.str-el
Mott transition and transport crossovers in the organic compound $κ-(BEDT-TTF)_2 Cu[N(CN)_2] Cl$
我们对二维有机盐$κ$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Cl进行了面内输运测量。可变（气体）压力技术允许通过绝缘体到金属过渡的电导率的变化的详细研究。我们确定了四种不同的传输机制作为压力和温度的函数（对应于绝缘，半导体，“坏金属”，和强烈相关的费米液体行为）。在过渡区发现了明显的滞后现象，这显示了我们归因于强烈的空间不均匀性的复杂物理。远离临界区，发现良好的协议与动力学平均场计算的输运性质的数值重整化群技术。
2003-01-27 cond-mat.str-el
A spin-gapped Mott insulator with the dimeric arrangement of twisted molecules Zn(tmdt)$_{2}$
对单组分分子材料Zn（tmdt）$_{2}$进行了$^{13}$ C核磁共振测量，其中tmdt在准二维莫特绝缘体和超导体中形成类似于所谓的$κ$型分子堆积的排列。对粉末光谱的详细分析揭示了tmdt $π$轨道中的局部自旋磁化率。所得到的位移和弛豫速率揭示了$π$自旋的单重态-三重态激发，表明Zn（tmdt）$_{2}$是自旋带隙的莫特绝缘体，与传统的分子莫特系统相比具有异常大的电子相关性。
2017-06-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Multiple crossovers and coherent states in a Mott-Peierls insulator
本文考虑动力学平均场论中的二聚体哈伯德模型，研究了Mott和Peierls物理之间的相互作用和竞争。我们描述了相图的各种金属-绝缘体过渡线和沿它们发生的不同解决方案的分解。我们专注于辩论的莫特-佩尔斯绝缘体交叉的具体问题，并描述了系统的电子结构的演变整个相图。我们发现，在低内二聚体跳跃新兴的本地磁矩可以解除绑定以上的特征单线态温度$T^*$。当增加二聚体间跳跃时，电子结构发生微妙的变化。值得注意的是，我们发现哈伯德带的混合字符与相干和不相干的激发。我们认为，这种状态是相关的VO $_2$和它的签名可以在光谱研究中观察到，并可能通过泵探测实验。
2017-10-20 cond-mat.str-el
Unconventional critical behaviour in a quasi-two-dimensional organic conductor
改变系综中粒子之间的相互作用例如通过改变温度或压力可以导致相变，相变的临界行为取决于多体系统的集体性质。尽管成分的多样性，其中包括原子，分子，电子和它们的自旋，集体行为可以分为几个家庭（称为“普适类”）由典型的自旋模型表示。当电子之间的库仑排斥作用增加时，会发生一种转变，即莫特转变2，导致波动电子表现为粒子。在两个维度上，负责高转变温度的氧化铜3，4和organic 5 -7化合物的超导性的吸引行为出现在莫特转变附近，但二维排斥电子系统所属的普适性类仍然未知。在这里，我们提出了一个观察的临界现象，在压力引起的莫特转变在准二维有机导体使用电导测量作为探针。我们发现，莫特过渡在两个方面是不符合已知的普适性类，因为所观察到的集体行为以前没有看到。在二维空间中，任何接近莫特转变的涌现行为都必然包含这种特性。
2006-03-03 cond-mat.str-el
Mott Transition from a Spin Liquid to a Fermi Liquid in the Spin-Frustrated Organic Conductor kappa-(ET)2Cu2(CN)3
用$^1$ H NMR和电阻率测量研究了三角晶格自旋液体模型体系$κ$ -（ET）$_2$ Cu $_2$（CN）$_3$的压温相图.在压力下，自旋液相在莫特转变为金属或超导相之前是持久的。在Mott转变时，自旋涨落被迅速抑制，自旋-晶格弛豫速率和电阻率随温度的变化具有费米液体特征。相图中Mott边界的特征曲率反映了自旋阻挫对Mott相变的重要影响。
2005-10-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Bose and Mott Glass Phases in Dimerized Quantum Antiferromagnets
利用有限程相互作用下硬核玻色子到格子气的映射，研究了无序对磁场中二聚量子反铁磁体的影响。结合强耦合展开，副本的方法，和一个循环的重整化群分析，我们调查的玻璃相形成的性质。我们发现，远离莫特叶的尖端，过渡是从一个莫特绝缘体的可压缩玻色玻璃，但在尖端的可压缩性被强烈抑制。我们确定这一发现与一个罕见的莫特玻璃相的存在下，以前没有描述的任何分析理论，这个模型，并证明，列入复本对称性破缺是至关重要的正确描述的玻璃相。这一结果表明，玻色和莫特玻璃相的形成不仅仅是一个弱的本地化现象，而是更丰富的物理指示。我们讨论我们的结果的上下文中的超冷原子气体和自旋二聚体材料。
2015-10-20 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Electron localization near Mott transition in organic superconductor $κ$-(BEDT-TTF)$_{2}$Cu[N(CN)$_{2}]$Br
本文研究了X射线系统辐照的有机超导体$κ$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Br中无序对Mott跃迁附近电子性质的影响。我们观察到，X射线照射导致安德森型电子局域化由于分子无序。在低温下的电阻率表现出可变范围跳跃导电与库仑相互作用。实验结果清楚地表明，在Mott跃迁附近的库仑相互作用增强了无序电子的局域化。
2010-06-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The physics of the Mott metal-insulator transition (MIT) has attracted huge interest in the last decades. However, despite broad efforts, some key theoretical predictions are still lacking experimental confirmation. In particular, it is not clear whether the large coherent Fermi surface survives in immediate proximity to the bandwidth-controlled first-order MIT. A quantitative experimental verification of the predicted behavior of the quasiparticle effective mass, renormalized by many-body interactions, is also missing. Here we address these issues by employing organic $κ$-type salts as exempl…
2023-03-02 cond-mat.str-el
Metallic Pattern Fabrication in Organic Mott Insulating Crystal by Local X-Ray Irradiation
我们在有机莫特绝缘体$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ Cu[N（CN）$_2$ ]Cl中制备了金属结构。用扫描微区红外反射光谱技术观察了用X射线照射钼网掩模获得的约90 $\times$ 90 $μ$ m $^2$的周期性金属畴。在纳米到微米尺度的范围内没有发现辐照引起的劣化。我们证明，本处理方法是适用于分子电子器件的制造。
2008-07-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Optical Conductivity Measurement of a Dimer-Mott to Charge-Order Phase Transition in a Two-Dimensional Quarter-Filled Organic Salt Compound
我们报告了一种新的绝缘体-绝缘体转变所产生的内部电荷自由度的二维四分之一填充的有机盐β-（meso-DMBEDT-TTF）2 PF 6。高于Tc = 70 K的光学电导率谱显示二聚体-莫特绝缘体的突出特征，其特征在于随着温度的降低，在0.6 eV附近的二聚体峰显著增长。二聚体峰的增长迅速淬火，只要一个峰值的电荷顺序显示低于Tc，表明两个绝缘相之间的竞争。我们的红外成像光谱进一步揭示了远低于Tc的空间竞争性电子相，表明由材料参数变化驱动的量子相变的性质。
2013-10-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Emergence of superconductivity, valence bond order and Mott insulators in Pd[(dmit)2] based organic salts
$\EtMeP$和$\EtMeSb$近三角形有机盐与大多数其他Pd[（dmit）$_2$ ]基盐不同，因为它们分别显示价键和无长程序。在压力下，EtMe $_3$ P在价键级边界附近出现超导相.我们使用从转子理论与扩大的晶胞研究均匀和破缺的平移对称状态之间的竞争，提供了一个理论框架捕获超导，价键序，自旋液体，和金属相的各向同性三角晶格。我们的有限温度相图显示出与EtMe $_3$ P盐相图的显著相似性，其中绝缘体-金属-绝缘体类型的重入相变可以用金属和U（1）自旋液体之间的熵差来解释。我们发现，超导配对对称性是$d \pm id$，并预测不同的温度依赖性的自旋液体和金属之间的比热。
2010-08-02 cond-mat.str-el
Imaging phase separation near the Mott boundary in the correlated organic superconductors $κ$-(BEDT-TTF)$_{2}$X
用同步辐射扫描微区红外光谱法在有机Mott体系$κ$ -[（$h$ 8-BEDT-TTF）$_{1-x}$（$d$ 8-BEDT-TTF）$_{x}$ ] $_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Br中发现了由直径为50 - 100 μ m的金属和绝缘畴组成的电子相分离。在一级Mott转变的临界终止温度35 - 40 K以下出现相分离。宏观尺寸的域的观察表明，从纳米级的无机莫特系统，如高- $T_{c}$铜和锰的氧化物中报道的一个不同类别的本征电子不均匀性。
2004-02-05 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
