Gyrotropy and magneto-spatial dispersion effects at intersubband transitions in quantum wells
从理论上研究了多量子阱结构的旋光特性。对沿[001]、[110]和[311]晶向生长的结构进行对称性分析，得到了旋向性张量分量。建立了圆二色性和天然旋光性信号的角度依赖性。对于光子能量接近于子带间光跃迁能量的情况，建立了基于尺寸量子化子带自旋轨道分裂的唯象模型和微观理论。磁空间色散效应所产生的子带间能隙的电子动量线性的抗磁位移也被认为是。它表明，的回旋和磁空间色散常数的光谱依赖性代表一个不对称的峰值与平均电子能量的不对称程度。估计表明，所考虑的影响在实验中是可检测的。
2012-01-11 cond-mat.mes-hall
Abnormal magnetoresistance behavior in Nb thin film with rectangular antidot lattice
在超导铌膜上穿有矩形排列的反点（孔），发现了反常的磁电阻行为。一般来说，磁电阻总是被发现增加与磁场。在这里，我们观察到这种行为的逆转，特别是在低温或电流密度。这种现象是由于一个强大的“笼效应”，即间隙涡强烈地被困在钉扎多涡。
2011-12-11 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance of antidot lattices with grain boundaries
测量了含有人工设计晶界的反点晶格的磁输运性质。我们发现，晶粒边界扩大的结晶性共振，并取代他们各向异性。这些现象是出乎意料的弱，但不同的特点，从各向同性，高斯无序的反点的位置。的意见被解释在半经典的轨迹，往往本地化沿晶界在一定的磁场间隔。此外，我们的研究结果表明如何通过自组织模板产生的超晶格的运输可能会受到晶界的影响。
2008-04-07 cond-mat.mes-hall
Thermally activated intersubband scattering and oscillating magnetoresistance in quantum wells
高迁移率宽量子阱中磁电阻的实验研究揭示了随着温度升高到10 K而出现的振荡，其周期接近于Shubnikov-de Haas振荡。所观察到的现象被确定为magnetointersubband振荡所造成的两个被占领的子带和第三子带之间的电子的散射成为占领作为热激活的结果。这些小周期振荡对热抑制的敏感性低于由第一和第二子带之间的散射引起的大周期磁子带间振荡。理论研究的基础上考虑电子散射的边缘附近的第三个子带，给出了一个合理的解释，我们的实验结果。
2010-10-28 cond-mat.mes-hall
Intersubband scattering in n-GaAs/AlGaAs wide quantum wells
在75 nm宽的量子阱中，用高强度表面声波加热二维电子，观察到电导率的慢磁振荡。这些磁振荡是由对称和非对称子带之间的子带间弹性散射引起的，这些子带是由于量子阱中心的静电势垒而形成的。这些子带之间的隧道分裂以及子带间散射率的确定。
2018-01-11 cond-mat.mes-hall
Thermoelectric Properties of Electrostatically Tunable Antidot Lattices
我们报告的制造和表征的设备，它允许形成的反点晶格（ADL）只使用静电门控。系统的反点势和费米能可以独立调节。良好定义的磁电阻和磁热电势的可磁化性特征。我们表明，热电可用于有效地映射出的ADL的潜在景观。
2010-09-01 cond-mat.mes-hall
Far-infrared photo-conductivity of electrons in an array of nano-structured antidots
我们目前的远红外（FIR）光电导测量的二维电子气的纳米结构的反点阵列。我们检测，磁等离子体激元和边缘磁等离子体激元模式，磁等离子体激元和光谱解决。依赖于温度的测量表明，这两种模式有助于通过加热的电子气经由共振吸收的FIR辐射的光电阻。观察到自旋效应和声子带对反点晶格中集体激发的影响。
2003-07-23 cond-mat.mes-hall
Shake-up Processes in Intersubband Magneto-photoabsorption of a Two-Dimensional Electron Gas
本文从理论上研究了相互作用的低密度二维电子气在磁场中的光吸收振荡过程。在实验中观察到这样的过程，其中入射光子产生电子-空穴对并且同时将一个电子激发到较高的朗道能级之一[D. R. Yakovlev等人，物理修订版信函79，3974（1997）]，并被称为组合激子-回旋共振（ExCR）。最近发展的ExCR理论[A.B. Dzyubenko，Phys.Rev.B64，241101（2001）]允许库仑相关性的一致处理，建立精确的ExCR选择规则，并预测ExCR的高场特征。在这项工作中，我推广了现有的理论，高场ExCR在二维电子气的情况下，当孔被激发到更高的孔朗道能级。
2003-07-16 cond-mat.mes-hall
Observation of angle-dependent mode conversion and mode hopping in 2D annular antidot lattice
我们报道了在15 nm薄的Ni_（80）Fe_（20）薄膜上制备的环形反点晶格中的自旋波激发。直径为170 nm的纳米点嵌入350 nm（直径）反点晶格中以形成环形反点晶格，该环形反点晶格以120 nm的边到边间隔布置在正方形晶格中。利用时间分辨磁光克尔显微镜观察到自旋波模随面内偏置磁场取向角（θ）的变化具有很强的各向异性。随着偏置场取向的变化，在该晶格中观察到了四重旋转对称性、模式跳跃和导致三个显著自旋波模式猝灭的模式转换.微磁模拟使我们能够成功地再现测量的频率与偏置磁场的方向的演变，以及识别模式的空间profles。静磁场分析表明，在环形反点样品中，点与反点之间存在静磁耦合。进一步的数值模拟显示了自旋波在晶格中的各向异性传播。
2019-09-21 cond-mat.mes-hall
Edge and bulk effects in the Terahertz-photoconductivity of an antidot superlattice
利用傅里叶变换光谱仪测量了正方形反点超晶格的光电导特性，研究了其太赫兹（THz）响应。我们检测，光谱分辨，周期性超晶格的回旋共振和基本磁等离子体模式。在耗散传输制度的两个共振观察到的光响应。在绝热输运区，在整数填充因子$ν=2$下，仅观察到回旋共振。从这一点，我们推断，不同的机制有助于将太赫兹辐射的吸收转化为光电导的回旋加速器和磁等离子体共振，分别。
2000-05-18 cond-mat.mes-hall
Quantum states and magnetooptics in n- and p-type heterojunctions with lateral surface quantum dot (antidot) superlattice subjected to perpendicular magnetic field
研究了在垂直向磁场作用下，具有侧面量子点（反量子点）超晶格的n型和p型异质结的量子态和光学性质。用4 × 4 Luttinger哈密顿量描述导带电子和价带空穴的Azbel' - Hofstadter问题。在非相互作用朗道能级条件下，得到了宽间隔磁场中电子和空穴能级分离时的磁子带集。研究了自旋轨道相互作用对空穴磁子带波函数和能谱的影响。计算了磁性子带中的量子态与异质结内单层杂质之间的电子态与受主态之间以及空穴态与施主态之间的跃迁几率。通过对超晶格周期、周期势幅值、磁场强度等参数的计算，所需的实验观测的磁子带。
2001-12-28 cond-mat.mes-hall
Magneto-intersubband resistance oscillations in GaAs quantum wells placed in a tilted magnetic field
研究了在倾斜磁场中具有三个布居子带的宽GaAs单量子阱中高迁移率二维电子的磁输运。较低的两个子带的底部具有几乎相同的能量，而第三子带的底部具有高得多的能量（$E_1\approx E_2<<E_3$）。在零面内磁场下，观测到$i^{th}$和$j^{th}$子带之间的磁子带间振荡（MISO），并服从关系式$Δ_{ij}=E_j-E_i=k\cdot\hbarω_c$，其中$ω_c$是回旋频率，$k$是整数。面内磁场的应用产生MISO和相应的电子谱的急剧变化。确定了三种制度。在$\hbarω_c \ll Δ_{12}$的面内磁场大大增加了间隙$Δ_{12}$，这是与电子传播的半经典制度。相反，在强磁场$\hbarω_c \gg Δ_{12}$相对较弱的振荡变化的电子光谱与平面内磁场观察。在$\hbarω_c \approx Δ_{12}$处，电子光谱通过磁击穿在这两个区域之间经历转变。在这个跃迁区中，具有奇数量子数$k$的MISO终止，而对应于偶数$k$的MISO将$continuously$演化到对应于$\hbarω_c \gg Δ_{12}$的高场区
2016-03-08 cond-mat.mes-hall
Spin-wave spectra in antidot lattice with inhomogeneous perpendicular magnetocrystalline anisotropy
磁振子晶体是具有周期性变化的磁性的结构，其用于控制集体自旋波激发。利用微磁学模拟方法，研究了具有垂直磁各向异性（PMA）多层薄膜的二维反点晶格中的自旋波谱。我们发现，修改的PMA附近的反点边缘引入有趣的修改的自旋波谱，即使在完全饱和状态。特别是，光谱分裂在两种类型的激发，体模的振幅集中在一个均匀的部分antidot晶格，和边缘模式的振幅本地化的减少PMA在antidot边缘的轮辋。它们对几何或材料参数的依赖是不同的，但在共振条件满足，我们发现强杂交体和径向边缘模式之间。有趣的是，在体和边缘的基本模式之间的杂交是静磁的起源，但交换相互作用确定高阶径向边缘模式和基本体模式的反点晶格之间的耦合。
2022-11-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetoconductivity oscillations induced by intersubband excitation in a degenerate 2D electron gas
从理论上研究了简并多子带二维电子系统中激发子带非平衡布居引起的磁导振荡和绝对负电导。从平衡的位移，这可能是由共振微波激发或任何其他原因引起的，被假定为这样的电子分布不能再由一个单一的费米能级来描述。在这种情况下，除了发生在Shubnikov-de Haas条件和正常的子带间散射的小峰，具有不同形状的符号变化的振荡是可能的。我们还发现，即使是一小部分电子转移到激发子带可以导致负电导效应。
2020-07-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Microwave photoresistance of a high-mobility two-dimensional electron gas in a triangular antidot lattice
测量了高迁移率二维电子气的微波（MW）光电阻，发现微波诱导的电阻振荡（MIRO）和磁等离子体激元（MP）共振叠加在尖锐的相称几何共振（GR）上.分析表明，MIRO，MP和GR在这些实验中相互解耦。
2006-07-27 cond-mat.mes-hall
Effect of intersubband scattering on weak localization in 2D systems
将弱局域化理论推广到考虑子带间散射的多层二维系统。结果表明，弱子带间散射，这是可以忽略的经典输运，强烈影响弱局域化校正电导率。计算了整个经典低磁场范围内的反常磁电阻。电导率的校正强烈地依赖于所占水平浓度的比率。结果表明，在相对较低的激发子带的布居数，它是必要的，使用本理论，因为高场极限asimptotics被证明是实现在经典磁场。
2001-06-07 cond-mat.mes-hall
Electron trajectories and magnetotransport in nanopatterned graphene under commensurability conditions
周期性图案系统的磁输运中的可公度振荡，来自于回旋轨道和图案周期性的相互作用，是电子气系统中介观物理的基准。利用2D材料中的类似效应将允许对电子行为的特殊控制，但受到在大长度尺度上保持弹道输运的要求的阻碍。最近的实验已经克服了这一障碍，并观察到不同的磁阻可重复性峰值穿孔石墨烯片（antidot晶格）。解释这些峰背后的确切机制至关重要，特别是在石墨烯中，通过改变电子密度可以获得一系列机制。在这项工作中，一个完全原子的，基于设备的模拟磁阻实验，使我们能够分析的电阻峰值和电流在可重复性条件。磁电阻谱发现与实验非常吻合，但我们表明，一个半经典的分析，在简单的跳跃或钉扎轨道，是不足以充分描述相应的电子轨迹。相反，需要一种通用机制，将状态与单个抗点或抗点组结合起来。可公度性的功能时，出现这种状态之间的散射增强。探讨了不同反点尺寸、磁场强度和电子密度下可磁化峰的出现和抑制。从我们的研究中获得的见解将指导未来纳米结构石墨烯实验的设计和优化。
2017-08-29 cond-mat.mes-hall
Weak Localization and Transport Gap in Graphene Antidot Lattices
我们在单层石墨烯中制造并测量了晶格周期低至90 nm的反点晶格。在大周期晶格中，观察到了定义明确的量子霍尔效应。当反点间距变小时，量子霍尔效应随着几何尺寸效应逐渐消失。在反点之间具有窄收缩的晶格表现为纳米带的网络，显示出高电阻状态和狄拉克点周围几mV的输运间隙。我们观察到明显的弱磁致电阻的本地化，表明强烈的谷间散射的antidot边缘。在低温下，相相干路径的面积由晶胞尺寸限制，因此晶格的每个晶胞充当弹道腔。
2009-09-16 cond-mat.mes-hall
Electronic properties of antidot lattices fabricated by atomic force lithography
利用原子力光刻技术，利用局部氧化技术制备了反点晶格。高质量的有限20 × 20晶格被证明具有300 nm的周期。低温磁电阻显示出良好的可磁化性振荡以及零磁场附近的霍尔效应的淬灭。此外，我们还发现在1.7K的温度下，B周期振荡叠加在经典的可磁化率峰上。这些观察结果表明我们的样品具有高电子质量。
2001-08-30 cond-mat.mes-hall
Resistance fluctuations and Aharonov-Bohm-type oscillations in antidot arrays in the quantum Hall regime
研究了量子霍尔区反点晶格中的电阻涨落现象。有限反点阵列系统的磁阻在量子霍尔平台过渡区表现出两种类型的振荡效应。一种是非周期电阻波动（RF），另一种是Aharonov-Bohm（AB）型振荡。它们对磁场和栅电压的依赖性是相当不同的。虽然非周期性RF归因于可压缩通道的导电网络的复杂演化，但AB型振荡被解释为围绕单个反点形成的边缘状态。自洽屏蔽效应对这两种现象都很重要，而单电子充电效应在本例中起次要作用。
2008-06-10 cond-mat.mes-hall
Temperature Damping of Magneto-Intersubband Resistance Oscillations in Magnetically Entangled Subbands
本文研究了在不同温度下，在垂直于二维电子层的倾斜磁场中，具有两个子带的对称GaAs量子阱中高迁移率二维电子的磁子带间电阻振荡（MISO）。随着温度的升高，MISO的振幅减小。在中等倾斜度下，MISO振幅的温度降低与由于高温下量子电子寿命降低而导致的Dingle因子的降低一致。在大倾角下，观察到新的强MISO抑制随温度的变化。提出的模型将这种抑制与子带之间的磁纠缠联系起来，导致振荡态密度的跳动。该模型给出了相应的温度阻尼因子：$A_{MISO}(T)=X/\sinh(X)$，其中$X=2π^2kTδf$和$δf$是两个子带态密度振荡的差频。该因子与实验结果一致。观察到费米液体对MISO振幅的增强。
2021-05-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Skipping orbits and enhanced resistivity in large-diameter InAs/GaSb antidot lattices
研究了高迁移率InAs/GaSb反点晶格的磁输运性质。除了在低磁场下通常的可磁化性特征外，我们还发现在2.5 T附近有一个广泛的经典起源的最大值。后者可以归因于一类罗塞塔型轨道环绕一个单一的antidot。这是由一个简单的输运计算的基础上的经典久保公式和庞加莱表面的截面在不同的磁场值的分析。在低温下，我们观察到弱的1/B周期振荡叠加在经典的最大值。
1998-07-27 cond-mat.mes-hall
Multiband ballistic transport and anisotropic commensurability magnetoresistance in antidot lattices of AB-stacked trilayer graphene
在由AB堆叠的三层石墨烯的反点晶格组成的多带系统中研究了弹道输运。低温磁电阻显示出由AB堆叠的三层石墨烯中的每个单层和双层带的反点晶格周期和回旋轨道半径的匹配所产生的可磁化峰。类单层带的磁化率峰出现在比类双层带低的磁场处，反映了类双层带的费米面大于类单层带的费米面。反点晶格相对于石墨烯的晶轴的旋转导致各向异性磁阻，其反映了双层带的三角弯曲费米表面。假设单层和双层带中的弹道输运的磁电阻数值模拟大致再现了观察到的磁电阻特征。有人发现，单层带显着有助于导电性，即使它的载流子密度是一个订单小于双层带。这些结果表明，弹道输运实验可用于研究多能带系统的各向异性能带结构。
2019-12-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft
AlAs 2D electrons in an antidot lattice: Electron pinball with elliptical Fermi contours
本文报道了二维AlAs量子阱电子系统的弹道输运测量结果，该量子阱具有周期为$a = $ 0.6，0.8，1.0和1.5 $μ$ m的正方形反点晶格。在这个系统中，两个平面内的导带谷与椭圆费米轮廓被占用。低场磁阻迹线表现出对应于回旋加速器轨道和反点晶格的可伸缩性的峰。从最小公度轨道峰的位置对电子密度和$a$的依赖关系出发，推导出AlAs各向异性导带的基本参数--纵向和横向有效质量之比$m_l/m_t=5.2\pm 0.4$.
2006-11-25 cond-mat.mes-hall
Commensurability resonances in two-dimensional magneto-electric lateral superlattices
在$\mathrm{Ga[Al]As}$异质结构中制备了由正方形反点阵列和周期性一维磁调制组成的混合横向超晶格。暴露于这些超晶格的二维电子气的特征在于在消失的平均垂直磁场的磁输运实验。尽管没有封闭的轨道，在垂直于磁调制的方向上的对角磁阻显示出明显的经典共振。它们位于磁场中，在那里蛇的轨迹存在，这是准相称的反点晶格。在磁调制方向上的对角磁阻率在阈值磁场以上急剧增加，并且没有显示出精细结构。借助基于半经典Kubo模型的数值模拟对实验结果进行了解释。
2015-03-06 cond-mat.mes-hall
Tunable interaction-induced localization of surface electrons in antidot nanostructured Bi2Te3 thin films
近年来，人们在拓扑绝缘体中观察到低温下电导率的对数下降，这意味着表面电子的局域化趋势。在这里，我们报告的拓扑绝缘体Bi 2 Te 3薄膜的量子输运实验阵列的antidot纳米结构。随着反量子点密度的增加，观察到对数温度依赖性电导率曲线的斜率系统地减小，表明电子-电子相互作用可以通过反量子点来调节。同时，弱的反局域化效应揭示了在磁导率的退相干机制中电子-电子相互作用的优势增强。观察可以从解毒剂诱导的有效介电常数的降低来理解，其控制表面电子之间的相互作用。我们的结果阐明了电子-电子相互作用在表面电子局域化中不可或缺的作用，并指出了相互作用拓扑绝缘体中表面电子的局域化。
2014-10-08 cond-mat.mes-hall
High Magnetic Field Microwave Conductivity of 2D Electrons in an Array of Antidots
我们测量了高磁场（$B$）微波电导率，Re $σ_{xx}$，一个高迁移率的二维电子系统包含反点阵列。Re $σ_{xx}$与频率（$f$）在分数量子霍尔效应系列的区域中强烈增加，Landau填充$1/3<ν<2/3$。在微波$f$下，Re $σ_{xx}$与$B$表现出以$ν=1/2$为中心的宽峰。在峰值上，10 GHz Re $σ_{xx}$可以超过其直流极限值5倍。对于温度$T \gtrsim 0.5$ K，这种增强的微波电导率是不可观察的，并且随着$T$的降低而变得更加明显。这种效应可能是由于反点边缘所支持的激发，但与众所周知的边缘磁等离子体激元不同。
2001-03-06 cond-mat.mes-hall
All optical detection of picosecond spin-wave dynamics in two-dimensional annular antidot lattice
具有精确控制尺寸和形状的纳米级新型磁性结构在自旋逻辑、自旋电子学和其他基于自旋的通信器件中具有潜在的应用。报道了用聚焦离子束光刻技术在周期性Ni80Fe20反点晶格结构（环形反点）中嵌入纳米点的二维双结构磁振子晶体的制备。首次用时间分辨磁光克尔效应显微镜研究了环形反点样品的自旋波谱，结果表明，该样品的自旋波谱随偏置场的变化而发生显著变化，这对上述器件的应用具有重要意义。光致自旋波光谱显示出多个模式的频率范围为14.7 GHz至3.5 GHz的，由于集体之间的相互作用的点和antidot以及整个阵列内的环形元件。数值模拟定性地再现了实验结果，模拟模式剖面揭示了自旋波模式的空间分布和内部磁场负责这些意见。结果表明，与纯反点晶格和纯点晶格相比，环形反点晶格孔内每个点的内部场强增加约200 Oe。杂散场的环形反点晶格被发现是显着的（0.8kOe），而不是相同的纯点晶格和纯反点晶格的可忽略的值。我们的发现为开发新型人工晶体开辟了新的可能性。
2019-01-26 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance oscillations in multilayer systems - triple quantum wells
由于量子化磁场对子带间跃迁几率的周期性调制，具有多个占据子带的二维电子系统的磁阻振荡。除了以前的调查，这些磁子带间（MIS）振荡在两个子带系统中，我们报告的实验和理论研究这样的现象在三量子阱中实现的三个子带系统。我们表明，存在两个以上的子带导致一个定性不同的MIS振荡图片，描述为几个振荡的贡献叠加。在连续微波辐照下，三阱系统的磁电阻表现出MIS振荡和微波感生电阻振荡的相互干扰。理论解释这些现象的一般形式，有效的任意数量的子带。理论和实验的比较，使我们能够提取的温度依赖性的量子寿命的电子，并确认微波光电阻的非弹性机制的适用性，在多层系统中的磁输运的描述。
2009-12-07 cond-mat.mes-hall
Temperature dependent nonlinear Hall effect in macroscopic Si-MOS antidot array
通过测量Si-MOSFET型宏观反点阵列在经典中等垂直磁场下的磁阻和霍尔效应，发现了一种新的效应：霍尔电阻率随磁场的非线性、温度和密度的变化。我们讨论了这一现象的定性解释，并认为这可能是由于反点壳层的电阻率和迁移率具有很强的温度依赖性。
2015-12-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Ballistic transport in graphene antidot lattices
如果衬底和环境的影响最小化，石墨烯样品可以具有非常高的载流子迁移率。将石墨烯片嵌入到两侧具有六方氮化硼（hBN）的异质结构中被证明是实现高体迁移率的特别有效的方式。纳米图案化石墨烯可以增加额外的损伤，并通过边缘无序大大降低样品的迁移率。在hBN衬底而不是SiO2的顶部制备蚀刻的石墨烯纳米结构是没有补救措施的，因为传输特性仍然由边缘粗糙度主导。在这里，我们表明，在纳米级上蚀刻完全封装的石墨烯更温和，并且可以保留高迁移率。为此，我们准备了石墨烯antidot晶格，我们观察磁输运功能源于弹道输运。由于我们的样品的晶格周期很短，我们还可以探索经典和量子输运机制之间的边界。
2015-09-17 cond-mat.mes-hall
Parallel magnetic field induced strong negative magnetoresistance in a wide p-Ge_{1-x}Si_x/Ge/p-Ge_{1-x}Si_x quantum well
在含有准二维空穴气的宽Ge_{1-x} Si_x/Ge/p- Ge_{1-x} Si_x量子阱（QW）中，在面内磁场作用下出现了负磁电阻效应，当磁场大于12 T时，磁电阻效应最大可达零场值的30-40%.在中间宽度和空穴密度的量子阱中，这种负磁阻可以解释为由于上子带减少而引起的子带间散射的抑制。对于最宽的量子阱与最高的空穴密度，其中的空穴气体被分为两个子层，类似的负磁阻被观察到，并初步解释为也是由于抑制子带间的散射，但子带是最低的对称和反对称状态的双量子阱结构。这些子带在面内磁场下不是在能量上垂直移动，而是沿着波矢水平移动。
2001-03-16 cond-mat.mes-hall
Classical orbit bifurcation and quantum interference in mesoscopic magnetoconductance
研究了电子通过含反量子点的介观通道的磁导。通过量子干涉效应，作为磁场强度和反点半径（由施加的栅极电压调节）的函数的电导最大值表现出已被实验观察到的特征位错。利用半经典周期轨道理论，我们将这些位错直接与领先类周期轨道的分叉联系起来。
1999-09-18 cond-mat.mes-hall nlin.CD
Robustness of ballistic transport in antidot superlattices
反点晶格的磁电阻显示出明显的峰值，这成为弹道电子输运的标志。虽然大多数研究都认为它们反映了准经典动力学中规则运动和混沌运动的相互作用，但确切的机制却令人惊讶地存在争议。最近的实验表明，石墨烯antidot晶格的效果生存强烈的杂质散射的启发，我们给出了一个新的解释的碰撞时间和可访问的相空间体积之间的基本关系的峰值，占其鲁棒性。由于所描述的机制的基本性质，它将在许多介观输运现象相关。
2019-03-29 cond-mat.mes-hall nlin.CD
Magnetophonon oscillations of thermoelectric power and combined resonance in two-subband electron systems
通过测量垂直磁场中具有两个占据子带的高迁移率量子阱中的热电效应，我们探测到了由于电子与声学声子相互作用而引起的磁声子振荡。这些振荡包含特定的功能，确定为组合共振所造成的子带间声子辅助的电子在朗道量子化的存在下的过渡。将声子拖曳磁热电效应的量子理论推广到多子带占据的情况，描述了我们的实验结果。
2016-09-16 cond-mat.mes-hall
Interference oscillations of microwave photoresistance in double quantum wells
在微波辐照下，我们观察到双量子阱中的振荡磁电阻效应。结果解释的子带耦合的电子分布函数的依赖于频率的光致部分的影响。因此，磁电阻表现出磁子带间振荡和常规微波感应电阻振荡的干扰。
2008-09-29 cond-mat.mes-hall
Interference of magnetointersubband and phonon-induced resistance oscillations in single GaAs quantum wells with two populated subbands
在大填充因子下，研究了具有两个布居子带的GaAs量子阱中的低温电子磁输运。磁子带间（MIS）和声声子诱导的耗散电阻振荡被发现是共存的，但相互干扰。实验表明，MIS振荡的振幅显着增强声子，声子散射和子带间电子跃迁之间的“建设性干涉”。量子振荡的温度阻尼被发现与相当大的电子-电子散射引起的朗道能级展宽有关。
2009-12-22 cond-mat.mes-hall
Large positive magneto-resistance in high mobility 2D electron gas : interplay of short and long range disorder
我们在AlGaAs/GaAs异质结中的高迁移率二维电子气中观察到了大的正准经典磁电阻。磁电阻是非饱和的，并且随着磁场的增加而增加，为$ρ_{xx}\sim B^α (α=0.9-1.2)$。在反点晶格中观察到非单调MR。我们表明，在这两种情况下，这种MR可以定性描述的理论最近提出的Polyakov等人（PRB，64，205 - 306（2001））。他们的预测是，我们观察到的这种行为可能是同时存在短程和长程散射势的结果。
2004-03-09 cond-mat.mes-hall
The manifestation of Fermi level oscillations in the magnetoresistance of HgTe quantum wells with a split spectrum
实验研究了宽度10-18 nm单HgTe量子阱的磁阻SdH与磁子带间振荡，发现低磁场下振荡反节点与最大值相对位置反常，高磁场下发生改变，证实此效应源于磁场中费米能级的振荡。
2024-05-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Non-linear transport phenomena in a two-subband system
我们研究了在垂直磁场中具有两个紧密分布的电子子带的高迁移率双层系统中的非线性输运现象。对于一个温和的直流激励，我们观察到零微分电阻状态的特征1/B周期。我们调查，从实验和理论上，霍尔场致电阻振荡调制的高频磁子带间振荡在我们的系统中，如果我们增加的电流。我们还观察和描述的影响，直流对磁电阻在微波辐射的存在。
2011-10-10 cond-mat.mes-hall
Scattering between minivalleys in a moiré material
莫尔材料的复杂能带结构的一个独特特征是微谷的存在、它们的杂化以及它们之间的散射。在这里，我们研究了由微谷之间的散射引起的磁输运振荡-一种类似于磁子带间振荡的现象-在扭曲角为1.94°的扭曲双层石墨烯样品中。我们研究和讨论了潜在的散射机制，并发现一个电子-声子机制和谷守恒散射是可能的。最后，我们讨论了我们的研究结果的相关性为不同的材料和扭曲角度。
2021-06-14 cond-mat.mes-hall
Microwave zero-resistance states in a bilayer electron system
磁输运测量的高迁移率电子双层系统形成在一个宽的GaAs量子阱揭示消失耗散电阻下连续微波照射。深刻的零电阻状态（ZRS）出现，即使在存在额外的子带间散射的电子。研究了光电阻随频率、微波功率的变化规律。和温度实验结果进行了比较与理论证明，绝对负电阻率的条件与ZRS的外观。
2010-07-08 cond-mat.mes-hall
Terahertz and gigahertz magneto-ratchets in graphene-based 2D metamaterials
University of Regensburg（雷根斯堡大学）；Université de Montpellier, CNRS（蒙彼利埃大学，法国国家科学研究中心）；Johannes Gutenberg-University Mainz（约翰内斯·古腾堡美因茨大学）；V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Science（V.拉什卡廖夫半导体物理研究所，乌克兰国家科学院）
研究通过石墨烯基二维超材料观察到磁力矩效应，发现太赫兹/吉赫兹激发导致磁振荡幅度显著超过零磁场下的力矩电流，与肖特基-德哈斯效应相关，并检测到由回旋共振和电子自旋共振引起的共振力矩电流。
2024-07-22 cond-mat.mes-hall
Nonlinear AC and DC Conductivities in a Two-Subband n-GaAs/AlAs Heterostructure
在宽磁场范围内研究了具有两个填充尺寸量子化能级的n-GaAs/AlAs异质结的直流和交流电导率。这种异质结构的电子光谱的特征在于由带隙$Δ_{12}=15.5$ meV分开的两个子带（对称$S$和反对称$AS$）。结果表明，在线性制度下，在施加的磁场$B >3$ T，系统表现出相应的整数量子霍尔效应的振荡。一个相当复杂的模式，这样的振荡很好地解释在朗道水平之间的过渡有关的不同的子带。在$B <1$ T处，观察到磁子带间电阻振荡（MISOs）。在整数量子霍尔效应中，电导率随流过样品的电流的增加或表面声波（SAW）强度的增加由电子气温度的增加决定。在子带间跃迁的情况下，发现非线性不能用加热来解释。同时，随着SAW电场的增加，AC电导率的减小与频率无关，但相应的行为与DC电导率对霍尔电压$E_y$的依赖性不一致。
2020-09-03 cond-mat.mes-hall
Thickness dependent enhancement of the polar magneto-optic Kerr effect in Co magnetoplasmonic nanostructures
在过去，通过对Co六角反点阵列中的极性克尔旋转的光谱测量，已经观察到大的表面等离子体极化激元辅助增强的磁光活性。在这里，我们报告了一个强大的厚度依赖性，这是出乎意料的克尔效应被认为是一个表面敏感的现象。对于100 nm厚的样品，发现最大克尔旋转为-0.66度。该厚度远高于连续Co膜的典型光学穿透深度，表明在等离子体激元的存在下，临界长度尺度显著改变，并且在这种情况下延伸。因此，我们建立的等离子体增强的克尔效应不仅取决于样品的面内结构，而且还取决于面外的几何参数，这是磁等离子体器件设计中的一个重要考虑因素。
2019-02-20 cond-mat.mes-hall physics.optics
Microwave-induced zero-resistance states in a high-mobility two-subband electron system
在本研究中，我们使用选择性掺杂的GaAs/AlAs异质结来制造一个高迁移率的两个子带电子系统，在子带中具有实质上不同的电子浓度。我们观察到微波光电阻在高数量的磁子带间振荡（MISO）。所研究的系统演示了微波诱导电阻振荡（MIRO）和MISO干扰。与MISO相比，所研究的两子带系统中的MIRO出现在较低的磁场中。这是一个迹象，一些未知的机制，存在于两个子带系统，是负责MISO振幅阻尼在低磁场，而它不影响MIRO振幅。在微波辐照下，在MISO最大值附近的窄范围磁场内，所研究的体系出现零电阻态（ZRS）。
2017-12-26 cond-mat.mes-hall
Variation of elastic scattering across a quantum well
在电子面密度不变和电子沿生长方向分布不同的情况下，研究了抛物量子阱两个子带中电子的Drude散射时间。通过磁输运测量获得的散射时间减少的电子被移位朝向良好的边缘，虽然最低的子带密度增加。通过比较测量与计算的散射时间的两个子带系统，新的信息的相关散射体的位置和子带间散射的各向异性。发现电子在低子带中的散射时间敏感地依赖于散射体的位置，这也解释了散射对载流子密度的测量依赖性。测量结果表明，在生长过程中，从衬底侧朝向量子阱的散射体的分离。
1998-12-17 cond-mat.mes-hall
Moiré effects in graphene--hBN heterostructures
将石墨烯封装在六方氮化硼中具有几个优点：以这种方式实现了迄今为止报道的最高迁移率，并且通过保护性hBN层使石墨烯的精确纳米结构化变得可行。然而，由于石墨烯和hBN的不同晶格常数，以及由于石墨烯和hBN晶格之间的扭转角，可能会产生微妙的影响。在这里，我们使用一个最近开发的模型，使我们能够执行能带结构和磁输运计算这样的结构，并表明，与适当的摩尔物理的一个很好的协议，可以实现与实验，即使是复杂的结构，如无序的石墨烯，或antidot晶格的单层hBN与相对扭曲角。这种计算对于双电子器件的定量模拟是必不可少的。
2020-12-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Interplay of Landau quantization and interminivalley scatterings in a weakly coupled moiré superlattice
本研究探讨了弱耦合TDBG双层系统中Landau量子化与谷间散射的相互作用，通过观察量子振荡和MISO现象，揭示了层间耦合强度与散射时间的关联及电子-电子相互作用的关键作用。
2024-01-22 cond-mat.mes-hall
