Polar Rectification Effect in Electro-Fatigued SrTiO3 Based Junctions
整流半导体结对电子设备至关重要。它们通过允许单向电荷流动将交流电转换为直流电。在类比的电流整流行程电子，在这里，极性整流的基础上，在Ti/疲劳SrTiO 3（fSTO）肖特基结中的局部氧空位（OV）的第一次演示。具有OV的fSTO通过电降解过程产生。由于fSTO中的定域OV和行程电子的可动性不同，在外加和内建电场的共同作用下，在结的界面处产生单向电极化的强度。此外，fSTO显示位于顺电相和铁电相之间的前铁电态。预铁电态有三个子态，并且可以很容易地被外电场驱动到铁电态。这些观测结果为潜在的极性器件提供了机会，并可能支持许多有用的极性触发电子现象。
2020-01-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Selective Fermi-Level Pinning: A Design Strategy for Giant Rectification in Molecular Junctions
Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, Shandong University（液体-固体结构演化与材料加工教育部重点实验室，山东大学）
提出基于选择性费米能级钉扎的整流器设计策略，通过分子前线轨道与电极的钉扎相互作用打破输运对称性，在环[n]碳分子结中实现超过10^3的巨大整流比，并保持结构鲁棒性。
2026-05-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Frequency converter based on nanoscale MgO magnetic tunnel junctions
我们观察到直流电压整流和频率转换时发生的参考微波电流注入到基于MgO的磁性隧道结（MTJ）。当输入微波电流的频率与有源层的磁化的谐振频率一致时，观察到自旋转移矩相关的整流。此外，我们证明了频率转换是参考信号和MTJ的电阻之间的幅度调制的结果，MTJ的电阻在有源层的磁化的谐振频率处波动。
2009-07-23 cond-mat.mtrl-sci
Current rectification in molecular junctions produced by local potential fields
采用密度泛函理论和非平衡格林函数方法研究了辛二硫醇（ODT）分子与Au（001）引线耦合的输运性质.研究表明，在外加带电探针产生的局部电场的作用下，对称分子可以变成二极管。电流-电压（$I-V$）依赖性的不对称性的起源追溯到探针诱导的准局域态的ODT分子的赝隙的外观。诱导态影响电子输运，只要它接近于引线的费米能级。带电探针沿烷烃链的非对称放置使得能隙中的感生准局域态对偏置电压非常敏感，并导致电流的整流。基于DFT的结果支持独立的计算，使用一个简单的单粒子模型哈密顿量。
2010-02-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Thermal rectification and phonon properties in partially perforated graphene
本研究通过分子动力学模拟发现部分穿孔石墨烯具有18.5%的热整流比，并利用R系列模型及声子分析揭示了整流机制，表明规则排列的孔比随机缺陷更有效。
2025-04-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Thermal Rectification from Size-Dependent Phonon Confinement in Nanoparticle Assemblies
Università degli Studi di Milano（米兰大学）；Interdisciplinary Centre for Nanostructured Materials and Interfaces (CIMaINa)（纳米材料与界面跨学科中心）；German Aerospace Centre (DLR), Institute of Space Research（德国航空航天中心空间研究所）；Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB) Berlin（德国联邦物理技术研究院）
利用纳米颗粒中声子限制引起的态密度尺寸依赖性修饰，制造简单声子整流器，并通过不同尺寸纳米颗粒重叠层实现宏观声子二极管，测量温度分布验证整流效果。
2026-06-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Orbital Interaction Mechanisms of Conductance Enhancement and Rectification by Dithiocarboxylate Anchoring Group
我们计算研究了二硫代羧酸封端的分子结的电子输运性质。输运性质计算自洽内密度泛函理论和非平衡格林函数形式主义。实验观察到的电流放大二硫代羧酸锚定基团的微观起源建立。对于4，4 '-联苯双（二硫代羧酸酯）结，我们发现二硫代羧酸酯锚定基团的最低未占分子轨道（LUMO）与联苯部分的LUMO和最高已占分子轨道（HOMO）的相互作用导致在电极费米能附近的透射光谱中出现成键和反键共振。基于不对称锚定基团的电子结构，预测了一种新的微观整流机理。结果表明，4 '-巯基联苯-4-二硫代羧酸盐结的透射光谱峰对外加电压的响应不同。根据轨道相互作用图中透射共振的起源，其能量可以随着分子更强或更弱耦合的电极的化学势而移动。
2007-02-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Thermal rectification optimization in nanoporous Si using Monte Carlo simulations
我们使用半经典蒙特卡罗（MC）模拟方法研究纳米多孔硅中的热整流。我们考虑几何不对称的纳米多孔结构，并调查孔隙率，孔间距离，和孔的位置相对于设备边界的综合影响。两个基础的几何形状被认为是，其中的孔被安排在矩形阵列，和其中它们形成三角形的安排。我们表明，系统：i）具有更密集的压缩孔排列（即具有更小的孔间距离），ii）具有更靠近装置边缘/接触的孔，以及iii）具有三角形排列的孔，可以实现超过55%的整流。以分级方式将较小的孔引入现有的多孔几何结构中，将精馏进一步提高到60%以上。重要的是，对于我们模拟的结构，我们表明，尖锐的整流结，从短声子平均自由路径的长分离区域更有利于整流比扩散的不对称性沿整个材料的热方向在一个渐变的方式。
2019-11-15 cond-mat.mtrl-sci
Atomic Motion in Single H$_{2}$ and D$_{2}$ Molecule Junction Induced by Phonon Excitation
我们用电导测量和$dI/dV$光谱研究了H $_{2}$和D $_{2}$环境中Au原子的接触。发现单个H $_{2}$或D $_{2}$分子桥接Au电极。在Au/H $_{2}$ /Au结的情况下，在$dI/dV$光谱中观察到对称峰，而在Au/D $_{2}$ /Au结中没有观察到对称峰。$dI/dV$光谱中的峰形源于声子激发引起的单分子结结构的变化。这种结构变化只发生在Au/H $_{2}$ /Au结上。这两种单分子结的差异可以用Au-H $_{2}$振动模的零点能大于Au/H $_{2}$ /Au结的零点能来解释。
2009-12-15 cond-mat.mtrl-sci
A theoretical view on unimolecular rectification
Aviram和Ratner在1974年的理论工作中提出了单分子整流器的概念，这是现在充满活力的分子电子学领域的起点。与此同时，在实验水平上已经报道了分子结电导的内在不对称性。在这方面的贡献，我们提出了一个理论比较三种不同类型的单分子整流器：i）系统，其中的供体和受体的分子的一部分是从电荷转移盐组分; ii）两性离子系统;和iii）旅游线与硝基取代基。我们进行的整流机制在这三种不同类型的不对称分子的参数化量子化学模型的基础上，以及与一个完整的非平衡格林函数/密度泛函理论（NEGF-DFT）处理各自的金属/分子/金属结的电流/电压特性的分析。我们把一个特别强调的整流比（RR），这是至关重要的单分子结作为二极管的技术实用性的评估的预测。我们还比较了我们的结果与文献中报道的其他类型的分子整流，其中基本的不对称性不是由单独的分子的结构引起的，而是由分子的电子耦合到两个电极的差异或通过连接不同长度的烷基链到中心分子部分的值。
2008-03-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Molecular rectifying diodes from self-assembly on silicon
我们展示了一个分子整流结从硅上的顺序自组装。器件结构仅由一个共轭（p）基团和烷基间隔链组成。我们获得了高达37的整流比和整流阈值电压在-0.3V和-0.9V之间。我们表明，整流发生共振通过最高占据的分子轨道的p-组与我们的计算和内部光电子能谱的良好协议。这种方法使我们能够制造与硅纳米技术兼容的分子整流二极管，用于未来的混合电路。
2003-05-26 cond-mat.mtrl-sci
Resonant electron heating and molecular phonon cooling in single C$_{60}$ junctions
我们研究加热和散热的一个单一的\c 60分子在扫描隧道显微镜（STM）的结通过测量所需的电子电流热分解的富勒烯笼。分解功率随电子能量变化，反映了分子共振结构。当STM针尖接触富勒烯时，分子可以承受更大的电流。传输模拟解释了这些影响的分子加热，由于共振电子-声子耦合和分子冷却的振动衰减到接触形成后的尖端。
2008-03-10 cond-mat.mtrl-sci
Thermal Rectification In Asymmetric Graphene Ribbons
本文采用分子动力学模拟对石墨烯纳米带中的热流进行了研究。结果表明，非对称石墨烯带的热通量优先沿宽度减小的方向流动，表现出明显的热整流效应。讨论了整流比与顶角和长度的关系。与基于碳纳米管的一维热整流器相比，石墨烯纳米带即使在大规模下也具有更高的整流比。我们的研究结果表明，非对称石墨烯带可能是一个有前途的结构，为实际的热（声子）器件。
2009-06-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Transient translation symmetry breaking via quartic-order negative light-phonon coupling at the Brillouin zone boundary in KTaO${}_{3}$
本研究通过第一性原理计算发现KTaO3中存在四阶负光-声子耦合，利用强中红外泵浦脉冲使高频声子不稳定，可瞬态打破材料平移对称性，并数值求解出三种对称性破缺情况。
2023-08-01 cond-mat.mtrl-sci
Giant Thermal Rectification from Polyethylene Nanofiber Thermal Diodes
声子计算的实现受制于缺乏高性能热器件。在这里，我们表明，通过理论分析和分子动力学模拟，前所未有的热整流因子（高达1.20），可以实现利用聚乙烯纳米纤维的相依赖的热导率。更重要的是，这种高热整流只需要器件上非常小的温差（< 20 oC），这与需要工作温度量级的温度偏置的其他热敏二极管相比具有显著优势。考虑到这一点，我们表明，无量纲的温度缩放整流因子的聚合物二极管的范围从12到25 -远大于其他热二极管（< 8）。该聚合物热敏二极管由热导率具有高相敏性的结晶部分和具有稳定相的交联部分组成。纳米尺度尺寸效应可用于调节结晶部分的相变温度，使得热二极管能够在不同温度下操作。这项工作将有助于设计高性能，廉价和易于加工的热器件，基于此热电路可以建立，最终使声子计算。
2015-06-24 cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Visualizing an adjustable WO3/p-GaN heterojunction
基于典型半导体的pn结是现代电子器件和芯片工业的基本单元。而这些pn结的整流特性通常在单元制造后就固定了。本文提出了一种电子性质可控的n-WO 3/p-GaN异质结。对于所制备的n-WO 3/p-GaN异质结，它几乎是透明的，并显示出典型的pn结整流。通过电子-质子协同的方法，在WO 3层中逐渐掺杂氢原子，可以动态地从典型的pn结（n-WO 3/p-GaN）逐步转变为标准的肖特基接触（HxWO 3/p-GaN）。更重要的是，由于WO 3层的显著电致变色特性，这种演变可以通过视觉直接可视化。通过连接两个HxWO 3/p-GaN异质结，可以实现可控的双功能整流。此外，HxWO 3/p-GaN异质结在室温下退火后可以恢复到原来的p-n结，表明异质结是可控的和可重复使用的。目前的研究将为未来的动态电子设备开辟巨大的机会。
2020-06-30 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Thermal transport across metal-insulator interface via electron-phonon interaction
金属-绝缘体界面的热输运可以用电子-声子相互作用来表征，如果界面处的声子-声子耦合很弱，则电子引线耦合到声子引线。我们用非平衡格林函数方法研究了电子部分和声子部分之间的热导和整流流动。结果表明，热导率随平均温度或金属部分和绝缘体部分中声子引线之间的耦合强度的变化具有非单调性。金属-绝缘体界面表现出明显的热整流效应，这种效应可以随着平均温度或电子-声子耦合的变化而逆转。
2013-09-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Electrical Detection of Magnetization Dynamics via Spin Rectification Effects
本文的目的是回顾动态自旋电子学和当代磁学前沿的现状，在过去的十年中取得了很大的进展，基于创建各种微和纳米结构的设备，使磁化动力学的电检测。主要重点是自旋整流效应的物理学，这是非常适合于研究磁化动力学和自旋输运在各种磁性材料和自旋电子器件。为了使广大读者能够理解，本文首先从教学介绍开始，分别比较了半导体和磁性材料中电荷和自旋动力学的电检测方法。在此之后，它提供了一个全面的帐户的角度依赖性和线的电检测铁磁共振（FMR），这是总结在一本手册的形式易于用于分析实验数据的理论研究。然后，我们审查和研究的相似性和差异的各种自旋整流效应中发现的铁磁薄膜，磁性双层和磁性隧道结，包括讨论如何正确区分自旋整流的自旋泵/反自旋霍尔效应产生的电压。在此之后，我们回顾了整流效应在研究自旋波，非线性动力学，畴壁动力学，自旋电流和微波成像等方面的广泛应用。我们还讨论了铁磁半导体中的自旋整流。最后，本文总结和比较了三代用于磁化动力学研究的铁磁共振波谱技术，并展望了铁磁共振波谱技术的发展历史和未来。
2016-08-18 cond-mat.mtrl-sci
Thermal rectification with topological edge states
该研究将二元同位素超晶格映射到SSH模型，利用其单个拓扑边缘态与小非线性项实现热整流，为拓扑声子系统的热调控应用提供了新思路。
2023-12-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
$Ab$ $Initio$ Study of Magnetic Tunnel Junctions Based on Half-Metallic and Spin-Gapless Semiconducting Heusler Compounds: Reconfigurable Diode and Inverse Tunnel-Magnetoresistance Effect
磁隧道结（MTJ）由于其作为诸如MRAM的非易失性存储器以及用于磁逻辑应用的潜在用途而在过去几十年中吸引了强烈的研究兴趣。半金属磁体（HALF）已被建议作为MTJ的理想电极材料，以实现极大的隧道磁阻（TMR）效应。尽管它们的高TMR比，基于HALTH的MTJ不表现出电流整流，即，二极管效应，这是在磁隧道结概念的基础上实现的受阻和II型自旋无隙半导体（SGS）。所提出的概念最近已被实验证明使用Heusler化合物。在目前的工作中，我们调查从第一性原理MTJ的基础上II型SGS和HMM四元Heusler化合物FeVTaAl，FeVTiSi，MnVTiAl，和CoVTiSb。我们的$ab$ $initio$量子输运计算的基础上的非平衡格林函数方法表明，所考虑的MTJ表现出电流整流与相对较高的开：关比。我们表明，在传统的半导体二极管相比，MTJ的整流偏置电压窗口（或击穿电压）是有限的HMM和SGS Heusler化合物的自旋间隙。本发明MTJ的独特特征在于二极管效应可以动态配置，即，取决于电极磁化的相对取向，MTJ允许电流在一个或另一个方向上通过，这导致反向TMR效应。非易失性、可重构二极管功能、可调整流电压窗口和电极材料的高居里温度的组合使得所提出的MTJ对于室温自旋电子学应用非常有前途，并且为磁存储器和逻辑概念以及逻辑存储器计算开辟了道路。
2022-09-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Nonlinearity enhanced interfacial thermal conductance and rectification
本文采用基于非平衡格林函数方法的量子自洽平均场（QSCMF）理论研究了原子结间的非线性界面热输运，所提出的QSCMF理论非常精确，与量子主方程的精确结果吻合得很好.通过QSCMF理论计算的有效温度依赖界面耦合，研究了界面的非线性。我们发现，非线性可以提供一个额外的通道，声子输运除了声子散射，通常阻止热传递。对于弱线性耦合界面，非线性会增强界面热输运;随着非线性的增加或温度的升高，热导率呈现非单调行为。界面非线性也会引起热整流，这取决于两个引线的失配以及界面线性耦合。
2013-09-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Competing mechanisms govern the thermal rectification behavior in semi-stochastic polycrystalline graphene with graded grain-size distribution
本研究通过半随机多晶石墨烯模型，利用质心Voronoi细分和非平衡分子动力学模拟，揭示梯度晶粒分布下热整流由声子耦合与热导率温度依赖性竞争机制主导。
2023-12-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Thermal rectification and interface thermal resistance in hybrid pillared-graphene and graphene: A molecular dynamics approach
在本研究中，我们研究了杂化柱撑石墨烯和石墨烯（PGG）系统的热整流和热阻。这是通过经典的分子动力学模拟（MD），也与连续模型。首先，采用分子动力学模拟和傅立叶变换计算了柱撑石墨烯和石墨烯的热导率。我们的研究结果表明，柱撑石墨烯的热导率比石墨烯小一个数量级。接下来，通过沿PGG的纵向方向施加正和负温度梯度，检查热整流。MD结果表明，对于36至86 nm范围内的长度，热整流几乎保持恒定（~3-5%）。我们还研究了PGG界面两侧的声子态密度。DOS曲线表明，有声子散射在低频（声学模式），这取决于在系统中施加的温度梯度方向。因此，我们可以介绍PGG作为一个有前途的热整流器在室温下。此外，在接下来的工作中，我们还探讨了温度分布的PGG使用连续介质模型。由连续介质模型得到的结果预测了分子动力学的结果，如上半层和下全层石墨烯的温度分布，界面处的温度差以及热阻。
2019-09-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Interplay of Electron-Electron and Electron-Phonon Interactions in Molecular Junctions
在这项工作中，我们考虑了载流分子结的电子-声子和电子-电子相互作用考虑。在进行了Lang-Firsov变换和考虑了与电子引线弱耦合的马尔可夫近似后，我们得到了控制结约化密度矩阵随时间演化的主方程。稳态的密度矩阵可以用来获得在几个制度的相互作用的强度的结的I-V特性。我们的研究结果表明，该系统可以显示负微分电导（即，通过增加所施加的偏置电压的电流减小）在某些制度之间的相互作用的电子-声子和库仑相互作用。
2019-05-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Carbon Nanocone: A Promising Thermal Rectifier
通过分子动力学模拟，我们发现在200 ~ 400 K的温度范围内，纳米锥中存在非常明显的热整流现象。我们还观察到，整流的nanocone不依赖于长度非常敏感，这是在形成鲜明对比的纳米管热整流器中，整流显着降低，随着长度的增加。我们的工作表明，碳纳米锥是一种很有前途的实用声子器件。
2009-06-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Efficient thermionic operation and phonon isolation by a semiconductor-superconductor junction
在小的长度尺度上控制热通量对于许多固态设备和系统是至关重要的。除了信息和通信设备的热管理之外，对低至纳米级的热传递通道的控制也使得能够，例如，新的存储器概念、高灵敏度探测器和传感器、能量采集器和紧凑型固态制冷器。特别是用于电磁辐射的电子冷却器和热探测器，依赖于电热响应的最大化和声子输运的阻断。在这项工作中，我们提出并证明了有效的电热操作和声子转移阻断可以实现在一个单一的固态双光子结。我们的实验演示依赖于悬浮的超导体-超导体结，其中的电热响应来自超导能隙，声子阻塞自然是由结处的传输瓶颈引起的。我们暂停不同大小的简并掺杂硅芯片（宏观尺度）直接从结和冷却这些偏置的结。电子冷却的工作特性伴随着测量和分析的热阻组件的结构，表明声子阻塞的结中的工作原理。
2018-09-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Unexpected large thermal rectification in asymmetric grain boundary of graphene
采用非平衡分子动力学（NEMD）方法研究了扶手椅型和锯齿型石墨烯之间的非对称倾斜晶界的晶格热输运。我们已经观察到显着的温度下降和超低的温度依赖的热边界电阻。更重要的是，我们发现了一个意想不到的热整流现象。热导率和Kapitza电导率是方向相关的。热整流效应可以通过增大两侧的温差来放大。我们的研究结果提出了一种有前途的热整流器和声子二极管的基础上多晶石墨烯没有微妙的操纵的原子结构。
2012-07-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Thermal rectifier from deformed carbon nanohorns
采用非平衡分子动力学方法研究了单壁碳纳米角（SWNHs）中的热整流现象。结果表明，顶角越大的喇叭，由于结构梯度分布越大，其非对称传热越明显。这种梯度行为可以通过在SWNH上施加外部应变来进一步调节。在沿轴向仔细拉伸后，拉伸后的SWNHs中的热整流比未变形的SWNHs中的热整流更明显。单壁碳纳米管的最大整流效率远大于碳纳米管分子内结。
2008-05-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Theoretical investigation of direct and phonon-assisted tunneling currents in InAlGaAs-InGaAs bulk and quantum well interband tunnel junctions for multi-junction solar cells
直接和声子辅助的隧道电流在InAlGaAs-InGaAs体和双量子阱带间隧道异质结严格模拟使用非平衡格林函数形式主义的相干和耗散量子输运结合一个简单的两个带紧束缚模型的电子结构。一个现实的能带轮廓和相关的内置静电场通过自洽耦合的传输形式主义泊松方程。该模型再现实验观察到的器件的电流-电压特性的功能，如出现在负微分电阻制度由于发射极状态的量化的结构。局域态密度图和电流谱揭示了准束缚态、电场和电子-声子散射对带间隧道电流的影响。以这种方式，在负微分电阻机制中通过双量子阱结构的电流中出现的谐振可以与耦合量子阱中的子带的对准有关。
2012-09-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Design and operation of a microfabricated phonon spectrometer utilizing superconducting tunnel junctions as phonon transducers
为了充分理解纳米尺度的热输运，有必要对纳米结构中的声子传输进行光谱表征。为了实现这一目标，我们已经开发了一个微型声子谱仪。我们利用微制造超导隧道结（STJ）声子换能器的发射和检测的可调，非热，和光谱分辨的声学声子，频率范围从~100到~870 GHz，在硅微结构。我们表明，声子光谱与STJ提供了一个光谱分辨率~15-20 GHz，这是~20倍优于热导测量，探测纳米级声子输运。STJ是Al-AlxOy-Al隧道结，声子发射和检测通过超导膜中发生的准粒子激发和衰变跃迁发生。我们详细说明的光谱仪的设计几何形状和限制，制造技术，和低噪声仪器，成功应用这种技术的纳米声子研究是必不可少的。我们讨论了由STJ发射器发射的声子的光谱分布和由STJ检测器检测它们的效率。我们证明了声子弹道传播通过硅微结构，亚微米的空间分辨率是可实现的设计，如我们的。纳米结构和纳米材料中声子输运的光谱分辨测量将进一步推动声子的工程和开发，从而对纳米热输运以及新兴的纳米声子学领域产生重要影响。
2013-03-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Vibrational Energy Dissipation in Non-Contact Single-Molecule Junctions Governed by Local Geometry and Electronic Structure
研究提出结合密度泛函理论、机器学习和非绝热分子动力学解析非接触单分子结振动动力学，揭示了CO功能化Cu表面振动模式特异性及电声与声声子耦合的非加性效应，预测寿命与实验一致。
2025-08-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Interplay of electron and phonon channels in the refrigeration through molecular junctions
本文用DFTB-NEGF方法研究OPE3分子结的电子与声子输运及珀尔帖制冷性能，通过电-热电路模型量化温降，证明其可实现数K制冷并探讨了高性能制冷器件设计策略。
2022-01-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Revealing molecule-internal mechanisms that control phonon heat transport through single-molecule junctions by a genetic algorithm
该研究利用遗传算法在庞大化学空间中系统搜索高、低声子热导分子，并揭示调控单分子结热输运的关键分子内部结构与干涉机制。
2025-05-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Theory of electron and phonon transport in nano and molecular quantum devices: Design strategies for molecular electronics and thermoelectricity
了解由散射区域组成的结的电子和声子输运性质，例如连接到两个或更多个电极的纳米级物质或分子，是未来纳米和分子尺度应用的核心基础。处理电子和声子输运的理论和数学技术正在导致对纳米和分子尺度结的物理性质进行建模。我在本文中的目的是回顾理论和数学技术来处理电子和声子输运在纳米和分子尺度的结导致其物理性质的模型。这不仅有助于理解实验观察结果，而且为分子电子构建块、热电器件和传感器的开发策略提供了重要的设计工具。
2016-07-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
