Low-temperature linear transport of two-dimensional massive Dirac fermions in silicene: residual conductivity and spin/valley Hall effects
考虑有限温度屏蔽电子-杂质散射，我们提出了一种动力学方程方法来研究二维大质量费米子在硅烯中的输运性质。我们发现当化学势位于能隙内时，纵向电导率总是不为零。这种剩余电导率来自带间相关性，并且强烈依赖于电子-杂质散射的强度。我们还澄清，电子-杂质相互作用作出重大贡献的自旋和谷霍尔电导率，然而，几乎是独立的杂质密度。纵向电导率以及自旋和谷霍尔电导率对化学势，温度和能隙的依赖关系进行了分析。
2015-03-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Persistent Currents and Dissipation in Narrow Bilayer Quantum Hall Bars
双层量子霍尔态支持一种几乎无耗散的交错电流，这种电流只能通过集体通道衰减。我们研究了窄条中占主导地位的有限温度耗散机制，该机制是由赝自旋孤子的热成核驱动的。我们发现有限温度电阻率，预测由此产生的交错电流-电压特性，并计算相关的零温度临界交错电流和栅极电压。
2001-11-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Quantization of spin Hall conductivity in two-dimensional topological insulators versus symmetry and spin-orbit interaction
通过电子结构计算，研究了二维拓扑绝缘体静态自旋霍尔电导率的三阶张量.它似乎量子化的数值表现为高度对称的系统独立的间隙大小。具有六边形和正方形布拉维晶格的2D晶体显示出类似的效果，而真正的矩形平移对称产生远低于量子$e^2/h$的电导率值。场致反转对称性的提升并不影响量子自旋霍尔态直到能带反转，但影响电导量子化。只要反向间隙决定拓扑特征，弱的双轴守恒应变和单轴应变的影响都很小。结果进行了讨论的原子几何形状和Rashba贡献的自旋轨道相互作用（SOI）。平移和点群对称性以及SOI规则的自旋霍尔电导的量子化的偏差。
2019-09-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Intrinsic Spin Hall Conductivity Platform in Triply Degenerate Semimetal
一般认为导电平台只能存在于具有拓扑非平凡体占据态的绝缘体中。这种规律在二维量子（反常）霍尔效应、量子自旋霍尔效应和三维拓扑绝缘体中均有体现。本文提出了一种在费米能级附近具有三重简并点的三维金属材料中的自旋霍尔电导平台。利用四带\textbf{k} ${\cdot}$ \textbf{p}模型，证明了金属体系的$|\frac{3}{2},\pm\frac{3}{2}\rangle$态和$|\frac{1}{2},\pm\frac{1}{2}\rangle$态之间可以形成SHC平台。我们进一步的从头计算预测，一个接近理想的SHC平台，在实验合成的TaN。SHC平台的宽度达到0.56eV，希望能在高温下工作。TaN的电导率张量表明其自旋霍尔角达到-0.62，这比以前报道的许多材料都要大，使其成为产生稳定自旋电流的优秀候选材料。
2021-01-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin-Hall conductivity of a spin-polarized two-dimensional electron gas with Rashba spin-orbit interaction and magnetic impurities
利用Kubo公式计算了具有Rashba型自旋轨道相互作用的自旋极化二维电子系统的自旋霍尔电导率。在非极化电子系统的情况下，自旋霍尔电导率完全由费米能级的状态决定，这是一种在磁性杂质存在时仍然存在的性质。在干净的限制，自旋霍尔电导率单调下降的塞曼分裂，由磁场产生的电子自旋的有序效应的结果。在磁性杂质的存在下，自旋相关散射决定了速度算符的完全缀饰顶点修正的静态部分的有限重整化，导致σ sH的增强，这与自旋无关无序的情况相反。研究了σ_{sH}随Rashba耦合和塞曼分裂强度的变化。
2007-11-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Frequency dependence of the light-induced Hall effect in dissipative graphene
我们确定光驱动石墨烯的霍尔电导率，特别关注其频率依赖性，并将其与基于Floquet态的静态有效近似进行比较。这种近似给出了Haldom模型作为光驱动石墨烯的有效模型，具有带隙光谱和$-2e^2/h$的量子化霍尔电导率。我们模拟的光驱动和有效的模型，并明确包括在我们的模拟耗散环境。我们研究了不同的驱动机制和耗散强度对石墨烯霍尔电导率的影响。作为中心结果，光驱动系统的霍尔电导率不能很好地近似于有效模型，除了中间驱动频率和小耗散的制度，其中狄拉克点的霍尔电导率贡献近似地恢复了$-2e^2/h$的量化值，以及在弱耗散的瞬态动力学中。
2021-10-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Staggered Pseudo Magnetic Field in Twisted Transition Metal Dichalcogenides: Physical Origin and Experimental Consequences
本研究揭示小扭转角堆叠的WSe₂莫尔双层的低能物理可用强可调交错赝磁场解释，预测了层间电势下霍尔系数反转、边缘自旋流等实验现象，为凝聚态量子效应研究提供新体系。
2021-10-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Maximizing the spin-orbit torque efficiency of Pt/Ti multilayers by optimization of the tradeoff between the intrinsic spin Hall conductivity and carrier lifetime
我们报告了一个全面的研究最大化的自旋霍尔比（θSH）在Pt薄膜中的插入亚单层层的Ti，以减少载流子寿命，同时尽量减少并发减少自旋霍尔电导率。我们建立的固有自旋霍尔电导率的Pt，而强大的应变和这些插入所造成的晶体顺序的中度中断，开始迅速下降，在高电阻率水平，因为载流子寿命缩短。在本征自旋霍尔电导率和载流子寿命之间的不可避免的权衡为异质材料设定了θSH >=0.8的实际上限，其中结晶Pt组分是自旋霍尔效应的来源，并且电阻率通过缩短载流子寿命而增加。这项工作还建立了一种非常有前途的自旋霍尔金属[Pt 0.75 nm/Ti 0.2 nm]7/Pt 0.75 nm，用于节能，高耐久性的自旋轨道扭矩技术（例如，存储器、振荡器和逻辑电路），这是由于其结合了0.8的巨大θSH（或相当于0.35的每单位电流密度的阻尼式自旋扭矩效率）、相对较低的电阻率（90 uOhm cm）和对实际技术集成的高度适用性。
2019-08-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Signature of parity anomaly in the measurement of optical Hall conductivity in quantum anomalous Hall systems
宇称反常是指二维经典作用量的宇称对称性在全量子理论的任何正则化过程中都无法恢复的量子力学效应，其特征是半量子化的霍尔电导率。本文提出了一种在光学霍尔电导率测量中探索宇称反常的实验信号的方案，在适当的频率范围内，光学霍尔电导率几乎是半量子化的。研究了几种模型的光学霍尔电导行为，揭示了在低频或高频区域出现半量子化霍尔电导。光学霍尔电导率可以从克尔和法拉第旋转的测量和圆偏振光的吸收率提取。该方案为探索拓扑量子材料中宇称反常的特征提供了一种实用的方法。
2022-07-28 cond-mat.mes-hall
Local spin Hall conductivity
自旋霍尔电导率通常是计算周期性固体，而知识的本地贡献，如界面或表面的非均匀区域将是可取的。在这项工作中，我们推导出一个本地表达式的自旋霍尔电导率的二维系统的类比最近讨论的本地异常霍尔电导率。我们的方法是适用于异质完全有界系统和纳米带与开放和周期性的边界条件。
2021-05-07 cond-mat.mes-hall
Quantum Hall Conductivity in a Landau Type Model with a Realistic Geometry
在这篇论文中，我们重新回顾了与量子霍尔效应有关的一些量子力学方面。我们考虑一个朗道型模型，特别注意量子霍尔实验的实验和几何特征。由此产生的形式主义，然后使用显式计算的霍尔电导率从久保公式。
2003-02-06 cond-mat.mes-hall
Semi-classical study of the Quantum Hall conductivity
研究了双周期势$V(x,y)$中电子的整数量子霍尔电导率的半经典研究。霍尔电导率是由于隧道效应，我们集中我们的研究在一个周期性的细胞有三个阱的电位。非零的拓扑电导率要求阱的位置和形状的特殊条件。结果是解析推导和数值计算证实。
1998-05-07 cond-mat.mes-hall
Anomalous quantum Hall conductivity and resonances in coupled layers
在整数量子霍尔机制下，研究了一个通过隧穿耦合的两层系统，每层中具有不同的载流子质量。如果实现不同层的朗道能级之间的共振，则发现单层霍尔电导率与通常量子化的显著偏差。在适当的条件下，霍尔电导率的负跳跃的外观也被预测。所得结果对系统中的无序具有鲁棒性。
1999-04-13 cond-mat.mes-hall
Geometric and nongeometric contributions to the surface anomalous Hall conductivity
静态电场在磁电绝缘体的表面处产生循环电流。描述这种束缚电流的表面电导率张量的异常霍尔部分可以根据绝缘表面制备而改变$e^2/h$的倍数，并且批量计算不固定其量化部分。为了解决这种模糊性，我们开发了一种计算平板几何中的全表面异常霍尔电导率的形式。我们确定了一个贝里曲率项，密切相关的散装异常霍尔电导率，其值可以通过调整表面哈密顿量的量子化量的表达。此外，表面反常霍尔电导率包含一个不依赖于表面制备的非几何部分。
2018-09-06 cond-mat.mes-hall
Intrinsic (valley) thermal Hall conductivity of phonons in graphene for integer quantum Hall phases
Bar-Ilan University（巴伊兰大学）
本文计算了量子霍尔区域石墨烯声子的内禀谷热霍尔电导率，源于电子-声子耦合诱导的声子谷霍尔粘度，并讨论了测量前景及推广至其他狄拉克材料。
2026-09-10 cond-mat.mes-hall
Geometrical interpretation of Hall conductivity in metals
本文利用费米面曲率对金属弱场霍尔电导率给出几何解释，并在附录中围绕 Peierls 面积因子讨论轨道磁化率与磁导率。
2024-09-10 cond-mat.mes-hall
Hall conductivity as a topological invariant
本工作的目的是从对称性和拓扑学的角度研究量子霍尔效应。本文考虑了在平面电场和垂直磁场作用下电子在二维晶格中运动的模型。我们称之为二维电磁布洛赫问题（EMB）。分析了线性响应近似下的霍尔电导率公式。
2004-09-22 cond-mat.mes-hall
Spin-Hall conductivity and optical characteristics of noncentrosymmetric quantum spin Hall insulators: the case of PbBiI
本研究通过理论分析揭示了非中心对称量子自旋霍尔绝缘体PbBiI的光学性质与自旋霍尔电导率，发现其动态自旋霍尔电导率较小，需借助外部磁场或磁性材料来产生交流自旋电流。
2024-08-22 cond-mat.mes-hall
Nearly semi-elliptic relation between the minimal conductivity and Hall conductivity in unpaired Dirac fermions
本研究在自洽玻恩近似框架下计算未配对狄拉克费米子的电导率，发现最小电导率与霍尔电导率的近半椭圆关系，可标识宇称反常半金属，衔接两类拓扑绝缘相且匹配实验观测。
2025-11-14 cond-mat.mes-hall
Simultaneous quantization of edge and bulk Hall conductivity
边缘霍尔电导率被证明是$e^2/h$的整数倍，这几乎肯定是独立的无序配置的选择。它与Kubo-Chern公式给出的体霍尔电导率的相等性来自K理论的论证。这导致样品中电流的任何重新分布的霍尔电导的量化。有人认为，在实验中，最多百分之几的总电流可以携带的边缘状态。
1999-12-10 cond-mat.mes-hall
Spin-Hall conductivity of a disordered 2D electron gas with Dresselhaus spin-orbit interaction
本文计算了任意自旋轨道相互作用下无序二维电子气的自旋霍尔电导率。我们发现，在电子输运的扩散区，当自旋轨道耦合仅由Rashba相互作用表示时，由于杂质散射，均匀系统的直流自旋霍尔电导率变为零。然而，当考虑Dresselhaus相互作用时，自旋霍尔电流不为零。我们还考虑了非均匀电场诱导的自旋霍尔电流。结果表明，随时间变化的电荷诱导自旋霍尔电流的漩涡。
2005-04-06 cond-mat.mes-hall
Heavy-Tailed Hall Conductivity Fluctuations in Quantum Hall Transitions
Ben-Gurion University of the Negev（内盖夫本-古里安大学）
研究揭示了量子反磁振荡临界点附近电导的厚尾波动特性，表明自平均性破裂与拓扑指数随机矩阵模型一致。
2025-12-30 cond-mat.mes-hall
Phonon Hall thermal conductivity from Green-Kubo formula
导出了弹道声子霍尔模型的热导张量公式。研究发现，尽管电导率张量的对角元发散到无穷大，但非对角元在磁场中是有限的、反对称的、奇的。非对角元素只有在声子系统的动力学矩阵打破镜面反射对称性时才为非零。结果是在没有自旋-声子相互作用微扰假设的情况下得到的。
2009-02-07 cond-mat.mes-hall
Charge and spin Hall conductivity in metallic graphene
石墨烯具有不寻常的低能量能带结构，具有四个手性带和半量子化和量子化的霍尔效应，最近引起了理论和实验的关注。我们研究了它的费米能和自旋霍尔电导的无序依赖性。在金属制度中，我们发现，顶点校正增强固有的自旋霍尔电导率和斜散射可以导致其值超过量子化的预期时，化学势是内部的自旋轨道诱导的能隙。我们预测，大自旋霍尔电导率将在石墨烯中观察到，即使自旋轨道间隙不生存的障碍。
2006-02-24 cond-mat.mes-hall
Inertial-Hall effect: the influence of rotation on the Hall conductivity
惯性效应在经典力学中起着重要的作用，但在量子力学中却被忽略了。然而，质量粒子上的惯性力与带电粒子上的电磁力之间的类比并不新鲜。本文考虑了在垂直均匀磁场作用下旋转的无相互作用平面二维电子气，研究了旋转对霍尔电导率的影响。
2015-03-02 cond-mat.mes-hall
Dynamical scaling analysis of the optical Hall conductivity in the quantum Hall regime
理论上对二维电子气和石墨烯的交流（光学）霍尔电导率$σ_{xy}(\varepsilon_F,ω)$作为费米能量$\varepsilon_F$和频率$ω$的函数进行动态标度分析。在这两个系统中，基于精确对角化的结果表明，$σ_{xy}(\varepsilon_F,ω)$显示出一个定义良好的动力学标度，动力学临界指数以及本地化指数拟合和插入。确定了从直流-类bacetone或交流政权的交叉。动态标度分析使我们能够量化的高原在交流霍尔电导率先前获得的，并预测高原结构在交流是足够强大的太赫兹制度中观察到的。
2010-04-27 cond-mat.mes-hall
Controllable intrinsic DC spin/valley Hall conductivity in ferromagnetic silicene: Exploring a fully spin/valley polarized transport
本文研究了在垂直于硅烯片的电场作用下，掺杂铁磁硅烯的本征直流自旋和谷霍尔电导。通过计算它的能谱和波函数，并利用Kubo形式，我们得到了横向霍尔电导率的一般关系式，它可用于计算自旋霍尔电导率和谷霍尔电导率。在交换场的零极限下，我们的结果退化为以前的结果。进一步讨论了铁磁硅烯中自旋和谷极化电调谐输运，得到了观察到完全自旋或谷极化输运的必要条件。
2015-10-07 cond-mat.mes-hall
Reversal of Orbital Hall Conductivity and Emergence of Tunable Topological Quantum States in Orbital Hall Insulator
该研究通过应变工程结合k·p模型与第一性原理计算，在轨道霍尔绝缘体中实现轨道陈数符号反转和轨道霍尔电导反转，并探索了可调拓扑量子态。
2024-02-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
A Cantilever Torque Magnetometry Method for the Measurement of Hall Conductivity of Highly Resistive Samples
我们提出了第一次测量霍尔电导率利用一种新的转矩磁强计方法设计的绝缘体。当在测试材料上施加电压时，Corbino盘表现出与霍尔电导率成比例的磁偶极矩。这种磁偶极矩可以通过转矩磁力测量法测量。这种非接触式技术的对称性允许在以前无法访问的材料中测量霍尔电导率。最后，一个低温噪声界，缺乏系统误差的虚拟设备，和溅射氧化铟锡的霍尔电导率的测量证明了该技术的有效性。
2019-08-30 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
Quantum Hall conductivity in the presence of interactions
本文讨论了电子间存在任意对相互作用时的量子霍尔效应。结果表明，不管相互作用强度的霍尔电导率给出的朗道能级的填充分数的平均在基态的系统。这一结论对整数和分数量子霍尔效应都成立。
2020-01-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
First-order effect of electron-electron interactions on the anomalous Hall conductivity of massive Dirac fermions
研究二维质量狄拉克费米子中电子-电子相互作用对反常霍尔电导率的一阶修正，发现零温带隙下修正为零，有限温度或化学势下霍尔响应衰减加快，凸显两体相互作用的重要性。
2024-04-18 cond-mat.mes-hall
Anomalous Frequency-Dependent Conductivity near the Quantum Hall Transition
利用狄拉克费米子方法研究了零温下整数量子霍尔跃迁附近的动力学输运性质。这些属性已被实验研究，在低频率ω和低温附近的nu=1填充因子霍尔转变，与观察的异常加宽和整体增加的纵向电导率Re sigma_{xx}作为ω的函数。在我们的方法中，我们发现，与正常金属不同，纵向电导率随着频率的增加而增加，而霍尔转变附近的电导率峰的宽度Δ B（或Δ nu）增加。这些发现与Engel等人最近的实验以及Avishai和Luck最近的数值工作在数量上是合理的。
1998-11-16 cond-mat.mes-hall
Magnetic oscillations of the anomalous Hall conductivity
已知在霍尔电阻率中可以观察到Shubnikov-de Haas振荡，尽管它们的振幅比对角电阻率振荡的振幅弱得多。采用二维具有反常霍尔效应的大质量狄拉克费米子模型，我们证明了反常霍尔电导率的Shubnikov-de Haas振荡的振幅与对角电导率的振幅相同.我们认为，通过研究石墨烯超晶格中的谷霍尔效应和低屈曲狄拉克材料中的自旋霍尔效应，可以观察到反常霍尔电导率的振荡.
2016-02-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Hall conductivity of strained $Z_2$ crystals
我们建立拓扑性质的霍尔电导率的石墨烯和其他$Z_2$晶体在二维和三维的存在下的非均匀扰动。为此，晶格Weyl-Wigner形式主义。非均匀的机械应力被认为是随着空间变化的磁场。阐明了所得到的拓扑不变量与能级计数的关系。
2019-10-03 cond-mat.mes-hall
Hall conductivity of Sierpinski carpet
本文用Kubo-Bastin公式计算了Sierpinski地毯的霍尔电导率。当我们增加分形的深度时，霍尔电导率的量子化消失。霍尔电导率不再与陈数成正比。然而，这些量的行为以类似的方式显示出霍尔电导率的拓扑性质的一些回忆。我们还数值研究了体积边缘对应，发现当Sierpinski地毯的深度增加时，边缘状态变得不那么明显。
2019-10-31 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall quant-ph
Conductivity scaling and the effects of symmetry-breaking terms in bilayer graphene Hamiltonian
我们研究了双层石墨烯在低能激发有效哈密顿量中存在三角翘曲项（$γ_3$）、电子-空穴对称性破缺层间跳跃项（$γ_4$）和交错势（$δ_{AB}$）时的弹道电导率。早些时候，已经表明，对于$γ_3\neq{}0$，在不存在剩余的破密项的情况下（即，对于系统尺寸$L\rightarrow{}\infty$，电导率（$σ$）接近$3σ_0$的值（其中$σ_0=8e^2/(πh)$是不存在三角形翘曲的结果，$γ_3=0$）。我们证明，$γ_4\neq{}0$导致发散的导电性，如果$γ_3\neq{}0$，或消失的导电性，如果$γ_3=0$。对于现实的紧束缚模型参数，$γ_3=0.3\,$电子伏特，$γ_4=0.15\,$电子伏特（和$δ_{AB}=0$）的值，电导率值的范围内的$σ/σ_0\approx{}4-5$为$100\,$纳米$\ <L<1\,μ$米，与现有的实验结果一致。交错电位（$δ_{AB}\neq{}0$）抑制零温输运，导致$σ\rightarrow{}0$为$L\rightarrow{}\infty$。虽然$σ=σ(L)$不再通用，但Fano因子在任何情况下都接近伪扩散值（对于$L\rightarrow{}\infty$为$F\rightarrow{}1/3$），其中$σ$为非零（否则为$F\rightarrow{}1$），表明输运由倏逝波控制。温度的影响进行了简要的讨论…
2019-12-06 cond-mat.mes-hall
Sum rules for spin-Hall conductivity cancelation
最近的研究表明，具有Rashba自旋轨道相互作用的二维电子的普遍直流自旋电导率在弱散射区被顶点修正所抵消。我们证明了零体自旋电导率是自由电子哈密顿量的一个固有性质，散射只是一个工具，以揭示这一性质的图解技术。当塞曼能量被忽略时，零直流电导率在磁场中持续存在。自旋电导率在回旋频率处共振增加，然后向普适值衰减。
2004-09-18 cond-mat.mes-hall
The anomalous Hall conductivity due to the vector spin chirality
本文从理论上研究了$s$ - $d$模型中由于局域自旋携带的矢量自旋手征所引起的反常霍尔效应。我们将证明，矢量自旋手征确实诱导局部霍尔效应的存在下，电子自旋极化，而全球霍尔效应消失，如果电子输运是均匀的。这种反常的霍尔效应可以用与矢量手征相关的自旋电流的旋转分量来解释。
2008-11-06 cond-mat.mes-hall
Dynamical spin Hall conductivity in a magnetic disordered system
研究了掺杂磁性杂质的量子阱半导体中的本征自旋霍尔效应，作为一种操纵载流子自旋的手段。使用一个简单的哈密顿与Rashba自旋轨道耦合和交换相互作用，我们分析计算自旋霍尔电导率。它表明，使用适当的顺序的限制，一个恢复的内在普遍价值。紧束缚模型的数值计算，在弱无序制度，证实了自旋霍尔效应的磁性杂质的存在下保存。的光学自旋电导率显示大的样品样品在低频区域的波动。因此，对于弱无序，静态自旋电导率被发现遵循一个宽的高斯分布，其平均值附近的内在清洁值。
2011-11-15 cond-mat.mes-hall
Classical Quantization of Local Hall Conductivity in 2D Ballistic Systems
研究了二维弹道系统在非均匀磁场作用下的线性霍尔响应。我们建立了在经典极限下霍尔电导率对局部磁场的响应是以$α_H \equiv \frac{e^3}{2 π^2 \hbar c}$为单位量子化的。量子化值取决于施加场的点，这种依赖性在混沌台球中是不规则的。这种现象允许直接追踪属于分形排斥的特殊电子轨迹。我们讨论了量子效应如何平滑量子化。
1999-07-06 cond-mat.mes-hall
Topological phase transitions in the photonic spin Hall effect
最近合成的二维交错材料开辟了新兴的机会，研究光学自旋轨道相互作用的半导体类狄拉克系统。我们揭示了石墨烯家族材料中光子自旋霍尔效应的拓扑相变。结果表明，外部静态电场和高频圆偏振激光允许主动按需操纵的电磁光束移位。光的自旋霍尔效应表现出与辐射自由度、材料性质的丰富依赖性，并具有非平凡的拓扑性质。我们发现，光子霍尔位移是敏感的自旋和谷特性的电荷载流子，提供了一个前所未有的途径，研究自旋电子学和谷电子交错的二维半导体。
2017-09-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Skyrmion-induced anomalous Hall conductivity on topological insulator surfaces
电子自旋动量锁定与背景磁织构一起可以显著改变电子输运性质。本文从理论上研究了拓扑绝缘体与顶部含有磁性skyrmions的磁性绝缘体之间的电子输运。与常规金属中的拓扑霍尔效应不同，即使在没有面内磁织构的情况下，skyrmion也会对异常霍尔电导率产生额外的贡献，这是由于在skyrmion边界处获得的狄拉克电子的相位因子特性。
2017-10-12 cond-mat.mes-hall
Strain-Fluctuation-Induced Near-Quantization of Valley Hall Conductivity in Graphene Systems
我们发展了一个理论的谷霍尔效应在高品质的石墨烯样品，其中应变波动引起的随机规范电位已被建议为主要来源的混乱。我们发现一个近量子化的谷霍尔电导率的值在带输运制度，这源于一个增强的侧跳的狄拉克电子时，它散射的规范电位。通过假设一个小的剩余电荷密度，我们的理论再现定性的温度和间隙依赖性的观察到的谷霍尔效应在电荷中性点。我们的研究表明，石墨烯系统中的谷霍尔效应代表了规范无序起重要作用的反常霍尔物理的新范式。
2019-05-15 cond-mat.mes-hall
Spin-Hall Conductivity and Pauli Susceptibility in the Presence of Electron-Electron Interactions
我们发现了具有Rashba耦合的干净二维电子系统中频率依赖的自旋霍尔电导率和磁化率之间的普遍关系：在任意两粒子自旋守恒相互作用的存在下的$σ_{sH}(Ω)= \frac{e}{(gμ_B)^2m_b}χ_\parallel(Ω)$。我们表明，库仑相互作用重整化的自旋霍尔常数。对$σ_{sH}$的相对校正的大小与库仑相互作用参数$e^2/εv_F\hbar$成比例，并且不依赖于Rashba耦合$α$的强度。
2004-07-23 cond-mat.mes-hall
Quantum plateaus in dynamical Hall conductivity
分析了垂直磁场中含杂质二维电子气的动态霍尔电导率σ H（ω）。在低频率以及在高频率提供的朗道能级的完全填充的高原状行为的预测。朗道能级的加宽将具有不同行为的两个频率区域分开。动态霍尔电导率的虚部揭示了局域态区域的振荡。并与实验结果进行了比较。
2018-12-03 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Berry curvature mediated valley Hall and charge Hall effects in graphene via strain engineering
我们指出了一个实用的方法，诱导有限的电荷霍尔电导率在石墨烯通过非对角应变。我们的结论是基于一般的分析和支持的数值例子。衬底诱导的间隙和应变之间的相互作用进行了讨论。我们表明，衬底诱导的间隙本身并没有打破对称性，映射到其他的一个山谷，因此不会产生净电荷霍尔效应。的净电荷霍尔电导率被认为是相当大的，应该是可观察到的存在下的间隙和应变。霍尔电导率的符号可以通过改变应变参数来调整。研究了谷霍尔电导率。在霍尔电导率实验中可以检测到样品边缘上的谷和轨道磁矩积累。
2011-11-16 cond-mat.mes-hall
Quantum corrections to the conductivity and Hall coefficient of a 2D electron gas in a dirty AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well: transition from diffusive to ballistic regime
本文报道了AlGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱中低迁移率、高密度二维电子气在宽温度范围（1.5 K - 110 K）内纵向电导率和霍尔系数的量子修正实验研究。这个温度范围涵盖了我们的样品的扩散和弹道相互作用制度。因此，可以研究纵向电导率和霍尔效应的交叉区域。
2004-12-17 cond-mat.mes-hall
Hall conductivity in the cosmic defect and dislocation space-time
研究了拓扑缺陷和位错在外电磁场中对载流子电导行为的影响。特别是对量子霍尔效应进行了详细的研究。我们发现，由于拓扑缺陷和位错引起的时空非平凡变形产生了微扰论首阶的电流。然后，该电流引起霍尔电导率的变形。霍尔电导率的修正值与外加电场、样品尺寸和粒子动量有关。
2016-08-28 cond-mat.mes-hall hep-th
High Frequency Conductivity in the Quantum Hall Regime
我们已经测量了二维电子系统的复电导率$σ_{xx}$的量子霍尔制度高达6 GHz的电子温度低于100 mK的频率。使用它的虚部和实部，我们表明，$σ_{xx}$可以缩放到一个单一的功能，为不同的频率和所有的研究平台之间的跃迁在量子霍尔效应。此外，在可变范围跳跃制度的电导率用于直接评估的本地化长度$ξ$。即使对于距临界点的大填充因子距离$δν$，我们也发现具有标度指数$γ=2.3$的$ξ\propto δν^{-γ}$。
2000-11-01 cond-mat.mes-hall
Locality of the anomalous Hall conductivity
金属的反常霍尔电导率（AHC）的几何固有贡献通常表示为倒空间积分：因此，它只针对无界和宏观均匀的样品。在这里，我们表明，几何AHC有一个等价的表达作为一个局部属性。我们定义了一个“几何标记”，它实际上探测AHC在非均匀系统（如异质结），以及在有界样品。标记甚至可以包括几何性质的外在贡献。
2017-02-28 cond-mat.mes-hall
Optical Hall conductivity in ordinary and graphene QHE systems
我们已经从数值研究中发现，光学霍尔电导率$σ_{xy}(ω)$即使在交流（$\sim$ THz）制度中也具有特征性特征，因为霍尔平台在普通二维电子气和量子霍尔（QHE）制度中的石墨烯中均被保留，尽管平台高度不再在交流中量子化。在石墨烯中，$σ_{xy}(ω)$反映了不寻常的朗道能级结构。该效果仍然出乎意料地强大，对一个显着的强度的障碍，我们归因于本地化的效果。我们预测交流量子霍尔测量是可行的，通过法拉第旋转表征的精细结构常数$α$。
2009-09-16 cond-mat.mes-hall
Temperature dependence of side-jump spin Hall conductivity
在自旋霍尔效应的传统范例中，由于电子-声子散射引起的侧跳电导率被认为是与温度无关的。相反，我们得出的区别是，虽然这种侧跳电导率是温度无关的在经典的均分制度的纵向电阻率是线性的温度，它是温度依赖于均分制度以下。导致这种温度依赖性的机制不同于我们所熟悉的纵向电阻率。在Pt的具体例子中，我们表明自旋霍尔电导率随温度的变化可以高达50%。实验上可获得的高纯度Pt被认为适合于在80 K以下观察这种显著的变化。
2019-07-02 cond-mat.mes-hall
Optical Hall conductivity of a Floquet Topological Insulator
研究了Floquet拓扑绝缘体（FTI）在理想封闭量子系统和开放系统中的光学霍尔电导率，得到了该系统在非平衡稳态下的光学霍尔电导率.即使对于开放系统，稳定状态也强烈依赖于FTI的拓扑相位，某些相位显示出与相反符号的Berry曲率袋显著接近的抵消，导致抑制的低频霍尔电导率，其也显示出异常的温度依赖性，随着储层温度的增加而增加。这种行为与加热完全相反，并且由于激光对有效系统-储层耦合的强烈修改而产生。的Floquet模式的Berry曲率是随时间变化的，其频率分量被发现控制的高频霍尔电导率的主要功能。
2015-10-27 cond-mat.mes-hall
Hall viscosity and nonlocal conductivity of "gapped graphene"
我们计算霍尔粘度和非局部（即，依赖于波矢量$\bm q$）在强垂直磁场存在下“带隙石墨烯”（具有两个谷的非拓扑绝缘体）的霍尔电导率。使用线性响应理论在零温度范围内的狄拉克近似的朗道水平，我们提出了谷和总霍尔粘度和电导率高达$\bm q^2$在所有频率的解析表达式。虽然总霍尔粘度和电导率的最终公式与先前获得的无间隙石墨烯相似，但推导揭示了两个系统之间的显着差异。首先，当费米能级位于导带中最低朗道能级与价带中最高朗道能级之间的间隙中时，霍尔粘度和霍尔电导率都消失。只有当费米能级{ \it不在带隙中}时，才能恢复无带隙石墨烯的常见公式。其次，在有间隙的石墨烯的情况下，不可能（至少在我们目前的方法中）定义一个单谷霍尔粘度：这个量以与间隙大小成比例的强度发散。只有当两个谷都包括在内时，在两个谷中具有相反符号的发散项才抵消，并且恢复了熟悉的结果。与此相反，非局部霍尔电导率在每个谷是有限的。这些结果表明，在$q$依赖性霍尔电导率的小$q$展开中，将霍尔粘度与$q^2$的系数联系起来的Hoyos-Son公式不能应用于每个谷，而只能应用于整个系统。定义“谷霍尔粘度”的问题仍然悬而未决。
2019-08-12 cond-mat.mes-hall
