Optimal Control of Stochastic Magnetization Dynamics by Spin Current
涨落诱导的随机磁化动力学在磁纪录和磁写入中起着重要的作用。在这里，我们提出的磁化动力学可以最佳控制的自旋电流，以最小化或最大化的Freidlin-Wentzell作用泛函的系统，从而增加或减少罕见事件的发生概率。我们应用这种方法来研究热驱动磁化开关问题，并证明了最优控制策略的优势。
2012-10-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech
Nanosecond magnetization dynamics during spin Hall switching of in-plane magnetic tunnel junctions
本文研究了面内磁化的三端纳米磁性隧道结（3 T-MTJ）中由自旋霍尔效应驱动的纳秒级磁开关的磁动力学。利用快速脉冲测量在各种材料堆栈和详细的微磁模拟，我们证明，这种意想不到的快速和可靠的磁反转是由自生奥斯特场促进，和短脉冲的能量效率可以大大提高微磁曲率的磁性自由层。奥斯特场的符号对于这种增强是必不可少的-在模拟中，我们人为地施加了一个与奥斯特场的效果相反的符号的类场扭矩，结果是一个慢得多的随机切换过程，这让人想起传统的2端自旋扭矩切换MTJ中的所谓孵化延迟。
2017-02-01 cond-mat.mes-hall
Voltage-driven Magnetization Switching via Dirac Magnetic Anisotropy and Spin--orbit Torque in Topological-insulator-based Magnetic Heterostructures
磁化动力学的电场控制对于未来的自旋电子器件是基本的和技术上重要的。基于电场对磁各向异性和自旋轨道矩的控制，提出了两种不同的方法来实现拓扑绝缘体（TI）/磁-TI混合系统的磁化切换.在磁TI的磁各向异性能的公式解析为费米能量的函数，它被证实，面外磁化总是有利于部分占据的表面带。还提出了一种具有非易失性磁存储器功能的晶体管类器件，其使用电压驱动写入和（量子）反常霍尔效应进行读出。对于磁化反转，利用Cr掺杂的Bi_{1-x}（Sb_{x}）_{2} Te_{3}，估计的源极-漏极电流密度和栅极电压的数量级为$10^4$- $10^5$ THABMQ ~A/cm $^2$和0.1~V，写入时不需要外加磁场。还讨论了磁邻近效应的TI/铁磁绝缘体双层膜的磁化翻转的可能性，提出的方法。
2020-09-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Magnetization switching of FePt nanoparticle recording medium by femtosecond laser pulses
利用超短激光脉冲对磁化强度进行控制是一种很有前途的信息存储技术。磁化响应的动态取决于初始激光激发期间从光子到自旋的能量转移。用于磁存储的特别感兴趣的材料是FePt纳米颗粒，Lambert等人最近证明了在其上具有光学角动量的光学写入，尽管其机制尚不清楚。在这里，我们研究的实验和理论的全光开关的FePt纳米粒子。我们表明，磁化开关是一个随机过程。我们开发了一个完整的多尺度模型，它使我们能够优化在我们的实验中写入高各向异性FePt纳米颗粒的磁化强度所需的激光照射次数。我们的结论是，只有角动量诱导的逆法拉第效应的光学将提供一个单一的飞秒激光脉冲开关。
2016-06-28 cond-mat.mes-hall
Atomistic simulation of sub-nanosecond non-equilibrium field cooling processes for magnetic data storage applications
热辅助磁写入是利用温度相关的磁特性来实现磁数据存储介质的定向的重要技术。使用原子自旋模型，我们研究非平衡场冷却磁化过程的亚纳秒时间尺度上所需的设备应用。我们封装的基本物理过程中的TRM-T曲线，并表明，对于快速的时间尺度加热到居里温度是必要的磁弛豫时间最短。此外，我们证明了大磁场的要求，以实现快速记录或数据速率所需的高thermoresistance磁化。
2014-09-25 cond-mat.mes-hall
Zero-field propagation of spin waves in waveguides prepared by focused ion beam direct writing
在Cu（001）衬底上生长的亚稳面心立方结构Fe 78 Ni 22薄膜具有良好的磁性能，是聚焦离子束直写磁振子结构的理想材料。聚焦的离子束将最初的铁磁fcc相转变为铁磁bcc相，并对单轴磁平面内各向异性的方向进行额外的控制。磁晶各向异性的转变区域是足够强的稳定磁化在横向的窄波导的长轴。因此，可以在这些波导中传播自旋波，而不存在有利的Demon-Eshbach几何形状中的外部磁场。相位分辨微聚焦布里渊光散射产生这些波导在零以及在非零外部磁场的色散关系。
2019-07-18 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
Cascadable in-memory computing based on symmetric writing and read out
具有自旋电子器件的存储器内计算的构建块主要基于具有垂直界面各向异性的磁性隧道结（p-MTJ）。所得到的非对称写入和读出操作对p-MTJ器件的缩小和直接可重构性提出了挑战。在这里，我们提出了一种新的对称写入和读出机制，可以实现在各向异性自旋轨道（PASO）量子材料的基础上Fe 3GeTe 2和WTe 2。我们表明，无场和确定性反转的垂直磁化可以通过采用非常规的电荷到z-自旋转换。由此产生的磁状态可以很容易地用其固有的逆过程来探测，即，z-自旋到电荷的转换。使用PASO量子材料作为基本构建块，我们实现了功能完整的逻辑存储器操作和更复杂的非易失性半加法器逻辑功能。我们的工作突出了PASO量子材料在开发可扩展的节能和超快自旋电子计算方面的潜力。
2022-11-12 cond-mat.mes-hall
Voltage-based magnetization switching and reading in magnetoelectric spin-orbit nanodevices
针对CMOS技术缩放瓶颈与自旋器件高能耗问题，本研究利用BiFeO₃与CoFe的交换耦合、CoFe与Pt的自旋-电荷转换，在室温纳米器件中实现电压控磁化读写，为低功耗后CMOS自旋逻辑器件奠定基础。
2024-10-30 cond-mat.mes-hall
Voltage-Driven Spin-Transfer Torque in a Magnetic Particle
我们讨论了自旋转移力矩器件，其中的软铁磁层的作用是由磁性粒子或磁性分子，在弱隧道接触两个自旋极化的铅。我们调查，如果粒子的磁化可以被电子操纵，在政权的磁化切换的临界电流是微不足道的弱，这可能是由于减少粒子尺寸。利用主方程模拟来评估自旋-轨道各向异性能量涨落对自旋转移的影响，我们获得了这种磁性粒子磁化状态的可靠读写，并发现该器件依赖于临界电压而不是临界电流。临界电压由粒子中离散能级的自旋轨道能移决定。这一发现开启了一种可能性，通过使用非常小的磁性粒子或分子，可以显著降低自旋转移扭矩切换中涉及的功耗。
2015-10-16 cond-mat.mes-hall
Angle Selective Piezoelectric Strain Controlled Magnetization Switching in Artificial Spin Ice Based Multiferroic System
提出一种含花生形纳米磁体的ASI多铁体系，通过微磁模拟揭示特定角度压电应变脉冲可实现180°低功耗磁化翻转。
2021-08-22 cond-mat.mes-hall
Tunable Enhancement of Magnetization Dynamics by Crystal Cut at Interface Exchange Coupled $α$-Fe$_2$O$_3$/NiFe Heterostructures
Rheinland-Pfälzische Technische Universität Kaiserslautern-Landau（莱茵兰-普法尔茨技术大学凯泽斯劳滕-兰道校区）；Johannes Gutenberg-University Mainz（约翰内斯·古腾堡美因茨大学）
研究通过精确控制温度、磁场和晶体取向调节异质结构中磁阻尼共振频率的机制，揭示了界面耦合对磁振荡频率的影响，理论模型验证了Néel矢量与磁化方向相对取向对耦合强度的依赖性。
2025-04-08 cond-mat.mes-hall
Odd symmetry planar Hall effect: A method of detecting current-induced in-plane magnetization switching
本文提出利用奇平面霍尔效应（O-PHV）的奇对称性，开发了一种纯直流的Type-X面内磁化翻转检测方法，并在Pt/Co/NiFe/Pt堆叠中验证了其有效性，为面内SOT存储器件和传感器提供了新途径。
2023-03-25 cond-mat.mes-hall
Respective influence of in-plane and out-of-plane spin-transfer torques in magnetization switching of perpendicular magnetic tunnel junctions
利用带STT项的Landau-Lifshitz（LL）变换方程，理论分析了面内（类阻尼）和面外（类场）自旋转移矩在面外磁化磁性隧道结（pMTJ）磁化翻转中的相对贡献.它表明，在pMTJ结构服从宏自旋动力学，面外扭矩的影响的进动频率，但它并没有显着的STT开关过程（特别是开关时间和开关电流密度），这主要是由面内STT的贡献。这一结论证实了有限的温度和有限的写入脉冲宏自旋模拟的电流场开关图。它与STT开关的情况下，在平面磁化MTJ中的类场项也影响开关临界电流。这种理论分析被成功地应用到解释的电压场STT开关图实验测量的垂直MTJ柱直径36 nm，表现出类宏自旋行为。讨论了在STT诱导动力学中Landau和Gilbert耗散项的物理不等价性。
2015-08-26 cond-mat.mes-hall
Electrical detection of magnetization reversal without auxiliary magnets
基于各向异性磁阻的第一代磁性随机存取存储器需要磁场来进行写入和读取。现代的全电读/写存储器使用非相对论自旋输运将存储磁性层与参考铁磁体连接。最近的研究集中在不需要参考铁磁体的相对论自旋力矩对磁矩的电操纵上。在这里，我们报告的观测对应的磁阻效应，在这样一个相对论系统，使我们能够电气检测的符号磁化没有辅助磁场或铁磁体。我们观察到的效果在一个几何形状中，其中的单轴（Ga，Mn）As外延层的磁化设置为平行或反平行的电流诱导的非平衡自旋极化的载流子。在我们的结构中，当电流密度为$10^6$ A cm $^{-2}$时，线性电流磁电阻达到0.2%.
2015-06-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Orbital Hall effect assisted field-free perpendicular magnetization switching
本文提出利用Mo底层的强轨道霍尔效应及轨道—自旋转换放大平面内类阻尼转矩，在Co/PtGd器件中实现无需外磁场的垂直磁化确定性翻转。
2025-06-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Annular Spin-Transfer Memory Element
提出了一种使用自旋极化电流来切换磁性区域的磁化方向或螺旋度的环形磁存储器。该装置具有环形的磁性材料（厚度为1至5nm，平均半径为20至250nm，宽度为8至100nm），包括具有固定磁螺旋度的参考磁性层和具有可变磁螺旋度的自由磁性层。它们被一层薄的非磁性层隔开。信息是使用垂直于层流动的电流写入的，从而引起改变自由层磁性状态的自旋转移扭矩。电阻取决于设备的磁状态，用于读出存储的信息。与传统的自旋转移磁性随机存取存储器（MRAM）器件相比，该器件提供了几个重要的优点。首先，环的几何形状提供了稳定的磁化状态，尽管如此，很容易改变短电流脉冲。其次，环形几何结构自然解决了自旋转移器件的一个主要挑战：写入需要相对高的电流和低阻抗电路，而读出需要更大的阻抗和磁阻。环形装置通过在放置于环上的不同位置处的单独读取触点和写入触点处执行读取操作和写入操作来适应这些冲突的要求。
2009-07-09 cond-mat.mes-hall
Magnetization reversal driven by spin-transfer-torque in perpendicular shape anisotropy magnetic tunnel junctions
垂直形状各向异性自旋转移矩磁性随机存取存储器（PSA-STT-MRAM）的概念在于将存储层厚度增加到与单元直径相当的值，以在磁性存储层中引起垂直形状各向异性。利用该贡献，由于热稳定性因子$Δ$的增强，STT-MRAM的缩小尺寸可扩展性可以向亚20 nm技术节点扩展。虽然较大的存储层厚度改善了$Δ$，但是预期其会负面地影响写入电流和切换时间。因此，单元尺寸（直径、厚度）的优化对于获得足够高的$Δ$同时保持适度的写入电流是极其重要的。微磁模拟进行了不同的柱厚度的固定的横向尺寸为20 nm。的开关时间和反转机制进行了分析，作为施加的电压和存储层的纵横比（AR）的函数。对于AR $<$ 1，磁化反转类似于类宏自旋机制，而对于AR $>$ 1，观察到非相干反转，其特征在于在铁磁体/绝缘体界面处的横向畴壁的成核，然后沿着柱的垂直轴传播。进一步观察到，开关时间的倒数线性地依赖于所施加的电压。该研究扩展到20 nm以下的宽度，$Δ$的值约为80。据观察，所需的电压，以扭转的磁性层的横向尺寸减小，伴随着从宏观自旋反转的高纵横比的屈曲状反转的过渡。
2021-04-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Controlling polarization of spintronic THz emitter by remanent magnetization texture
太赫兹（THz）科学和技术促进了广泛应用的快速发展，并扩大了基础科学的前沿。自旋电子太赫兹发射器提供概念上的优点，因为磁性层中的自旋取向可以容易地通过外部施加的磁场或通过由磁性元件的特定形状确定的内部磁场分布来控制。在这里，我们报告了一个可切换的太赫兹源的基础上微图案化的磁性异质结构驱动的飞秒激光脉冲。我们表明，极化状态的精确可调谐性是由微结构的形状所决定的磁性层的基本磁化织构促进的。这些结果也揭示了非均匀磁化状态在磁性异质结构中产生超快自旋电流的潜在物理机制。我们的研究结果表明，线偏振太赫兹波的发射可以通过使用偏置磁场饱和样品来打开和关闭，为具有广泛潜在应用的集成片上太赫兹器件开辟了迷人的前景。
2022-07-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
AC Current-Driven Magnetization Switching and Nonlinear Hall Rectification in a Magnetic Topological Insulator
本研究在半磁性拓扑绝缘体中实现交流电流驱动的低阈值磁化翻转，并发现强非线性霍尔响应及频率混合效应，为多功能自旋电子器件提供新途径。
2025-04-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Topological magneto-optics in the non-coplanar antiferromagnet Co_{1/3}NbS_2: Imaging and writing chiral magnetic domains
本文利用磁圆二色性（MCD）光学探针研究Co$_{1/3}$NbS$_2$的拓扑非共面反铁磁序，结合第一性原理计算揭示量子几何对光电导率的影响，并实现了手性反铁磁畴的直接成像与写入。
2025-07-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Picosecond spin-orbit torque switching of ferrimagnets
自旋电子学为实现非易失性存储器和逻辑器件提供了一个有效的平台。在这些系统中，数据存储在磁性材料的磁化中，并且磁化在写入过程中切换。在传统的自旋电子器件中，使用具有大约纳秒的磁化动力学时间尺度的铁磁材料，为切换速度设置了限制。提高自旋电子学研究中的磁化反转速度一直是自旋电子学研究的挑战之一。在这项工作中，我们利用超快磁化动力学的亚铁磁材料，而不是铁磁体，我们使用飞秒激光脉冲和光电导Auston开关，以创建皮秒电流脉冲切换亚铁磁。通过反常霍尔和磁光克尔（MOKE）测量，我们证明了强皮秒SOT驱动的亚铁磁GdFeCo的磁化翻转。时间分辨MOKE显示GdFeCo的磁共振频率超过50 GHz，表明自旋动力学速度超过20 ps，SOT开关速度为数十皮秒。我们的工作为非易失性磁存储器和逻辑应用提供了一条实现皮秒操作速度的有前途的路线。
2019-12-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Ultralow Energy Analog Straintronics Using Multiferroic Composites
多铁性材料中的电场诱导磁化翻转为超越摩尔定律时代的超低能量计算带来了深远的希望。多铁性材料中的双稳态纳米磁体通常被认为适合于存储二进制信息位，并且在两种稳定状态之间切换允许我们处理数字信息。然而，在未来的信息处理系统中，纳米磁性器件的无缝集成也需要处理连续的模拟信号。在这里，我们表明，它是可以利用磁致伸缩纳米磁体的模拟性质，相反，写一个数字位的信息。通过求解室温下磁化动力学的随机Landau-Lifshitz-Gilbert方程，我们证明了这种可能性，并表明应变介导多铁性复合材料中磁致伸缩纳米磁体的输入输出特性存在类似晶体管的高增益区。这可以成为未来信息处理系统中超低能量模拟和混合信号处理的基础，并且它消除了使用基于电荷的晶体管的要求。
2017-03-06 cond-mat.mes-hall
Spin-Transfer-Torque Driven Magneto-Logic OR, AND and NOT Gates
我们表明，电流感应磁逻辑门，如AND，OR和NOT可以设计与简单的架构，涉及一个单一的纳米自旋阀柱，作为我们最近的工作的扩展自旋扭矩驱动的磁逻辑通用门，NAND和NOR。这里的逻辑操作是由自旋极化电流，也形成了逻辑输入。通过同时存在恒定控制磁场来促进该操作，在不存在恒定控制磁场的情况下，相同元件作为磁阻存储器元件操作。我们构建了相关的相空间图的自由层磁化动力学的单畴近似，并显示所提出的门的基本原理和功能。这些非通用门的逻辑状态的翻转时间估计在纳秒之内，就像它们的通用计数器一样。
2014-01-03 cond-mat.mes-hall
Spin-Transfer-Torque Induced Spatially Nonuniform Switching in Ferrimagnets
本研究通过原子模型发现亚铁磁体(FeCo)1-xGdx在自旋转移矩作用下的翻转具有空间非均匀性，不同原子不协同翻转，且该非均匀性特征随Gd成分和电流密度变化，推翻了传统宏观自旋模型的假设。
2024-01-03 cond-mat.mes-hall
Emergent spin dynamics enabled by lattice interactions in a bicomponent artificial spin ice
人造自旋冰（ASI）是纳米级磁体上的阵列，既可以作为原子自旋冰中的挫折模型，也可以用于探索新的基于自旋波的传输，处理和存储信息的策略。在这里，我们利用两个不同的铁磁金属排列在一个正方形ASI的互补晶格位置上的磁化动力学的复杂相互作用，以有效地调制自旋波特性。我们发现，两个子晶格之间的相互作用的结果在独特的光谱归因于每个子晶格，我们观察到的两种材料的不同的磁化性质促进了晶格间和晶格内的动力学。系统地研究了动态特性的角度相关的宽带铁磁共振和微磁学模拟证实。我们表明，具有不同磁性能的材料的组合，使实现广泛的二维结构可能打开大门，在纳米磁学的新概念。
2020-10-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Picosecond Spin-Orbit Torque Induced Coherent Magnetization Switching in a Ferromagnet
本研究通过避免磁畴成核过程并相干驱动磁化，实验实现了无孵化延迟的皮秒级超快自旋轨道力矩诱导铁磁体翻转，完全翻转仅需约250 ps，为大幅提升SOT-MRAM器件写入速度提供了潜在途径。
2022-11-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin-orbit torque in Pt/CoNiCo/Pt symmetric devices
通过自旋轨道转矩的电流感生磁化切换提供了在重金属/铁磁体（FM）多层系统中写入信息的能量有效的手段。类场转矩和类阻尼转矩对电流引起的磁化翻转的相对贡献仍有争议。在这里，我们描述了一种基于对称Pt/FM/Pt结构的器件，在该器件中，我们展示了来自自旋霍尔效应的强阻尼类扭矩和来自Rashba效应的不可测量的类场扭矩。由于自旋霍尔效应的自旋-轨道有效场进行了定量研究，并被发现是一致的开关有效场后，占开关电流减少，由于热波动的电流脉冲。揭示了平均Mz的确定性开关与面内磁场的非线性关系，这可以通过微磁学模拟来解释和理解。
2015-10-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Integrating all-optical switching with spintronics
磁性材料的全光开关（AOS）描述了使用短（飞秒）激光脉冲的磁化反转，并已在各种材料中观察到。在过去的十年中，由于其在未来自旋电子存储器应用中的快速和节能数据写入的高潜力，它受到了广泛的关注。不幸的是，自旋电子学中常用的铁磁多层膜中的AOS机制需要多个脉冲来进行磁化反转，从而失去了其速度和能量效率。在这里，我们实验证明“在飞”单脉冲AOS结合自旋霍尔效应（SHE）驱动的磁畴运动在Pt/Co/Gd合成亚铁磁赛道。此外，使用场驱动的SHE辅助畴壁（DW）运动测量，SHE效率在赛道中被确定和光学写入DW的手性被验证。我们的实验表明，Pt/Co/Gd赛道促进单脉冲AOS以及有效的SHE诱导的畴壁运动，这可能最终铺平了道路集成光子存储器件。
2018-09-07 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
Heavily Damped Precessional Switching with Very Low Write-error Rate in Elliptical-cylinder Magnetic Tunnel Junction
磁隧道结（MTJ）中的电压感应动态开关是压控磁阻随机存取存储器（VCMRAM）的一种写入技术，它有望成为具有超低功耗的最终非易失性存储器。在传统的动态切换中，必须精确地控制亚纳秒写入电压脉冲的宽度以实现足够低的写入错误率（WER）。这种非常窄的脉宽容限是研制VCMRAM的最大技术难点。重阻尼进动开关是一种用于VCMRAM的写入方案，其具有相当高的脉冲宽度容限，尽管最小WER比具有最佳脉冲宽度的常规动态开关的最小WER高得多。在这项研究中，我们从理论上研究了MTJ形状和施加的磁场的方向对重阻尼旋进开关的WER的影响。结果表明，当外加磁场平行于椭圆短轴时，椭圆柱MTJ的WER比普通圆柱MTJ的WER小几个数量级。WER的减小是由于在施加电压之前，退磁场使垂直于平面方向的磁化分布的分量变窄。
2022-11-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech
Switching Distributions for Perpendicular Spin-Torque Devices within the Macrospin Approximation
我们模型的“软”错误率的写入（WSER）和读取（RSER）的垂直自旋扭矩存储器设备通过求解福克-普朗克方程的概率分布的角度，自由层磁化使与法线的平面的膜。我们得到：（1）作为初始角的函数的零温度开关时间的精确的、封闭形式的解析表达式;（2）作为施加电流的时间的函数的WSER的指数衰减的近似解析表达式;（3）WSER的近似解析表达式与Fokker-Planck方程的数值解的比较;（4）RSER随读出电流线性增加的近似解析表达式：（5）RSER近似解析表达式与Fokker-Planck方程数值解的比较;（6）通过与单巨自旋Landau-Lifshitz-Gilbert（LLG）方程在短周期内随机涨落场的直接模拟结果的比较，证实了Fokker-Planck解的准确性。时间制度，后者是切实可行的。
2012-02-13 cond-mat.mes-hall
Electric Field Switching of Magnon Spin Current in a Compensated Ferrimagnet
本研究整合磁振子与压电材料，通过应变介导的磁电耦合，在GdIG薄膜中实现无电荷电流的磁振子自旋流可逆电场切换，为全电场读写的低功耗磁振子逻辑器件提供材料平台。
2023-11-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Highly efficient field-free switching by orbital Hall torque in a MoS2-based device operating at room temperature
本文提出一种基于MoS2的室温存储器件，利用轨道霍尔力矩实现低至3.2x10^4 A/cm^2的零场确定性翻转，并通过从头计算揭示OHE是SOT的主要来源，为高效非布尔计算存储提供新方案。
2025-04-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Single femtosecond laser pulse-driven ferromagnetic switching
本文报告了在铁磁体中利用热各向异性扭矩实现单激光脉冲驱动的相干磁化翻转，该翻转在飞秒到皮秒脉冲范围内稳健，且在CoFeB/MgO磁性隧道结中表现出超过110%的磁阻和优异能效，推动了光自旋电子学在内存技术中的应用。
2025-10-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Optical Control of Integer and Fractional Chern Insulators
本文以扭曲MoTe₂双层为研究对象，通过圆偏振光泵浦实现铁磁极化的控制与切换，进而调控整数/分数陈绝缘体态，为拓扑量子多体系统的光学操控及相关应用提供了新途径。
2025-08-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
