Dynamics of screening in photo-doped Mott insulators
本文利用扩展的动态平均场论的非平衡实现方法研究了光激励莫特绝缘体中的动态屏蔽效应。双光子和空穴的插入增加了低能屏蔽模，并导致莫特能隙的减小。耦合到低能量玻色子模式进一步打开新的弛豫通道，并显着加快热化过程。我们还考虑了掺杂载流子的能量分布对屏蔽的影响。
2015-07-28 cond-mat.str-el
Charge Density Distributions in Doped Antiferromagnetic Insulators
在Faddeev-Niemi模型的软变体框架下，我们研究了平面反铁磁绝缘体欠掺杂态下电荷密度纳米级组态的形式。它示出，有这样的掺杂水平和温度范围内，在封闭的准一维结构的形式的电荷密度分布是更优选的。
2003-02-13 cond-mat.str-el
Evolution of electronic structure of doped Mott insulators - reconstruction of poles and zeros of Green's function
本文采用集团扩展的动力学平均场论，在载流子掺杂的二维哈伯德模型中研究了金属从莫特绝缘体中的演化。传统金属的特征仅在于费米面（格林函数G的极点），而在掺杂莫特绝缘体中，G的零点面与极点面的干涉变得至关重要。相互干扰的极点和零表面显着转移的莫特间隙，当轻掺杂的空穴协同放松的doublon-holon绑定。莫特物理学的核心，如赝能隙、空穴、费米弧、能隙内态和Lifshitz跃迁，都是频率空间中这种全局干涉的自然结果。
2008-09-05 cond-mat.str-el
The short-range correlations of a doped Mott insulator
本文介绍了数值研究的单孔tt't“J模型，解决巡游电子的动能和交换能量的局部时刻之间的相互作用，感兴趣的掺杂莫特绝缘体。由于这种相互作用，两种不同的自旋相关共存周围的移动空位。这些本地相关性提供了一个有效的两个波段的图片，解释了两个能带结构中观察到的各种理论和实验研究，掺杂依赖的动量空间各向异性的赝隙现象和空穴和电子掺杂的铜氧化物之间的不对称性。
2006-05-18 cond-mat.str-el
Quantum phases in a doped Mott insulator on the Shastry-Sutherland lattice
本文提出了Shastry-Sutherland晶格上掺杂莫特绝缘体SrCu_2（BO_3）_2的基态为投影BCS波函数。在半填充时，该波函数产生精确的基态。加入可移动的载流子，我们发现电子和空穴掺杂之间存在很强的不对称性。在电子掺杂时，形成具有强价键相关性的不寻常金属。空穴掺杂系统是d波RVB超导体，其中超导电性通过非均匀元格键序的出现而强烈增强。
2007-02-05 cond-mat.str-el
Dynamical mean-field theory of electron-phonon interaction in correlated electron materials: general results and application to doped Mott insulators
动力学平均场方法是用来制定一个计算上容易处理的理论，电子-声子相互作用的系统中的任意本地电子-电子相互作用的物理相关的绝热限制的声子频率小相比，电子带宽或相互作用的规模。作为应用，测定了轻掺杂莫特绝缘体中声子对载流子有效质量的贡献，并讨论了相分离边界。
2002-05-09 cond-mat.str-el
Optical conductivity of one-dimensional doped Hubbard-Mott insulator
利用sine-Gordon模型研究了强关联电子系统在金属-绝缘体相变附近的光学响应。在半经典量子化的情况下，光谱权重分布在Drude峰和呼吸子引起的吸收线之间。我们计算了Drude重量，光学间隙，和呼吸吸收的线形。
2002-08-16 cond-mat.str-el
Strongly enhanced thermal transport in a lightly doped Mott insulator at low temperature
我们展示了轻掺杂的莫特绝缘体如何在低温下极大地增强了电子的热输运。当载流子可以被视为非简并费米子时，它显示出独立于相互作用强度的普遍行为，并且在洛伦兹数增长到大值的非普遍“交叉”区域，同时仍然保持大的热电优值。电子动力学由Falicov-Kimball模型描述，该模型在Bethe晶格上用动力学平均场论算法求解任意大的在位关联。我们展示了这些结果是如何通用的轻掺杂莫特绝缘体，只要重整化费米液体尺度被推到非常低的温度和系统是不是磁有序的。
2012-10-22 cond-mat.str-el
Phase separation in doped Mott insulators
受莫特绝缘体远离整数填充的常见观察的启发，我们构建了一个简单的热力学参数的相分离一阶掺杂驱动的莫特转变。我们展示了如何计算临界掺杂所需的驱动莫特过渡使用电子结构计算的钛酸盐家族的钙钛矿，发现与实验良好的协议。该理论预测，过渡是可逆的，应该表现出库仑阻挫。
2014-08-01 cond-mat.str-el
Electronic charge reconstruction of doped Mott insulators in multilayered nanostructures
采用动力学平均场论计算了由半无限金属铅层包围强关联材料势垒面（可通过金属-绝缘体Mott跃迁调谐）构成的多层非均匀器件的电荷重构。主要的重点是掺杂的莫特绝缘体的障碍，以及如何的电子电荷重建可以创建良好定义的莫特绝缘区的设备，其厚度是由本征材料的属性，因此可能是能够重现。
2006-12-13 cond-mat.str-el
Correlation-driven branch in doped excitonic insulators
The University of Osaka（大阪大学）；Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt (DLR)（德国航空航天中心）
研究掺杂一维激发绝缘体的能谱特性，通过矩阵积态方法计算单粒子能谱和光学导电性，发现掺杂态中出现相关性驱动的间隙支，揭示掺杂诱导支与激发相关性有关。
2026-04-16 cond-mat.str-el
Metal Insulator Transition of Cr doped V2O3 calculated by hybrid density functional
用屏蔽交换杂化泛函方法计算了三氧化二钒不同相态的电子结构。的混合功能再现所有三个阶段，顺磁性金属（PM）相，反铁磁性绝缘相，和Cr掺杂的顺磁性绝缘（PI）相的电子性质。Cr掺杂V_2O_3的完全弛豫的超原胞模型在替代Cr原子周围存在极化子畸变，这种局部应变驱动PI-PM转变。PI相的带隙计算值为0.15eV，与实验结果吻合较好。
2013-03-21 cond-mat.str-el
Quantum magnetic properties and metal-to-insulator transition in chemically doped calcium ruthenate perovskite
钌酸盐为研究量子磁性、超导性和磁涨落介导的金属-绝缘体转变等许多新性质提供了一个综合平台。在这篇文章中，我们提供了一个概述的量子力学现象在钙钌氧化物与不同的组成。虽然CaRuO $_{3}$的化学计量组成表现出准临界性的非费米液体行为，但化学掺杂的化合物描绘了低温下量子磁波动的突出特征，在某些情况下，这些特征被认为是介导金属-绝缘体转变的。在钴掺杂的情况下，- CaRuO $_{3}$，一个不寻常的连续波动被发现坚持深入玻璃相的材料。这些观测结果反映了量子力学研究平台的丰富性，在量子磁现象的研究中具有根本的重要性。
2021-11-18 cond-mat.str-el
Numerically exact simulation of photo-doped Mott insulators
University of Hamburg（汉堡大学）；University of Michigan（密歇根大学）；Graz University of Technology（格拉茨工业大学）；Tel Aviv University（特拉维夫大学）；The Hamburg Centre for Ultrafast Imaging（汉堡超快成像中心）
本文提出利用数值精确的稳态Quantum Monte Carlo技术，结合时间局域分布函数ansatz，计算Mott绝缘体中长寿命光掺杂态的性质，发现Mott能隙对大光掺杂保持稳健且准粒子性质被强重整化。
2023-11-23 cond-mat.str-el
Evolution of spectral function in a doped Mott insulator : surface vs. bulk contributions
我们研究了在莫特绝缘体，$x$ = 0.0 - 0.5的$La_{1-x}Ca_xVO_3$中的光谱函数的演变。光谱特征表明，在该系统中的体到表面的金属-绝缘体转变。掺杂相关的变化，在体电子结构被证明是不符合现有的理论预测。基于单参数，$U/W$的经验描述，示出一致的光谱演化描述。
1998-03-11 cond-mat.str-el
Spin-gapped incoherent metal with preformed pairing in the doped antiferromagnetic Mott insulator
我们研究了反铁磁莫特绝缘体如何通过空穴掺杂演化为d波BCS超导体。在强耦合方法中考虑自旋涨落，我们发现了一个自旋能隙的非相干金属作为反铁磁莫特绝缘体和d波超导体之间的中间相。这种非费米液态金属在自旋分解规范理论中被认为是红外稳定的固定点，类似于从玻色子规范理论中的自旋液体绝缘体。我们考虑了反常金属相的单粒子能谱和动态自旋极化率，并讨论了其物理意义。
2007-08-13 cond-mat.str-el
The Electronic States of Two Oppositely doped Mott Insulators Bilayers
我们研究了两个相反掺杂的低维tJ模型系统之间的库仑相互作用效应。我们精确地证明了，在一维情况下，任意的弱相互作用导致电荷中性的电子-空穴对的形成。然后，我们使用两种不同的平均场论来解决二维的情况下，层间激子也形成和凝聚。我们建议，这将导致新的功能，没有类似的单层，如绝缘自旋液相的出现。我们简单的双层模型可能与掺杂的莫特绝缘体界面和新的四层Ba 2CaCu 4 O 8化合物的物理学有关。
2006-12-09 cond-mat.str-el
d-wave pairing in lightly doped Mott insulators
我们定义了一个合适的量$Z_c$，它通过单粒子格林函数的反常部分来测量加到基态波函数上的两个电子的配对强度。$Z_c$区分由单电子状态描述的系统，如普通金属和带绝缘体，$Z_c=0$，以及单粒子图像不成立的系统，如超导体和共振价键绝缘体，$Z_c \ne 0$。通过对哈伯德模型在$U/t=4$上的数值精确投影，在半填充和轻掺杂区发现了具有d波散射的$Z_c$的有限值，从而强调了电子关联的一个新的定性特征。
2004-04-08 cond-mat.str-el
Doped Mott insulator as the origin of heavy Fermion behavior in LiV2O4
采用局域密度近似和动力学平均场论相结合的方法，研究了在各种实验中观察到重费米子行为的LiV_2O_4的电子结构.为了在零温度下获得结果，我们采用投影量子蒙特卡罗方法作为杂质求解器。我们的研究结果表明，强相关的a1 g带是一个轻掺杂的莫特绝缘体，在低温下，它在费米能级上方显示出一个尖锐的（重）准粒子峰，这与Shimoyamada等人最近的光电发射实验一致。96 026403（2006）]。
2007-01-22 cond-mat.str-el
Theory for Slightly Doped Antiferromagnetic Mott Insulators
从具有反铁磁序的二维Mott绝缘态出发，提出了一种描述轻微掺杂空穴或电子的莫特绝缘体低能态的试探波函数.随着状态的行为像带电准粒子与定义良好的动量，观察到一个刚性带。这些状态的配对相关性比以前研究的少得多。小费米补丁获得的高Tc铜氧化物掺杂轻空穴或电子与最近的实验是一致的。讨论了非相干态和自旋袋态。使用这些波函数，精确计算得到的一些结果被再现。
2002-10-03 cond-mat.str-el
Percolative Mott insulator-metal transition in doped Sr$_2$IrO$_4$
尽管许多人努力使掺杂莫特绝缘体中的强关联电子基态合理化，但掺杂诱导的绝缘体到金属转变的性质仍然是一个正在深入研究的主题。在这里，我们探测的莫特绝缘体锶$_2$ IrO $_{4-δ}$与低温扫描隧道显微镜的纳米级电子结构，并发现增强的局域态密度（LDOS）内的莫特间隙在个别顶端氧位点缺陷的位置。我们可视化的路径所产生的缺陷态的重叠，诱导有限的LDOS在费米能级的增强电导。结合这些发现和典型的约2~nm的孤立缺陷的空间扩展，我们表明$_2$ IrO $_{4-δ}$中的绝缘体到金属的转变具有双折射性质。
2019-09-23 cond-mat.str-el
Localized in-gap state in a single electron doped Mott insulator
基于最近在原子尺度扫描隧道显微镜（STM）上对电子掺杂莫特绝缘体中的隙内局域态的观察，我们利用团簇微扰理论计算了正方晶格上哈伯德模型的局域电子态.发现在掺杂剂晶格位置周围的上Hubbard带下方存在带隙态，这与STM测量结果一致。这种局部能隙态的出现伴随着电子双占有率的迅速减少。三角晶格上也存在类似的带隙态。这些结果表明，间隙状态是独立于晶格结构的莫特绝缘体的固有特征。
2014-02-24 cond-mat.str-el
Hallmarks of the Mott-Metal Crossover in the Hole Doped J=1/2 Mott insulator Sr2IrO4
经过几十年的积极研究，掺杂莫特绝缘体的物理学仍然存在争议，阻碍了可能的竞争秩序和波动之间的相互作用。因此，人们非常希望将Mott-metal跨界车的内在特征与其他起源的特征区分开来。我们研究了空穴掺杂J=1/2莫特绝缘体Sr 2 IrO 4的电子结构和动力学演化。有效的空穴掺杂是通过用Rh原子取代Ir来实现的，化学势立即跳到或接近较低的哈伯德带的顶部。掺杂的铱酸盐表现出多种奇异的功能，以前观察到的掺杂铜酸盐-赝隙，费米“弧”，和边缘费米液体的电子散射率，尽管不同的机制，禁止电子双占用。我们认为，这些普遍的特点莫特金属交叉是不相关的预先形成的电子配对，量子临界性或密度波形成最常见的讨论。相反，短程反铁磁关联可能发挥不可或缺的作用。
2014-06-19 cond-mat.str-el
Dynamics of photo-doped charge transfer insulators
本文采用三带Emery模型和Hartree-Fock+EDMFT和GW+EDMFT的非平衡扩展，研究了光激发后电荷转移绝缘体的动力学行为。虽然平衡性质是准确地再现的Hartree-Fock治疗的全部$p$带，动力学相关性是必不可少的光掺杂状态的适当描述。插入的双光子和holon导致的电荷转移间隙%和$p$带的重整化和显着加宽的频带。我们计算了时间分辨的光电子能谱和电导率，并找到与实验定性一致。我们的形式主义，使现实的描述在一大类的电荷转移绝缘体的非平衡现象，并提供了一个工具，探索相互作用和相关效应的光学操作。
2018-08-07 cond-mat.str-el
Nodal/Antinodal Dichotomy and the Two Gaps of a Superconducting Doped Mott Insulator
采用元胞动力学平均场论，以Lanczos方法为杂质求解器，研究了空穴掺杂二维哈伯德模型的超导态。在掺杂不足的制度，我们发现一个自然的分解成两个组件的一个粒子（光电发射）的能隙。在节点区域的间隙，源于异常的自能，减少掺杂。的波腹间隙有一个额外的贡献，从正常状态的赝隙继承的自能的正常分量，它增加的莫特绝缘相接近。
2008-02-04 cond-mat.str-el
Quantum spin liquids and the metal-insulator transition in doped semiconductors
我们描述了一种在杂质半导体如Si：P或Si：B中实现金属-绝缘体转变的新的可能途径。我们探讨了金属输运的损失发生的可能性，通过莫特本地化的电子到一个量子自旋液体状态与扩散电荷中性的“自旋”激发。这种量子自旋液体状态可以作为金属和安德森-莫特绝缘体之间的中间相出现。一个直接的可测试的结果是在金属-绝缘体转变附近的电绝缘体中在低温下存在金属热导率。此外，我们表明，虽然过渡是二级的零温剩余电导率将跳跃过渡接近金属一侧。然而，电导率将具有非单调的温度依赖性，这可能使外推到零温度复杂化。在其他实验中的签名和一些与现有数据的比较。
2012-04-10 cond-mat.str-el
Theory of Insulator Metal Transition and Colossal Magnetoresistance in Doped Manganites
绝缘相和金属相的持续接近是锰氧化物的一个令人困惑的特性，它是由于Mn的双重简并e_g轨道由于存在大的电子- JT声子耦合而自组织成局域Jahn-Teller（JT）极化子能级和宽带态而产生的。本文描述了一个新的强关联双带模型，并用动力学平均场论计算了平衡态和输运性质。这些定量地解释了绝缘体金属转变和巨磁阻，以及两种状态共存的其他后果。
2003-08-19 cond-mat.str-el
A slave-fermion gauge-theory approach of the t-J model: Doping-induced complex magnetic structure and Z$_{2}$ spin-gapped anomalous metal in an antiferromagnetic doped Mott insulator
基于t-J模型的从费米子方法，我们重新研究了掺杂反铁磁莫特绝缘体，其中反铁磁自旋涨落和掺杂空穴分别用玻色子和费米子子描述.早期的研究已经表明，掺杂反铁磁莫特绝缘体的有效场论由电荷动力学的非相对论费米子（holon）U（1）规范理论和自旋动力学的相对论玻色子（自旋子）U（1）规范理论给出，因此允许玻色子自旋子从反铁磁状态间隙的异常金属相，类似于t-J模型的从玻色子方法中的U（1）自旋液相。我们认为，在这种方法中涌现的U（1）规范结构是基于一个简化的图片反铁磁关联。考虑到掺杂空穴的动力学行为会破坏共线反铁磁自旋组态，我们证明了掺杂空穴增强了铁磁自旋关联，并导致了复杂的磁结构。这种复杂自旋织构的存在将U（1）规范结构降低到Z $_{2}$，因此对于低温下的自旋能隙非费米液态金属，由于不存在无能隙U（1）规范涨落，因此有效场论结果不同。
2008-11-17 cond-mat.str-el
Floquet Fractional Chern Insulator in Doped Graphene
分数阶陈氏绝缘体是理论上预言的具有突现拓扑序的电子物质态。它们表现出与分数量子霍尔效应相同的普适性质，但不需要施加强磁场。然而，尽管进行了大量的理论工作，但仍然缺乏对这些奇异物质状态的实验实现。在这里，我们表明，掺杂石墨烯变成一个分数陈绝缘体，当用高强度的圆偏振光照射。我们利用Floquet理论推导了光驱动石墨烯的有效稳态能带结构，并利用精确数值对角化方法研究了相互作用系统。在蜂窝晶格的7/12总填充（上能带的1/6填充）处出现相当于1/3 Laughlin态的分数Chern绝缘体态。该状态也具有自发铁磁性，因此是连续对称性自发破缺以及拓扑相变的一个例子。
2013-09-29 cond-mat.str-el
Theory of the Lightly Doped Mott Insulator
本文提出了适用于大U/t、远离半填充的小掺杂和短程反铁磁自旋关联的哈伯德模型的理论。尽管没有任何对称性破缺，费米面还是以（π/2，π/2）为中心的椭圆形空穴袋的形式，其体积与空穴浓度成比例。短程反铁磁关联使得最近邻跳跃几乎无效，因此只有第二或第三最近邻跳跃对色散关系有明显的贡献。
2010-05-22 cond-mat.str-el
Not all doped Mott insulators have a pseudogap: key role of van Hove singularities
母体化合物的Mott绝缘相经常被用作低掺杂高$T_c$铜酸盐超导体的起始点。特别地，赝能隙态通常被认为是源自莫特绝缘体。在本工作中，我们系统地研究了正方形和三角形晶格上不同的弱掺杂莫特绝缘体，以阐明赝能隙和莫特度之间的关系。我们表明，掺杂的二维莫特绝缘体不一定会导致赝隙相。尽管其固有的强耦合的性质，我们发现，存在或不存在的pseudogap敏感地依赖于非相互作用的带参数，并确定系统的范霍夫奇点所发挥的关键作用。受赝能隙态的SU（2）规范理论的启发，我们提出并数值验证了一个简单的方程，该方程控制了电子散射率特征的演化。
2019-12-31 cond-mat.str-el
Inhomogeneity in doped Mott insulator
我们引入了自然界中存在两类通用莫特绝缘体的概念。他们的区别在于他们对弱兴奋剂的反应。掺杂电荷在I型莫特绝缘体中形成团簇（即不均匀分布），而在II型莫特绝缘体中均匀分布。我们提出我们的意见的作用不均匀性在铜酸盐。
2002-08-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Valence-Bond Dynamical Mean-Field Theory of Doped Mott Insulators with Nodal/Antinodal Differentiation
介绍了掺杂莫特绝缘体的价键动力学平均场论。它基于两个轨道的最小簇，每个轨道与动量空间的不同区域相关联，并与自洽浴杂交。低掺杂制度的特点是单重态的形成和抑制准粒子的波腹区域，导致费米弧的形成。这是描述在倒易空间中的轨道选择性过渡。计算的隧道和光电子能谱与铜酸盐正常态的唯象相一致。我们得到一个低能量的描述，这些影响使用的奴隶玻色子方法的推广。
2008-06-26 cond-mat.str-el
Toroid Current States in Doped Mott Insulators
考虑了掺杂反铁磁绝缘体中非均匀电流态的自由能界以及该强关联电子系统中轻、重欠掺杂相的自旋和电荷自由度的空间构型。结果表明，态的特征是一个小的几何原点参数，它决定了序参量分布在丝结中的堆积程度。我们发现了一个层次的空间尺度的平结，这引起了自由能增益。首次发现了欠掺杂状态下的超环面矩。结果表明，在反铁磁纳米团簇周围的电荷密度分布的逾渗图中，空穴密度的最佳水平与实验观测值定性一致.
2005-05-03 cond-mat.str-el
Momentum dependent relaxation rate and pseudogap in doped magnetic insulators
在平面t-t '-J模型中，采用有限温度下的精确对角化方法，结合扭曲边界条件下的平均，计算了空穴掺杂铜氧化物的光谱函数和相应的自能.结果表明，在低掺杂和t '<0时，费米面在波腹区被截断，而自能显示出弱的依赖于k和掺杂的反常弛豫速率|''（k，ω）|~ a+b| ω|对于ω<0，与最近的ARPES结果一致，和洛伦兹形式的赝能隙生成分量。后者在低掺杂下非常明显，并且强烈依赖于k和t '。
2006-08-14 cond-mat.str-el
Electronic state of a doped Mott-Hubbard insulator at finite temperatures studied using the dynamical mean-field theory
利用动态平均场论研究了掺杂Mott-Hubbard绝缘体的电子态。作为掺杂的函数的有限温度谱函数的演变显示在反铁磁和顺磁相的光谱权重的大的重新分布。特别是，金属反铁磁态的低频Slater分裂准粒子峰与Hubbard带共存。在高温顺磁金属相中，在减少掺杂时，系统具有通过"坏金属“状态的交叉，其特征在于准粒子峰远离费米能的异常位移。我们发现，{ \it电荷}的反铁磁金属的压缩性显着增强后，接近二阶Néel线。
2006-04-06 cond-mat.str-el
Unveiling Stripe-shaped Charge Density Modulations in Doped Mott Insulators
本研究通过掺杂哈伯德模型模拟，重现了铜氧化物中条带和梯状电荷密度调制，连接了理论数值与实验观察，为莫特绝缘体到超导转变提供了微观机制新见解。
2025-08-28 cond-mat.str-el
Parent Phases of Doped Mott Insulators: A Cluster DMFT Study
研究了半填充时强耦合区中受抑哈伯德模型的绝缘相。我们特别注意所有的对称性破缺不稳定性，可以描述的动力学平均场论（DMFT）在一个正方形plaquette。我们确定了几个平均场解，两个破坏SU（2）对称性的Neel态，一个二聚体相和一个不破坏任何对称性的莫特绝缘体。在后一阶段，单重态到单重态的波动急剧软化，从而引起二聚化波动和手性波动，两者都是低的。我们提出了一个简单的图片不同的DMFT状态和它们的演变与挫折。
2008-08-18 cond-mat.str-el
Insulator-Metal transition in the Doped 3d1 Transition Metal Oxide LaTiO3
用从头算LDA+DMFT方法研究了$La_{1-x}Sr_{x}TiO_{3}$中掺杂诱导的绝缘体-金属相变。结合LDA能带结构的实际，扭曲的结构，最近发现的多轨道DMFT治疗电子相关性，我们发现：$(i)$铁轨道顺序在莫特绝缘状态下没有轨道简并，$(ii)$连续填充诱导过渡到顺磁金属（PM）与$x$，和$(iii)$优秀的定量协议与发表的光电发射数据的情况下，6%的掺杂。我们的结果表明，该系统可以被描述为一个没有轨道（液体）简并的Mott-Hubbard系统。
2003-09-16 cond-mat.str-el
Mott insulator-to-metal transition in yttrium-doped CaIrO3
我们报告后钙钛矿化合物CaIrO 3的绝缘体到金属的转变的研究。据发现，一个逐渐的化学取代的钙钇导致强金属行为在这种化合物的开始。这一观察结果与BaIrO 3形成鲜明对比，BaIrO 3尽管由于钇掺杂而产生过量的载流子，但仍保持其莫特绝缘行为。磁性测量表明，这两种化合物往往表现出磁性的字符，无论化学取代的Ca或Ba。我们分析了这些不寻常的观察，根据最近的研究表明，不像BaIrO 3，CaIrO 3不一定具有j = 1/2基态，由于结构扭曲。CaIrO 3中的绝缘体-金属转变将激发新的研究来探索后钙钛矿莫特绝缘体中更奇异的基态，包括超导性。
2014-09-25 cond-mat.str-el
Haldane insulator protected by reflection symmetry in the doped Hubbard model on the three-legged ladder
我们证明了在三足哈伯德阶梯在三分之二填充绝缘相的存在。在这一阶段，特征线是固定的，因为单位晶胞内的物理有利于形成三重态。所得到的力矩导致在Haldom相中的基态，Haldom相是物质的对称性保护的拓扑状态。在这个纯费米子模型中，反射是保护，但时间反演和二面角对称性不是，与自旋模型相反。
2016-12-16 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition and phase separation in doped AA-stacked graphene bilayers
我们研究了AA堆叠的石墨烯双层的掺杂。应用平均场论在零温度下，我们发现，在半填充，双层是一个反铁磁绝缘体。在掺杂时，均匀相相对于相分离变得不稳定。分离的相是未掺杂的反铁磁绝缘体和具有非零浓度的载流子的金属。在足够高的掺杂下，绝缘区域收缩并消失，并且系统变成均质金属。导电性在掺杂时急剧变化，因此双层可以用作电子器件中的开关。有限温度的影响也进行了讨论。
2013-03-01 cond-mat.str-el
Insulator-Metal Phase Diagram of the Optimally Doped Manganites from the Disordered Holstein-Double Exchange Model
本文研究了具有替代无序的三维Holstein-Double Exchange模型。利用一种新的蒙特卡罗方法，我们建立了干净模型的相图，然后集中在不同的电子-声子耦合和无序在固定的电子密度的影响。我们展示了如何外在的无序控制晶格极化子效应和自旋波动的相互作用，并导致广泛变化的制度在运输。我们的铁磁T_c和金属-绝缘体转变的无序依赖性的结果承担直接比较的“最佳掺杂”，x=0.3-0.4，锰氧化物的数据。我们强调在这些材料中的一个关键效应的无序诱导极化子形成，组织成一个简单的“全球相位”的各种数据，并作出一些实验预测。
2006-01-23 cond-mat.str-el
Optical and Magneto-optical Response of a Doped Mott Insulator
在强关联电子系统的动态平均场论（$d=\infty$）下，研究了掺杂莫特绝缘体的光学、拉曼和交流霍尔响应.的{ \it isosbectic}点的光学电导率的发生被证明是与广义电荷磁化率的频率依赖性。我们计算的拉曼响应，探测的波动的“应力张量”，并表明，散射的特点是可观的非相干贡献。计算出的交流霍尔常数和霍尔角也显示出等色点。这些结果也与$d=\infty$中的{ \it非FL}金属所获得的结果进行了比较。详细讨论了低能相干（FL）或非相干（non-FL）在确定$d=\infty$中强关联金属有限频率响应中的作用。
1999-07-21 cond-mat.str-el
Tomonaga-Luttinger parameters for doped Mott insulators
Tomonaga-Luttinger参数$K_ρ$确定准一维相关电子系统中的临界行为，例如，费米能附近的态密度的指数$α$。我们利用数值密度矩阵重整化群方法，从零波矢处动量空间的密度-密度关联函数的斜率计算了$K_ρ$。我们检查我们的新方法对哈伯德和XXZ海森堡模型的精确结果的准确性。我们确定$K_ρ$在四分之一填充，$n_{\rm c}=1/2$的扩展哈伯德模型的相图，并确认玻色化的结果$K_ρ=n_{\rm c}^2=1/4$的临界线和$K_ρ^{\rm CDW}=n_{\rm c}^2/2=1/8$在无限小掺杂的电荷密度波（CDW）绝缘体的所有相互作用强度。掺杂的CDW绝缘体仅在小掺杂和强相关时才表现出指数$α>1$。
2005-07-22 cond-mat.str-el
Toroid Current States in Doped Antiferromagnetic Insulators
本文已被撤回，由于第一作者的要求，从作者名单中排除他的名字，并充分激励反铁磁绝缘体的所用模型的应用。
2005-04-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Dynamical spin response of electron doped Mott insulators on a triangular lattice
基于$t-J$模型研究了三角晶格上电子掺杂莫特绝缘体的自旋动力学。研究发现，正方晶格上的掺杂莫特绝缘体所具有的积分动力学自旋结构因子的普遍行为，在三角晶格上的掺杂莫特绝缘体中并不存在，表明存在正常态能隙.结果表明，自旋-晶格弛豫速率1/ $T_{1}$除以$T$在0.2 $J$ $\approx$ 50 K以上随温度的降低而减小，在低于50 K的温度下遵循Curie-Weiss-like行为，与实验观察定性一致.
2012-12-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic quantum oscillations in doped antiferromagnetic insulators
在任意方向的外磁场中，对二维反铁磁绝缘体中电子（空穴）的能谱进行了量子化。发现了de Haas-van Alphen（dHvA）或Shubnikov-de Haas（SdH）磁振荡振幅与磁化方向的面内方位角和面外方向的极角的特殊关系，该关系可作为掺杂Mott-Hubbard、自旋密度波（SDW）和常规带结构绝缘体中反铁磁序的灵敏探针.
2008-03-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Momentum space anisotropy in doped Mott insulators
我们研究了单空穴tt 't“J模型的数值计算，以解决掺杂莫特绝缘体中发现的动量空间各向异性。提出了一个简单的两带图象，用来理解不同动量态下自旋背景对掺杂空穴的屏蔽作用。在这幅图中，在欠掺杂铜氧化物超导体中通过实验观察到的结区和反结区之间的差异，来自局部能量考虑，并且相当于明确定义的准粒子行为和自旋-电荷分离相关现象之间的区别。
2005-04-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Vortex state in a doped Mott insulator
我们分析了最近在铜氧化物超导体中的涡旋芯光谱实验，并讨论了从中可以学到的关于这些化合物的基态的性质。我们认为，数据是不一致的假设一个简单的金属基态和掺杂的莫特绝缘体的特点。基于U（1）规范场从玻色子模型，发展了这种掺杂莫特绝缘体中涡旋核的理论，并显示出与实验数据定性一致的性质。
2000-10-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Visualizing the evolution from the Mott insulator to a charge ordered insulator in lightly doped cuprates
高温铜氧化物超导体中的一个中心问题是电荷掺杂后母体莫特绝缘体的命运。在这里，我们使用扫描隧道显微镜调查的本地电子结构的轻掺杂铜酸盐在反铁磁绝缘制度。我们发现，掺杂的电荷诱导的光谱重量转移从高能量的哈伯德带的低能量的间隙状态。随着掺杂浓度的增加，费米能级出现V型态密度抑制，并伴随着棋盘电荷序的出现。新的STM观点揭示了这里是铜酸盐首先成为一个电荷有序的绝缘体掺杂。随后，进一步掺杂，费米面和高温超导性生长出来。
2015-08-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Generalizing the Cooper-Pair Instability to Doped Mott Insulators
铜氧化物在掺杂电子空穴后迅速成为超导体，表明基本的配对不稳定性。库珀机制将正常超导解释为费米液体状态的不稳定性，但高温超导体来自莫特绝缘体正常状态，而不是费米液体。我们发现，早熟对凝聚掺杂是一个自然的属性竞争的反铁磁性和d-波超导的单占据晶格，从而推广库珀不稳定性掺杂莫特绝缘体，具有重要意义的高温超导机制。
2008-10-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity Emerging from Excitonic Mott insulator - Theory of Alkaline Doped Fullerene
用变分Monte Carlo方法研究了碱金属掺杂富勒烯$_3$ $initio$哈密顿量的二维投影导出的三轨道模型，其中A=Cs，Rb，K.我们正确地再现了实验的各向同性s波超导周围的$ab$ $initio$参数。随着带宽变窄，过渡到一个绝缘体也被复制，其中轨道对称性被发现是自发打破与激子莫特绝缘体的出现两个轨道和反铁磁绝缘体几乎退化与自旋液体的第三轨道。超导电性是激子熔化的结果。
2017-11-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping induced spinless collective excitations of charge 2e in doped Mott insulators
基于掺杂莫特绝缘体的哈伯德模型描述，我们证明了在非超导态下，由于掺杂，必然存在电荷$2e$和能量$U-2μ$的无自旋集体激发，能量峰值在动量$(π/a,π/a)$。这种集体激发是由电子对关联引起的。它的存在与近似SU（2）粒子-空穴对称性的破缺有关，由此构造了新激发的有效场论。
2000-10-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
