Theory of Transport through Quantum-Dot Spin Valves in the Weak-Coupling Regime
我们发展了一个电子输运理论，通过量子点，弱耦合到铁磁导线。该理论涵盖了线性和非线性传输机制，考虑了电极导线的非共线磁化，并允许外部施加磁场。推导了量子点占据和累积自旋的广义速率方程，讨论了量子点自旋对透射率的影响。一个负的微分电导和非平凡的依赖关系的电导之间的角度的铅磁化。
2004-12-08 cond-mat.mes-hall
Interaction-induced current asymmetries in resonant transport through interacting quantum-dot spin valves revealed by iterative summation of path integrals
在外加磁场作用下，电子在两个铁磁体和一个量子点之间的共振隧穿揭示了在线性和非线性偏置状态下强烈的栅极依赖性。这种栅极依赖性源于库仑相互作用和量子点与引线之间的自旋相关杂化之间的相互作用。考虑到库仑相互作用强度的相同数量级的外部磁场和杂交强度，我们采用了数值精确迭代求和的路径积分（ISPI）。
2020-04-01 cond-mat.mes-hall
Thermoelectric spin accumulation and long-time spin precession in a non-collinear quantum dot spin valve
研究了非共线量子点自旋阀中的热电自旋输运和自旋相关现象。利用这种设置，我们证明了单自旋动力学的量子点内的热电激发的可能性。多体交换场在单自旋上产生，表现为有效磁场作用于量子点中的净自旋积累。我们首先确定通用的条件下，零偏置自旋积累的点可以创建在热电制度。由此产生的自旋积累，然后示出受到类场自旋扭矩由于有效的磁场与任何接触。由于主要的封锁条件，所产生的这种自旋扭矩可能产生长时间的进动效应。这些现象与单自旋操纵和纯自旋电流产生的影响进行了讨论。
2013-06-13 cond-mat.mes-hall
Frequency-Dependent Current Noise through Quantum-Dot Spin Valves
研究了单能级量子点与非共线磁化的铁磁导线连接时的电流噪声。我们提出使用频率相关的Fano因子作为探测量子点中单自旋动力学的工具。由于外部磁场和/或多体交换场的自旋进动以两种方式影响系统的Fano因子。首先，抑制了透射电子的自旋选择性聚束的趋势，这导致了低频噪声的降低。第二，噪声频谱在拉莫尔频率处显示共振，其线形取决于引线磁化的相对角度。
2006-01-17 cond-mat.mes-hall
Transport through quantum-dot spin valves containing magnetic impurities
我们研究了在隧道势垒或量子点上存在局域自旋的情况下，通过耦合到非共线磁化铁磁体的单能级量子点的输运。对于嵌入在隧道势垒中的自旋，我们发现电流诱导的自旋开关，通过势垒的自旋依赖性隧穿和点上的自旋积累导致电流中的特征信号之间的相互作用。此外，我们发现巨大的Fano因素，由于随机电报噪声。对于非共线的几何形状，取决于杂质自旋状态的交换场导致在输运性质的特征指纹。在量子点上的自旋的情况下，我们发现，频率相关的Fano因子可以用来研究的非平凡动力学的点上的自旋之间的相互作用和耦合到外部和交换磁场之间的相互作用。
2010-12-23 cond-mat.mes-hall
Influence of spin waves on transport through a quantum-dot spin valve
研究了自旋波对非共线磁化下弱耦合单能级量子点输运的影响。由于自旋波的发射和吸收，微分电导中出现了边峰。此外，我们还研究了在源漏引线中产生的非平衡磁振子分布。此外，我们展示了如何磁振子辅助隧穿可以产生一个完整的自旋极化电流，而不施加运输电压。讨论了自旋波对电流噪声的影响。最后，我们展示了如何在有限频率Fano因子中检测到磁振子对交换场的贡献。
2010-11-12 cond-mat.mes-hall
Spin-resolved electron waiting times in a quantum dot spin valve
利用散射矩阵方法研究了非相互作用量子点自旋阀中电子的等待时间分布。由于量子点自旋阀在输入和输出通道中都包含两个通道（自旋向上和自旋向下），因此我们研究了三种不同的WTD：双通道WTD、自旋分辨单通道WTD和交叉通道WTD。我们分析了WTD在短时间内的行为，与不同的自旋极化和非共线角的电流行为。交叉通道WTD反映了两个自旋通道之间的相关性，可以用来表征自旋转移矩过程。我们从交叉道WTD的角度研究了前一次探测对后一次探测的影响，并将影响程度定义为交叉道WTD与首次通过时间分布之间的累积绝对差，以定量表征自旋翻转过程.这种影响程度与自旋转移矩具有相似的行为，可以作为自旋电子学系统中表征自旋关联的一种新途径。
2018-02-09 cond-mat.mes-hall
Electronic waiting-time distribution of a quantum-dot spin valve
讨论了量子点自旋阀的电子等待时间分布，即一个单能级量子点耦合到两个磁化方向可以指向任意方向的铁磁电极上。我们证明了这种设置的丰富的传输物理，如在相互作用驱动的交换场中的动态通道阻塞和自旋进动显示在等待时间分布中，并分析了观察各种效应所需的条件。
2014-10-27 cond-mat.mes-hall quant-ph
Spin switching via quantum dot spin valves
我们发展了量子点自旋阀中自旋输运和磁化动力学的理论，即，两个磁库耦合到量子点。我们的理论能够考虑强相关性的影响。我们证明，作为这些强相关性的结果，点栅极电压能够控制磁体上的电流感应扭矩，并且特别地，能够实现电压控制的磁开关。该结构的电阻可用于读出磁状态。我们的模型可以通过一些实验系统来实现，包括磁扫描隧道显微镜针尖和人工量子点系统。
2018-01-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Probing the exchange field of a quantum-dot spin valve by a superconducting lead
量子点自旋阀由一个单能级量子点耦合到两个磁化指向任意方向的铁磁引线组成，其中的电子经历库仑相互作用和量子涨落的相互作用在量子点上感应的交换场。我们表明，第三，超导导线与大超导能隙连接到点探头这个交换场非常灵敏。特别是，我们发现惊人的签名交换场的对称分量的超电流相对于偏置电压之间施加的铁磁体已经为小值的铁磁体的自旋极化。
2010-09-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
A Single-Quantum-Dot Heat Valve
我们演示了在热偏置的单量子点结中电子热流的门控。在结附近的电子温度图，作为施加到设备的栅极和偏置电压的函数，揭示了明确定义的库仑金刚石图案，揭示了最大的热传递的权利，在电荷简并点。这种热阀的非平凡偏置和栅极依赖性来自于器件中心点的量子性质及其与引线的强耦合。
2020-10-29 cond-mat.mes-hall quant-ph
Electric-field control of tunneling magnetoresistance effect in a Ni/InAs/Ni quantum-dot spin valve
本文研究了半导体量子点自旋阀器件中隧道磁电阻效应的电场控制。利用铁磁镍纳米间隙电极，我们观察到了小偏压下的库仑阻塞振荡。在库仑阻塞峰附近，TMR效应被显著调制，甚至其符号通过改变栅极电压而切换，其中TMR值的符号在谐振条件下改变。
2007-08-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin-resolved counting statistics as a sensitive probe of spin correlation in transport through a quantum dot spin valve
本文通过自旋分辨量子主方程研究量子点自旋阀中的自旋输运噪声，发现自旋自相关对磁化排列敏感，可作为测量磁化方向的灵敏探针。
2024-03-13 cond-mat.mes-hall
The generic fixed point model for pseudo-spin-1/2 quantum dots in nonequilibrium: Spin-valve systems with compensating spin polarizations
我们研究了自旋为1/2的量子点在靠近粒子-空穴对称点的共隧穿机制下的量子点。对于一个通用的隧穿矩阵，我们发现一个通用的不动点与有趣的非平衡性质，其特征在于有效的水库与补偿自旋取向矢量加权的极化和隧穿率。在大偏压下，我们研究了点的磁化强度和电流的磁场依赖性。通过分析点的磁化强度可以清楚地识别固定点。我们详细描述了两个水库的情况下的普遍性质。
2014-11-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Thermodynamics of energy, charge and spin currents in thermoelectric quantum-dot spin valve
基于非平衡格林函数和全计数统计，对热电量子点自旋阀中的能量、电荷和自旋转移进行了理论上一致的描述.我们使用涨落定理对称性和熵产生的概念来描述热梯度可以将电荷或自旋与它们的化学势进行比较的效率，任意远离平衡。接近平衡，我们恢复Onsager互惠关系和连接到线性响应的性能概念，如品质因数。我们还确定了制度，工作提取更有效，然后接近平衡。
2018-04-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech
Theory of box-model hyperfine couplings and transport signatures of long-range nuclear-spin coherence in a quantum-dot spin valve
我们从理论上分析了电子通过量子点自旋阀输运引起的相干核自旋动力学。量子点中电子与核自旋之间的超精细相互作用使得从铁磁或半金属注入的自旋极化电子的角动量在有限偏压下转移到核自旋系统。考虑到局部的核自旋退相过程可以防止系统陷入集体暗态，从而允许在长时间限制内建立大的核极化。在达到稳态后，随着核极化被反转，反转电压偏置引起瞬态电流响应。长程核自旋相干导致自旋翻转跃迁率的强烈增强（与核自旋数成正比），并通过类似于超辐射光发射的强烈电流爆发来揭示。到具有非相干自旋翻转的制度的交叉发生在相对长的时间尺度上，在单核自旋退相时间的量级上，其可以比超辐射电流爆发的时间尺度长得多。这一结论通过一般主方程得到了证实。对于两个限制制度（相干/非相干自旋翻转）的一般主方程恢复我们更简单的治疗的基础上速率方程，但也适用于在中间失相。在整个工作中，我们假设均匀的超精细耦合，产生最强的相干增强。我们提出了现实的战略，核壳纳米线的同位素调制和波函数工程的基础上，实现这种解析可解的“盒模型”的超精细耦合。
2015-06-18 cond-mat.mes-hall
Charge and spin transport in spin valves with anisotropic spin relaxation
研究了自旋轨道分裂对由大量子点和两个铁磁接触的二维电子气组成的自旋阀中电子输运的影响。在结构反转不对称（SIA）和体反转不对称（BIA）的存在下，自旋弛豫时间的巨大各向异性已被预测。我们展示了这种各向异性如何影响电子输运性质，如角磁阻和自旋转移矩。与直觉相反，各向异性自旋弛豫过程有时会增强自旋积累。
2006-10-27 cond-mat.mes-hall
Superconducting double spin valve with extraordinary large tunable magnetoresistance
提出了一种超导双自旋阀器件。它的操作利用了铁磁绝缘体的自旋过滤效应和超导诱导的非平衡输运之间的相互作用。根据非平衡的程度，超大隧道磁阻高达10^2...对于实际材料参数，可以获得10^6%，并且在适当的电压偏置和温度下，可以在几个数量级上调谐。进一步讨论了这种设置的低温应用的相关性。
2009-06-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Nonlinear magnetotransport in dual spin valves
双自旋阀磁电阻效应的最新实验测量[A. Aziz等人，物理修订信函103，237203（2009）]揭示了一些在其他系统中没有观察到的输运的非线性特征。我们提出了一个描述双自旋阀中电流相关电阻（和巨磁电阻）的唯象模型。该模型是基于一个修改后的Valet-Fert方法，并考虑到体/界面电阻和体/界面自旋不对称参数的中心磁性层上的自旋积累的依赖性，因此对充电电流。这种非线性模型解释了最近的实验观察。
2010-05-22 cond-mat.mes-hall
Transport of spin-anisotropy without spin currents
我们重新运输的自旋自由度通过电和热偏置隧道结之间的两个铁磁体与非共线磁化。除了众所周知的电荷和自旋电流，我们表明，非零自旋四极电流之间的铁磁体流动。这个张量值的电流描述了与电路的局部和非局部多粒子自旋相关性相关的自旋各向异性的非平衡输运。这种二次自旋各向异性，用自旋四极矩来量化，基本上是一个双电子量。在具有嵌入式量子点的自旋阀中，已经示出了这样的电流导致影响可测量的量子点自旋和电荷动力学的四极积累。这里研究的自旋阀模型允许详细地计算关于自旋四极存储和传输的基本问题，而忽略量子点的检测。这种物理上的理解，这一特定的设备是重要的更复杂的设备，自旋四极子运输可以检测。我们证明，就存储和传输而言，自旋各向异性仅部分地由自旋极化决定。事实上，对于热偏置的自旋阀，电荷和自旋电流可能消失，而纯交换自旋四极电流仍然存在，这似乎是泡利原理的基本结果。我们扩展的实时图解方法，有效地计算多粒子自旋可观的平均值，特别是自旋四极电流。虽然该文件只解决领先的顺序和自旋守恒隧穿，我们制定的技术为任意顺序的任意，自旋相关的隧道耦合的方式，使自己扩展到量子点自旋阀结构。
2013-05-21 cond-mat.mes-hall
Permalloy-based carbon nanotube spin-valve
在这封信中，我们证明了坡莫合金（Py），一种广泛使用的Ni/Fe合金，形成接触碳纳米管（CNT），满足要求的注入和检测自旋极化电流在碳基自旋电子器件。我们建立的材料质量和磁化特性的Py条的形状合适的电接触，并找到一个尖锐的磁化切换可调的几何形状在一个单一的条在低温下的各向异性磁阻（AMR）。此外，我们表明，Py接触强烈耦合到CNT，相当于Pd接触，从而在低温下形成CNT量子点。这些结果形成了基于Py的CNT自旋阀在隧穿磁阻中表现出非常尖锐的电阻切换的基础，其直接对应于AMR实验中观察到的各个接触中的磁化反转。
2010-09-10 cond-mat.mes-hall
Manipulating spins of magnetic molecules: Hysteretic behavior with respect to bias voltage
从理论上研究了基于单磁性分子的自旋阀器件中磁滞回线随偏置电压的变化规律。我们考虑了一个由两个铁磁电极组成的器件，碳纳米管作为一个量子点，自旋各向异性分子与之交换耦合。这样的耦合允许在分子和流过点的自旋电流之间的角动量的转移，并且因此允许切换分子自旋的取向。我们证明，这种电流诱导的开关过程中表现出相对于施加到设备的偏置电压的滞后行为。分析进行了与使用的实时图形技术在最低阶的扩展的隧道耦合的点电极。讨论了自旋阀器件的固有特性（电极的自旋极化和分子与点的耦合强度）和分子本身的固有特性（磁各向异性和自旋弛豫）对磁滞回线大小的影响。
2018-02-01 cond-mat.mes-hall
Precession of entangled spin and pseudospin in double quantum dots
量子点自旋阀的特征在于交换场，其诱导自旋进动并且即使在没有自旋分裂的情况下也产生电流自旋共振。在双量子点中已经研究了类似的效应，其中轨道自由度，赝自旋，取代了阀配置中的自旋。现在，我们推广这种设置，允许任意自旋和轨道极化的铅，从而获得更丰富的各种电流共振，源于纠缠自旋和赝自旋的进动动力学。我们观察到这两个矢量的退相干，泵和进动，这只能通过也考虑自旋赝自旋的动力学理解的微妙的相互作用。数值结果得到的框架内的广义主方程的cotunneling近似，并补充了一个连贯的顺序隧道模型的分析。
2022-02-08 cond-mat.mes-hall quant-ph
Fabrication and characterisation of nanospintronic devices
我们报告了一种改进的碳基纳米自旋电子器件的制造方案，并证明了仔细的数据分析的必要性，调查的基本物理机制，导致磁阻。使用低密度聚合物和优化配方的处理使我们能够改善横向碳纳米管（CNT）量子点自旋阀器件上铁磁坡莫合金接触的电、磁和结构质量，并且对于材料的热沉积和溅射沉积具有可比的结果。我们表明，自旋电子纳米结构需要一个扩展的数据分析，因为磁化可以影响电导功能的所有特征参数，并导致看似异常的自旋输运。此外，我们报告的CNT量子点自旋阀，似乎是不兼容的正统理论在这种结构中的自旋输运的测量。
2013-11-30 cond-mat.mes-hall
Spin-transfer assisted thermally activated switching distributions in perpendicularly magnetized spin valve nanopillars
本文研究了室温下垂直磁化Co/Ni多层自旋阀纳米柱中自旋转移辅助磁化反转的开关场分布。对具有50 nm × 300 nm椭圆截面的自旋阀纳米柱的Co/Ni自由层的开关场测量作为电流的函数进行。的有效性的模型，假设一个自旋电流依赖于热激活反转的有效势垒的测试通过测量下施加直流开关场分布。我们发现，开关场分布偏离显着的双指数形状预测的有效势垒模型，开始在所施加的电流低至一半的零场临界电流。从低于此阈值的电流的开关场分布中提取的势垒高度是电流的单调函数。然而，热致开关模型打破了超过临界阈值的电流。
2013-12-06 cond-mat.mes-hall
Spin Accumulation and Spin Relaxation in a Large Open Quantum Dot
我们报道了在微米尺度的开放量子点中自旋向上和自旋向下的电子之间的不平衡的电子控制和测量。自旋注入和检测是通过量子点接触实现的，量子点接触被调谐为具有自旋选择性传输，每个点有四个接触，用于实现非局域自旋阀电路。这为自旋电子效应的研究提供了一个有趣的系统，因为与储层的接触可以被高精度地控制和表征。我们展示了如何可以用来提取在一个单一的测量点内的电子自旋的弛豫时间~ 300 ps和自旋极化的接触P ~ 0.8的程度。
2008-08-22 cond-mat.mes-hall
Adiabatic charge and spin pumping through quantum dots with ferromagnetic leads
我们研究了电子通过附着在铁磁引线上的量子点的绝热泵浦。据此，我们利用一个实时的图解技术，在绝热极限，考虑到强库仑相互作用的点。我们分析了从铁磁体中抽运的电子的自旋极化程度，通过点到自旋阀结构的相对引线的磁化方向（F-dot-F）以及抽运电荷的依赖性。对于前一种情况，我们发现，取决于相对耦合强度的铅，自旋和电荷可以，平均而言，在相反的方向泵浦。对于后者的情况下，我们发现的角度依赖的泵浦电荷，变得越来越多的非谐大自旋极化的铅。
2009-05-13 cond-mat.mes-hall
Dynamical multistability in a quantum-dot laser
研究了量子点自旋阀中固体单原子激光器的动力学多稳态特性。该系统是由一个谐振器形成的，它与两个反平行极化的铁磁引线接触的点中的两能级系统相互作用。我们发现，自旋极化电流提供了高效率的泵浦导致制度的多稳态激光，其中的振荡器的Fock分布显示多峰分布。多稳态激光的出现是由于通常的相干自旋共振器相互作用的行波近似在相对弱的耦合下被打破。多稳态直接表现在流过点的充电电流中，在对应于不同振荡状态的不同电流电平之间切换。
2019-01-30 cond-mat.mes-hall
Electro-osmotic diode based on colloidal nano-valves between double membranes
电渗流的整流在微/纳米流体应用中是重要的，例如微泵和能量转换装置。在这里，我们提出了一个简单的电渗二极管，其中胶体颗粒包含在两个平行的膜具有不同的孔密度。虽然在向前方向上的流动只是将胶体颗粒推向高孔密度膜，但向后流动被低孔密度膜附近的颗粒阻挡，这些颗粒堵塞了孔。非平衡分子动力学模拟显示出很强的非线性依赖于电场的电流和电渗流，表明二极管特性。通过引入有效孔径作为胶体颗粒堵塞孔隙的模型，建立了一个重现电渗二极管行为的数学模型。所提出的模型与估计的参数值和直接分子动力学模拟的结果之间获得了良好的协议。所提出的电渗二极管在小型微流体泵中具有潜在的应用，例如，在AC电场下感应的泵浦。
2021-09-14 cond-mat.mes-hall physics.chem-ph
Spin-orbital and spin Kondo effects in parallel coupled quantum dots
讨论了平行耦合单能级轨道双简并量子点中强电子关联和干涉效应。利用有限U平均场从玻色子方法研究了多体效应。该分析是在广泛的参数空间，包括原子和分子的近藤制度，并考虑到各种扰动，如interdot隧道，interdot相互作用，混合的电极通道和交换相互作用。我们还讨论了电子结构的奇异性和电极极化的影响。特别注意的是潜在的自旋电子应用这些系统显示如何可以通过调整干扰条件和相关性的栅极电压控制电流极化。提出了双点自旋阀和双极电调谐自旋滤波器的简单方案。
2015-10-20 cond-mat.mes-hall
Manipulating Single Spins in Quantum Dots Coupled to Ferromagnetic Leads
我们讨论的可能性，以产生，操纵和探测单级量子点耦合到铁磁铅单自旋。在点和引线之间流动的自旋极化电流导致非平衡自旋积累，即，量子点自旋的有限极化量子点的自旋极化的大小和方向都取决于引线的磁性以及它们与量子点的耦合。此外，它们可以通过外部施加的磁场或由于强相互作用的量子点态与自旋极化引线的隧道耦合而产生的固有存在的交换场来操纵。交换场可以通过栅极和偏置电压来调节，因此，这为操纵量子点自旋提供了方便的手柄。由于通过量子点自旋阀的传输敏感地取决于量子点自旋的状态，后者的所有动力学都反映在器件的传输特性中。
2005-12-20 cond-mat.mes-hall
Gate-defined graphene double quantum dot and excited state spectroscopy
双量子点使用三个顶栅形成在石墨烯纳米晶体管器件中。这些门独立地改变每个点上的电子数量并调整点间耦合。通过激发态的输运被观察到在弱耦合双点制度。我们从测量中提取双点系统的所有相关电容，以及量化的电平间距。
2009-12-11 cond-mat.mes-hall
Charge and spin pumping through a double quantum dot
我们计算了耦合到正常金属或铁磁接触的具有强库仑相互作用的串联双量子点的绝热电荷和自旋泵浦。我们使用一个实时的图解方法在弱耦合的水库制度。在弱点间隧道耦合的情况下，我们研究了由于电荷涨落引起的隧道诱导重正化效应对泵浦电荷和自旋的影响。我们发现，隧穿通过热激发态可以发挥重要作用，在强interdot耦合制度。特别是，对于铁磁接触，这两种效应都能够产生纯自旋电流。此外，它们可以导致反转的自旋阀效应，甚至导致输运方向的反转以及发散的隧穿磁阻。
2010-12-10 cond-mat.mes-hall
Transport through graphene double dots
我们提出了在石墨烯双点系统中的库仑阻塞测量。点到引线的耦合以及点之间的耦合可以通过石墨烯平面内栅极来调谐。耦合是栅极电压的非单调函数。使用一个纯粹的电容模型，我们提取所有相关的能量尺度的双点系统。
2009-05-05 cond-mat.mes-hall
Enhanced photon-assisted spin transport in a quantum dot attached to ferromagnetic leads
我们研究了耦合到铁磁引线的量子点中自旋极化电流的实时动力学。当外部偏置电压在时间上取恒定时，电容耦合到量子点的栅极端子引入点电平的周期性调制。利用非平衡格林函数技术，我们发现自旋极化电子可以通过附加的光子辅助传输通道隧穿系统。由于点能级的塞曼分裂，有可能选择一个特定的自旋分量从左端到右端进行光子转移，其中自旋相关的电流峰值出现在不同的栅极频率。铁磁电极增强或抑制自旋输运取决于引线的磁化取向。隧道磁电阻也达到负值，由于光子辅助反转的自旋阀效应。
2011-12-20 cond-mat.mes-hall
Few-hole double quantum dot in an undoped GaAs/AlGaAs heterostructure
我们在未掺杂的GaAs/AlGaAs异质结中发现了空穴双量子点。点间耦合可以在很宽的范围内调谐，从形成一个大的单点到两个隔离良好的量子点。使用电荷传感，我们展示了完全清空孔的点和控制在少孔制度中的电荷占据的能力。该装置应允许控制GaAs中的单量子点和双量子点中的单个空穴自旋。
2013-12-06 cond-mat.mes-hall
Computer-automated tuning of semiconductor double quantum dots into the single-electron regime
我们报道了GaAs异质结构中栅定义半导体双量子点的计算机自动调谐。我们通过在四个量子点的线性阵列内创建三个双量子点来对算法进行基准测试。该算法为所有栅极设置正确的栅极电压，以将双量子点调谐到单电子状态。该算法只需要（1）门设计的先验知识和（2）由所有量子点共享的单个门$T$的夹断值。这项工作大大简化了用户调谐多个量子点设备所需的工作。
2016-03-07 cond-mat.mes-hall
Double quantum dot as a probe of nonequilibrium charge fluctuations at the quantum point contact
通过量子点接触产生的能量量子的吸收导致通过放置在附近的双量子点的非弹性电流。与单量子点相比，双量子点的非弹性电流对量子点接触传输的能量依赖性敏感，这可以解释实验观察到的特征。我们计算的非弹性电流作为电路的微观参数的函数。
2008-12-02 cond-mat.mes-hall
Mechanically probing coherent tunnelling in a double quantum dot
我们从理论上研究了一个少电子双量子点和一个电容耦合的AFM悬臂梁，在最近的几个实验中实现的设置之间的相互作用的电荷动力学。我们证明，点引起的频率偏移和阻尼的悬臂梁可以被用来作为一个敏感的探针相干点间隧穿，这些效果可以用来定量提取的相干点间隧穿的大小和（在某些情况下）的值的双点T_1时间。我们还展示了如何绝热调制的双点本征态的悬臂梁运动导致新的效果相比，单点的情况。
2011-11-09 cond-mat.mes-hall
Cotunneling effects in GaAs vertical double quantum dot
在稀释冰箱温度为10 mK时，我们观察到了低势垒GaAs垂直双量子点中库仑阻塞的解除，这是由共隧穿机制引起的.与单点情况相比，观察到了几个明显的特征，并给出了相应的解释
2010-11-17 cond-mat.mes-hall
Nonlinear Transport through Coupled Double Quantum Dot Systems
结合简单的微观量子限制模型和Mott-Hubbard型关联模型，研究了半导体双量子点结构中的序贯隧穿输运.我们非微扰地计算了库仑阻塞振荡随点间势垒电导的演化，从弱耦合的单个点到强耦合的相干双点分子系统，在整个隧穿区得到了与实验数据很好的定性一致.
1996-11-26 cond-mat.mes-hall
Quantum manipulation of two-electron spin states in metastable double quantum dots
我们实验研究了所谓的亚稳双量子点中两个反平行电子自旋之间的交换相互作用的动力学，其中与电子库的耦合可以忽略。我们证明，这种双点的控制水平高于传统的双点。特别是，它允许耦合相干两个电子自旋在一个有效的方式以下的计划最初提出的损失和Dijuenzo。本研究表明，亚稳态量子点是增加相干耦合量子点数量的一种可能途径。
2014-11-25 cond-mat.mes-hall
Ion implanted Si:P double-dot with gate tuneable interdot coupling
本文报道了磷离子注入硅双点系统的毫开尔文电荷传感测量。铝单电子晶体管（SET）是电容耦合到每个注入点，使充电行为的双点系统进行研究独立的电流传输。使用静电门，点间耦合可以从弱耦合调谐到强耦合。在弱的点间耦合区域，系统表现出明确的双点充电行为。相比之下，在强点间耦合制度，系统表现为一个单点。
2006-02-23 cond-mat.mes-hall
Electrostically defined few-electron double quantum dot in silicon
采用金属氧化物半导体（MOS）兼容工艺制备了一种少电子双量子点，通过低温输运测量研究了该器件的能谱.双点结构是电可调的，使得点间耦合能够在宽范围内调整，如在电荷稳定性图中所观察到的。在偏置光谱测量中清楚地观察到了双点基态和激发态的共振单电子隧穿。
2009-04-02 cond-mat.mes-hall
Electron transport through double quantum dots
综述了串联耦合的两个横向量子点的电子输运实验。介绍了电荷稳定性图的两个点的电化学电位。共振隧穿实验表明，双点几何结构允许在量子点中的离散能量状态的本征寿命的准确测定。研究了离散能级在磁场中的演化。该分辨率允许分辨量子点的光谱中的避免的交叉。利用微波光谱，可以探测双点人工分子中从离子键合（对于弱的点间隧道耦合）到共价键合（对于强的点间隧道耦合）的转变。本文综述了双量子点的实验研究现状，并指出了它们与实现固态量子比特的关系。
2002-05-21 cond-mat.mes-hall
Spectroscopy of double quantum dot two-spin states by tuning the inter-dot barrier
双量子点中双自旋态的输运谱可以通过一个交流电场来实现。然而，当状态之间的转变率较小时，就会出现问题，因此AC感应电流会被抑制。在这里，我们表明，如果AC场调谐的点间隧道势垒，然后为大失谐的过渡率急剧增加，导致高电流。多光子共振增强了几个数量级。我们的研究为快速双自旋跃迁提供了一种有效的方法。
2019-02-05 cond-mat.mes-hall
Theory of a double-dot charge detector
采用极小模型分析了一个库仑耦合于待测电子，另一个受随时间变化的柱塞电压调制的双量子点电荷探测器。探测器的信号和噪声由标准主方程和麦克唐纳公式技术计算。我们发现在噪声频谱中的双拉比频率的双点，定义的带宽可用于检测运动中的电荷下降。
2008-02-12 cond-mat.mes-hall
Statistical electron excitation in a double quantum dot induced by two independent quantum point contacts
实验研究了电流通过两个独立的量子点接触对GaAs-AlGaAs异质结中邻近的双量子点的影响。观察到的电流通过双量子点可以解释耦合到玻色子浴。浴的温度取决于通过量子点接触的电流所产生的功率。我们确定了双量子点中的主要吸收和发射机制为与声学声子的相互作用。实验排除了双量子点与由量子点接触产生的散粒噪声的耦合作为主导机制。
2009-02-12 cond-mat.mes-hall
Charge State Measurement and Persistent Current in a Double-Dot Aharonov Bohm Ring
这篇论文由于一个重大错误而被作者撤回。
2006-06-15 cond-mat.mes-hall
Probing level renormalization by sequential transport through double quantum dots
我们研究了串联双量子点的电子输运。离散点能级与外部引线的隧道耦合导致它们的能量转移。这种能量重整化影响的输运特性，即使在弱的点-铅耦合的限制，当顺序运输占主导地位。我们提出了一个实验装置，它揭示了重整化效应的电流-电压特性或稳定性图。
2005-08-19 cond-mat.mes-hall
Phase readout of a charge qubit capacitively coupled to an open double quantum dot
研究了电荷量子比特与开放双量子点的电容耦合动力学。取决于量子位状态，通过开放量子点的传输可以是谐振的或非谐振的，使得量子位影响通过开放双点的电流。我们将初始量子比特状态与出现的瞬态电流峰值的大小相关联。这些量之间的关系使得不仅能够读出电荷，而且能够读出量子位的相位。
2010-03-08 cond-mat.mes-hall
Top-gate defined double quantum dots in InAs nanowires
本文介绍了金属有机物气相外延生长的InAs纳米线中双量子点的低温输运测量。两个点串联创建光刻定义的顶栅的过程中，不涉及额外的绝缘层。我们证明了从强到弱耦合点之间的完整的可调谐性。耦合的量子力学性质导致在两个点上延伸的分子状态的形成。单个点的激发光谱可通过它们在非线性输运中的特征来观察。
2006-09-19 cond-mat.mes-hall
Molecular states in carbon nanotube double quantum dots
我们报告通过半导体单壁碳纳米管（SWNT）与三个额外的顶栅的电输运测量。在低温下，该系统充当具有大的点间隧道耦合的双量子点，允许观察在整个双点系统上延伸的隧道耦合分子态。我们精确地提取了隧道耦合，并通过微分电导中共振的顺序隧穿线形来识别分子态。
2006-03-14 cond-mat.mes-hall
Compact silicon double and triple dots realized with only two gates
我们报告电子输运硅双和三重点创建优化数量的两个门。使用氮化硅间隔物，在与硅纳米线重叠的两个顶栅下方创建串联的两个点。点之间的耦合由栅极电压控制。第三个点是由栅极电压或局部掺杂的组合作用，这取决于间隔物的长度。对三点稳定图的主要特征进行了定量拟合。
2010-05-31 cond-mat.mes-hall
