The 12%-S doped FeSe system has a high Tc of 30 K at a pressure of 3.0 GPa. We have successfully investigated its microscopic properties for the first time via $^{77}$Se-NMR measurements under pressure. The antiferromagnetic (AFM) fluctuations at the optimal pressure (~3 GPa) exhibited unexpected suppression compared with the AFM fluctuations at ambient pressure, even though the optimal pressure is close to the phase boundary of the AFM phase induced at the high-pressure region. In addition, we revealed that the SC phase at an applied field of 6.02 T exhibited a remarkable double-dome structure in the pressure-temperature phase diagram, unlike the SC phase at zero field.
Positive and negative chemical pressure effects investigated in electron-doped FeSe films with an electric-double-layer structure
通过在LaAlO $_3$衬底上制备FeSe单晶薄膜，研究了电子掺杂FeSe中的化学压力效应。我们的方法使电子掺杂的FeSe的运输测量。通过施加5V的栅极电压进行电子掺杂增加了具有$0 \leq x \leq 0.4$和$0 \leq y \leq 0.25$的FeSe $_{1-x}$ Te $_x$和FeSe $_{1-y}$ S $_y$膜的$T_{\mathrm c}$，而e掺杂的$x=0.5$膜显示出比未掺杂的膜更低的$T_{\mathrm c}$。正压力和化学压力均抑制e掺杂FeSe的$T_{\mathrm c}$。所得到的超导相图在掺杂的样品是相当不同的，在未掺杂的样品。这可能表明未掺杂和e掺杂系统之间的超导机制是不同的。或者，这可能是解释的情况下，在电子掺杂的样品中的电子顺序。
Robust short-range-ordered nematicity in FeSe evidenced by high-pressure NMR
我们报告了高压$^{77}$ Se NMR研究FeSe单晶，揭示了一个突出的不均匀的NMR谱线宽度加宽冷却后，与磁场施加沿tetraxide [110]方向。这些数据表明存在短程有序的，不均匀的电子向列性，它具有令人惊讶的长时间尺度超过毫秒。短程有序的生存温度高达$8$倍的结构转变温度，并保持对压力的鲁棒性，相反，强的压力依赖性的轨道排序，结构转变，和基态磁性。FeSe的（$P$，$T$）空间中的静态向列性的这种扩展区域表明了一个非常大的波动区域，并为理解铁基超导体中的电子向列性提供了新的见解和约束。
Evidence for Unconventional Superconductivity in Arsenic-Free Iron-Based Superconductor FeSe : A ^77Se-NMR Study
本文报道了具有与LaFeAsO $_{1-x}$ F $_x$超导体相似的晶体结构的$α$的核磁共振（NMR）结果.核自旋晶格弛豫速率$1/T_1$在超导转变温度$T_c$以下表现出$T^3$行为，没有相干峰。在高于$T_c$的宽温度范围内，可以看到指示费米液态的$T_1T=$恒定行为。$α$ -FeSe的超导电性与LaFeAsO $_{1-x}$ F $_x$及相关材料一样，也是一种非常规的超导电性. FeAs层对非常规超导性的发生不是必需的。
Pressure Induced Stripe-order Antiferromagnetism and First-order Phase Transition in FeSe
为了阐明FeSe的磁结构和向列性的起源，我们对FeSe单晶进行了高压$^{77}$ Se NMR研究。我们发现，抑制的结构转变温度与压力高达约2 GPa的各向异性的奈特位移。在2GPa以上，打破空间四重旋转对称性的条序反铁磁性由不同场取向下的NMR谱确定，温度低至50 mK。磁相变是一级相变，这意味着存在一个伴随的结构转变通过自旋-晶格耦合。条纹型自旋波动在高温下观察到，并保持强大的压力。这些结果为FeSe中向列性和磁性之间的强耦合提供了明确的证据，从而支持了铁基超导体中磁驱动向列性的普遍假设。
Orbital superconductivity, defects and pinned nematic fluctuations in the doped iron chalcogenide FeSe$_{0.45}$Te$_{0.55}$
我们表明，差分电导，$dI/dV$，通过光谱成像扫描隧道显微镜测量的掺杂铁硫属化物FeSe $_{0.45}$ Te $_{0.55}$，具有一系列的特征，允许一个提取的超导间隙的轨道结构。这在两个类空穴费米面上产生了近各向同性的超导带隙，而在类电子费米面上产生了强各向异性的带隙。此外，我们表明，钉扎由缺陷的涨落可以引起一个哑铃状的空间结构的诱导杂质束缚态，并解释了相关的$C_2$ -对称性的傅立叶变换微分电导。
In-plane magnetic field effect on the neutron spin resonance in optimally doped FeSe$_{0.4}$Te$_{0.6}$ and BaFe$_{1.9}$Ni$_{0.1}$As$_{2}$ superconductors
用非弹性中子散射研究了面内磁场对最佳掺杂超导体FeSe $_{0.4}$ Te $_{0.6}$（$T_c=14$ K）和BaFe $_{1.9}$ Ni $_{0.1}$ As $_{2}$（$T_c=20$ K）的磁共振的影响.虽然高达14.5特斯拉的磁场不改变共振的能量，但它部分地抑制了$T_c$和相应的超导诱导的强度增益的模式。然而，我们没有发现直接的证据，场诱导自旋1塞曼分裂的共振。因此，仍然不清楚共振是否是长期寻求的直接耦合到超导电子库珀对的单重态-三重态激发。
Enhanced superconducting transition temperature in hyper-interlayer-expanded FeSe despite the suppressed electronic nematic order and spin fluctuations
通过插入分子间隔层可以显著提高FeSe的超导临界温度$T_{\rm c}$。本文报道了粉末状超层间膨胀Li的$^{77}$ Se、$^7$ Li和$^1$ H核磁共振（NMR）研究。在$^7$ Li和$^1$ H NMR谱中没有任何位移表明FeSe层中的传导电子与层间单元完全解耦，而几乎与温度无关的$^7$ Li和$^1$ H自旋晶格弛豫速率与绝缘层间空间中存在的Fe杂质的不可忽略的浓度一致。另一方面，$^{77}$ Se NMR位移和自旋-晶格弛豫速率$1/^{77}T_1$的强温度依赖性归因于接近费米能的类空穴带。$1/^{77}T_1$没有显示出额外的各向异性，这将导致电子有序下降到$T_{\rm c}$。类似地，在正常状态下，没有发现由于自旋涨落引起的$1/^{77}T_1$的增强。然而，一个特征的幂律依赖性$1/^{77}T_1\propto T^{4.5}$仍然符合库珀配对介导的自旋波动。
Enhanced superconductivity accompanying a Lifshitz transition in electron-doped FeSe monolayer
最近发现的在SrTiO $_{3}$（STO）上生长的FeSe单层膜在50 K以上的超导电性增强的起源，与体相FeSe中的8 K相比，存在激烈的争论。与铁硫族化合物A $_{x}$ Fe $_{2-y}$ Se $_{2}$和钾掺杂的FeSe一样，它们也具有相对高的超导临界温度（$T_c$），FeSe/STO单层膜的费米表面（FS）没有空穴状FS，这表明这些空穴FS消失的Lifshitz转变可能有助于增加$T_c$。然而，解释$T_c$增加的根本原因仍不清楚。在这里，我们报告了一个15 K的$T_c$跳跃伴随着第二个Lifshitz过渡，其特征在于在布里渊区（BZ）中心的电子口袋的出现，这是由高电子掺杂后，在FeSe/STO单层膜上原位沉积钾触发。我们的研究结果表明，配对相互作用是轨道依赖的$d_{xy}$轨道发挥决定性的作用，在FeSe产生增强的超导电性。
Interrelationships between nematicity, antiferromagnetic spin fluctuations and superconductivity: Role of hotspots in FeSe$_{1-x}$S$_{x}$ revealed by high pressure $^{77}$Se NMR study
Mapping out the spin fluctuations in Co-doped LaFeAsO single crystals by NMR
用核磁共振（NMR）方法测定了LaFe $_{1-x}$ Co $_x$ AsO单晶的相图。直到$x=0.03$的标称掺杂，其遵循F掺杂多晶体的相图。在$x=0.03$以上，F掺杂的样品变得超导，而对于Co掺杂，可以观察到高达$x=0.042$的结构和磁性转变，并且超导性仅在更高的掺杂水平和降低的转变温度下发生。对于高达$x=0.056$的掺杂，我们找到了短程磁序的证据。通过弛豫率测量，我们绘制出揭示向列性和磁性相互作用的磁涨落。在有序度以上，LaFe $_{1-x}$ Co $_x$ AsO中的自旋涨落与Ba（Fe $_{1-x}$ Co $_x$）$_2$ As $_2$中的自旋涨落相同，表明LaFeAsO中的向列性也是自旋密度波动的结果.
Superconducting fluctuations in FeSe$_{0.5}$Te$_{0.5}$ thin films probed via microwave spectroscopy
我们研究了FeSe $_{0.5}$ Te $_{0.5}$在CaF $_2$上外延薄膜在超导转变附近的微波电导率谱。随着薄膜厚度的增加，我们观察到了超导涨落的临界行为，并出现了从二维到三维的空间交叉。由标度参数的温度依赖性，我们得出FeSe $_{0.5}$ Te $_{0.5}$超导转变的普适类是3D-XY模型。超导波动的起始温度的下限，Tonset，由我们的测量确定的是1.1 Tc，这表明FeSe $_{0.5}$ Te $_{0.5}$的超导波动至少与最佳和过掺杂的铜酸盐一样大。
Nuclear magnetic relaxation rates of unconventional superconductivity in doped topological insulators
我们研究了掺杂拓扑绝缘体$M$（$=$ Cu，Nb，Sr）$_{x}$ Bi $_{2}$ Se $_{3}$和Sn $_{1-x}$ In $_{x}$ Te中的核磁弛豫速率与温度的关系，以检测拓扑超导性的迹象。临界温度Tc以下的Hebel-Slichter相干效应依赖于掺杂拓扑绝缘体的最小模型所预测的超导态。在类似于$^{3}$ He中的ABM相的节点各向异性拓扑状态中，NMR速率在Tc以下具有常规的$s$波状相干峰。相比之下，在完全带隙的各向同性拓扑超导状态下，低于Tc的速率呈现出反峰轮廓。此外，在二重面内各向异性拓扑超导态中，不存在与手征$p$波态类似的相干效应。因此，我们揭示了NMR速率揭示了掺杂拓扑绝缘体的非常规超导性。
23Na and 75As NMR Studies on NaFeAs0.8P0.2 Single Crystals
本文报道了我们对等价磷掺杂的NaFeAs $_{0.8}$ P $_{0.2}$（$T_c=$ 33 K）单晶的$^{23}$ Na和$^{75}$ As NMR研究。我们的数据表明，费米面上的电子态密度的显着增强，和一个大的剩余电子态密度低于$T_c$。然而，反铁磁自旋涨落的证据显示的自旋晶格弛豫速率。从$^{23}$ Na NMR谱线宽度揭示的穿透深度符合铁磷属元素化物中普遍的Uemura关系。这些观察结果表明，相关效应仍然是重要的磷掺杂样品的超导性，虽然费米面可能显着改变掺杂。
