Cross correlations in disordered, four-terminal graphene-ribbon conductor: Hanbury-Brown and Twiss exchange as a sign of non-universality of noise
我们研究了由石墨烯带制成的十字形导体中的电流-电流相关性。我们测量了自相关和互相关,并将它们与理想扩散导体的理论预测进行了比较。我们的数据偏离这些预测和协议,可以通过添加贡献,从占领数噪声在连接十字架的武器的中心区域。此外,我们确定了该系统中的Hanbury-Brown和Twiss(HBT)交换相关。相反的预期,一个十字形的扩散系统,我们发现有限的HBT交换效应,由于在交叉口的占用数噪声。发现这些HBT交换相关的强度随栅电压而变化,并且在狄拉克点附近观察到非常明显的具有大波动的HBT效应。
2016-01-31 cond-mat.mes-hall
Multi-terminal Molecular Wire Systems: A Self-consistent Theory and Computer Simulations of Charging and Transport
我们提出了一个自洽的方法来评估的电子电流流过多端分子线。该方法是基于Buttiker- Landauer理论,该理论将电流与单电子散射概率联系起来。散射问题的解决使用紧束缚形式的薛定谔方程,其中包括一个自洽的评价在该地区的分子线的静电势。我们将该方法应用于连接到金属引线的三端分子线。分子线是具有硫醇端基的π共轭碳链,在交替的薄金属和绝缘膜的多层的裂开边缘上自组装。链的末端键合到充当源极和漏极的两个外部金属层,并且链桥接充当栅极的第三(内部)金属层。我们表明,晶体管的动作应该发生在这个设备中,如果在金属栅极的表面上有吸收的原子,获得电荷的栅极电压增加,从而增强栅极和分子之间的相互作用,并创建一个强大的势垒,阻碍电子沿分子线流动。我们发现,电子孤子起着重要的作用,该系统的响应施加电压。
2000-09-25 cond-mat.mes-hall
Conductance Fluctuations in Disordered Wires with Perfectly Conducting Channels
我们研究了具有幺正对称性的无序量子线中的电导涨落,重点研究了在一个传播方向上的导电通道数不等于在相反方向上的导电通道数的情况。我们考虑具有$N+m$左移通道和$N$右移通道的无序导线。在这种情况下,$m$左移通道变得完全导电,左移通道的无量纲电导$g$表现为长线极限中的$g \to m$。我们得到的方差$g$的扩散制度,通过使用Dorokhov-Mello-Pereyra-Kumar方程的传输特征值。结果表明,除非$N$很大,否则$m \neq 0$电导涨落的普适性将被破坏.
2008-04-28 cond-mat.mes-hall
Magnetolocalization in disordered quantum wires
非微扰地研究了无序量子线中与磁场相关的局域化。发现随着磁场的增加,平均局部化长度增加,在没有磁场的情况下饱和到其值的两倍。在弱局域化和强局域化两种情况下,交叉行为都受磁扩散长度L_B的控制。对于具有镜面边界条件的二维导线以及抛物导线,该函数以封闭形式解析地导出为平均自由程l、导线厚度W和磁长度l_B之比的函数。分析公式的电阻测量在强本地化制度的适用性进行了讨论。与最近的实验结果的磁局域化的比较。
2001-09-04 cond-mat.mes-hall
Conductance distribution of disordered quasi one-dimensional wires
我们确定解析的准一维无序电子系统的电导分布,忽略电子-电子相互作用,为所有的无序强度。我们发现,在金属和绝缘制度之间的交叉区域,P(g)是高度不对称的,由“单边”对数正态分布。对于较大的无序,对数正态分布的尾部被高斯截断,g > 1。
1999-08-09 cond-mat.mes-hall
0.7-anomaly and magnetotransport of disordered quantum wires
对于弹道一维器件,通常观察到电导量子化的意外的“0.7”平台。在这项工作中,我们研究了准弹道量子线,其中的无序诱导的背散射减少了电导量子化步骤。我们发现透射几率共振与反常平台共存。这些共振作为平面内磁场和电子密度的函数的研究指出在低载流子浓度下存在自旋极化,并且构成了用于确定适用于无序量子线的有效g因子的方法。
2007-12-14 cond-mat.mes-hall
Quantum Electron Transport in Disordered Wires with Symplectic Symmetry
利用超对称场论研究了具有辛对称性的无序导线的电导。特别注意的是集中在导电通道的数量是奇数的情况下。这种情况可以在金属碳纳米管中实现。使用Zirnbauer的超傅立叶分析获得平均无量纲电导g。结果表明,随着导线长度的增加,g在奇沟道情况下接近1,而g在普通偶沟道情况下为零。应该强调的是,所谓的Zirnbauer零模,这一直被认为是非物理的,是必不可少的描述在奇通道的情况下的异常行为。
2004-11-18 cond-mat.mes-hall
Finite size effects and localization properties of disordered quantum wires with chiral symmetry
通过电导计算分析了无序量子线局域化性质中的有限尺寸效应。通过在导线中的随机位置处引入空位并因此保持手征对称性来诱导无序。对于准一维的几何形状和低浓度的空位,指数衰减的平均电导与导线的长度得到即使在能带的中心。对于宽导线,有限尺寸效应导致电导遵循非纯指数律衰减。我们提出了一个平均电导的分析公式,该公式准确地再现了两种几何形状的数值数据。然而,当空位浓度增加到临界值以上时,发生向电导抑制的转变。这是被捕获在样品的有限区域中的超局域态的存在的特征。
2003-03-04 cond-mat.mes-hall
Nonchiral Edge States at the Chiral Metal Insulator Transition in Disordered Quantum Hall Wires
研究了强磁场中无序线的量子相图随线宽和能量的变化。两端电导显示零温度不连续过渡之间的确切整数高原值和零。在这个过渡附近,手性金属-绝缘体过渡(CMIT),状态被确定为具有相反手性的边缘状态的叠加。这种状态的批量贡献被发现减少与增加线宽度。基于精确的对角化结果的本征态和它们的参与比,我们得出结论,这些状态是CMIT的特征,具有非手征边缘状态的外观,从而区别于量子霍尔线中的其他状态,即扩展边缘状态,二维(2D)本地化,准一维本地化,和2D临界状态。
2005-09-15 cond-mat.mes-hall
Spreading and localization of wavepackets in disordered wires in a magnetic field
我们研究了磁场中无序金属丝中波包的扩散和局域化性质。在最近的超对称性的方法相比,我们的数值结果表明,衰变率的稳定状态的变化{ \em顺利}在交叉从保存到破缺的时间反演对称性。标度和波动特性也进行了分析和一个公式,这是推导出的解析仅在纯对称的情况下示出的描述也在交叉制度的稳态波函数。最后,我们提出了一个缩放的方差的数据包,它再次显示了一个平滑的过渡,由于磁场。
2000-05-21 cond-mat.mes-hall
Asymptotic behavior of the conductance in disordered wires with perfectly conducting channels
我们研究了具有幺正对称性的无序导线的电导,重点研究了由于两个传播方向之间的通道数不平衡而存在$m$完美导电通道的情况。使用的Dorokhov-Mello-Pereyra-Kumar(DMPK)方程的传输本征值的精确解,我们得到的平均值和二阶矩的电导在长导线制度。为了比较,我们采用三边Chalker-Coddington模型作为通道数不平衡的$m = 1$系统的最简单的例子,并利用超对称方法得到电导的平均和二阶矩.我们证明了Chalker-Coddington模型的结果与DMPK方程的结果是一致的。
2007-12-25 cond-mat.mes-hall
Conductance Distribution in Disordered Quantum Wires with a Perfectly Conducting Channel
我们研究了相位相干无序量子线的电导,重点是在两个传播方向之间的导电通道的数量是不平衡的情况下。如果在一个方向上的通道的数量比在相反方向上的通道的数量多一个,则无论导线长度如何,一个没有反向散射的完美导电通道都是稳定的。因此,无量纲电导并不消失,但收敛到单位的长线限制,表明没有安德森局域化。为了观察一个完美的导电通道的影响,我们数值计算得到的电导在这两种情况下,有和没有一个完美的导电通道的分布。我们表明,分布的特征形式显着修改的存在下,一个完美的传导通道。
2009-03-11 cond-mat.mes-hall
Quantum dot to disordered wire crossover: A complete solution in all length scales for systems with unitary symmetry
我们给出了描述量子点和具有幺正对称性的无序量子线之间交叉的超对称非线性西格玛模型的精确解。该系统是理想地耦合到两个电子水库通过完美的导电引线维持任意数量的传播通道。我们得到封闭的表达式的前三个时刻的电导,平均散粒噪声功率和传输本征值的平均密度。结果是完整的,在这个意义上,他们是非微扰的,是有效的,在所有制度和长度尺度。我们恢复最近的文献采取特定的限制几个已知的结果。
1999-07-08 cond-mat.mes-hall
Dynamics of Anderson localization in disordered wires
我们考虑无限无序金属线中电子的动力学。我们推导出在给定时间内扩散返回到起点的概率的精确表达式。该结果是有效的导线或不具有时间反演对称性,并允许拓扑保护的导电通道的可能性。在不存在受保护的信道的情况下,安德森局域化导致在长时间内返回概率的非零限制值,其接近于具有取决于对称类的指数的时间的负幂。当存在拓扑保护通道时(在酉对称或辛对称的线路中),返回的概率在长时间内衰减到零,作为幂律,其指数取决于受保护通道的数量。技术上,我们用一维超对称非线性西格玛模型描述电子动力学。我们推导出一个确切的身份,涉及任何本地动态关联函数在一个无序的线的酉,正交,或辛对称的某个期望值在随机矩阵合奏类AIII,CI,或DIII,分别。所建立的一维到零维西格玛模型的精确映射是非常一般的,可以用来计算无序导线中的任何局部可观测量。
2017-07-11 cond-mat.mes-hall
Van Hove Singularities in disordered multichannel quantum wires and nanotubes
本文提出了无序多通道量子线,特别是多壁碳纳米管的隧穿态密度(TDOS)中的范霍夫奇点(VHS)理论。我们假设附近的门屏蔽了电子-电子相互作用。在非交叉近似的图解微扰理论产生的解析表达式管理的无序引起的加宽和移动的VHS的新的子带被打开。这个问题是不平凡的,因为(最低阶)玻恩近似在接近VHS时崩溃。有趣的是,与散装情况相比,边界TDOS显示出急剧改变的VHS,即使在清洁极限。
2002-10-17 cond-mat.mes-hall
Zero-bias anomaly in disordered wires
在考虑电子-电子相互作用的情况下,我们非微扰地计算了$N$沟道无序线的低能隧穿态密度$ν(ε, T)$。有限散射率$1/τ$导致从较高能量下的Luttinger液体行为$ν\proptoε^α$到低能量下的指数依赖性$ν(ε, T=0)\propto \exp{(-ε^*/ε)}$的交叉,其中$ε^*\propto 1/(N τ)$。在有限温度$T$下,隧穿态密度依赖于通过无量纲变量$ε/\sqrt{ε^* T}$的能量。在费米能级$ν(ε=0,T) \propto \exp (-\sqrt{ε^*/T})$。
2001-11-17 cond-mat.mes-hall
Four-terminal resistances in mesoscopic networks of metallic wires: Weak localisation and correlations
本文研究了弱无序金属线多终端介观网络中的电子输运。在简单描述了经典的运输,我们分析了弱本地化(WL)校正的四端电阻,这涉及到一个整合的Cooperon在电线与适当的权重。我们提供了一个解释这些权重的经典传输特性。我们举例说明的形式主义的例子,并表明,弱本地化四端电导可能会变得很大,在某些情况下。在第二部分中,我们研究了四端电阻的相关性,并表明网络内部的Diffuson和Cooperon的集成涉及与WL相同的权重。这些公式适用于多连接的导线几何形状。
2015-06-26 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Conductance and Its Variance of Disordered Wires with Symplectic Symmetry in the Metallic Regime
用随机矩阵方法研究了具有辛对称性的无序金属丝的电导。它已被证明,在长线极限电导的行为至关重要地取决于是否导电通道的数量是偶数或奇数。我们专注于金属制度的导线长度远小于本地化长度,并计算合奏平均电导和它的方差为偶数和奇数通道的情况下。我们发现,弱反定域修正的电导在奇沟道的情况下是等效的,在偶沟道的情况下。此外,我们还发现方差不依赖于通道数是偶数还是奇数。这些结果表明,与长线极限相反,在金属区不能观察到明显的奇偶差异。
2005-03-11 cond-mat.mes-hall
Localization length versus level repulsion in 1-D driven disordered quantum wires
研究了在单色线偏振光激发下,用Anderson-Floquet模型描述的无序一维量子线中的能级排斥及其与局域化长度的关系.在高频区,局域化长度除以系统的长度和光谱排斥之间的线性标度与没有驱动的一维安德森模型中的线性标度相同,尽管这两个量都取决于外场的参数。在低频区,能级排斥主要取决于场的振幅,并且能级排斥与局域化长度之间的比例性丧失。
2017-11-02 cond-mat.mes-hall
Luttinger liquid behavior in weakly disordered quantum wires
我们测量了GaAs/AlGaAs异质结中长V形槽量子线的电导随温度的变化。我们的数据是一致的,最近的理论发展的框架内的Luttinger液体模型,在弱无序线的限制。我们表明,对于相对少量的无序在我们的量子阱,相互作用参数g的值为g=0.66,这是预期的GaAs值。然而,具有较高水平的无序的样品显示电导与较强的温度依赖性,这不允许他们的治疗在微扰理论的框架。试图用微扰理论模型拟合这些数据不可避免地会导致g的错误(较低)值。
2009-02-16 cond-mat.mes-hall
Quantized conductance at the Majorana phase transition in a disordered superconducting wire
没有时间反转和自旋旋转对称性的超导导线可以被驱动到支持马约拉纳束缚态的拓扑相。这些零能量状态的直接检测是复杂的扩散的低激发在无序的多模线。我们表明,相变本身是由一个量子化的热导和电散粒噪声功率的信号,而不管无序的程度。在环形几何结构中,相变由磁导振荡的倍周期发出信号。这些特征直接来自反射矩阵的行列式的符号作为拓扑量子数的识别。
2010-11-30 cond-mat.mes-hall
A minimal approach for the local statistical properties of a one-dimensional disordered wire
我们考虑高斯随机势中的一维导线。通过将空间方向视为虚时间,我们构造了一个“最小”零维量子系统,使得线的局部统计特性作为系统演化算子的统计独立矩阵元的乘积给出。这个量子系统的状态空间被发现是一个特殊的非幺正,无限维表示的伪酉群,U(1,1)。我们表明,我们的建设是最小的,在一个明确的意义上,并比较它的超对称性和Berezinskii技术。
2005-04-18 cond-mat.mes-hall
Enhanced zero-bias Majorana peak in disordered multi-subband quantum wires
最近的一项实验[Mourik等人,Science 336,1003(2012)]提供了拓扑超导相的实现和马约拉纳束缚态的形成的可能证据。受这个实验的启发,我们考虑了多子带导线的微分隧穿电导中的Majorana束缚态的签名。我们发现,马约拉纳诱导的零偏置峰的重量强烈增强的子带的混合,当无序添加到量子线的末端。我们还考虑了拓扑相变是如何反映在间隙结构的电流-电压特性。
2012-12-14 cond-mat.mes-hall
Conductance distributions of 1D-disordered wires at finite temperature and bias voltage
我们计算了在有限温度T和偏置电压V下,在独立电子图像中,假设完全相干输运的一维无序导线的电导G的分布。在足够高的温度和偏置电压下,其中系统的几个谐振对电导有贡献,分布P(G(T,V))可以通过零温度和零偏置电压下电导分布的自卷积以良好的精度表示。卷积的数量取决于T和V。在非常低的T和V的制度,其中只有一个共振是相关的G(T,V),电导分布分析的共振隧穿电导模型。有限的T和V上的电导分布的强烈影响,观察和我们的理论分析很好地描述,因为我们验证了在不同的温度,电压和长度的线进行了一些一维无序线的数值模拟。还提供了在高温和偏置电压下P(G(T,V))的一阶矩的分析估计。
2006-06-28 cond-mat.mes-hall
Anisotropic universal conductance fluctuations in disordered quantum wires with Rashba and Dresselhaus spin-orbit interaction and applied in-plane magnetic field
研究了在二维无序电子气中实现的窄量子线在k-线性Rashba和Dresselhaus自旋轨道相互作用(SOI)和外加面内磁场作用下的输运性质.在以前工作的基础上[Scheid等人,PRL 101,266401(2008)],我们发现除了电导之外,普遍电导波动还具有相对于磁场方向的各向异性。这种各向异性可以解释唯一的对称性所表现出的哈密顿量以及相对强度的Rashba和Dresselhaus自旋轨道相互作用,因此可以用来检测这个比例从纯电气测量。
2009-03-21 cond-mat.mes-hall
Random-Matrix Theory of Electron Transport in Disordered Wires with Symplectic Symmetry
用随机矩阵方法研究了具有辛对称性的无序金属丝的电导。一般认为,在普通无序线中不可避免地会出现安德森局域化。最近在辛对称系统中发现了一个反例,当导电沟道数为奇数时,即使在长线极限下也存在一个理想导电沟道。这表明奇信道情况与普通的偶信道情况本质上不同。为了研究这种差异,我们推导出DMPK方程传输本征值的偶数和奇数信道的情况下。无因次电导的行为的基础上得到的方程进行了研究。在短线制度,我们发现,弱反局域化修正的电导在奇沟道的情况下是等效的,在偶数沟道的情况下。我们还发现,方差不依赖于是否通道的数量是偶数或奇数。在长线区域,它表明,在偶数通道的情况下,无量纲电导指数衰减为<g_even>-> 0随着系统长度的增加,而<g_odd>-> 1在奇数通道的情况下。我们评估的衰减长度为偶数和奇数通道的情况下,找到一个明确的奇偶差异。这些结果表明,完全导电的通道诱导明显的奇偶差异在长线制度。
2006-04-08 cond-mat.mes-hall
Rashba-induced spin Hall response in a disordered $WTe_2$ four-terminal structure
本文基于Landauer-Buttiker框架和四端器件模型,研究了无序WTe2中本征Rashba自旋轨道耦合诱导的自旋霍尔响应,得到自旋霍尔角均值25%、均方根30%,并通过实验与紧束缚模拟验证,为其他TMDs和单层Xenes的自旋霍尔计算奠定基础。
2025-07-02 cond-mat.mes-hall
Conductance distribution in disordered quantum wires: Crossover between the metallic and insulating regimes
我们计算的准一维系统中的金属绝缘体的交叉制度的电导P(g)的分布,最近的分析方法的基础上有效的所有强度的障碍。我们显示的演化P(g)的无序参数的函数从绝缘体到金属。我们的结果与数值研究报告中关于这个问题,并与分析结果的平均值和方差的g。
2002-12-04 cond-mat.mes-hall
Nonuniversal Shot Noise in Disordered Quantum Wires with Channel-Number Imbalance
在普通量子线中,一个传播方向的导电通道数等于另一个传播方向的导电通道数。然而,它们在具有锯齿形边缘的石墨烯纳米带中可能不平衡。采用的模型系统,其中的通道数的不平衡程度可以控制,我们计算的散粒噪声功率在零频率使用玻尔兹曼-朗之万方法。普通扩散导体中的散粒噪声功率是泊松值的三分之一。我们发现,随着通道数的不平衡程度的增加,普遍的三分之一抑制故障和高度非普遍的行为出现的散粒噪声。
2010-10-28 cond-mat.mes-hall
Decoherence of coherent transport in a disordered one-dimensional wire: Phenomenological model
我们模拟了相破缺碰撞对无序一维单沟道线中相干电子输运的影响。在我们的模型中,相破裂碰撞将导线分成段,其中每个段是具有相干电子电阻的独立串联电阻器,并且分段是具有相破裂散射时间的泊松分布的随机过程。作为导线长度$L$,相干长度$L_ϕ$,和本地化长度$ξ$的函数的导线电阻计算和从相干到非相干传输的过渡被定量跟踪。在相干状态($L < L_ϕ$)中,电阻以电阻的特征对数正态分布从线到线波动,典型电阻以$\exp(L/ξ)$增加,并且平均电阻以$\exp(2L/ξ)$增加(或者如果无序强则更快)。当$L$超过$L_ϕ$时,退相干抑制电阻波动并使电阻分布变窄。结果,在$L \gg L_ϕ$处,平均电阻随着$βL-c$而增加,典型电阻随着$βL - c'$而增加,其中$β$是导线电阻率,$c$是由于源极附近的退相干引起的恒定偏移,并且$c' \gg c$是与单个导线中的电阻自平均相关的偏移。给出了GaAs量子线的数值计算结果。值得注意的是,相干传输在这样的线可以表现出特殊的偏差,由于强烈的背散射杂质的普遍缩放。
2001-11-07 cond-mat.mes-hall
Comparative study for two-terminal transport through a lossy one-dimensional quantum wire
受超冷原子气体中耗散量子点接触实现的启发,我们研究了一个两端介观输运系统,其中一维链中局部存在单粒子损耗。通过Dyson方程的方法在Keldysh形式主义,可以将耗散效应,我们揭示了解析结构的粒子和能量流的正式表达式对应于在某些三端系统的粒子损失是缺席。所得公式也与非厄米和三端Landauer-Büttiiker分析一致。当前表达式的普适性与量子统计无关,并且可能有助于从三端传输的角度理解有损二端传输,反之亦然。
2022-11-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas
Probability distribution of Majorana end-state energies in disordered wires
一维拓扑超导体在其末端具有马约拉纳束缚态。对于有限长度L的超导导线,这些马约拉纳态结合成费米子激发,其能量$ε_0$在L中呈指数小。弱无序使能量分裂指数地小,但影响其典型值,并导致大的样品到样品的波动。我们发现,概率分布的$ε_0$是对数正态的限制大L,而分布的最低位置的体能级$ε_1$有一个代数尾小$ε_1$。我们的发现对拓扑量子计算机的运行速度有影响。
2011-04-08 cond-mat.mes-hall
Quasiclassical theory of disordered multi-channel Majorana quantum wires
多通道自旋轨道量子线在受到磁场作用并与s波超导体近接耦合时,可以支持Majorana态。我们研究的是在无序状态下这些系统会发生什么。受广泛建立的介观超导理论方法的启发,我们发展了一个拉艾伦伯格准经典方法拓扑纳米线有效的限制强自旋轨道耦合。我们发现,“马约拉纳数”,区分状态与马约拉纳费米子(对称类B)和没有马约拉纳(类D),是由产品的两个Pfronans的缺口准经典格林函数固定的右,左终端连接到电线。Eilenberger方程的数值解表明,D类无序量子线容易在局域态密度中形成零能异常(D类杂质谱峰),这与Majorana峰具有相同的关键特征.通过这种方式,我们证实了我们以前的结论的鲁棒性[物理学评论快报。109,227005(2012)],更严格的系统设置。一般来说,我们发现,准经典的方法提供了一个非常有效的手段来解决无序D类超导体的存在和不存在的拓扑结构。
2013-02-04 cond-mat.mes-hall
Plasmon assisted transport through disordered array of quantum wires
研究了无声子等离激元辅助的热激活输运在有限长量子线无序阵列中的传输。一般强电子等离子体相互作用的量子线的结果在一个质的变化的热激活电阻的温度依赖性相比,声子辅助运输。在高温下,热激活电阻由线的Luttinger液体相互作用参数确定。
2005-07-08 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Conductance of Disordered Wires with Symplectic Symmetry: Comparison between Odd- and Even-Channel Cases
本文采用紧束缚模型,在横向由M个格点组成的正方晶格上,对具有辛对称性的无序金属丝的电导进行了数值模拟。如果散射体的电势范围远大于晶格常数,则当M为奇(偶)时,导电通道的数量N变为奇(偶)。计算平均无量纲电导g作为系统长度L的函数。结果表明,当N为奇数时,电导随L的增大表现为g> 1.这表明没有安德森局域化。在偶信道情况下,普通的本地化行为出现,g随L的增加呈指数衰减。它还表明,g的衰减是更快地在奇数通道的情况下比在偶数通道的情况下。这些数值结果与现有的分析理论定性一致。
2004-11-18 cond-mat.mes-hall
Externally controlled selective spin transfer through a two-terminal bridge setup
探索了一种通过双端桥装置获得受控自旋相关输运的新途径。该系统包括磁量子环,该磁量子环直接耦合到磁量子线并且经受垂直于该线的面内电场。在不直接改变系统参数的情况下,可以简单地通过在跨导线的有限偏置压降下调谐外部电场来调节自旋电流。对于某些特定的场强,可以实现高度的自旋极化,因此该系统基本上可以用作外部控制的自旋极化器件。一个详细的比较从其他桥设置获得的自旋电流的大小也检查,使本调查的一个独立的研究。
2015-06-03 cond-mat.mes-hall
Effect of temperature and bias voltage on the conductance distribution of disordered 1d quantum wires
在独立电子图中研究了一维无序系统在有限偏压V和温度T下电导的统计性质。在共振隧穿传输的统计模型中,我们计算了电导P(G)在不同的V,T状态下的完整分布。我们发现,P(G)的变化从众所周知的对数正态分布在T=0的线性响应制度的高斯分布在大V,T。并分析了平均量的T、V依赖性< G >< ln G >。我们的分析结果证实了数值模拟。我们还讨论了模型的有效性的限制,并得出结论,有限的T,V的影响,这里提出的应该是可观察的。
2005-07-14 cond-mat.mes-hall
Reentrant topological phase transitions in a disordered spinless superconducting wire
在相干长度为λ的一维无自旋p波超导体中,无序在临界平均自由程l= λ/2处引起拓扑非平凡相和平凡绝缘相之间的相变.在这里,我们表明,一个多通道的无自旋p波超导体经历了一个交替的拓扑平凡和非平凡的阶段时,增加的无序强度,相变的数量等于通道数N。最后的相变,从一个非平凡的阶段到平凡的阶段,发生在平均自由程l = N/(N+1),参数小于临界平均自由程在一维。我们的结果在线宽W远小于超导相干长度λ的限制下是有效的。
2013-02-12 cond-mat.mes-hall
Conductance fluctuations in disordered 2D topological insulator wires: From quantum spin-Hall to ordinary quantum phases
杂质和缺陷在拓扑绝缘体(TI)中普遍存在,因此理解无序对电子输运的影响是重要的。我们用Bernevig-Hughes-Zhang(BHZ)哈密顿量和实际参数计算了无序二维TI线的随机电导涨落$P(G)$的分布。正如我们所展示的,无序驱动TI进入不同的区域:金属(M),量子自旋霍尔绝缘体(QSHI)和普通绝缘体(OI)。通过改变无序强度和费米能,我们在整个相图上解析和数值计算$P(G)$。电导涨落遵循么正普适类$β=2$的统计规律。然而,在强无序和高能量下,涨落$δG$的大小达到正交对称类($β=1$)的普适值。在QSHI-M和QSHI-OI交叉点,边缘态和体态之间的相互作用在电导的统计特性中起着关键作用。
2018-02-12 cond-mat.mes-hall
Crossover of conductance and local density of states in a single-channel disordered quantum wire
计算了具有手征对称性的单沟道无序量子线在两种不同几何结构下的介观局域态密度的概率分布。提出了一种近似的解析法来描述单沟道无序量子线的电导和LDOS的概率分布在手征对称类和标准对称类之间的交叉。通过与Schomerus和Titov在Phys. Rev. B \textbf{67},100201(R)(2003)中引入的大偏差分析法进行比较,讨论了该分析法的准确性。
2004-11-25 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Fokker-Planck equations and density of states in disordered quantum wires
我们提出了一个通用的计划,以构建所有十个纯Cartan对称类的无序量子线的态密度的标度方程。通过映射到虚势作用下量子线反射的标度方程,详细分析了三种手征普适类和四种Bogoliubov-de Gennes普适类费米能级附近态密度的反常行为.
2001-01-17 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Universal Transport Properties of Disordered Quantum Wires
对于属于所有10个普适类的无序量子线,通过DMPK方法得到了输运性质的普适量。计算了传输本征值概率分布函数的一点和两点关联函数的普适部分。在这个分析中,使用DMPK方程的渐近解。讨论了新普适类(手征类和Bogoliubov-de Gennes类)的输运性质,并与标准普适类的输运性质进行了比较。
2002-03-28 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Coulomb drag in phase-coherent mesoscopic structures - Numerical study of disordered 1D-wires
我们研究了两平行无序介观一维线之间的库仑阻力。通过数值系综平均,我们计算了G_21的统计性质,包括它的分布。对于相互不相关的障碍潜力的电线,我们发现,平均值是有限的,但具有可比的波动,使符号反转是可能的。对于相同的无序势的平均值和波动nare增强相比,不相关的无序的情况下。
2001-08-13 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Random matrix study for a three-terminal chaotic device
我们进行了一项研究的基础上的随机矩阵理论模拟的三端器件,每个终端上的混沌腔组成。我们分析了沿一条线的电压降与两个混乱的介观腔,连接一个完美的导体,或波导,与一个开放模式。这是通过一个探针来完成的,该探针也由一个混沌腔组成,可以测量不同配置的电压。我们的研究结果显示出显着的差异与无序的情况下,以前在文献中考虑。
2014-08-02 cond-mat.mes-hall
Search for two-scale localization in disordered wires in a magnetic field
超对称技术[A. Kolesnikov和K. B. Efetov,Phys. Rev. Lett. 83,3689(1999)]预测了在从保持到破坏时间反演对称性的交叉区域中无序线中波函数衰减的双尺度行为。我们已经测试了这个预测的透射方法,依赖于Borland猜想,涉及的衰减长度的透射率的波函数的衰减长度。我们的数值模拟没有显示出双尺度行为的迹象。
1999-11-01 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Shifting a Quantum Wire through a Disordered Crystal: Observation of Conductance Fluctuations in Real Space
通过适当的电场使量子线相对于半导体晶体内的散射体在空间上移位。作为导线位置的函数,低温电阻显示出可再现的波动。它们的特征温标是几百毫开尔文,表明相位相干效应。每个波动对应于单个散射体进入或离开导线。这样,散射中心就可以逐个计数。
1999-09-23 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Zero-bias anomaly in one-dimensional tunneling contacts
研究了库仑相互作用对两条平行量子线构成的接触的隧穿电导的影响。考虑了两条完全相同的量子线、两条完全相同的无序量子线以及一条完全相同的量子线和另一条无序量子线的非对称接触。我们表明,低电压的隧道电导异常是奇异性比低能量的单粒子态密度异常。
1999-07-02 cond-mat.mes-hall
Cross-Over between universality classes in a magnetically disordered metallic wire
在这篇文章中,我们提出了在无序准一维导线中的导电磁性杂质的可能存在的数值结果。我们的分析导致我们在不同的传导制度,如本地化和金属的普遍性质的研究。特别是,我们分析了当磁无序的强度增加时发生的普适性类之间的交叉。为此,我们使用数值朗道方法,并从电子的格林函数导出的散射矩阵的导线。
2012-01-19 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Electronic conduction in a three-terminal molecular transistor
研究了一种新型的三端分子结构的电子传导,这种结构类似于异质结双极晶体管。在这种结构中,两个二极管臂由施主-受主分子线组成,通过环熔合,而门调制线是π共轭线。计算结果显示了晶体管在正、负栅场作用下的增强或耗尽模式。在所提出的架构中,需要小的栅极场来接通电流。在电子传导的变化可以归因于内在的偶极分子结构的分子波函数的演变,特别是与调制线的三联苯基团在门场的存在下。
2008-09-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Enhancement of the Binding Energy of Charged Excitons in Disordered Quantum Wires
在量子线的空间分辨光致发光光谱中识别出带负电和带正电的激子。我们证明了带电激子在无序量子线中是弱局域的。因此,带电激子的“结合能”的增强在很大程度上是由在其辐射复合期间转移到剩余带电载流子的反冲能量引起的。我们发现库仑关联能不是“结合能”的唯一来源,与量子点中的带电激子相反。
2004-10-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Disordered Si:P nanostructures as switches and wires for nanodevices
在Si中掺杂剂的原子精确位置允许通过设计产生替代P纳米线。高分辨率的图像显示,这些线是一些原子宽与一些定位的替代硅结构网站的混乱。无序预期会导致一维(1D)类结构中的电子定位。然而,实验报告良好的准一维P纳米带的输运性质。理论上我们研究了它们的电子性质,使用有效的单粒子方法的基础上的线性组合的施主轨道(LCDO)的基础上,每个施主位6个轨道,从而保持基态施主轨道的振荡行为,由于在Si导带最小的状态之间的干扰。我们的P定位误差模型考虑到目前可实现的定位精度,从而可以研究定位交叉。此外,我们表明,一个类似栅极的电位可以控制其电导和本地化长度,这表明可能使用的Si:P纳米结构的量子器件,如纳米开关和纳米线的元素。
2019-02-04 cond-mat.mes-hall
Quantum charge transport in Mo$_{6}$S$_{3}$I$_{6}$ molecular wire circuits
柔性钼$_{6}$ S $_{3}$ I $_{6}$(钼硅)纳米线具有不同的直径在高度不完善的2端电路的电荷传输测量揭示系统的幂律行为的电导率$σ(T,V)$作为温度和电压的函数。在一些电路的测量的基础上,我们得出结论,\emph{thin}线的行为可以最令人信服地描述隧道通过Tomonaga-Luttinger液体(TLL)段的MoSI线,这是在某些情况下修改的环境库仑阻塞(ECB)。后者被认为是由MoSI线的变形或缺陷引起的,结合它们的半导体终端硫基连接特性,可能有助于创建亚纳米级互连以及分子电子学的非线性元件。
2009-05-06 cond-mat.mes-hall
Conductance length autocorrelation in quasi one-dimensional disordered wires
采用最近开发的技术的背景下的福克-普朗克方法在无序系统中的电子输运,我们计算的电导长度关联函数$< δg(L) δg(L+ΔL) >$准一维线。我们的结果对任意长度L和$ΔL$都是有效的。在金属极限下,关联函数由平方洛伦兹函数给出。在定域状态下,它在L和$ΔL$中都呈指数衰减。相关长度在金属状态下与L成比例,并且在由局域化长度$ξ$近似给出的值处饱和为$L\ggξ$。
1997-02-11 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Scattering formula for the topological quantum number of a disordered multi-mode wire
超导或手征绝缘导线的拓扑量子数Q计算了端点处稳定束缚态的数量。我们确定Q从矩阵r的反射振幅从一端,推广已知的结果,在没有时间反演和手征对称性的所有五个拓扑非平凡的对称类。该公式采用r的行列式、Pfiran或矩阵签名的形式,取决于r是实矩阵、实反对称矩阵还是厄米矩阵。我们应用这个公式计算了N个耦合二聚高分子链的拓扑量子数,包括了无序对跳跃常数的影响。散射理论将拓扑相变与具有量子化高度和通用(与对称类无关)线形的电导峰相关联。在超导对称性类中,两个峰合并后被湮灭,而在手征对称性类中,它们相互加强。
2011-04-21 cond-mat.mes-hall