Suppression of hole-hole scattering in GaAs/AlGaAs heterostructures under uniaxial compression
研究了[110]单轴压缩下[001] p-GaAs/Al $_{0.5}$ Ga $_{0.5}$ As异质界面二维空穴气的电阻、磁电阻及其温度依赖性.在基态重空穴态两个自旋分裂子带中载流子间的空穴-空穴散射框架下进行的分析表明，单轴压缩强烈地抑制了h-h散射。相对动量的衰减时间$τ_{01}$显示在1.3 kbar的单轴压缩下增加4.5倍。
1998-03-03 cond-mat.mtrl-sci
The annealing mechanism of AuGe/Ni/Au ohmic contacts to a two-dimensional electron gas in GaAs/AlGaAs heterostructures
GaAs/AlGaAs异质结构中二维电子气（2DEG）的欧姆接触通常通过沉积在其表面上的AuGe/Ni/Au的退火来实现。我们研究了这种类型的欧姆接触的质量如何取决于退火时间和温度，以及最佳参数如何取决于表面以下的2DEG的深度。结合退火接触的透射电子显微镜和能量色散X射线光谱研究，我们的研究结果允许识别退火机制，并提出一个模型，可以预测最佳退火参数为一定的异质结构。
2008-09-05 cond-mat.mtrl-sci
Nanometer-scale Tomographic Reconstruction of 3D Electrostatic Potentials in GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires
我们报告的发展，电子全息断层扫描技术走向一个通用的潜在的测量技术，克服了几个限制，如有限的倾斜范围，以前阻碍了可重复的和准确的静电势重建在三维空间。最值得注意的是，考虑到纳米结构的对称性和其他空间约束，在最佳采样的极坐标网格上进行层析重建。此外，全息倾斜系列采集和对准已经自动化并适应于三维。我们展示了6 nm的空间和0.2 V的信号分辨率重建各种，以前隐藏的，潜在的GaAs/AlGaAs核壳纳米线的细节。改进的层析重建打开了通往纳米结构中微小电位的检测以及相关技术（如X射线层析成像）的速度和准确性的提高的途径。
2014-07-07 cond-mat.mtrl-sci
Large and robust electrical spin injection into GaAs at zero magnetic field using an ultrathin CoFeB/MgO injector
我们证明了一个大的电自旋注入到GaAs在零磁场由于垂直磁化的CoFeB接触的几个原子平面（1.2 nm）。利用InGaAs/GaAs量子阱自旋发光二极管的电致发光圆偏振特性研究了注入GaAs的电子的自旋偏振特性。作为磁场的函数的电致发光极化紧密地追踪CoFeB/MgO注入器的面外磁化。在零磁场条件下，在25 K时，发射光的圆偏振度可达20%.在室温下，电致发光的圆偏振度仍保持在8%左右。
2014-04-17 cond-mat.mtrl-sci
Electric field gradient induced effects in GaAs/AlGaAs modulation-doped structures and high frequency sensing
在4-300 K温度范围内研究了不同设计的非对称面内GaAs/AlGaAs调制掺杂结构引起的电场梯度效应。它表明，这种结构的电流-电压特性在低，4-80 K，温度表现出明显的不对称性，由于存在两个不同的梯度的电场在二维电子气。这种现象是由两个，不同的积累的二维电子由于结构的不对称形状和非局域性的电子漂移速度。实验说明了一个唯象模型和蒙特卡罗模拟。讨论了该效应在探测GHz和THz频率电磁辐射方面的可能应用。
2008-04-21 cond-mat.mtrl-sci
Quasi one-dimensional transport in single GaAs/AlGaAs core-shell nanowires
我们提出了一种新颖的方法来制造单一的GaAs/AlGaAs核壳纳米线具有强大的和可重复的传输性能。核-壳结构被埋在绝缘GaAs覆盖层中，并在使用高掺杂生长衬底和顶部扩散接触的两个探针设置中生长时连接。测得的电导示出了非欧姆行为与温度和电压偏置依赖性遵循幂律，如预期的准一维系统。
2011-01-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Gate-controlled nuclear magnetic resonance in an AlGaAs/GaAs quantum Hall device
本文研究了带有侧栅的AlGaAs/GaAs量子霍尔器件中的核磁共振（NMR）探测。电子和核自旋之间的超精细相互作用的强度通过使用侧栅极电压相对于极化核自旋调谐二维电子系统的位置来调制。在半导体器件中，通过门调谐技术系统地控制NMR频率。
2006-08-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Intrinsic and extrinsic origins of low-frequency noise in GaAs/AlGaAs Schottky-gated nanostructures
研究了不同层结构和工艺条件下GaAs/AlGaAs异质结量子点接触中电流的低频噪声。与以前的报告相比，有没有门依赖的随机电报噪声（RTN），起源于隧道通过肖特基势垒在使用标准的低损伤工艺制造的设备。栅依赖RTN只出现在与高损伤过程，诱导电荷陷阱网站制造的设备。我们发现，在AlGaAs势垒中插入AlAs/GaAs超晶格有助于抑制陷阱的形成。我们的研究结果使制造抗损伤，从而低噪声设备。
2013-05-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Optical control of energy-level structure of few electrons in AlGaAs/GaAs quantum dots
横向量子限制和限制在nanofabricated GaAs/AlGaAs量子点的电子数的光学控制是通过照明与被吸收在AlGaAs势垒的弱激光束。精确调谐的能级结构和电子布居证明通过监测的电子从最低的量子点能量壳层的共振非弹性光散射的低洼跃迁。这些发现为操纵这些量子点中的单个电子开辟了道路，而无需外部金属栅极。
2008-01-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
New collective zero-resistance states in GaAs/AlGaAs heterostructures
在超纯二维电子气（2DEG）中，在交叉静磁场和微波场中出现指数小电阻，而在不太纯的系统中，磁阻振荡，但总是正值。自组织的非微扰理论解释了开放轨道的新集体状态。这与许多其他异常物理现象以及生物物理学的尺度和进化原理有相似之处。
2003-03-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Circular photogalvanic effect induced by monopolar spin orientation in p-GaAs/AlGaAs MQW
在（100）取向的$p$ -GaAs/AlGaAs量子阱中，在远红外辐射的正入射下观察到了圆形光电流效应（CPGE）。结果表明，单极光学自旋自由载流子的取向导致电流，其方向反转后，从左到右的圆偏振辐射的变化。在正常入射的CPGE和线性光电流效应的发生表明所研究的多层异质结构的点对称性降低。CPGE可以用来分别研究电子和空穴的自旋极化以及量子阱的对称性。
2000-08-01 cond-mat.mtrl-sci physics.ins-det
Size Distribution and Its Scaling Behavior of InAlAs/AlGaAs Quantum Dots Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy
研究了在480°C和510°C下，用分子束外延（MBE）方法在GaAs衬底上以SK模式生长的InAlAs/AlGaAs自组装量子点的尺寸分布及其标度行为。首次在三元合金量子点中发现了体积的标度函数。的功能是类似的InAs/GaAs量子点，这同意与二维亚单层同质外延模拟的标度函数的临界岛尺寸为i = 1。然而，i = 0的字符也被发现作为大体积中的尾部。
2012-08-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Influence of manganese contamination on high-mobility GaAs/AlGaAs heterostructures
光致发光和磁输运测量已被用来评估调制掺杂GaAs/AlGaAs异质结的质量。研究了在分子束外延室中以锰为源材料制备的样品的低温电子迁移率随时间的演化。Mn污染被认为是导致电子迁移率降低到1 x 10^{6} cm^{2}/Vs和出现明显的光致发光带的原因。相比之下，没有这种信号的结构达到5.4 x 10^{6} cm^{2}/Vs的迁移率值。这直接证明了高迁移率电子系统的外延和包含GaMnAs层的结构原则上可以在一个生长室中组合。
2004-04-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
The origin of gate hysteresis in p-type Si-doped AlGaAs/GaAs heterostructures
调制掺杂p型AlGaAs/GaAs异质结构中的栅极不稳定性/滞后阻碍了纳米级空穴器件的发展，这对于从量子计算到新的自旋物理的主题是感兴趣的。我们提出了一个扩展的研究进行定制生长，匹配调制掺杂的n型和p型异质结构，有/没有绝缘栅，旨在了解滞后的起源。我们表明，滞后是不是由于固有的“泄漏”的p型异质结上的门，通常认为。相反，滞后产生的GaAs表面态陷阱和掺杂层中的电荷迁移的组合。我们的研究结果提供了深刻的见解，在AlGaAs/GaAs异质结构，包括广泛争论的受体复合物，如Si-X的Si受体的物理。我们提出了减轻栅极滞后的方法，包括用深陷阱中心毒化调制掺杂层（例如，通过与过渡金属物质共掺杂），并用简并杂质半导体栅极取代肖特基栅极，以屏蔽导电沟道与GaAs表面态。
2012-09-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Residual strain and piezoelectric effects in passivated GaAs/AlGaAs core-shell nanowires
我们观察到一个系统的红移的钝化GaAs/Al 0.35 Ga 0.65 As核壳纳米线的带边的壳层厚度增加到100 nm。在发射和吸收实验中检测到的位移，达到最厚的壳纳米线的值高达14毫电子伏。这种红移的一部分是由AlGaAs壳层对GaAs芯施加的小拉伸应变引起的，与理论计算一致。对这种红移的额外贡献来自于由于壳中的Al波动而在纳米线芯内部发展的轴向压电场。
2013-02-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
The effect of (NH4)2Sx passivation on the (311)A GaAs surface and its use in AlGaAs/GaAs heterostructure devices
本文研究了（NH_4）_2S_x对（311）A GaAs表面的钝化效果。我们报告的XPS研究的（311）A和（100）异质结的生长表明，（NH 4）2Sx溶液去除表面氧化物和硫化两个表面。钝化通常使用光致发光测量来表征，我们表明，虽然（NH 4）2Sx处理使（100）表面的光致发光强度增加40 - 60倍，但（311）A表面的光致发光强度仅增加2 - 3倍。一个相应的缺乏可重复的改善栅极滞后的（311）A异质结晶体管器件的钝化处理之前进行的栅极depositions. We之前也发现硫钝化是无效的（311）A GaAs的可能原因，并提出了替代的策略钝化这个表面。
2013-07-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Scattering mechanisms in state-of-the-art GaAs/AlGaAs quantum wells
基于GaAs/AlGaAs量子阱分子束外延技术的突破[Y. J. Chung \textit{et al.}，Nature Materials \textbf{20}，632（2021）]，我们研究了各种散射机制对迁移率和量子迁移率的贡献及其对电子密度的依赖性。我们发现，在较低的电子密度，$n_e \lesssim 1 \times 10^{11}$ cm $^{-2}$，运输和量子迁移率是有限的无意的背景杂质，并遵循幂律依赖，$\propto n_e^α$，与$α\approx 0.85$。我们的量子迁移率的预测是在合理的协议从电阻率在填充因子$ν= 1/2$在Y样品中获得的估计。J. Chung \textit{et al.}与$n_e = 1 \times 10^{11}$ cm $^{-2}$。考虑其他散射机制表明，界面粗糙度（远程捐助者）是一个可能的限制因素，在较高的电子密度的运输（量子）迁移率。量子迁移率的未来测量应产生GaAs和AlGaAs中背景杂质分布的信息。
2022-06-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Nanoscale spectroscopic imaging of GaAs-AlGaAs quantum well tube nanowires: correlating luminescence with nanowire size and inner multishell structure
使用低温阴极发光（CL）光谱成像，结合扫描透射电子显微镜（STEM）层析成像，研究了GaAs-AlGaAs量子阱管（QWT）纳米线的发光和内部结构，首次允许这些纳米线的发光特性与其尺寸和内部3D结构之间的强大相关性。除了核心发光和微小缺陷相关的贡献，每个纳米线显示一个或多个QWT峰与不同直径的纳米线区域。对应于每个QWT峰的GaAs壳厚度的值，然后确定从纳米线的直径，通过采用多壳生长模型后，对实验数据（芯直径和GaAs和AlGaAs壳厚度）的验证从分析的三维重建的STEM断层扫描的GaAs-AlGaAs QWT纳米线。我们发现，QWT峰值能量作为这样估计（3-7 nm）GaAs壳厚度的函数是40-120毫电子伏以下的激子复合的理论值对称地包裹在一个中心核心周围的均匀QWT。然而，3D断层图像的分析进一步证明了方位角不对称性以及GaAs壳厚度的（方位角和轴向）随机波动，表明QWT发射的红移主要是由于载流子局部化。沿着纳米线轴的QWT发射强度的CL映射允许直接对发射的纳米级定位进行成像，从而支持上述图片。我们的研究结果有助于更深入地了解QWT纳米线的发光结构关系，并将促进其作为未来单片集成到硅上的高效纳米激光源的应用。
2019-10-17 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Magnetoresistance and electronic structure of asymmetric GaAs/AlGaAs double quantum wells in the in-plane/tilted magnetic field
用磁输运测量方法研究了在标准异质结GaAs缓冲层中薄势垒形成的双层二维电子系统。在平行于电子层取向的磁场中，磁阻表现出与较高占据子带的减少和场诱导过渡到去耦双层相关联的振荡。Shubnikov-de Haas振荡在稍微倾斜的磁场中允许重建作为面内磁场的函数的各个子带中的电子浓度的演变。实验得出的系统的特性与电子结构的数值自洽场计算定量一致。
2000-04-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Giant Zeeman splitting of light holes in GaAs/AlGaAs quantum wells
我们发展了半导体量子阱中光空穴纵向$g$因子的理论。结果表明，光洞$g$ -因子的绝对值可以强烈地超过它的值在体，而且，塞曼分裂的依赖于磁场在相对较低的领域成为非线性。在GaAs/AlGaAs型结构中，这些效应由接地轻空穴子带$lh1$与第一激发重空穴子带$hh2$的接近度决定。在考虑磁场诱导的$lh1$和$hh2$状态的混合以及这些状态在异质界面处的混合的Luttinger哈密顿量的框架中执行特定的计算，后者由化学键各向异性引起。本文还提出了光在量子阱中的磁致反射和透射理论。
2011-11-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Plasmonic terahertz detectors based on a high-electron mobility GaAs/AlGaAs heterostructure
为了表征磁场（B）可调谐THz等离子体探测器，在液氦温度和高磁场下对在高电子迁移率GaAs/AlGaAs异质结构上制造的器件进行光谱实验。样品是门控的（曲折形状的门）或非门控的。通过太赫兹辐射产生的光电压的光谱作为在固定的太赫兹激发从太赫兹激光器的B的函数或作为在固定的B与傅立叶光谱仪的太赫兹光子频率的函数而获得。在第一类测量中，激发的磁等离子体激元的波矢由样品的几何特征定义。还发现磁等离子体激元谱依赖于门的几何形状，这给出了一个额外的参数来控制太赫兹探测器中的等离子体激发。傅立叶光谱显示出强烈的依赖性的回旋共振振幅上的传导带的电子填充因子内的电子气加热与太赫兹辐射的模型解释。这项研究允许定义的优点和限制的等离子体激元器件的基础上，高迁移率的GaAs/AlGaAs异质结构的太赫兹探测在低温和高磁场。
2014-05-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Giant transverse magnetoresistance in an asymmetric system of three GaAs/AlGaAs quantum wells in a strong magnetic field at room temperature
在室温下，在非对称非掺杂GaAs/AlGaAs三量子阱系统中，观察到了光生非平衡载流子的巨横向磁电阻效应。在75 kOe的磁场中，所研究的纳米结构的电阻增加了1.85倍。磁阻在低场下与磁场成二次方关系，在高场下趋于饱和。这一现象是由于电子波函数在磁场中的重排。利用电子在杂质和体缺陷上的散射几率的非相干部分与包络波函数的四次方积分成正比的事实，计算出的磁电阻的场依赖性与实验观察到的结果相似。
1998-12-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Cross-calibration of GaAs deformation potentials and gradient-elastic tensors using photoluminescence and nuclear magnetic resonance spectroscopy in GaAs/AlGaAs quantum dot structures
本文研究了在$[001]$或$[110]$晶向上施加静态单轴应力的GaAs/AlGaAs量子点晶格匹配外延结构。我们进行同步测量的光谱位移的块状GaAs衬底的光致发光，这涉及到应变通过变形势$a$和$b$，和四极位移的量子点的光学检测的核磁共振光谱，这涉及到相同的应变通过梯度弹性张量$S_{ijkl}$。在两个单轴应力配置的测量被用来推导出的比例$b/a=0.241\pm0.008$在良好的协议与以前的研究GaAs。基于先前估计的$a\approx-8.8$ eV值，我们导出了GaAs中的核四极矩$Q$与$S$张量对角分量的乘积，对于$^{75}$ As为$QS_{11}\approx+0.76\times10^{-6}$ V，对于$^{69}$ Ga为$QS_{11}\approx-0.37\times10^{-6}$ V.在我们的实验中，$S_{11}$的符号是直接可测量的，这在早期的核声共振研究中是不可能的。我们的$QS_{11}$值比从核声共振实验[物理评论B 10，4244（1974）]得出的值小1.4倍。在这项工作中测量的梯度弹性张量值可以应用于应变III-V族半导体纳米结构的结构分析，通过精确建模其磁共振谱。
2018-05-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
The Effects of Post-Thermal Annealing on the Emission Spectra of GaAs/AlGaAs Quantum Dots grown by Droplet Epitaxy
采用液滴外延法制备了GaAs/AlGaAs量子点，并通过扫描透射电镜数据得到了量子点的几何结构。热后退火对于液滴外延生长的量子点的光学激活至关重要。我们通过光致发光和阴极发光测量研究了量子点和底层超晶格的发射能量偏移，并通过选择性蚀刻结构到量子点的下层来指定量子点的发射。我们研究了退火程度对量子点的光学性质的影响，从超晶格的峰位移，它具有相同的组成的量子点，因为超晶格具有均匀和明确的几何形状。理论分析提供了扩散长度依赖的发射光谱的峰位移。
2012-08-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
