First-principles study of structural, vibrational and lattice dielectric properties of hafnium oxide
采用超软赝势和平面波基，在密度泛函理论中研究了HfO2的晶体结构、带心声子模和相关的介电响应。本文采用局域密度近似（LDA）和广义梯度近似（GGA）对低压HfO2多晶型体的结构进行了研究。无论是交换相关方案得到的完全放松的结构同意与实验相当好，虽然LDA产生更好的整体协议。通过有限差分法计算玻恩有效电荷张量和力常数矩阵后，通过将张量分解为单个红外激活声子模式的贡献来计算三个HfO2相的晶格介电极化率张量。
2002-02-25 cond-mat.mtrl-sci
Transition-Metal Nitride Halide Dielectrics for Transition-Metal Dichalcogenide Transistors
采用第一性原理计算，研究了HfNBr，HfNCl，TiNBr，TiNCl，ZrNBr和ZrNCl六种过渡金属氮化物卤化物（TMNHs）作为过渡金属二硫属化物（TMD）沟道晶体管的潜在范德华（vdW）势垒.我们计算了它们的剥离能和体声子能，发现这六种TMNH都是可剥离的，并且是热力学稳定的。我们计算的光学和静态介电常数在平面内和平面外的方向为单层和散装TMNHs。在单层中，面外静态介电常数范围从5.04（ZrNCl）到6.03（ZrNBr），而面内介电常数范围从13.18（HfNBr）到74.52（TiNCl）。我们发现TMNHs的带隙范围从1.53 eV（TiNBr）到3.36 eV（HfNCl），而亲和力范围从4.01 eV（HfNBr）到5.60 eV（TiNCl）。最后，我们估计的电介质漏电流密度的晶体管与六个TMNH单层沟道TMD（MoS 2，MoSe 2，MoTe 2，WS 2，和WSe 2）。对于p-MOS TMD沟道晶体管，与单层六方氮化硼（hBN）（一种众所周知的vdW电介质）相比，30种组合中的19种具有较小的漏电流。预测了以HfNCl为栅介质的p-MOS WS 2晶体管的最小单层漏电流为2.14*10- 9A/cm ~ 2。HfNBr、HfNCl、ZrNBr和ZrNCl也被预测在某些p-MOS TMD晶体管中产生小的漏电流。
2022-04-10 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Dielectric properties of graphene on transition metal dichalcogenide substrate
由于过渡金属二硫属化物（TMDC）上的石墨烯单层中的铁磁杂质，由衬底驱动相互作用（SDI）和交换场（M）引起的介电性质的可调谐性（即，XY~2，X = Mo，W; Y = S，Se）在K和K素数点附近的一个新的量子点。相互作用的行列涉及亚晶格分辨的，强烈增强的内在自旋轨道耦合（SOC），外在Rashba自旋轨道耦合（RSOC），以及与电子电荷从石墨烯转移到XY 2相关的轨道间隙。RSOC允许对石墨烯中的带隙进行外部调谐，并通过自旋翻转连接最近的邻居。由于SDI的相互作用，我们获得了具有有效的RSOC依赖的塞曼场的通常带隙带。利用这些能带，我们获得了有限掺杂情况下介电函数的封闭解析表达式。介电函数的零点对应于集体模式。在包括TMDC上石墨烯的完全分散后，我们发现实际上只有一个集体模式，并且它对应于电荷等离子体。后者的色散产生了q^2/3行为，而不是众所周知的q^1/2行为。我们还发现，等离子体激元的频率可以通过化学势的调谐来改变。
2017-03-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Modulation doping and control the carrier concentration in 2-dimensional transition metal dichalcogenides
针对二维过渡金属二硫化物（TMDs）可控掺杂难题，提出可通过传统栅极介电氧化物掺杂候选元素实现TMD沟道p型/n型掺杂，经第一性原理计算验证Ni掺杂HfO₂可调制WSe₂空穴浓度，为TMD基晶体管商业化提供支撑。
2025-04-18 cond-mat.mtrl-sci
Theoretical Study of Electronic Transport in Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides: Effects of the Dielectric Environment
我们讨论了二维过渡金属二硫属化物（TMD）单分子膜的电介质环境（绝缘体和金属栅）对电子输运的影响。我们采用众所周知的从头算方法来计算低场载流子迁移率的独立层，并使用介电连续近似扩展我们的研究层中的双栅极结构，包括介电屏蔽的电子-声子相互作用所造成的底部氧化物和栅极绝缘体的影响，和散射与混合界面光-声子/等离子体激元激发（“远程声子散射”）。我们发现高介电常数绝缘体的存在可以显著提高载流子迁移率。然而，散射与界面混合激励否定了这种增益，并降低了流动性显着低于其独立的值。在一个双栅极的几何结构与SiO $_{2}$作为底部氧化物和各种顶栅绝缘体，我们发现，随着顶绝缘体介电常数的增加，迁移率降低，正如预期的那样。然而，在弱极性hBN的情况下预测高迁移率，并且在栅极绝缘体/TMD/底部氧化物堆叠的情况下计算出比预期低得多的迁移率，其中两种或更多种极性材料具有具有类似谐振频率的光学声子。我们还发现，金属栅屏蔽的效果是明显的，但不是特别强。最后，我们讨论了TMD介电常数、自由载流子密度和温度对TMD单分子膜输运性质的影响。
2022-08-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Probing the temperature dependence of dielectric function of ternary transition metal dichalcogenides: towards thermo-driven ultrathin photonic components
Yerevan State University（埃里温国立大学）；National University of Singapore（新加坡国立大学）
研究探索三元过渡金属二硫属化物介电函数温度依赖性，通过对MoSSe和WSSe在特定光谱区域与温度窗口研究，揭示介电响应规律，利用其光学色散设计近红外光子透镜，为热驱动光电器件创建提供关键见解。
2026-07-23 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Excitons versus electron-hole plasma in monolayer transition metal dichalcogenide semiconductors
当电子-空穴对在半导体中被激发时，先验地不清楚它们是否形成未结合粒子的费米子等离子体或玻色子激子气体。通常，激子相与低温相关联。在原子薄的过渡金属二硫属化物半导体中，激子由于强库仑相互作用和大的激子态密度而即使在室温下也是特别重要的。使用国家的最先进的多体理论，包括动态屏蔽，我们表明，激子与等离子体的比例可以有效地调整介电基板屏蔽以及载流子掺杂。此外，我们预测莫特过渡从激子占主导地位的制度完全电离的电子-空穴等离子体之间的激发密度$3\times10^{12}$ cm $^{-2}$和$1\times10^{13}$ cm $^{-2}$取决于温度，载流子掺杂和介电环境。我们建议通过研究激子卫星光电子能谱和扫描隧道显微镜观察这些影响。
2017-05-18 cond-mat.mtrl-sci
First-principle study of paraelectric and ferroelectric CsH$_2$PO$_4$ including dispersion forces: stability and related vibrational, dielectric and elastic properties
利用密度泛函理论（DFT）和密度泛函微扰理论（DFPT）研究了铁电材料CsH $_2$ PO $_4$的低温稳定性和响应函数.这种材料不能用DFT中通常的（半）局部近似来描述。远程e $^-$ -e $^-$相关性需要适当考虑，例如，使用Grimme的DFT-D方法，如在这项工作中所研究的。我们发现DFT-D3（BJ）对二氢化碱金属磷酸盐家族（KH $_2$ PO $_4$，RbH $_2$ PO $_4$，CsH $_2$ PO $_4$）的成员表现最好，导致实验晶格参数重现平均偏差为0.5%。利用这些DFT-D方法，CsH $_2$ PO $_4$的结构、介电、振动和机械性质与现有实验（$<$ 2%MAPE用于拉曼活性声子）总体上非常一致。我们的研究表明，可能存在一个新的低温相CsH $_2$ PO $_4$，还没有实验报告。最后，我们报告的实施DFT-D的弹性常数内的DFPT的贡献。
2018-01-26 cond-mat.mtrl-sci
Efficient method for calculating Raman spectra of solids with impurities and alloys and its application to two-dimensional transition metal dichalcogenides
拉曼光谱是一种广泛使用的，功能强大的，非破坏性的工具，用于研究大块和低维材料的振动特性。拉曼光谱可以使用第一原理方法来模拟，但是由于高计算成本，计算通常仅限于相当小的晶胞，这使得难以对合金和缺陷进行模拟。在这里，我们开发了一种有效的方法来模拟合金的拉曼光谱，基准对全密度泛函理论计算，并将其应用到几个合金的二维过渡金属dichalcogenides。在该方法中，超原胞模式的拉曼张量通过将原始系统的拉曼张量由超原胞振动模式的投影加权到原始系统的拉曼张量来构造。这种方法不限于2D材料，并且应该适用于任何具有缺陷和杂质的晶体固体。为了有效地评估非常大的超晶胞的振动模式，我们采用质量近似，虽然它仅限于化学和结构相似的原子取代。基准我们的方法，我们首先将其应用到Mo $_x$ W $_{(1-x)}$ S $_2$单层的H-相，其中几个实验报告可用于比较。第二，我们考虑T '相的Mo $_x$ W $_{(1-x)}$ Te $_2$，其已被提出为2D拓扑绝缘体，但单层合金的实验结果仍然缺失。我们表明，投影方案也提供了一个强大的工具，用于分析的起源合金拉曼活性模式的父系统本征模。最后，我们研究的趋势特征拉曼签名的杂质浓度低，在二硫化钼$_2$。
2019-02-06 cond-mat.mtrl-sci
The optical response of mono-layer transition metal dichalcogenides in a Kerr-type non-linear dielectric environment
我们研究的安排，其中的线性和非线性电介质之间的界面覆盖的嵌入式单层的过渡金属二硫属化物（TMDC）的光学行为。的光学行为是定性地获得通过传输和反射系数，这是一个功能的三阶非线性极化率的克尔型电介质和带间的TMDC单层的光学电导率。TMCD单层的带间光学电导率使用Kubo形式主义从线性响应理论计算。特别是，我们从理论上证明，这种安排的光学响应可以通过控制入射辐射的强度在全内反射和正常透射制度之间切换。此外，反射和透射功能，被示出为服从于通过改变嵌入的TMDC单层的带间光学电导率的进一步控制。光学电导率是其能量色散的结果;我们特别选择两个TMDC单层，MoS $_{2}$和WSe $_{2}$，除了后者中强得多的自旋-轨道耦合之外，它们具有几乎相同的色散参数。WSe $_{2}$中较强的自旋-轨道耦合不会显著改变带间光学电导率以表现为增强的反射光谱。然而，我们发现，应用程序的外部扰动，如应变可以有效地用于调制的整体光学响应。最后，我们提供了一个简短的概述，我们提出的计划，采用全光开关机制，通过光学双稳态，这是一个非线性电介质的标志设备的适用性。
2016-06-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Structural, electronic, vibrational and dielectric properties of LaBGeO$_5$ from first principles
采用\textit{ab initio}密度泛函理论研究了LaBGeO $_5$的结构、电子、振动和介电性质.理论上的弛豫结构与现有的实验数据吻合良好，偏差小于$0.2\%$。计算了态密度和电子能带结构，显示出五组不同的价带。此外，玻恩有效电荷，介电常数张量，并在布里渊区中心的振动频率都得到了。与现有的模型计算相比，振动频率被发现在更好地与公布的实验红外和拉曼数据，与6.04厘米$^{-1}$，和$1.81\%$，分别与绝对和相对均方根值的协议。因此，对于高（低）频极限，介电常数张量的平行分量和垂直分量的数值分别为3.55和3.71（10.34和12.28）。
2013-11-29 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph physics.optics
Vibrational modes as the origin of dielectric loss at 0.27$\unicode{x2013}$100 THz in a-SiC:H
本研究针对毫米-亚毫米波段介电损耗起源不明的问题，通过超导微带谐振器与傅里叶变换光谱测量a-SiC:H薄膜的宽频损耗，证实10 THz以上振动模式是其200 GHz以上频段损耗的主要来源，为超导集成电路的低损耗介质研发提供依据。
2025-05-18 astro-ph.IM cond-mat.mtrl-sci
Two-dimensional Fröhlich interaction in transition-metal dichalcogenide monolayers: Theoretical modeling and first-principles calculations
我们对单层2 H型过渡金属二硫属元素：MoS 2、MoSe 2、MoTe 2、WS 2和WSe 2中电子与小动量极化光学声子之间的耦合进行了从头算计算。所谓的弗里希相互作用从根本上受到系统维数的影响。在具有周期性边界条件的平面波框架中，这种耦合受到2D材料与其周期性图像之间的虚假相互作用的影响。为了克服这一点，我们进行密度泛函微扰理论计算与截断库仑相互作用的面外方向。我们发现，2D的Fröhlich相互作用比在以前的从头算研究中假设的要强得多。我们提供的分析模型取决于有效电荷和材料的介电性质来解释我们的从头计算。筛选显示在声子动量依赖性的偏振光耦合中发挥了重要作用，两个制度之间的交叉取决于材料相对于其环境的介电性质。Fröhlich相互作用在小声子动量的限制下被介电环境屏蔽，并在有限动量下由于单层的更强屏蔽而急剧减小。从头计算Fröhlich相互作用的小动量制度再现一个简单的分析模型，我们提供了必要的参数。然而，在更大的动量下，电子-声子相互作用的直接从头计算对于捕获特定于能带的效应是必要的。我们计算并比较了与LO和A1声子模式的散射相关的载流子弛豫时间。虽然这两种模式都能够在室温下在皮秒以下的时间尺度上弛豫载流子，但它们的绝对和相对重要性根据材料、能带和衬底而变化很大。
2016-11-04 cond-mat.mtrl-sci
Tuning magnitude and direction of lattice thermal conductivity in transition metal dichalcogenide heterobilayers
Czech Technical University in Prague（布拉格捷克理工大学）
通过第一性原理研究过渡金属二硫化物异双层中晶格热导率的纳米尺度机制，揭示了掺杂对热导率各向异性及方向调控的影响。
2026-04-28 cond-mat.mtrl-sci
Evaluation of Born and local effective charges in unoriented materials from vibrational spectra
我们提出了一个应用程序的洛伦兹模型，其中适合振动光谱或Kramers Kronig分析，以及几个有用的形式主义，以量化微观电荷无取向（粉末状）材料。这些技术可以采用的条件下进行了讨论，我们分析了层状过渡金属dichalcogenide和其纳米级类似物的振动响应，以说明这种方法的实用性。
2009-07-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Coulomb-Engineered Heterojunctions and Dynamical Screening in Transition Metal Dichalcogenide Monolayers
通过介电环境操纵二维材料提供了控制电子和光学特性的新机会，并允许以非侵入性方式压印纳米结构。在这里，我们评估的潜力，单层半导体过渡金属二硫属化物（TMDC）的库仑工程在材料现实和定量的方式。我们比较不同的TMDC材料的电介质周围的修改的响应，分析动态基板屏蔽的影响，即在介电函数的频率依赖性，并讨论固有的长度尺度的库仑工程异质结。我们发现对称的和刚性的位移一样的准粒子带隙调制，瞬时和动态基板筛选。从这个，我们得到一个有效的多尺度建模的库仑工程异质结放置在空间结构的基板上的均匀单层组成的短程自能量。对于这些异质结，我们表明，几个晶格常数的长度尺度上的带隙调制是可能的渲染外部限制的基板结构比内部效应更重要。我们发现，所有的半导体TMDC同样非常适合这些外部和非侵入性的修改。
2020-10-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Reconstruction of moiré lattices in twisted transition metal dichalcogenide bilayers
理解莫尔晶格的奇异电子、振动和光学性质的一个重要步骤是包括非松弛莫尔晶格的结构松弛效应。在这里，我们提出了新的结构扭曲双层过渡金属二硫属化物（TMD）。对于$θ\gtrsim 58.4^{\circ}$，我们显示了一个戏剧性的莫尔晶格重建，导致三聚的不利堆叠。我们表明，由于堆叠能量景观的三重对称性的弯曲畴壁的发展是负责这样的晶格重构。此外，我们表明，晶格重构显着改变的电子能带结构。这包括在导带和价带的边缘附近出现平带，特别是价带最大值对应于由三聚体包围的局域态。我们还发现了其他复杂的，熵稳定，晶格重构结构的可能性。
2021-02-18 cond-mat.mtrl-sci
Structural and dielectric properties of Pb(1-x)(Na0.5Sm0.5)xTiO3 ceramics
讨论了钙钛矿结构Pb（1-x）（Na_（0.5）Sm_（0.5））_xTiO_3（PNST - x）多晶粉末中铁电-顺电相变的结构与振动性质之间的相关性。取代导致四方性降低，这与相变向较低温度的转变有关。相变的性质随着取代的增加而扩散。
2017-02-27 cond-mat.mtrl-sci
2D vibrational properties of epitaxial silicene on Ag(111) probed by in situ Raman Spectroscopy
二维硅的同素异形体，硅烯，可以刺激硅基纳米技术的新的和原始的概念的发展。迄今为止，硅烯只能在Ag（111）衬底上外延生长。尽管这些外延硅烯层的结构和电子特性已经被深入研究，但对其振动特性知之甚少。在这里，我们使用\textit{in situ}拉曼光谱对Ag（111）上的外延硅烯进行了详细的研究，这是表征2D材料（如石墨烯、过渡金属二硫属化物和黑磷）的最广泛采用的实验技术之一。外延硅烯的振动指纹，在所有以前的解释相反，其特征在于由三个不同的声子模式与A和E对称性。这些模式的温度依赖的光谱演化表明，独特的热性能的外延硅烯和显着的电子-声子耦合。这些结果明确地支持外延硅烯的纯二维特征，直到约$300^{\circ}C$，于是发生2D到3D的相变。
2016-05-05 cond-mat.mtrl-sci
Distinction of disorder, classical and quantum vibrational contributions to atomic mean-square amplitudes in dielectric pentachloronitrobenzene
研究了五氯硝基苯（PCNB）的固态分子无序及其在介电性质异常中的作用。采用原子均方位移参数的简正坐标分析（NCA）来区分无序贡献与经典和量子力学振动贡献。分析依赖于多温（5-295 K）单晶中子衍射数据。从ADP的温度依赖性中提取的振动频率与THz光谱数据吻合得很好。这项工作所揭示的静态无序方面，主要是倾斜和位移的分子，与相应的结果从以前的，更深入和耗时的蒙特卡罗模拟;他们的显着的调查结果再现这项工作，表明更快的NCA方法提供了可靠的约束漫散射的解释。PCNB的介电性能，因此可以合理化的解释的温度依赖性ADP的热运动和分子无序。在NCA方法中使用原子位移参数仍然受制于可靠的中子数据。这项研究的成功表明，国家的最先进的单晶劳厄中子衍射提供足够快的准确数据，这种类型的研究。总的来说，这项工作的验证为有机材料中固态分子无序的众多研究开辟了领域。
2011-11-19 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Mass Renormalization in Transition Metal Dichalcogenides
结果表明，过渡金属二硫属化物的三重旋转对称性导致库仑诱导重整化的有效电子和空穴质量附近的$K$ -点的布里渊区。重整化的大小取决于电介质的配置。自由悬浮的MoS $_2$单层的有效激子质量$m=0.4 m_0$变为具有hBN封装的$m= 0.35 m_0$。质量重整化增加了激子的结合能，降低了激子的抗磁位移和回旋频率。与高场测量的激子抗磁位移的详细比较显示出极好的一致性。
2020-06-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
The dielectric impact of layer distances on exciton and trion binding energies in van der Waals heterostructures
单层过渡金属二硫属化物（TMD）和范德华异质结构的电学和光学性质强烈地受其介电环境的影响。在每一层中，库仑相互作用的场线被相邻的材料屏蔽，这降低了单粒子带隙以及激子和三重子的结合能。通过结合半导体多粒子方法的电介质异质多层环境的静电模型，我们证明了电子和光学性质是敏感的原子尺度上的层间距离。光谱测量结合直接解决方案的三粒子薛定谔方程揭示了正确预测最近测得的层间距离的trion结合能。
2017-12-15 cond-mat.mtrl-sci
Accuracy of generalized gradient approximation functionals for density functional perturbation theory calculations
我们评估的有效性，各种交换相关泛函计算的结构，振动，介电和材料的物理性质的密度泛函微扰理论（DFPT）的框架。我们考虑五个广义梯度近似（GGA）泛函（PBE，PBESol，WC，AM 05和HTBS）以及局域密度近似（LDA）泛函。我们研究了各种各样的材料，包括半导体（硅），金属（铜），和各种绝缘体（SiO $_2$ $α$ -石英和stishovite，ZrSiO $_4$锆石，和MgO方镁石）。对于结构性质，我们发现PBESol和WC最接近实验，AM 05表现仅略差。与HTBS相比，所有三种官能度实际上都比LDA和PBE有所改善，HTBS显示出对于$α$ -石英显著失效。对于振动和折射率性质，LDA表现得令人惊讶地非常好。在大多数测试情况下，它的性能明显优于PBE，也优于WC、PBESol和AM 05功能，尽管幅度较小（并且不利于结构参数）。另一方面，HTBS表现也不佳的振动量。对于介电性质，不能提出任何泛函。它们都（i）由于众所周知的带隙问题而无法再现电子介电常数，以及（ii）倾向于高估振荡器强度（因此高估静态介电常数）。
2013-09-18 cond-mat.mtrl-sci
Frequency-dependent substrate screening of excitons in atomically thin transition metal dichalcogenide semiconductors
过渡金属二硫属化物（TMDC）的原子薄层由于与弱介电屏蔽有关的二维载流子限制而在载流子之间表现出异常强的库仑相互作用。层间耦合的范德华性质使得容易将TMDC层集成到具有不同电介质或金属衬底的异质结构中。这允许定制这些材料的电子和光学性质，因为原子薄层内的库仑相互作用非常容易受到环境的屏蔽。在这里，我们从理论上研究动态屏蔽效应在TMDC由于体衬底掺杂载流子在一个大的密度范围内，从而提供三维等离子体激元作为可调的自由度。我们报告了一个广泛的补偿重整化效应导致光谱更稳定的激子比预测的静态基板屏蔽，即使等离子体激元和激子共振。我们还发现了一个非平凡的依赖于衬底掺杂密度的单粒子带隙由于动态屏蔽。我们的调查提供了微观的洞察机制，允许操纵TMDC激子通过任意的等离子体环境在纳米尺度上。
2018-04-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
The relation between stretched-exponential relaxation and the vibrational density of states in glassy disordered systems
已知非晶态固体或玻璃在它们的几个宏观可观测量中在宽的时间间隔上表现出拉伸指数衰减：中间散射函数、介电弛豫模量、时间弹性模量等。在这封信中，我们表明，介电弛豫的例子，拉伸指数弛豫密切相关的玻璃特有的晶格动力学。通过重新制定的洛伦兹模型的介电物质在一个更一般的形式，我们表示的介电响应作为一个函数的振动态密度（DOS）的随机组装的球形粒子与他们最近的邻居和谐地相互作用。令人惊讶的是，我们发现，接近玻璃化转变的这个系统（这符合麦克斯韦刚性转变），介电弛豫是完全一致的拉伸指数行为与Kohlrausch指数$0.56 < β< 0.65$，这是在大多数实验系统中测量指数的范围。最重要的是，拉伸指数弛豫的根本原因可以追溯到DOS中的软模式（玻色子峰）。
2017-01-18 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft
Transition metal dichalcogenide nanospheres for high-refractive-index nanophotonics and biomedical theranostics
共振介电纳米结构领域的最新进展为在纳米尺度上聚集和操纵光以及建立全介电纳米光子学的新激发领域创造了诱人的机会。具有纳米图案化表面的过渡金属二硫属化物（TMDC）特别有希望用于这些任务。尽管如此，这些结构的制造需要复杂的光刻工艺，大大复杂的应用前景。为了弥合这一差距，拓宽TMDC纳米材料的应用范围，我们在这里报告飞秒激光烧蚀制造的水分散的球形TMDC（二硫化钼和WS 2）纳米粒子（NP）的可变尺寸（5 - 250 nm）。由于保留的晶体结构，这种纳米颗粒表现出从TMDC晶体继承的令人兴奋的光学和电子性质，这提供了明显的激子响应和高折射率值的独特组合，使得在纳米颗粒中电磁场的强集中成为可能。此外，由于米氏和激子共振之间的杂交，这种纳米颗粒提供额外的可调谐性。这些特性带来了许多重要的效应，包括增强的光吸收和光热转换。作为一个例子，我们证明了纳米粒子表现出非常强的光热响应，远远超过传统的基于Si的介电纳米谐振器。与其他介电共振结构相比，合成的TMDC纳米颗粒处于移动胶体状态并表现出优异的光学特性，为开发下一代纳米光子和纳米治疗诊断平台提供了机会，包括光热治疗和多模式生物成像。
2021-11-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Dynamical, Vibrational, Electronic and Optical Properties in c-Si:H with Bond-Centered-Hydrogen, H Dimers and Other H Complexes
氢的引入对提高晶体硅（c-）或非晶硅（a-）的光致发光性能起着重要作用。低温质子注入c-Si和a-Si或Si膜的H掺杂在键中心位置（BCH）引入亚稳态氢，该氢随着温度的升高而解离成新的亚稳态复合物。使用从头算分子动力学，我们报告的稳定性BCH，一个方便的氢模型系统，在晶体硅和它的温度诱导的解离产物在很宽的温度范围内，其中包括接近太阳能电池的工作条件的温度。特别注意的是新实验发现的H2 ** 二聚体，和H2 * 二聚体，以及孤立的间隙氢和monoclonal。每个复合物在频谱、态密度（DOS）和介电常数的虚部中留下与实验完全一致的特征签名。所有的配合物修改附近的纯c-Si的能隙。BCH引入特征施主能级，导致DOS中刚好在本征导带下方的强峰。费米能被提高，用两个电子填充这些施主态，并在红外中的介电常数的虚部中引起强峰。H2 ** 和H2 * 二聚体在介电常数的虚部中引入低能量尾部。实验结果是重要的原位光学表征的Si膜生长，往往涉及氢。
2014-06-03 cond-mat.mtrl-sci
Chemically Tailoring Semiconducting Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides and Black Phosphorus
二维（2D）半导体过渡金属二硫属化物（TMDC）和黑磷（BP）在几层限制下具有有益的电子、光学和物理性质。作为原子级薄的材料，2D TMDCs和BP对它们的环境和化学修饰高度敏感，导致它们的性质对衬底效应、本征缺陷和非本征吸附物的强烈依赖。此外，将2D半导体集成到电子和光电子器件中在金属-半导体和介电-半导体界面处引入了独特的挑战。在这里，我们回顾了新兴的努力，了解和利用化学效应影响二维TMDC和BP的属性。在某些情况下，表面化学会导致显著的降解，因此需要开发稳健的钝化方案。另一方面，适当设计的化学改性可用于有利地定制电子性质，例如控制掺杂水平和载流子浓度。总的来说，化学方法允许2D TMDC和BP的性质的实质性可调性，从而使未来有机会优化器件应用的性能。
2016-03-28 cond-mat.mtrl-sci
Light-Matter Interactions in Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides: Dominant Excitonic Transitions in mono- and few-layer MoX$_2$ and Band Nesting
我们报告了基于Bethe Salpether方程+G $_0$ W $_0$的六个单和双层二硫属钼化合物的介电函数的从头计算，重点是激子跃迁占主导地位的吸收光谱的激发能为3\，eV。我们的计算表明，开关硫族元素原子和层间相互作用的强度应该影响的详细组成的高“C”峰的实验光谱的钼二硫族化物，并导致一个显着的自旋轨道分裂的贡献激子跃迁单层MoSe $_2$和MoTe $_2$。这可以通过沿着硫族元素系列S $\rightarrow$ Se $\rightarrow$ Te的费米能周围的电子色散的变化来解释，该变化沿着布里渊区中的\textit{$Γ$} - \textit{K}线移动二维材料的态密度中的范霍夫奇点。此外，我们确认了不同的层间特性的“\textsl{C}”峰过渡在几层的MoS $_2$，这是预测之前从实验数据，并表明，类似的行为可以预期MoSe $_2$和MoTe $_2$以及。
2016-11-16 cond-mat.mtrl-sci
First-principles theory of infrared vibrational spectroscopy in metals and semimetals: application to graphite
在含时密度泛函微扰理论的框架下，我们发展了一种从头计算方法来模拟金属体系的红外振动响应。通过引入一个广义的频率相关玻恩有效电荷张量，我们证明了金属反射率中的声子峰总是可以用Fano函数来描述，其形状由频率相关有效电荷和电子介电张量的复杂性质决定.石墨的红外振动特性，选择作为一个代表性的测试案例，基准我们的方法，被发现准确地再现。我们的方法提供了一个第一原理方案的预测和理解的红外反射光谱的金属，这可能是为数不多的可用工具的调查这些材料时，受到极高的压力条件。
2021-03-17 cond-mat.mtrl-sci
Computational 2D Materials Database: Electronic Structure of Transition-Metal Dichalcogenides and Oxides
我们提出了一个全面的第一性原理研究的电子结构的51个半导体单层过渡金属dichalcogenides和氧化物在2 H和1 T六方相。在$G_0W_0$近似下计算了自旋轨道耦合的准粒子（QP）能带结构，并与不同的密度泛函理论（DFT）描述进行了比较.与二维材料的$GW$计算收敛相关的缺陷与可能的解决方案一起讨论。单层能带边缘相对于真空的位置被用来估计在各种异质结界面处的能带对准。能带结构的面内晶格常数的敏感性进行了分析和合理化的电子结构。最后，$q$依赖的介电函数和有效电子/空穴质量从QP能带结构获得，并用作输入到二维类氢模型，以估计激子结合能。在整个论文中，我们专注于电子结构的趋势和相关性，而不是对特定材料的详细分析。所有的计算数据都可以在一个开放的数据库中获得。
2015-06-09 cond-mat.mtrl-sci
Dynamics of Bulk vs. Nanoscale WS_2: Local Strain and Charging Effects
我们测量了块体和纳米WS $_2$的红外振动性质，以研究这些新材料的结构-性能关系。除了局部应变的破磁效应之外，纳米颗粒曲率还改变了块体材料的局部充电环境。对\emph{xy}极化的E $_{1u}$振动模式进行电荷分析，我们发现层状2 H材料和无机类富勒烯（IF）纳米颗粒之间的层内电荷差约为1.5：1。这种有效电荷差异可能会影响纳米级金属二硫属化物的固态润滑性能。
2006-01-05 cond-mat.mtrl-sci
Excitonic magneto-optics in monolayer transition metal dichalcogenides: From nanoribbons to two-dimensional response
采用纳米尺度几何结构研究了单层过渡金属二硫属化物（TMD）的磁光响应，包括激子效应。我们计算了对角电导率和霍尔电导率。激子光学霍尔电导率在独立粒子近似中得到的结果进行比较，我们发现，当激子效应被包括在内的幅度对应于一个数量级的增加。霍尔电导率被用来计算法拉第旋转光谱MoS2和WSe2。最后，我们还计算了WSe_2激子态在不同介电环境中的抗磁位移。比较计算的抗磁位移最近的实验测量，我们发现两者之间有很好的协议。
2019-05-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Machine learning based prediction of optical properties in two-dimensional Mo-W-S-Se-Te transition-metal dichalcogenide alloys through physics-informed sampling
Bangladesh University of Engineering and Technology（孟加拉国工程与技术大学）
研究利用机器学习预测二维Mo-W-S-Se-Te过渡金属二卤化物合金光学性质，结合从头算与表格基础模型回归，通过物理信息采样策略训练TabPFN，能高精度预测介电函数及衍生光学量，还可零样本推广到多种合金成分。
2026-07-24 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph physics.comp-ph
Pump-triple sum-frequency-probe spectroscopy of transition metal dichalcogenides
三重和频（TSF）光谱学通过共振激发振动和电子态的多个量子相干性来测量多维光谱。在这项工作中，我们展示了泵TSF探测光谱，其中泵激发样品和一段时间后，三个额外的电场产生的探测场进行测量。我们展示了泵浦TSF探测光谱多晶，光滑，薄膜和螺旋纳米结构的二硫化钼和WS 2。泵浦-TSF-探测光谱定性地类似于更常规的瞬态反射光谱。虽然瞬态反射灵敏度在低表面覆盖率下受到影响，但泵浦-TSF-探针灵敏度与样品覆盖率和纳米结构形态无关。我们的研究结果表明，泵浦-TSF-探针是一种有价值的研究微观材料系统的方法。
2019-09-13 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Vibrational Spectra of MO (M=Sn/Pb) in Their Bulk and Single Layer Forms: Role of Avoided Crossing in their Thermodynamic Properties
我们报告从头计算的声子色散关系的体和单层的SnO和PbO。我们识别了在区中心Γ点的拉曼激活模和红外激活模。与拉曼光谱测量的实验结果一致，我们发现A1 g模的频率高于Eg模。此外，从我们的计算揭示背后的A2 u模式移动到更高的频率为SnO和PbO的单层膜的原因。我们还发现，长程库仑相互作用增强的介电常数和玻恩有效电荷在体SnO和体PbO，相比它们的单层。在这里，我们观察到避免交叉或朗道简并之间的纵向声学（LA）和低能量的横向光学（TO）模式在散装形式的SnO和PbO。此外，单层SnO也显示出低能量的拉曼模式（Eg和A1 g）的相同频率的散装。结果发现，单层SnO薄膜中的LA模和TO模之间没有交叉。有趣的是，较高的Born有效电荷和较低的介电常数增强了自力常数和M-O键间的原子间力常数。提高的力常数使单层PbO的声子模振动频率提高。我们的研究表明，由于避免了两个简并带之间的交叉，在高对称性X点附近的声子色散降低比热和振动熵在体SnO，体PbO和只有在单层SnO高达150 K。此外，Pb和氧原子之间的大质量差和层间范德华相互作用的缺乏引起了高的声子振动，这减少了两个简并能级之间的带交叉的发生。避免交叉的情况下导致较高的比热和振动熵在单层PbO在低温下。
2019-07-20 cond-mat.mtrl-sci
Optical constants of several multilayer transition metal dichalcogenides measured by spectroscopic ellipsometry in the 300-1700 nm range: high-index, anisotropy, and hyperbolicity
过渡金属二硫属化合物（TMD）由于其特殊的光学和激子性质而引起人们的广泛关注。人们在20世纪60年代就已经认识到，并且最近重新发现，许多TMD具有高折射率和光学各向异性，这使得它们对纳米光子应用具有吸引力。然而，准确的分析和预测的纳米光学现象需要沿两个平面内和平面外的方向和在一个广泛的光谱范围内的介电常数的知识-信息，这往往是无法访问或不完整的。在这里，我们提出了一个实验研究的光学常数从几个剥离的TMD多层膜获得使用椭圆偏振光谱在300- 1700 nm的宽范围内。所研究的具体材料包括半导体WS $_2$、WSe $_2$、MoS $_2$，MoSe $_2$，MoTe $_2$，以及面内各向异性ReS $_2$，WTe $_2$和金属TaS $_2$，TaSe $_2$和NbSe $_2$。提取的参数表明高指数（$n$直到$\approx 4.84$的MoTe $_2$），显着的各向异性（$n_{\parallel}-n_{\perp} \approx 1.54$的MoTe $_2$），在近红外区域和低吸收。此外，金属TMD显示出组合的等离子体介电行为和双曲性的潜力，因为它们的等离子体频率取决于材料在大约$\sim$ 1000- 1300 nm处发生。这些材料的光学常数的知识打开了新的实验和计算的可能性，进一步发展全TMD纳米光子学。
2022-03-25 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Understanding the Effects of Dielectric Property, Separation Distance, and Band Alignment on Interlayer Excitons in 2D Hybrid MoS2/WSe2 Heterostructures
过渡金属二硫属化物（TMDC）半导体的二维范德华异质结显示了一类具有特殊性质的空间分离激子。层间激子（XI）已被广泛研究，但调制XI的机制仍然没有很好地理解。在这里，我们介绍了几个有机层嵌入的混合异质结，二硫化钼/有机/WSe 2，研究的结合能XI。我们发现，准粒子的介电屏蔽减少与有机分子由于降低介电常数和更大的TMDC层之间的分离距离。因此，在层间发射中观察到明显的蓝移。我们还发现，在异质界面的能带排列是至关重要的。当有机层提供交错能态时，层间电荷转移可以从隧穿转变为带辅助转移，由于更强的偶极相互作用而进一步增加XI发射能量。XI的形成也可以用电子或空穴捕获分子显著抑制。这些发现应该是有用的，在实现基于XI的光电子学。
2021-02-27 cond-mat.mtrl-sci
Doping effects on charge density instability in non-centrosymmetric PbxTaSe2
本文报道了利用拉曼散射实验研究Pb掺杂二硫属化合物PbxTaSe 2的振动和电子性质。我们观察到一个显着的变化的主要振动模式与铅浓度x。振动模式的浓度依赖性类似于TaSe 2中振动模式对沿c轴方向的晶体层数的依赖性[1]。PbxTaSe2的拉曼光谱的温度和偏振依赖性揭示了额外的宽模式在低频范围内的剩余电荷密度波，诱导的障碍，或PbSe相的Pb和TaSe2层的界面中形成的背景下进行了讨论。
2015-05-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Intra-band and Inter-band Plasmons in Transition Metal Dichalcogenide-Graphene van der Waals Heterostructures
在早期的工作中，已经表明石墨烯单层的范德华异质结构（vdWHs）在2D过渡金属二硫属化物（GrTMD）衬底上的分散包括自旋分裂的带隙带。使用这些，它也表明，带内等离子体色散的有限掺杂和长波长限制涉及的Q2/3（非常规）的行为，而不是众所周知的Q1/2的行为。本文报道了这种vdWH的光学电导率和光学性质。我们发现，有没有（带间）等离激元的电子掺杂，只要Gr-TMD异质结构是由正介电常数材料上下包围。然而，如果异质结构被负介电常数（NDC）材料包围，人们发现将有声学等离子体激元。对于空穴掺杂的情况，不需要NDC材料。我们发现，当载流子密度大于一个适度的临界值时，也会出现栅电压可调的带内声等离子体激元。与掺杂石墨烯相比，GrTMD等离子体激元的更强的嵌顿能力是本工作的另一个值得注意的结果。人们发现，带内吸收率是随着频率在一个给定的栅极电压，并在一个给定的频率与栅极电压增加;带间透射率，然而，是一个递减的函数的频率和栅极电压。
2018-04-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Analytical exciton energies in monolayer transition-metal dichalcogenides
本文推导了单层过渡金属二硫族化物中$s$态激子能量的高精度解析表达式，并基于正则化微扰理论，利用该公式从实验数据中准确提取激子约化质量和屏蔽长度等材料参数。
2024-07-06 cond-mat.mtrl-sci
Structural and dielectric properties of amorphous ZrO2 and HfO2
氧化锆（ZrO 2）和氧化铪（HfO 2）是替代SiO2作为CMOS技术中的栅极绝缘体的主要候选材料。这些材料（a-ZrO 2和a-HfO 2）的非晶版本可以在硅缓冲层的顶部生长为亚稳相;虽然它们在随后的退火步骤中倾向于再结晶，但由于它们具有改善均匀性和电钝化性的前景，因此它们将受到相当大的关注。在这项工作中，我们报告我们的理论研究a-ZrO 2和a-HfO 2的第一性原理密度泛函方法。我们使用Barkema和Mousseau的“激活-松弛”技术（ART）构建了现实的无定形模型。的结构，振动和介电特性的模型进行了详细分析。的整体平均介电常数的计算和发现是可比的单斜相。
2006-06-13 cond-mat.mtrl-sci
Monolayer transition metal dichalcogenides in strong magnetic fields: Validating the Wannier model using a microscopic calculation
采用运动方程（EOM）方法，计算了单层过渡金属二硫属化物（TMD）在外加磁场作用下的激子性质。我们将我们的研究结果与广泛使用的二维材料中激子的Wannier模型和最近的实验结果进行了比较。我们发现计算的激子跃迁能和实验结果之间有很好的一致性。此外，我们发现使用EOM方法计算的激子能量略低于使用Wannier模型计算的激子能量。最后，我们还表明，磁激子跃迁能量上的介电环境的影响是最小的，由于抵消激子能量和交换自能校正的变化。
2018-10-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Pressure Dependence of Electronic, Vibrational and Optical Properties of wurtzite-Boron Nitride
本文通过第一性原理研究了纤锌矿型氮化硼在宽压力范围内的电子、振动和光学性质，为其在光电及恶劣环境中的介电应用提供理论依据。
2023-05-30 cond-mat.mtrl-sci
Electrostatic control of the trion fine structure in transition metal dichalcogenide monolayers
在低维掺杂的过渡金属二硫属化合物（TMDC）单层膜中，带电激子（trions）对光谱的形成是必不可少的。使用直接对角化的三体哈密顿量，我们探讨了四种类型的TMDC ML中的低洼trion态。结果表明，三电子精细结构是单粒子带的自旋谷精细结构与组成粒子间交换作用相互作用的结果。我们表明，通过掺杂和介电环境的变化，可以调谐的trion能量精细结构，导致反交叉的亮和暗状态的TMDC ML的光谱的实质性影响。
2021-04-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Amorphous ZrO2 from Ab-initio molecular dynamics: Structural, electronic and dielectric properties
非晶ZrO 2的现实模型是在密度泛函理论的平面波赝势公式中使用从头算分子动力学以“熔化和淬火”的方式生成的。由此产生的非晶模型的结构特性进行了分析，特别注意协调统计。其中一个模型的振动和介电性能，然后从第一性原理使用线性响应方法进行了研究。电子介电常数和玻恩有效电荷与晶相非常相似。令人鼓舞的是，预测的总静态介电常数约为22，可与单斜相的相媲美。这项工作的动机是为子0.1微米CMOS技术的改进栅极电介质材料的搜索，也可能有影响HfO2和ZrO2和HfO2的硅酸盐。
2004-10-14 cond-mat.mtrl-sci
Non-invasive control of excitons in two-dimensional materials
我们研究如何外部屏蔽形状的激子在二维（2d）半导体嵌入横向结构的介电环境。这些元素激发的原子尺度视图开发使用模型，适用于各种材料，包括过渡金属二硫属化物（TMDC）。我们发现，结构化的电子束在这些系统中的激子上留下了一个独特的势能景观：虽然基态激子的影响最小，但较高的激子被吸引到具有高介电常数的环境区域。这种景观是“颠倒的”，在这个意义上说，低能量激子的影响不如其较高能量的同行。相应的能量变化出现在几个晶胞量级的长度尺度上。这开辟了通过在最终小的空间尺度上定制的电介质衬底来捕获和引导更高激子的前景。
2017-04-20 cond-mat.mtrl-sci
Nonlinear spectroscopy of excitonic states in transition metal dichalcogenides
二次谐波产生（Second-harmonic generation，SHG）是一种用于探测过渡金属二硫属化物（transition metal dichalcogenide，TMDC）单分子膜电子结构的非线性光谱学方法。本文通过求解密度矩阵的时间演化方程，研究了强激发TMDC单层膜的非线性动力学行为。它表明，激子的存在下，定性地改变了非线性动力学导致，特别是，作为介电环境的函数的非线性信号的一个巨大的增强。研究还表明，二次谐波偏振角图及其对驱动强度的依赖性对激子态的类型非常敏感。这种灵敏度表明，SHG光谱是一种方便的工具，用于分析激子态的精细结构。
2022-03-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Vibrational fingerprints of ferroelectric hafnia
Hafnia（HfO2）由于其高k介电行为、负电容异质结构的适用性、可扩展的铁电性和硅兼容性而成为新兴芯片应用的有前途的材料。晶格动力学以及声子性质，如热导率，收缩和热容量，主要是由于缺乏高质量的单晶。在这里，我们报告了一系列的HfO2晶体稳定与钇（化学式HfO2：xY，其中x = 20，12，11，8和0%）的振动特性，并比较我们的研究结果与对称性分析和晶格动力学计算。我们解开Y的影响，通过测试我们的计算对测得的拉曼光谱和红外光谱的立方，反极性正交，和单斜相，然后继续揭示极性正交的Al2O3的签名模式。这项工作提供了一个光谱指纹的HfO2的几个不同的阶段，并铺平了道路，为分析模式的贡献，高k电介质和铁电性能的芯片技术。
2022-01-29 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Perspective: Dielectric and Ferroic Properties of Halide Perovskite Solar Cells
卤化物钙钛矿半导体对电场的响应方式随时间和长度尺度而变化。我们讨论的微观过程，引起这些材料的宏观极化，范围从光学和振动响应的离子和电子的运输。介电常数的强频率依赖性可以通过将静态介电常数分离成其组成部分来理解，包括由于旋转偶极子引起的取向极化，其将理论与实验观察联系起来。铁电性的有争议的问题得到解决，我们强调最近的进展，在材料和域表征，但强调与隔离自发晶格极化从其他过程，如带电缺陷的形成和运输的挑战。我们的结论是CH $_3$ NH $_3$ PbI $_3$表现出铁弹性驻极体的许多特征，其中自发晶格应变耦合到长寿命的亚稳态极化状态。
2018-12-03 cond-mat.mtrl-sci
Vibrational modes of metal nanoshells and bimetallic core-shell nanoparticles
本文从理论上研究了复合金属纳米结构如核壳结构和具有介电核的金属纳米壳结构在环境中的径向振动模谱。我们计算的频率和阻尼率的基本（呼吸）模式，这些纳米结构以及两个高阶模式。对于金属纳米壳，我们发现，呼吸模式的频率总是低于一个相同大小的固体颗粒，而阻尼是较高的，并随着壳厚度的减少而增加。我们确定了两个制度，可以表征为弱阻尼和过阻尼振动的存在下，外部介质。对于双金属粒子，我们发现频率和阻尼率的周期依赖于壳厚度与周期决定的模式数。对于这两种纳米结构，高次模的频率几乎与环境无关，而阻尼率对外界介质表现出很强的敏感性。
2008-06-05 cond-mat.mtrl-sci
Lattice dielectric response of CdCu{3}Ti{4}O{12} and of CaCu{3}Ti{4}O{12} from first principles
采用密度泛函理论在局域自旋密度近似下研究了CdCu{3}Ti{4}O{12}的结构、振动和晶格介电性质，并与CaCu{3}Ti{4}O {12}的计算结果进行了比较.取代钙镉被发现留下许多计算量基本不变，虽然显着的差异出现在区中心光学声子频率和模式有效电荷。计算得到的CdCu{3}Ti{4}O{12}的声子频率与实验结果非常吻合，计算得到的晶格对固有静态介电常数（~60）的贡献也与最近的光吸收实验结果非常吻合.这些结果提供了进一步的支持的图片中，晶格介电响应基本上是常规的，这表明一个外来的起源最近在两种材料中观察到的异常低频介电响应。
2002-09-09 cond-mat.mtrl-sci
High flexoelectric constants in Janus transition-metal dichalcogenides
由于其机械刚度和柔性的组合，二维（2D）材料作为潜在的机电材料受到了极大的关注。挠曲电性是应变梯度和极化之间的机电耦合。与仅存在于非中心对称材料中的压电性不同，挠曲电理论上存在于所有介电材料中。然而，大多数关于2D材料的机电能量转换潜力的工作都集中在它们的压电行为和特性上，而不是挠曲电行为和特性。在目前的工作中，我们表明，存在于单层Janus过渡金属二硫属化物（TMDC）的固有结构不对称性，使显着的挠曲电性能。我们使用最近开发的电荷偶极模型与经典的分子动力学模拟耦合报告这些挠曲电性能。通过采用一个规定的弯曲变形，我们直接计算的挠曲电常数，同时消除了压电的贡献的极化。我们发现，Janus TMDC的挠曲电响应是正相关的，其初始程度的不对称性，这有助于更强的$σ-σ$相互作用的初始程度的不对称上升。此外，由于$π-σ$耦合，Janus TMDC中跨原子的高电荷转移导致更大的电场。发现这些增强的$σ-σ$和$π-σ$相互作用导致Janus TMDC的挠曲电系数比传统TMDC例如MoS $_{2}$高几倍，其挠曲电常数已经比石墨烯大十倍。
2022-08-20 cond-mat.mtrl-sci
Dielectric screening at TMD:hBN interfaces: Monolayer-to-bulk transition, local-field effect, and spatial dependence
本研究采用第一性原理介电嵌入GW方法，系统研究hBN衬底对不同TMDs的介电屏蔽效应的厚度依赖、局域场效应与空间依赖性，为能带结构工程提供定量依据。
2023-05-04 cond-mat.mtrl-sci
