Nuclear magnetic relaxation rates of unconventional superconductivity in doped topological insulators
我们研究了掺杂拓扑绝缘体$M$（$=$ Cu，Nb，Sr）$_{x}$ Bi $_{2}$ Se $_{3}$和Sn $_{1-x}$ In $_{x}$ Te中的核磁弛豫速率与温度的关系，以检测拓扑超导性的迹象。临界温度Tc以下的Hebel-Slichter相干效应依赖于掺杂拓扑绝缘体的最小模型所预测的超导态。在类似于$^{3}$ He中的ABM相的节点各向异性拓扑状态中，NMR速率在Tc以下具有常规的$s$波状相干峰。相比之下，在完全带隙的各向同性拓扑超导状态下，低于Tc的速率呈现出反峰轮廓。此外，在二重面内各向异性拓扑超导态中，不存在与手征$p$波态类似的相干效应。因此，我们揭示了NMR速率揭示了掺杂拓扑绝缘体的非常规超导性。
2016-05-26 cond-mat.supr-con
Surface states and local spin susceptibility in doped three-dimensional topological insulators with odd-parity superconducting pairing symmetry
我们研究了具有奇宇称不等自旋超导配对的掺杂三维拓扑绝缘体的自旋响应特性，这些绝缘体被预测具有无带隙的Majorana表面模。这些马约拉纳模式有助于当地的自旋磁化率，从而引起的奈特位移和磁共振实验中的自旋晶格弛豫时间的特征温度行为。由于它们不同的衰变长度，马约拉纳模式可以观察到，并清楚地区分从狄拉克模式的拓扑绝缘体的本地探针，允许深度控制的研究在纳米长度尺度上的电子自旋。
2013-04-26 cond-mat.supr-con
High-Pressure Synthesis and Superconductivity of Ag-doped Topological Crystalline Insulator SnTe (Sn1-xAgxTe with x = 0-0.5)
采用高压合成法合成了Sn_（1-x）Ag_xTe，Ag掺杂的拓扑晶体绝缘体SnTe（x = 0-0.5）的单相多晶样品。室温下Sn_（1-x）Ag_xTe的晶体结构为NaCl型立方结构，不随Ag的取代而改变。在x = 0.15-0.25范围内观察到体相超导电性，转变温度为2.4K，最佳Ag含量为x = 0.2。Sn_（1-x）Ag_xTe超导相的存在将有助于理解载流子掺杂SnTe系统的超导性质和机制。
2016-02-28 cond-mat.supr-con
Unconventional Pairing in Doped Band Insulators on a Honeycomb Lattice : the Role of the Disconnected Fermi Surface and a Possible Application to Superconducting $β$-MNCl (M=Hf,Zr)
我们研究了在正方形晶格和蜂窝晶格上的掺杂带绝缘体中实现非常规超导的可能性，由于费米面的不连通性，后者被认为是一个很好的候选者。我们建议将该理论应用于掺杂层状氮化物$β$ NCl（$M=$ Hf，Zr）的超导电性.最后，我们比较了两组具有不连续费米面的超导体，$β$ NCl和铁磷属元素化物，它们具有高的$T_c$，尽管存在一些对超导性不利的缺陷。
2009-02-21 cond-mat.supr-con
Signature of proximity induced triplet superconductivity in junctions made of the doped topological insulator $\rm Bi_2Se_3$ and the s-wave superconductor NbN
掺杂拓扑绝缘体$\rm Bi_2Se_3$和s波超导体NbN的薄膜结和双层被发现表现出具有突出的零偏置和相干峰的电导谱。不同的隧道模型与不同的对电位都未能符合我们的数据，除了三重$p_x+ip_y$对电位，打破了时间反演对称性，但产生了相当不错的拟合。这提供了证据的邻近诱导三重态超导性的$\rm Bi_2Se_3$层与NbN膜的界面附近。
2013-10-07 cond-mat.supr-con
Odd-frequency superconductivity and Meissner effect in the doped topological insulator Bi$_2$Se$_3$
掺杂Bi $_2$ Se $_3$被认为是一种源于不寻常轨道间配对的超导体。我们对Bi $_2$ Se $_3$中所有诱导的超导对关联进行了分类，发现轨道内奇频配对在一个显著的频率范围内占主导地位。此外，我们探讨了偶频和奇频配对对迈斯纳效应的贡献，包括在响应函数中分离带内和带间过程。与预期相反，由于带间的贡献，我们发现了一个反磁奇频迈斯纳效应。
2020-06-04 cond-mat.supr-con
Spin-triplet superconductivity from interband effect in doped insulators
尽管自旋三重态超导体对拓扑量子计算具有根本的重要性和潜在的兴趣，但经过几十年的研究，在固态材料中仍然很少见。在这项工作中，我们提出了一个一般的机制，自旋三重态超导多带系统中，一个非阻滞的配对相互作用的传导电子之间产生的电子排斥到第三个电子进行虚拟带间跃迁。我们的理论是解析控制的带间杂化参数，并明确证明了在掺杂带绝缘体的一个扩展的哈伯德模型的例子。根据这一理论，我们提出最近发现的稀超导体，如ZrNCl和WTe $_2$是自旋三重态，并比较我们的理论与实验数据的预期结果。
2021-09-27 cond-mat.supr-con
Unconventional superconductivity in a doped quantum spin Hall insulator
单层的jacutingaite（Pt $_2$ HgSe $_3$）最近被确定为一种新的量子自旋霍尔绝缘体。通过第一性原理计算，我们研究了它在掺杂状态下的费米学，并分别揭示了空穴和电子掺杂时的I型和II型范霍夫奇点。我们发现，在原始填充的拓扑带隙和非常规的超导性在有限的掺杂根在较长范围的杂交积分的蜂窝晶格上的倾向之间的共同联系。在无规相位近似和泛函重整化群的共同努力下，我们发现手性$d$ -波序的I型和奇宇称$f$ -波序的II型制度。
2018-11-05 cond-mat.supr-con
Bulk superconducting phase with a full energy gap in the doped topological insulator Cu_xBi_2Se_3
最近在掺杂拓扑绝缘体Cu_xBi_2Se_3中发现的超导电性为寻找拓扑超导体提供了很好的机会。我们已经成功地制备了一个具有大屏蔽分数的单晶样品，并测量了与超导性相关的比热异常。比热的温度依赖性表明了一个完全能隙的强耦合超导态，但BCS理论与数据并不完全一致，这暗示了Cu_xBi_2Se_3中可能存在非常规配对。此外，2.6 m_e（m_e是自由电子质量）的评估有效质量表明该材料中的大质量增强。
2011-03-24 cond-mat.supr-con
Possibility of spin fluctuation mediated $d+id'$ pairing in a doped band insulator $β$-MNCl (M=Hf,Zr) superconductors
本文研究了超导层状氮化物$β$ -MNCl（M=Hf，Zr）的两种模型：三角晶格上的单带模型和蜂窝晶格上的双带模型。我们发现前一个模型不足以作为一个有效的模型，而后者可以是一个很好的候选者。通过对两带模型的研究，我们提出了掺杂$β$ -MNCl中自旋涨落介导的$d+id'$波超导的可能性.我们表明，相对较高的$T_c$得到的掺杂带绝缘体的自旋涨落介导的超导蜂窝晶格上的一个特征。我们还发现，费米面上的间隙各向异性强烈增加，随着掺杂浓度的增加，和层间跳跃抑制超导电性。这些结果与实验结果定性一致。
2010-01-18 cond-mat.supr-con
Electronically driven superconductor insulator transition in electrostatically doped La$_{2}$CuO$_{4+δ}$ thin films
本文用双电层晶体系统地研究了臭氧辅助分子束外延$_{2}$薄膜的超导体到绝缘体的转变。我们已经证实了高结晶质量的铜酸盐薄膜，并证明了电子双层技术的适用性，以连续变化的电荷密度在一个系统中，否则其特征在于通过存在的可折叠间隙。的运输和磁运输的结果突出的作用，电子-电子相互作用的过渡机制，由于莫特绝缘状态的接近。
2012-10-28 cond-mat.supr-con
Angle-resolved photoemission in doped charge-transfer Mott insulators
考虑到实际的（LDA+U）能带结构、强电子-声子相互作用引起的（bi）极化子形成和随机场势，发展了掺杂铜氧化物和其它电荷转移莫特绝缘体中的角分辨光电发射（ARPES）理论.在大多数这些材料中，第一个被掺杂的能带是莫特-哈伯德能隙内的氧能带。我们推导出的相干部分的ARPES谱与氧空穴的谱函数计算在非交叉（阶梯）近似和精确的谱函数的一维孔在随机电位。本文描述了YBa_2Cu_3 O_7和YBa_2Cu_4 O_8中不存在大或小费米面的ARPES的一些特殊性质，包括偏振依赖性和谱形。该理论与铜酸盐的动力学和热力学性质的掺杂依赖性以及超导序参量的d波对称性是相容的。
1999-05-13 cond-mat.supr-con
Two-dimensional superconductor-insulator quantum phase transitions in an electron-doped cuprate
我们利用离子液体辅助的电场效应来调节电子掺杂铜氧化物超薄膜中的载流子密度，并引起二维超导体-绝缘体转变（SIT）。该系统的低上临界场使我们能够在液栅超导薄膜中进行磁场（B）诱导的SIT。有限尺寸标度分析表明，电场和磁场诱导的SIT都是量子相变，并且这种相变受渗流效应控制，前者是量子力学的，后者是经典的.与空穴掺杂的铜氧化物相比，电子掺杂体系中的SIT发生在远低于量子对电阻RQ=h/（2 e）2=6.45 kΩ的临界薄层电阻Rc处，表明在SIT附近的绝缘相存在有限温度下的费米子激发.
2015-07-07 cond-mat.supr-con
Inhomogeneity in doped Mott insulator
我们引入了自然界中存在两类通用莫特绝缘体的概念。他们的区别在于他们对弱兴奋剂的反应。掺杂电荷在I型莫特绝缘体中形成团簇（即不均匀分布），而在II型莫特绝缘体中均匀分布。我们提出我们的意见的作用不均匀性在铜酸盐。
2002-08-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Toroid Current States in Doped Antiferromagnetic Insulators
本文已被撤回，由于第一作者的要求，从作者名单中排除他的名字，并充分激励反铁磁绝缘体的所用模型的应用。
2005-04-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Dynamical spin response of electron doped Mott insulators on a triangular lattice
基于$t-J$模型研究了三角晶格上电子掺杂莫特绝缘体的自旋动力学。研究发现，正方晶格上的掺杂莫特绝缘体所具有的积分动力学自旋结构因子的普遍行为，在三角晶格上的掺杂莫特绝缘体中并不存在，表明存在正常态能隙.结果表明，自旋-晶格弛豫速率1/ $T_{1}$除以$T$在0.2 $J$ $\approx$ 50 K以上随温度的降低而减小，在低于50 K的温度下遵循Curie-Weiss-like行为，与实验观察定性一致.
2012-12-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic quantum oscillations in doped antiferromagnetic insulators
在任意方向的外磁场中，对二维反铁磁绝缘体中电子（空穴）的能谱进行了量子化。发现了de Haas-van Alphen（dHvA）或Shubnikov-de Haas（SdH）磁振荡振幅与磁化方向的面内方位角和面外方向的极角的特殊关系，该关系可作为掺杂Mott-Hubbard、自旋密度波（SDW）和常规带结构绝缘体中反铁磁序的灵敏探针.
2008-03-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Momentum space anisotropy in doped Mott insulators
我们研究了单空穴tt 't“J模型的数值计算，以解决掺杂莫特绝缘体中发现的动量空间各向异性。提出了一个简单的两带图象，用来理解不同动量态下自旋背景对掺杂空穴的屏蔽作用。在这幅图中，在欠掺杂铜氧化物超导体中通过实验观察到的结区和反结区之间的差异，来自局部能量考虑，并且相当于明确定义的准粒子行为和自旋-电荷分离相关现象之间的区别。
2005-04-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Vortex state in a doped Mott insulator
我们分析了最近在铜氧化物超导体中的涡旋芯光谱实验，并讨论了从中可以学到的关于这些化合物的基态的性质。我们认为，数据是不一致的假设一个简单的金属基态和掺杂的莫特绝缘体的特点。基于U（1）规范场从玻色子模型，发展了这种掺杂莫特绝缘体中涡旋核的理论，并显示出与实验数据定性一致的性质。
2000-10-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Visualizing the evolution from the Mott insulator to a charge ordered insulator in lightly doped cuprates
高温铜氧化物超导体中的一个中心问题是电荷掺杂后母体莫特绝缘体的命运。在这里，我们使用扫描隧道显微镜调查的本地电子结构的轻掺杂铜酸盐在反铁磁绝缘制度。我们发现，掺杂的电荷诱导的光谱重量转移从高能量的哈伯德带的低能量的间隙状态。随着掺杂浓度的增加，费米能级出现V型态密度抑制，并伴随着棋盘电荷序的出现。新的STM观点揭示了这里是铜酸盐首先成为一个电荷有序的绝缘体掺杂。随后，进一步掺杂，费米面和高温超导性生长出来。
2015-08-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Chemically gated electronic structure of a superconducting doped topological insulator system
角分辨光电子能谱被用来观察体掺杂的拓扑绝缘体Cu $_x$ Bi $_2$ Se $_3$的电子结构的变化，作为额外的铜原子被沉积到分裂的晶体表面上。载流子密度和表面附近的正常电场强度的晶体表面的估计考虑的化学表面门控与拓扑绝缘体秩序，如理论预测的马约拉纳费米子涡旋的动力学的非典型超导性质的影响。
2013-08-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Generalizing the Cooper-Pair Instability to Doped Mott Insulators
铜氧化物在掺杂电子空穴后迅速成为超导体，表明基本的配对不稳定性。库珀机制将正常超导解释为费米液体状态的不稳定性，但高温超导体来自莫特绝缘体正常状态，而不是费米液体。我们发现，早熟对凝聚掺杂是一个自然的属性竞争的反铁磁性和d-波超导的单占据晶格，从而推广库珀不稳定性掺杂莫特绝缘体，具有重要意义的高温超导机制。
2008-10-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Possible high-Tc superconductivity at 45 K in the Ge-doped cluster Mott insulator GaNb4Se8
Institute of Physics and Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所与北京凝聚态物理国家实验室）；School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学物理科学学院）
研究通过Ge掺杂GaNb4Se8发现45 K高临界温度超导性，揭示了掺杂Mott绝缘体可能成为新型Nb基高临界温度超导体的潜力。
2025-12-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Superconductivity Emerging from Excitonic Mott insulator - Theory of Alkaline Doped Fullerene
用变分Monte Carlo方法研究了碱金属掺杂富勒烯$_3$ $initio$哈密顿量的二维投影导出的三轨道模型，其中A=Cs，Rb，K.我们正确地再现了实验的各向同性s波超导周围的$ab$ $initio$参数。随着带宽变窄，过渡到一个绝缘体也被复制，其中轨道对称性被发现是自发打破与激子莫特绝缘体的出现两个轨道和反铁磁绝缘体几乎退化与自旋液体的第三轨道。超导电性是激子熔化的结果。
2017-11-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping induced spinless collective excitations of charge 2e in doped Mott insulators
基于掺杂莫特绝缘体的哈伯德模型描述，我们证明了在非超导态下，由于掺杂，必然存在电荷$2e$和能量$U-2μ$的无自旋集体激发，能量峰值在动量$(π/a,π/a)$。这种集体激发是由电子对关联引起的。它的存在与近似SU（2）粒子-空穴对称性的破缺有关，由此构造了新激发的有效场论。
2000-10-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity from Flat Dispersion Designed in Doped Mott Insulators
探讨了掺杂莫特绝缘体增强超导不稳定性的途径。借助于对金属-绝缘体相变临界性的认识，提出了晶格结构的几何设计来控制不稳定性。一个指导方针是明确地使费米能级附近的平带色散，而不抑制两个粒子的通道。在一维模型中，数值研究表明，我们的有限范围跳跃的处方实现了自旋能隙和配对优势区的大幅度增强。我们还提出了几个多带系统，其中的配对是由位间库仑排斥驱动的。
1999-11-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Two-dimensional time-reversal-invariant topological superconductivity in a doped quantum spin Hall insulator
时间反演不变拓扑超导体在体块中具有完全的配对能隙，并且在边缘或表面上具有无能隙的马约拉纳态。在这里，我们从理论上提出了掺杂量子自旋霍尔绝缘体的拓扑超导性。在双轨道模型下研究了掺杂Sn $X$薄膜的对对称性，发现当轨道内吸引力大于轨道间吸引力时，掺杂Sn薄膜实现拓扑超导，这对于自旋轨道耦合较强的掺杂量子自旋霍尔绝缘体是普遍的.在紧束缚模型中对边缘通道进行了数值研究。最后，通过与体Sn中的$3d$超导性的比较，讨论了Sn $X$薄膜中可能的拓扑超导电性。
2014-08-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Magnetic Incommensurability in Doped Mott Insulator
在本文中，我们探讨的自旋-自旋关联的非公度空间调制的掺杂莫特绝缘体的本征性质，描述的$t-J$模型。我们表明，这样的不可逆性是一个直接的表现形式的相位弦效应引入掺杂空穴在一维和二维的情况下。在动量空间中动态自旋磁化率的磁无公度峰与铜氧化物超导体的中子散射测量结果在位置和掺杂依赖性方面都是一致的。特别是，这种无公度结构可以自然地调和铜酸盐的中子散射和NMR实验。
1998-09-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quantum Ginzburg-Landau theory of doped Mott insulators
通过进一步的对偶变换，改进了掺杂莫特绝缘体的对偶性理论。结果得到了描述库珀对凝聚和自旋凝聚对偶的量子Ginzburg-Landau理论。我们通过掺杂莫特绝缘体来解决超导性，我们称之为莫特超导性。铜氧化物中这种新颖性的一些特征是中子共振能量和超流密度之间的标度，以及由涡旋或Zn杂质引起的{ \it量子化}自旋矩（以及循环电荷超流，有待实验检验）。
2003-06-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in a doped Mott insulator
本文从Kotliar和Liu的d波RVB平均场论出发，提出了一种新的长波低能规范涨落的精确处理方法。其结果是一个理论的无隙费米子准粒子耦合超导相位波动。我们将讨论的物理含义，和BCS配对与相位波动的理论的相似性/差异。
1999-09-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Competing Orders and Superconductivity in the Doped Mott Insulator on the Shastry-Sutherland Lattice
在几何阻挫晶格上的量子反铁磁体通常允许有许多不寻常的顺磁基态。这些莫特绝缘体掺杂后的命运是一个重要的问题，可能会揭示一些光的高$T_c$铜酸盐的问题。我们采用t-J模型研究了Shastry-Sutherland晶格上掺杂的莫特绝缘体。从玻色子平均场论揭示了不同对称破缺态之间的强竞争。研究发现，在一定的掺杂范围内，存在着具有或不具有交错磁通或二聚化等对称性破缺序的超导相。我们的研究结果将直接关系到SrCu $_2$（BO $_3$）$_2$在未来的材料掺杂。
2003-10-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Strong energy-momentum dispersion of phonon-dressed carriers in the lightly doped band insulator SrTiO$_3$
利用角分辨光电子能谱（ARPES）研究掺杂绝缘体中的电子-声子（el-ph）耦合效应取得了很大进展，为低掺杂铜氧化物中el-ph相互作用的主导作用提供了证据。由于这些研究仅限于掺杂的莫特绝缘体，因此出现了一个重要的问题，即如何将其与掺杂的带状绝缘体进行比较，其中类似的el-ph耦合应该在起作用。典型的情况是钙钛矿SrTiO $_3$（STO），众所周知其在低温下的巨大介电常数为10000，超过La $_2$ CuO $_4$ 500倍。基于这一事实，有人认为掺杂的STO应该是典型的双极化子超导体。在这里，我们报告了轻掺杂SrTiO $_3$的高质量表面的ARPES研究。与轻掺杂的莫特绝缘体相比，我们发现只有适度的电子-声子耦合的特征：与具有$λ'\sim0.3$的低频光学声子相关的色散异常和整体带宽重整化，表明整体$λ'\sim0.7$来自高频声子。此外，我们没有发现明显的签名的大赝隙或小极化子现象。这些研究结果表明，一个大的介电常数本身是不是一个很好的指示el-ph耦合和突出的掺杂莫特绝缘体的el-ph耦合的异常强烈的影响。
2010-02-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Variational study of conduction in doped Mott insulator in terms of kinetic energy
用变分蒙特卡罗方法研究了哈伯德模型中空穴（电子）的动力学特征。在掺杂莫特绝缘体（U>U_co）中，空穴在导电意义上可分为两类：（i）出现在双空穴-holon对中的空穴是局域的，促进单重态对的形成，并获得能量诱导超导转变。(ii)掺杂的空穴成为载流子，使系统巡游（超导或金属），但在过渡中损失能量。这两个角色在关联超导中是有区别的。这一特点是常见的反铁磁转变在大U/t。
2012-11-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The SU(2) Gauge Theory of the Substantially Doped Mott-Insulator: the phase separated d+s superconductor
我们重新表述了与文和李的掺杂Mott绝缘体中自旋-电荷分离的SU（2）规范理论相关的平均场论，使其能够处理实质载流子密度的区域。我们发现，它非常准确地描述相分离的趋势。此外，由于优雅的原因，该理论坚持认为，超导状态应该有一个d+s序参数与s波分量增长在过掺杂制度。这似乎是一致的拉曼和隧道测量在铜氧化物超导体。
2007-05-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The thermal Hall conductance of two doped symmetry-breaking topological insulators
本文研究了两种破断拓扑绝缘体模型。它们是Chakravarty，Laughlin，Morr和Nyack[1]提出的d-密度波哈密顿量的变体，用来解释铜氧化物的赝能隙。掺杂后，两种模型都表现出类似于文献[1]中报道的反常热霍尔效应。[2]的文件。此外，它们还具有沿布里渊区对角线中心的空穴袋，这与参考文献中测量的霍尔系数一致。[3]。
2019-07-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Carrier Localization, Metal-Insulator Transitions and Stripe Formation in Inhomogeneous Hole-Doped Cuprates
我们提出了一个统一的方法来描述高$T_c$铜酸盐中的载流子局域化，金属-绝缘体转变（MIT）和条纹形成。在连续介质模型和绝热近似下计算了与缺陷和晶格振动相互作用的载流子的基态能量。在低掺杂水平下，具有大半径掺杂剂的基于$\rm{La}$的系统中的空穴载流子定位在掺杂剂附近，形成类氢杂质中心。
2010-08-13 cond-mat.soft cond-mat.supr-con
Strong particle-hole asymmetry of charge instabilities in doped Mott insulators
采用适用于电子掺杂铜氧化物的二维t-J模型，研究了掺杂莫特绝缘体中可能存在的电荷不稳定性.尽管d波电荷密度波（通量相）和d波Pomeranchuk不稳定性（向列序）是对应于空穴掺杂铜氧化物的负t'的主要不稳定性，但我们发现这些不稳定性受到强烈抑制，并且仅在相当接近一半时才变得相关填充。相反，调制矢量接近（pi，pi）的各种类型的键级在中等掺杂区域中占主导地位。相分离也被增强，但它可以基本上被最近邻库仑排斥抑制，而不影响上述电荷不稳定性。
2014-12-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Optical Weights and Waterfalls in Doped Charge Transfer Insulators: an LDA+DMFTStudy of LSCO
我们采用局域密度近似结合动力学平均场论来研究铜氧化物的中能性质。我们确定的相干和非相干的光谱特征，结果从掺杂的电荷转移绝缘体，即准粒子，张赖斯单线带，和上下哈伯德带。角度解决这些功能，我们确定了一个\emphasize{waterfall}一样的功能，准粒子部分和非相干部分的张赖斯带。我们研究了粒子和空穴掺杂之间的不对称性。在空穴掺杂侧，在单粒子光谱中掺杂时，光谱权重的转移非常迅速。光谱权重在空穴掺杂侧超线性增加，与实验结果一致。
2008-04-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theory for superconductivity in (Tl,K)Fe$_x$Se$_2$ as a doped Mott insulator
本文从掺杂莫特绝缘体的观点研究了最近发现的（Tl，K）Fe $_x$ Se $_2$化合物的可能超导电性。由于Fe空位的存在，Mott绝缘相在$x=1.5$的母体化合物中被检查为优选的。在Fe位的空位的部分填充引入电子载流子并导致电子掺杂的超导电性。在强耦合极限下，利用双轨道哈伯德模型，我们发现在Hund耦合小的情况下，s波配对更有利，而在Hund耦合大的情况下，d $_{x^2-y^2}$波配对更有利.
2011-05-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Antiferromagnetism and d-wave superconductivity in (doped) Mott insulators: A wave function approach
我们提出了一类波函数，提供了一个统一的描述（掺杂）莫特绝缘体的反铁磁性和d波超导。波函数具有杰斯特罗形式，并且禁止二重占据。在没有空穴的情况下，波函数精确地描述了反铁磁性。在有限掺杂条件下，形成非对角长程序有序，超导序参量具有d波对称性。我们还展示了如何节准粒子和中性自旋激发可以从这个波函数。
2005-02-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Metal-insulator transition via control of spin liquidity in a doped Mott insulator
量子自旋液体态，其中自旋是量子力学离域的方向，迄今已研究的电荷局域莫特绝缘体产生的强排斥相互作用。然而，最近发现具有三角形晶格的掺杂莫特绝缘体$κ$ -（ET）$_4$ Hg $_{2.89}$ Br $_8$既表现出类似自旋液体的磁性又表现出金属导电性。因此，现在可以通过实验探索自旋流动性如何影响电导，这是一个受到理论关注的问题。在这里，我们研究了一种新开发的方法，结合单轴和静水压力，在掺杂莫特绝缘体的导电与控制的三角形晶格几何形状和排斥强度，决定了自旋流动性和Mottness，分别。我们发现，在一个强相互作用的制度，电子状态急剧变化，从绝缘体到费米液体通过非费米液体不同的几何挫折，这表明自旋流动性促进电荷的离域。这一结果表明，自旋自由度的挫折通过掺杂的莫特绝缘体中的自旋和电荷的纠缠对电荷的输运具有决定性的影响。
2022-02-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Dynamical Breakup of the Fermi Surface in a doped Mott Insulator
本文用元胞动力学平均场论研究了二维哈伯德模型中从反常金属相到莫特绝缘体的演化。我们表明，密度驱动的莫特金属-绝缘体转变接近在一个非均匀的方式在不同区域的动量空间。这引起费米面的分裂和热区和冷区的形成，其位置取决于系统中载流子的空穴或电子性质。
2004-11-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hall effect in doped Mott insulator: DMFT-approximation
在动力学平均场论的框架下，分析了掺杂莫特绝缘体作为母体铜氧化物超导体的霍尔效应。我们考虑部分填充（空穴掺杂）的下哈伯德带和计算霍尔系数和霍尔数的依赖空穴掺杂，确定的临界浓度的霍尔系数的符号变化。注意到霍尔效应的显著温度依赖性。结果表明，在YBCO的正常状态下，霍尔数的浓度依赖性与实验结果吻合得很好。
2022-03-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Charge transport of electron doped Mott insulators on a triangular lattice
基于部分电荷自旋分离的费米子自旋理论，在t-J模型下研究了三角晶格上电子掺杂莫特绝缘体的电荷输运。电导率谱显示出低能量峰和不寻常的中红外波段，而电阻率的特征在于从高温金属样到低温绝缘样行为的交叉，与实验定性一致。我们的结果还表明，导致这种不寻常的电荷输运的机制与系统中的动能和磁能之间的竞争密切相关。
2004-06-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Self-doped Molecular Mott Insulator for Bilayer High-Temperature Superconducting La3Ni2O7
Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所）；Kavli Institute for Theoretical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学理论科学研究所）；School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学物理科学学院）
研究揭示La3Ni2O7为自掺杂分子莫特绝缘体，其自掺杂源于轨道部分占据，可能解释其高温超导性。
2025-05-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theory of Josephson Current on a Magnetically Doped Topological Insulator
磁掺杂拓扑绝缘体表面的邻近感生超导态可以具有手征Majorana模。我们考虑在该系统中的约瑟夫森结与改变的化学势，这将驱动一个拓扑相变的诱导超导态以及金属绝缘体的表面状态的转变。用McMillan格林函数方法，根据Andreev反射系数，解析地计算了局域态密度和约瑟夫森电流。我们发现，虽然约瑟夫森电流的大小大大增强时，表面状态的变化，从绝缘到金属，其温度依赖性急剧变化的拓扑相变点，反映了外观的手征马约拉纳模式
2019-06-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Spin Dynamics near the Superconductor-to-Insulator Transition in Impurity-Doped YBa2Cu4O8
利用Cu核四极共振（NQR）自旋回波技术研究了欠掺杂高Tc超导体YBa_2（Cu_（1-x）Mx）_4 O_8（M=Ni，Zn）在杂质诱导的超导体-绝缘体转变附近的低频自旋动力学.我们观察到显着的抑制正常状态的赝自旋隙和铜NQR谱强度的损失在低温附近的临界杂质浓度。
2001-07-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Novel Insulator to Metal Transition and Superconductivity in Sr-doped La2CuO4
我们研究了Sr掺杂La_2CuO_4在空穴浓度p =0.07时的电荷动力学。我们观察到一个明确的迹象之间的竞争的两个新的特征集体模式的维格纳晶格秩序建议较早：一个对应于一个Tc =15 K的超导性和其他Tc =30 K。我们的结果自然地解释了最近在极低（1%）Sr掺杂的La_2CuO_4中观察到的金属输运现象，并建立了一种新的绝缘体到金属的转变机制和二维Wigner晶格基态的超导电性。我们认为，超导凝聚体和Wigner晶格序之间的相对相位的波动可以提供一个答案，在c轴电导率，只出现低于Tc的不明模式。
2003-03-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Strain induced spin vortex and Majorana Kramer's pairs in doped topological insulators with nematic superconductivity
利用Ginzburg-Landau方法，我们证明了超导体的应变可以产生一个特定的涡旋。在掺杂的拓扑绝缘体的情况下，涡旋形成自旋涡旋。我们发现两种类型的拓扑结构不同的自旋涡旋，要么增强（I型）或抑制（II型）超导远离涡核。本文应用Bogoliubov-de Geunnes方程研究了具有自旋涡旋的超导体中的电子态。我们发现，在第一类涡旋的情况下，零能态是本地化的涡核附近。这些状态可以被识别为Majorana Kramer对。在第二类涡旋的情况下，零能态形成马约拉纳平坦带。因此，我们建立了一个非平凡的应变和马约拉纳费米子在掺杂拓扑绝缘体的超导性。
2022-04-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Spontaneous strain and magnetization in doped topological insulators with nematic and chiral superconductivity
我们证明了具有双分量超导矢量序参量的掺杂拓扑绝缘体中可以产生自发应变和自发磁化。效应的细节关键取决于超导序参量的对称性，无论它是对称的还是手性的。通过施加磁场可以实现从手性态到手性态的转变，而通过外部应变来调谐从手性态到手性酮的转变。这些转变与磁化率和机械刚度的跳跃有关。可能的实验观测的预测效果进行了讨论。
2020-12-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Enhancement of the Critical Current Density of YBa2Cu3Ox Superconductors under Hydrostatic Pressure
临界电流密度Jc对静水压力的依赖性为0.6 GPa的确定为一个单一的25度的[001]-倾斜晶界的双晶环的近最佳掺杂熔融织构YBa 2Cu 3 Ox。发现Jc在+20%/GPa的压力下迅速增加。介绍了一种新的诊断方法（压力引起的Jc松弛），它揭示了一个相当大的浓度在晶界区域的空氧位点。用氧阴离子完全填充这些位点应导致Jc的显著增强。
2005-11-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Theory of doped Mott insulators: duality between pairing and magnetism
通过对任意二维晶格上的电子t-J模型进行玻色化，并对平均场以外的从粒子的规范涨落进行积分，得到了物理库珀对和自旋凝聚的理论.在相互Berry相位的意义上，它们是对偶的。在作为掺杂的2D莫特绝缘体范例的共振价键思想\cite{rvb}中，相互对偶性是缺失的关键。我们认为，高$T_c$现象学的基本方面找到自然的解决方案的理论。我们还提供了有趣的预测系统的六角晶格。
2003-06-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Higher-Order Nodal Hinge States in Doped Superconducting Topological Insulator
掺杂强拓扑绝缘体是实现全禁带三维拓扑超导体（TSC）最有希望的候选材料之一。在这封信中，我们重新审视这个系统，并揭示了以前错过的高阶拓扑的可能性。我们发现，在一个有限的范围内的掺杂，Fu-Berg超导配对可以引起马约拉纳表面状态，和节点铰链状态。有趣的是，我们观察到的表面和铰链模式共存的超导状态下，只有当有体和表面费米面在正常状态。此外，我们发现，铰链模式可以出现的正常状态组成的强或弱掺杂的拓扑绝缘体。总之，这项工作可以允许在一个很好的探索类材料中发现超导铰链模式，即，掺杂的强或弱拓扑绝缘体。
2022-11-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Planar and Stripe Orders of Doped Mott Insulators In Dual Spin Models
我们专注于非常普遍的，非常大的U，掺杂莫特绝缘体任意跳跃和相互作用。我们提供了简单的证词，在这些系统中的磁性和超导订单之间的竞争。通过将硬核玻色子、无自旋和有自旋的费米子映射到XXZ模型上，我们的目标是做出非常简单精确的陈述。我们试图解决最佳和预期的填充分数的孔内的平面和条纹在各种孔和孔对几何形状。我们研究的作用，吸引力/排斥力之间的孔对和单孔，并提供平凡的预期数值填充分数在各种情况下。我们demnostrate，元胞状态似乎自然提供正确的条纹填充分数。
2002-09-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
