We report superconductive iridium pnictides BaxIr4X12 (X = As and P) with a filled skutterudite structure, demonstrating that Ba filling dramatically alters their electronic properties and induces a nonmetal-to-metal transition with increasing the Ba content x. The highest superconducting transition temperatures are 4.8 and 5.6 K observed for BaxIr4As12 and BaxIr4P12, respectively. The superconductivity in BaxIr4X12 can classified into the Bardeen-Cooper-Schrieffer type with intermediate coupling.
Evidence for s-wave superconductivity with antiferromagnetic fluctuations in filled skutterudite LaFe$_{4}$P$_{12}$: $^{139}$La and $^{31}$P-NMR studies
我们对填充方钴矿超导体LaFe $_{4}$ P $_{12}$进行了$^{139}$ La，$^{31}$ P-NMR研究，其临界温度为$T_c=4.1$ K。在正常状态下，反铁磁（AFM）波动的存在下，有限波矢建议从核自旋晶格弛豫率$1/T_1$和奈特位移之间的关系。在超导（SC）状态下，观察到明显的相干峰$T_c$下方，很容易被抑制的外加电场。观察到$1/T_1$的指数下降，暗示了具有$2Δ/k_{\rm B}T_c =3.8$的各向同性超导带隙。此外，我们观察到骑士位移的减少，表明$T_c$以下的单对形成。这些结果清楚地证明了LaFe $_{4}$ P $_{12}$是一种罕见的具有显著AFM涨落的s波超导体。
Evidence for Point Nodes in the Superconducting Gap Function in the Filled Skutterudite Heavy-Fermion Compound PrOs4Sb12: 123Sb-NQR Study under Pressure
A de Haas-van Alphen study of the filled skutterudite compounds PrOs$_4$As$_{12}$ and LaOs$_4$As$_{12}$
在高达40 T的磁场下，对填充方钴矿PrOs $_4$ As $_{12}$和LaOs $_4$ As $_{12}$单晶的磁化率和de Haas-van Alphen效应随磁场方向的变化进行了全面的研究。几个峰值中观察到的低场磁化率的PrOs $_4$作为$_{12}$，对应于级联的变磁性转变分离的低场反铁磁和高场顺磁金属（PMM）相。de Haas-van Alphen实验表明，PMM相的PrOs $_4$ As $_{12}$和LaOs $_4$ As $_{12}$的费米面拓扑结构非常相似.此外，它们与LaOs $_4$ As $_{12}$在PrOs $_4$ As $_{12}$晶格上的能带结构计算的预测也有合理的一致性.这两个观察结果表明，Pr 4 $f$电子的PMM阶段的巡回准粒子的数量贡献不大。然而，虽然LaOs $_4$ As $_{12}$的性质表明一个传统的超导费米液体，直接交换和电子相关的影响被检测到的PMM相的PrOs $_4$ As $_{12}$。例如，准粒子的有效质量在PrOs $_4$作为$_{12}$被发现减少与增加的领域，可能反映了逐渐抑制与接近的低温，低场反铁磁状态的磁波动。
Suppression of ferromagnetic spin fluctuations in the filled skutterudite superconductor SrOs4As12 revealed by 75As NMR-NQR measurements
受最近在填充方钴矿SrFe $_4$ As $_{12}$中铁磁自旋相关性的观察的启发[Ding等人，Phys. Rev. B 98，155149（2018）]，我们进行了$^{75}$ As核磁共振（NMR）和核四极共振（NQR）测量，以研究磁涨落在新发现的同质结构超导体SrOs $_4$ As $_{12}$中的作用，其超导转变温度为$T_{\rm c}$ $\sim$ 4.8 K。在小磁场（$\le$ 0.5 T）下由NQR谱确定的奈特位移$K$几乎与温度无关，与磁化率的温度依赖性一致。核自旋-晶格弛豫速率除以温度，1/ $T_1T$，是几乎独立的温度以上$\sim$ 50 K，并略有增加，随着温度的降低温度以下。温度依赖性合理地解释了一个简单的模型，其中一个平坦的带结构附近的费米能量的小凸缘被假定。通过与SrFe $_4$ As $_{12}$的核磁共振数据比较，发现SrOs $_4$ As $_{12}$的$|K|$和$1/T_1T$值小于SrFe $_4$ As $_{12}$，表明SrOs $_4$ As $_{12}$中没有明显的铁磁自旋相关.从超导态1/ $T_1$的温度依赖性，实现了$s$波超导。
Weak Interband-Coupling Superconductivity in the Filled Skutterudite LaPt4Ge12
利用隧道二极管振荡器（TDO）方法测量了LaPt $_{4}$ Ge $_{12}$的磁穿透深度$λ(T,B)$和超流密度$ρ_s(T)$，并利用横场μ子自旋旋转（$μ$ SR）谱研究了超导体的超导配对态.在$T\ll T_{c}$处，$λ(T)$遵循指数型温度依赖关系，但其零温度值$λ(0)$随磁场线性增加。详细的分析表明，$λ(T)$和相应的$ρ_{s}(T)$，测量的迈斯纳态的TDO方法是很好地描述了一个双间隙$γ$模型与间隙大小的$Δ_1(0)=1.31k_{B}T_c$和$Δ_2(0)=1.80k_{B}T_c$和一个非常弱的带间耦合。相比之下，$ρ_s(T)$，从$μ\rm{SR}$的数据在一个小的领域，可以通过一个单一的间隙BCS模型与接近$Δ_2(0)$的间隙。我们得出结论：LaPt $_{4}$ Ge $_{12}$是一种边缘双能隙超导体，小能隙$Δ_1$似乎被小磁场破坏。相比之下，在PrPt $_4$ Ge $_{12}$中，$4f$ -电子可以增强带间耦合，因此，产生更稳健的多带超导性。
