Band bending profile and band offset extraction at semiconductor-metal interfaces
半导体-金属界面的能带排列在现代电子学中起着至关重要的作用，但仍然难以理论预测和实验测量。对于具有强能带弯曲的界面，一个主要的困难来自于内建势，它导致光谱测量中的带谱展宽和移动。在这项工作中，我们提出了一种方法来解决的带对齐的掩埋半导体金属接口使用芯级光电子能谱和自洽电子结构模拟。作为一个证明的原则，我们应用该方法的清洁原位生长的InAs（100）/Al界面，一个系统具有强大的内置带弯曲。由于高信噪比的核心水平的光谱所提出的方法可以使用在以前无法访问的超导体-金属界面，并支持有针对性的设计的新型混合设备，并形成一个接口参数数据库的基础，指定的超导体-金属系统的合成过程。
2019-10-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Charge dynamics in the 2D/3D semiconductor heterostructure WSe$_2$/GaAs
本文利用时间分辨差分反射率研究WSe₂/GaAs异质结的载流子动力学，发现其具有II型能带排列和快速电荷转移，载流子寿命延长至3.5 ns，表明该结构在光伏和光电子器件中具有应用潜力。
2023-09-25 cond-mat.mes-hall
High-energy long-lived resonance of electrons in fractal-like semiconductor heterostructures
一个分形的量子阱排列，以适应谐振态的长寿命。对于阱深为300 meV的半导体异质结GaAs/Al $_{0.4}$ Ga $_{0.6}$ As，可以获得能量高达44 meV、寿命长达2.8 μ s的共振态.
2010-10-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech quant-ph
Interplay of structural design and interaction processes in tunnel-injection semiconductor lasers
与传统激光器设计相比，隧道注入激光器具有各种优点。在本文中，我们提出了一个理论分析的物理隧道注入过程中的量子点为基础的激光器件。我们描述的载流子动力学的状态之间的散射的耦合系统，包括注入器量子阱，隧道势垒，和量子点。我们的分析展示了当前基于量子点的激光器如何从隧道注入设计中受益。我们发现，通常假设的LO声子共振条件的水平排列只有微弱的影响注入到量子点状态的载流子的速率。另一方面，我们的研究表明，量子点和量子阱态的能量对准修改的注入效率，因为它控制的杂交强度。我们的描述隧穿包括声子介导和库仑散射的贡献，是基于材料现实的电子结构计算。
2018-10-30 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
Bidirectional photon extraction from an epitaxially grown semiconductor quantum dot sandwiched by single mode optical fibers
实验研究了基于光纤的纳米发射器的双向光子提取和两个单模光纤输出端之间的光子反聚束行为。包含InAs量子点（QD）的外延层的薄片通过与单模光纤（SMF）贴片电缆的边缘面的两侧机械地固定。来自单个量子点的发射光子通过SMF直接从两侧取出。利用超导单光子探测器（SSPD）和时间-振幅转换器（TAC）进行的二阶光子相关测量中的非经典反聚束效应证实了两个SMF输出之间的单光子发射。这种结构简单的无光机干涉的单光子发射器具有稳定性好、制作成本低的优点。
2012-10-14 cond-mat.mes-hall
Band alignment of two-dimensional lateral heterostructures
最近的实验合成的二维（2D）异质结构打开了一扇门，在定制新的2D器件的电子性能的新的机会。在这里，我们表明，广泛的横向2D异质结构可以有一个突出的优势，比传统的三维（3D）异质结构，因为他们的能带排列是不敏感的界面条件。对于半导体-金属结，它们应分别处于肖特基-莫特极限和半导体结的安德森极限。这种与3D异质结构的根本区别在于，在大距离的渐近极限中，界面偶极子的影响对于2D系统消失。然而，由于偶极场的缓慢衰减和对真空厚度的依赖性，基于第一性原理计算的研究往往不能得出这样的结论。以石墨烯/六边形BN和MoS 2/WS 2横向异质结构为各自的原型，我们表明收敛结宽度可以比3D结的宽度长一个数量级。目前的结果提供了重要的指导，高品质的传输设备，无论是涉及横向二维异质结构。
2016-12-28 cond-mat.mes-hall physics.comp-ph
Electric readout of magnetization dynamics in a ferromagnet-semiconductor system
我们在室温下的半导体沟道中的时间相关的自旋极化电流的分析，以建立三个铁磁终端，其中两个偏置和第三个连接到一个电容器的磁化配置和动力学如何影响电流和电压。在稳定状态下，电容器上的电压与沟道中的自旋累积有关。当其中一个端子的磁化旋转时，触发瞬态电流。该效应可用于电极的磁化反转动力学的电检测或用于两个磁性接触的对准的动态读出。
2006-09-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Strongly correlated two-dimensional plasma explored from entropy measurements
带电等离子体和费米液体是两种不同的电子物质状态，分别在高温和低温下存在于稀二维电子系统中。由于缺乏足够的技术，探测它们的热力学是一个挑战。在这里，我们报告的热力学方法来测量每个电子在门控结构的熵。我们的技术似乎是三个数量级的灵敏度优于交流量热法，允许熵测量只有$10^8$电子。这使我们能够研究相关的等离子体制度，以前无法在实验中的二维电子系统的半导体。在硅基结构中清洁的二维电子系统的实验中，我们跟踪熵演化从等离子体费米液体制度通过改变电子密度。我们发现，相关的等离子体制度可以映射到普通的非简并费米气体与相互作用增强的温度依赖的有效质量。我们的方法在低维电子系统的研究开辟了新的视野。
2015-11-17 cond-mat.mes-hall
Hybridization at superconductor-semiconductor interfaces
超导-半导体混合器件是目前实现马约拉纳零模的最有前途的平台之一。它们的拓扑性质是由两种材料的能带排列以及静电环境控制的，目前还没有很好的理解。在这里，我们追求填补这一空白，并解决在这样的设备中的能带弯曲和超导体-半导体杂交的作用，通过分析一个门控单铝铟砷接口使用自洽薛定谔-泊松方法。我们的数值分析表明，能带弯曲导致的界面量子阱，这将在系统中的超导体-半导体界面附近的电荷。我们研究了混合能带结构，并分析了其对不同栅电压和Al层厚度的响应。这是通过研究单个子带的杂交程度来完成的，其确定诱导的配对和有效的$g$因子。数值结果得到了近似解析表达式的支持，进一步阐明了能带结构的关键方面。我们发现，人们可以获得的状态与强大的超导体半导体杂化费米能量，但这需要一个很好的平衡参数，最重要的约束是对铝层的宽度。事实上，在该制度的利益，我们发现一个几乎周期依赖的杂交程度上的Al宽度，与一个周期大致等于铝单层的厚度。这意味着，混乱和形状的不规则性，存在于现实的设备中，可能会发挥重要的作用，平均这种敏感性，因此，可能是必要的稳定的拓扑相位。
2018-08-28 cond-mat.mes-hall
Doping dependent charge injection and band alignment in organic field-effect transistors
我们研究了金属/有机半导体电荷注入的聚（3-己基噻吩）（P3 HT）场效应晶体管与Pt和Au电极的功能，在真空中退火。在低杂质掺杂浓度下，Au/P3 HT接触电阻增加，并成为非欧姆。相比之下，Pt/P3 HT接触保持欧姆，即使在低得多的掺杂。紫外光电子能谱（UPS）显示，金属/P3 HT的能带对齐移动显着的样品被去掺杂，导致增加的空穴注入势垒，与一个更大的位移Au/P3 HT。这些结果表明，掺杂可以大大改变能带排列和金属/有机界面的电荷注入过程。
2005-12-14 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Materials design from non-equilibrium steady states: driven graphene as a tunable semiconductor with topological properties
通过使材料脱离平衡来控制材料的性质是一个令人兴奋的前景，直到最近才开始探索。在本文中，我们给出了这样的材料设计的一个引人注目的理论例子：在单层石墨烯中的可调间隙是通过激发一个特定的光学声子产生的。我们表明，该系统达到一个稳定的状态，其输运性质是相同的，如果系统有一个静态的电子间隙，可控的驱动幅度。此外，稳定状态显示拓扑现象：有手性边缘电流，它循环的分数电荷e/2每个旋转周期，频率设置的光学声子频率。
2013-04-26 cond-mat.mes-hall hep-th
Effects of large induced superconducting gap on semiconductor Majorana nanowires
随着InAs纳米线和超导Al壳之间具有强超导体-半导体隧道耦合的极高质量外延界面的最近实现，可以探索半导体中邻近诱导超导性的新制度，其中诱导间隙的值可能与体Al间隙（大间隙）相似，具有可忽略的子间隙电导（硬间隙）。我们提出了几个实验相关的后果，这个大间隙强耦合制度的隧穿实验，我们评论的前景，这个制度的拓扑超导性。特别是，我们表明，具有较强的自旋-轨道耦合和大自旋g因子的半导体纳米线的优点可能都受到损害，在这种强耦合的限制，和稍微弱的界面隧穿可能是必要的，以实现最佳的接近超导的半导体纳米线。我们推导出一个最小的，通用的强耦合硬间隙制度获得良好的定性与实验一致的理论，并指出未来的发展方向，进一步朝着马约拉纳纳米线的混合超导体超导体结构。
2015-11-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con quant-ph
Recent Progress in III-V based ferromagnetic semiconductors: Band structure, Fermi level, and tunneling transport
基于自旋的电子学或自旋电子学是一个新兴的领域，我们试图利用自旋自由度以及材料和器件中的电荷输运。虽然基于金属的自旋器件，如磁场传感器和使用巨磁阻和隧穿磁阻的磁阻随机存取存储器，已经投入实际使用，但基于磁阻的自旋电子学具有更大的扩展潜力，因为它与现有的半导体技术具有良好的兼容性。迄今为止，已经提出并探索了许多具有实用功能的基于自旋电子学的自旋电子器件。为了实现这些器件和功能，我们肯定需要同时具有半导体和铁磁体特性的合适材料。铁磁半导体（FMS）是含有磁性原子如Mn和Fe的合金半导体，是用于该目的的最有前途的一类材料，因此在过去二十年中得到了深入研究。在这里，我们回顾了最典型的III-V基FMS，p型（GaMn）As，及其异质结的研究的最新进展，重点是隧穿输运，费米能级和能带结构。此外，我们涵盖了一个新的n型FMS，（InFe）As，它显示出电子感生铁磁性的性质。这些具有锌-钒晶体结构的FMS材料显示出与良好开发的III-V异质结构和器件的优异兼容性。
2013-11-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Challenges in Band Alignment between Semiconducting Materials: A Case of Rutile and Anatase TiO$_2$
这篇专题综述集中在最近活跃的争论之间的两个多晶型的TiO $_2$，金红石和金红石的能带排列。总结了目前常用的材料能带排列测量和计算方法。通过对最近的实验和理论报道的分析，我们指出，TiO $_2$两相能带排列的显著差异是由于影响能带排列的因素，而不需要明确的答案。根据界面的存在这一重要因素，提出了耦合和本征能带排列的新分类。这种分类确实揭示了金红石/金红石界面可以定性地改变其能带排列的类型。然而，为了更好地理解材料能带的变化，需要进一步系统地了解界面和影响能带排列的其他因素。从金红石和金红石之间的能带排列的讨论中获得的结果也可以用于其他半导体之间的能带排列。
2019-04-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
On the Lorenz number of multi-band materials
有许多奇异的情况下，洛伦兹数的维德曼-弗朗茨定律是已知的偏离预期值。然而，在传统的半导体系统中，假设在非简并半导体的~ 1.49 × 10 ^{-8} W Ω K^{-2}值和简并半导体或金属的~ 2.45 × 10 ^{-8} W Ω K^{-2}值之间变化。洛伦兹数的知识在许多情况下都很重要，例如在热电材料的设计和晶格热导率的实验测定中。在这里，我们表明，即使在两个和三个带半导体的简单情况下，它是可能的，以获得一个因素的两个（或在双极系统的情况下，费米能级附近的midgap，甚至数量级）从预期的实质性偏差。除了确定单极和双极两波段系统的偏差的来源，一些有用的量化效果的大小的解析表达式推导。作为代表性的案例研究，碲化铅（PbTe）和硒化锡（SnSe），这是重要的热电材料的材料的三带模型，也开发和这些材料中可能的洛伦兹数变化的大小进行了探索。从而证明了多带效应对真实系统洛伦兹数的影响。
2017-04-03 cond-mat.mes-hall
Semiconductor-to-metal transition in bilayer MoSi$_2$N$_4$ and WSi$_2$N$_4$ with strain and electric field
层状MoSi 2N 4具有优异的电气和机械性能以及空气稳定性，最近引起了人们的极大关注。然而，通过应变和电场的能带结构工程，这是至关重要的实际应用，尚未被探索。在这项工作中，我们表明，双轴应变和外部电场的带隙工程的双层MoSi $_2$ N $_4$和WSi $_2$ N $_4$的有效途径。发现应变可以导致间接带隙到直接带隙的转变。另一方面，电场可以导致半导体到金属的转变。我们的研究为双层MoSi $_2$ N $_4$和WSi $_2$ N $_4$的能带结构工程提供了新的见解，并为其未来的纳米电子学和光电子学应用铺平了道路。
2021-01-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Unlocking the electronic, optical and transport properties of semiconductor coupled quantum dots using first principles methods
半导体耦合量子点提供了一个独特的机会，调整带隙的定制带偏置，使它们成为光伏和其他应用的理想选择。在这里，我们已经研究了稳定性，带隙，带偏移的趋势，和光学性质的一系列耦合量子点组成的II-VI族半导体使用混合功能的方法。我们已经展示了量子限制和界面应变如何在纳米尺度上显著影响这些异质结构的带隙和带偏移。我们表明，从我们的第一性原理电子结构计算得到的能带偏移的趋势与平均静电势的方法得到的一致。结果发现，一个共同的阴离子规则带偏移遵循这些异质结构在纳米尺度。此外，这些耦合的量子点的计算的光学吸收光谱显示，吸收峰位于紫外（UV）区域，而吸收边是在可见光区域。除了电子和光学性质，我们还探讨了两个代表性的耦合量子点的输运性质，无论是具有共同的阳离子或共同的阴离子，这揭示了不对称的性质，在电流-电压特性。因此，这些半导体耦合量子点可用于光伏、发光二极管和光电器件。
2022-08-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ionic Gate Spectroscopy of 2D Semiconductors
半导体中带边的相对能量的可靠和精确的测量需要确定带隙和带偏移，以及建立器件和异质结构的能带图。这些测量在二维材料领域特别重要，其中许多新的半导体系统通过大块晶体的剥离而变得可用。然而，对于二维半导体，通常采用的技术遭受的困难，无论是在这些系统的物理，或技术性质。例如，非常大的激子结合能阻止从光致发光的简单光谱分析确定带隙，并且原子级薄晶体的有限横向尺寸使得使用常规扫描隧道光谱法变得繁琐。离子门光谱学是一种新开发的技术，其利用离子门场效应晶体管以直接从输运测量（即，根据晶体管电特性）。该技术依赖于离子门控器件的极大几何电容，在合适的条件下，使栅极电压的变化与化学势的变化直接相关。在这里，我们提出了一个离子门光谱的概述，并说明其相关性与应用程序不同的二维半导体过渡金属dichalcogenides和范德华异质结构。
2021-03-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Computational Search for Two-Dimensional Photocatalysts
为了克服当前严重的能源和环境问题，光催化水分解具有很大的前景，因为它只需要太阳能作为能量输入来产生氢气。二维（2D）半导体和异质结构具有几个固有的优点，这些优点比它们的块状对应物更适合于提高太阳能。在这项工作中，通过执行高通量的第一性原理计算结合半经验范德华色散校正，我们首先提供了范德华异质结构的能带排列类型的周期表，当从我们的2D半导体数据库（2DSDB）（https：//materialsdb.cn/2dsdb/index.html）获得的260个半导体单层中的任意两个组装时。基于光催化分解水的经验法则，我们进一步筛选了数十种潜在的半导体和数千种有希望用于光催化分解水的异质结构。由此产生的数据库将提供一个有用的指导实验设计合适的二维vdWHs和光催化剂根据所需的应用。
2022-10-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
In-depth Understanding of the Band Alignment and Interface States Scenario in Bi$_2$O$_2$Se/SrTiO$_3$ Ultrathin Heterojunction
本研究利用 HRXPS 揭示 Bi$_2$O$_2$Se/SrTiO$_3$ 超薄异质结的 I 型能带偏移，并指出界面态诱导内建电场形成人字形能带构型。
2024-08-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Pure spin photocurrents in low-dimensional structures
众所周知，半导体中圆偏振光的吸收导致电子自旋的光学取向和螺旋度相关的光电流，而线偏振光的吸收伴随着电子动量的光学取向。在这里，我们表明，非偏振光的吸收导致产生的纯自旋电流，虽然两者的平均电子自旋和电流消失。我们证明了这一点，直接带间和子带间以及间接带内（德鲁德式）的半导体量子阱（QWs）的光学跃迁。
2005-02-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
On the suitability of hBN as an insulator for 2D material-based ultrascaled CMOS devices
互补金属氧化物半导体（CMOS）逻辑电路在最终的缩放极限对所涉及的所有材料的性能提出了最高要求。对半导体的要求已经得到了很好的探索，并且可以通过许多层状二维（2D）材料来满足，例如过渡金属二硫属化物或黑磷。对栅极绝缘体的要求可以说更具挑战性，难以满足。特别地，形成金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的中心元件的绝缘体与半导体的组合必须具有优异的质量，以便构建有竞争力的器件。目前，六方氮化硼（hBN）是最常见的二维绝缘体，并且被广泛认为是纳米级二维材料基晶体管中最有前途的栅极绝缘体。在这里，我们严格评估hBN的材料参数，并得出结论，虽然它的属性使hBN在二维纳米电子学中的许多应用的理想候选人，hBN是最有可能不适合作为超尺度CMOS器件的栅极绝缘体。
2020-08-10 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
A van der Waals pn heterojunction with organic/inorganic semiconductors
由二维（2D）材料形成的范德华（vanderWaals，vdW）异质结由于其优异的电学/光学性质和器件应用而引起了极大的关注。然而，目前的2D异质结主要限于原子晶体，并且很少探索混合有机/无机结构。在这里，我们制造混合二维异质结构与p型二辛基苯并噻吩并噻吩（C8-BTBT）和n型二硫化钼。我们发现，用VDW外延方法可以在单层MoS 2上生长出少层C8-BTBT分子晶体，其界面原始，厚度可控，可降至单层。C8-BTBT/MoS 2垂直异质结器件的操作是高度可调的偏置和栅极电压之间的三个不同的制度：界面复合，隧穿和阻塞。在室温下，PN结表现出类似二极管的特性，整流比高达105。我们的器件还表现出光伏响应，功率转换效率为0.31%，光响应度为22 mA/W。通过广泛的材料组合，这种混合2D结构将为光电子器件提供可能性，而这些光电子器件是不可能由单独的成分制成的。
2015-11-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Synthesis of Metal-Semiconductor Heterojunctions in Single Graphene Nanoribbons
University of California, Berkeley（加州大学伯克利分校）；Lawrence Berkeley National Laboratory（劳伦斯伯克利国家实验室）；Kavli Energy NanoSciences Institute at the University of California Berkeley and the Lawrence Berkeley National Laboratory（加州大学伯克利分校与劳伦斯伯克利国家实验室卡弗里能源纳米科学研究所）；Department of Chemistry, Columbia University（哥伦比亚大学化学系）；Department of Physics, University of Illinois Urbana-Champaign（伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校物理系）；Department of Physics, Cornell University（康奈尔大学物理系）；Department of Materials Science and Nanoengineering, Rice University（莱斯大学材料科学与纳米工程系）
通过顺序表面合成与STM诱导脱氢，在半导体石墨烯纳米带中直接写入金属片段，形成原子级精确的金属-半导体异质结，为低势垒p型接触提供新途径。
2026-10-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electronic band structure of narrow-bandgap p-n nanojunctions in heterostructured nanowires measured by electron energy loss spectroscopy
复杂纳米结构半导体的电子能带结构对材料的最终电子和光学性质具有相当大的影响，并且最终对包含它们的器件的功能性具有相当大的影响。透射电子显微镜（TEM）中的价电子能量损失谱（VEELS）提供了以高空间分辨率测量半导体这种性质的可能性。然而，这对于窄能带隙半导体来说仍然是一个挑战，因为需要低能量扩散的电子束。在这里，我们表明，通过单色VEELS，我们可以研究的电子能带结构的异质结构纳米线的形式的窄隙材料GaSb和InAs的带隙值下降到0.5 eV，特别是重要的新开发的结构与未知的带隙。使用复杂的异质结构的InAs-GaSb纳米线，我们确定的带隙值为0.54 eV的纤锌矿InAs。此外，我们直接比较的带隙的纤锌矿和锌的多型GaSb在一个单一的纳米结构，在这里测量为0.84和0.75 eV，分别。这使我们能够解决现有的争议，在这些结构之间的带对齐所产生的理论预测。研究结果表明，单色VEELS的潜力，以提供一个更好的理解在异质界面的窄带隙复杂的纳米结构材料的高空间分辨率的带对齐。这对于半导体器件应用尤其重要，在半导体器件应用中，纳米级的电子能带结构的最轻微变化都可以在其功能中发挥关键作用。
2021-03-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Monolayer MnX and Janus XMnY (X, Y= S, Se, Te): A New Family of 2D Antiferromagnetic Semiconductors
我们提出了一个新的二维反铁磁（AFM）锰硫族化合物，即单层MnX和Janus XMnY（X，Y= S，Se，Te）的结构，电子和磁性的第一性原理结果，其中单层MnSe最近在实验中合成[ \href{https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsnano.1c05532}{ACS Nano 15 (8),13794 (2021)} ]。通过声子色散和\textit{ab-initio}分子动力学模拟的计算，我们首先证实，这些系统，其特征在于由一个非常规的强耦合双层原子结构（由锰原子扣硫族元素形成顶部和底部铁磁（FM）平面与反平行自旋取向）是动态和热稳定的。磁性能的分析表明，这些材料具有强大的AFM秩序，保持了更低的能量比FM状态，即使在应变。我们的电子结构计算表明，原始的MnX和他们的Janus对应物是间接带隙半导体，覆盖了很宽的能量范围，并显示可调的带隙的应用双轴拉伸和压缩应变。有趣的是，由于不存在反转和时间反演对称性，以及在面外方向上存在不对称势，Janus XMnY成为自旋分裂带隙系统，呈现出丰富的物理尚待探索。我们的研究结果提供了新的见解，在这种物理，并强调了这些二维锰硫族化物在AFM自旋电子学的潜力。
2022-04-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electrically tunable Crossed Andreev Reflection in Bipolar Magnetic Semiconductors
School of Physics, University of Hyderabad（海德拉巴大学物理学院）
研究通过调节双极磁性半导体中两区域的化学势，实现对交叉安德鲁反射的可调控制，为自旋电子和超导器件应用提供新途径。
2026-10-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Study on Transient Spectrum Based on Charge Transfer of Semiconductor Quantum Dots
随着能源危机的日益加剧和绿色可持续发展理念的盛行，量子点材料已成为化学学术界和工业界研究的热点。由于独特的，定制的光伏特性的基础上显着的量子限制效应，它是必要的，以确定基于量子点的电荷转移过程与受激激子的寿命。此外，具有连续电子状态的无机纳米粒子通过与QD络合而有助于电子动力学与其功能之间的一致性。超快光谱技术在该系统中有着广泛的应用，其中最典型的是时间分辨瞬态吸收光谱技术，特别是在飞秒或皮秒时间尺度上。本文采用ZnSe/CdS核壳结构量子点作为施主，TiO 2薄膜作为金属氧化物分子作为受主，通过稳态和瞬态吸收技术研究了量子点的吸收特性。在此基础上，探讨了两种复合体系之间的电子转移及相关过程，并进一步研究了电子转移速率常数（kBET）与颗粒尺寸和量子点核尺寸的关系。通过本文的研究内容，希望能为具有更多可控特性的量子点敏化器件提供材料。
2021-01-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el physics.ins-det
