Polarization-Modulated Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy: Towards Circular Dichroism without Circular Photons and Bloch Wavefunction Reconstruction
角分辨光电子能谱（ARPES）是研究固体电子能带结构的最有效的技术。为了完整地描述拓扑材料的电子结构，人们需要超越能带结构映射，并访问有关动量分辨布洛赫波函数的信息，即轨道，Berry曲率和拓扑不变量。然而，由于相位信息丢失的过程中测量的光电发射强度，检索复值布洛赫波函数从光电发射数据仍然是难以捉摸的。我们介绍了一种新的测量方法和相关的观测极紫外角分辨光电子能谱，电离辐射偏振轴的连续调制的基础上。跟踪偏振轴旋转时的光电子强度调制的能量和动量分辨的振幅和相位，使我们能够检索光电子角分布（CDAD）中的圆二色性，而不使用圆形光子，提供直接的见解到相位的光电子矩阵元素。在两个相关带的情况下，有可能用中等的理论输入来重建轨道赝自旋（以及布洛赫波函数），如对于原型层状半导体过渡金属二硫属化物2 H-WSe $_2$所证明的。这种新的测量方法在ARPES，这是阐明周围的操作的光电离跃迁偶极矩阵元素，结合一个简单的紧束缚理论，是一般的，并增加了一个新的维度，以获得深入了解轨道赝自旋，贝里曲率，和布洛赫波函数的许多相关的结晶固体。
2022-01-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Circular dichroism in angle-resolved photoemission spectroscopy of topological insulators
拓扑绝缘体是一种新的物质相，具有奇异的表面电子特性。确定这类材料的自旋织构是至关重要的基本理解其拓扑秩序和未来的自旋为基础的应用。本文综述了角分辨光电子能谱中左右圆偏振光与拓扑表面态的差分耦合的实验和理论研究。这些研究表明，光的偏振态和实验几何结构对拓扑表面态发射的光电子的光电流强度和自旋偏振态都起着非常重要的作用。考虑自旋-轨道耦合的一般光电子发射矩阵元计算可以定量地解释观测结果，也适用于拓扑平凡系统。这些实验和理论研究表明，圆偏振光的光激发是一个很有前途的路线映射的自旋-轨道纹理和操纵的自旋取向的拓扑和其他自旋-轨道耦合材料。
2012-10-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Dirac cone with helical spin polarization in ultrathin $α$-Sn(001) films
在InSb（001）衬底上生长的SnSn（001）薄膜中观察到了自旋分裂的二维电子态。角分辨光电子能谱学（ARPES）对这些薄膜进行揭示Dirac-cone的线性色散周围的表面布里渊区的$\barΓ$点，这表明几乎无质量的电子属于二维表面态。这些状态分散在薄膜中的块状量子阱状态之间的带隙中。此外，圆二色性的ARPES和自旋分辨的ARPES研究表明螺旋自旋极化的Dirac锥状表面状态，这表明在散装拓扑绝缘体（TI）的拓扑保护字符。这些结果表明，准三维TI相可以实现在薄膜的零间隙半导体。
2013-11-21 cond-mat.mes-hall
Tight-binding approach to understand photoelectron intensity from graphene for circularly polarized light
我们已经研究了角度分辨光电子能谱信号上的不完美的圆偏振的影响，使用石墨烯作为一个原型系统，可以在紧束缚形式主义的理解。我们发现，完美的左，右圆偏振光给出了相同的光电子强度分布周围的石墨烯$π$带的恒定能量轮廓。另一方面，在破坏偏振的纯度时，光电子强度开始显示圆二色性，其随着缺陷的进一步增加而增强。我们的研究结果预测存在一个额外的因素，从石墨烯的光电发射信号中观察到的圆二色性，因此建议的实验条件的重要性，以了解通过光电发射光谱观察到的圆二色性。
2015-04-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
High spin polarization and circular dichroism of topological surface states on Bi2Te3
拓扑绝缘体已成功地确定了自旋分辨光电发射，但自旋极化仍然很低（~20%）。我们表明，Bi 2 Te 3的间隙表面状态是更接近全自旋极化的测量值达到80%，在费米能级。当与散装杂交时，它仍然高度自旋极化，这可以解释最近不寻常的量子干涉结果Bi 2Se 3。拓扑表面态的光电子角分布显示出较大的圆二色性，其不对称性约为20%，其符号对应于所测量的自旋。
2012-05-25 cond-mat.mes-hall
Chirality-Driven Orbital Angular Momentum and Circular Dichroism in CoSi
本研究通过软X射线角分辨光电子能谱圆二色性观测CoSi中的手性驱动轨道角动量织构，并提出icCD作为探测手性电子态的新可观测量。
2024-04-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin Polarization and Dichroism Effects by Electric Field
研究表明，在自旋轨道耦合系统中，电场可以诱导自旋极化和角分辨光电子能谱（ARPES）的二色性效应。这些效应背后的物理根源本质上与由电场引起的自旋霍尔效应相同。由于ARPES实验同时具有能量和动量分辨率，因此，即使没有净自旋流，也可以通过ARPES实验直接验证单个带的自旋霍尔效应。
2005-01-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Cation- and lattice-site-selective magnetic depth profiles of ultrathin $\mathrm{Fe_3O_4}$(001) films
详细了解薄膜的表面性质是至关重要的光谱，催化和自旋输运数据的正确解释。我们目前的X射线磁性圆二色性（XMCD）和X射线共振磁反射率（XRMR）测量的$\mathrm{Fe_3O_4}$薄膜上获得的三个共振能量对应于不同的阳离子物种$\mathrm{Fe^{2+}_{oct}}$，$\mathrm{Fe^{3+}_{tet}}$和$\mathrm{Fe^{3+}_{oct}}$位于八面体和四面体网站的反尖晶石结构的$\mathrm{Fe_3O_4}$的磁深度配置文件。通过使用多重态计算分析$\mathrm{Fe_3O_4}$的XMCD谱，可以分离每个阳离子物种的共振能量。对这三种共振能量进行XRMR产生对应于一种特定阳离子物种的磁深度分布。两种$\mathrm{Fe^{3+}}$阳离子的深度分布揭示了增强磁化的$\mathrm{3.9 \pm 1~Å}$厚表面层，这可能是由于这些离子过量而牺牲了表面区域中的$\mathrm{Fe^{2+}_{oct}}$物质。磁增强$\mathrm{Fe^{3+}_{tet}}$层还比$\mathrm{Fe^{3+}_{oct}}$层更远离表面地移动大约$\mathrm{3\pm 1.5~Å}$。
2020-05-04 cond-mat.mes-hall
Determine the chirality of Weyl fermions from the circular dichroism spectra of time-dependent ARPES
结果表明，当用左旋和右旋圆偏振光泵浦时，外尔点附近的泵浦态强度不同，从而导致含时角分辨光电子能谱（ARPES）中特殊的圆二色性（CD）。我们推导了含时ARPES的CD的表达式，它与Weyl费米子的手征性直接相关。在此基础上，我们进一步提出了一种由含时ARPES的CD确定Weyl点手征性的方法。从第一性原理出发计算了TaAs的CD谱，并与实验结果进行了比较。
2015-12-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Oscillatory surface dichroism of an insulating topological insulator Bi2Te2Se
利用圆二色角分辨光电子能谱（CD-ARPES）研究了高体绝缘拓扑绝缘体Bi_2 Te_2Se表面上极化光子与拓扑表面态之间的角动量转移效应.光电子二向色性被发现是强烈调制的螺旋光子的频率，包括一个戏剧性的符号翻转。我们的研究结果表明，观察到的二向色性及其符号翻转的后果之间的强耦合的光子场和表面上的狄拉克模式的自旋轨道性质。我们的研究揭示了拓扑表面态的固有二向色性行为，并指出了体绝缘拓扑绝缘体在器件应用中的潜在效用。
2013-07-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spectroscopy and Dynamics of a Two-Dimensional Electron Gas on top of Ultrathin Helium Films on Cu(111)
氦原子表面的像势态电子是二维电子气的一个独特的模型系统。在这里，我们调查他们的性质在极端情况下减少膜厚度：一个单层的氦物理吸附在单晶（111）取向的铜表面。为此，我们利用了一个定制的设置时间分辨双光子光电发射（2PPE）在超高真空条件下，在非常低的温度。我们表明，高度极化的金属基板的第一（n = 1）图像的潜在状态的结合能增加了两个以上的数量级相比，液氦的表面。由于氦的负电子亲和力很大，处于这种状态的电子仍然与金属表面强烈去耦，我们发现，与裸Cu（111）表面相比，即使是一个单层的氦也会将其寿命增加一个数量级。
2016-05-25 cond-mat.mes-hall
Crossover between Weak Antilocalization and Weak Localization of Bulk States in Ultrathin Bi2Se3 Films
我们报道了通过分子束外延技术生长的5 nm厚的Bi 2 Se 3拓扑绝缘体薄膜的输运研究。角分辨光电子能谱数据表明，体系的费米能级位于狄拉克点以上的体导带中，表明体态对输运结果有重要贡献.特别地，在高达50特斯拉的平行磁场测量中观察到从弱反定域到体态中的弱定域的交叉。测量的磁阻表现出有趣的各向异性相对于B//和I的取向，标志着内在的自旋轨道耦合在Bi 2Se 3膜。我们的工作直接显示了体态中量子干涉效应从弱反定域到弱定域的交叉。这为我们更好地理解现有的三维拓扑绝缘体和纳米级拓扑绝缘体器件的潜在应用迈出了重要的一步。
2014-07-08 cond-mat.mes-hall
New three-dimensional dispersion in the type-II Dirac semimetals PtTe$_2$ and PdTe$_2$ revealed through Angle Resolved Photoemission Spectroscopy
本研究利用ARPES和DFT计算揭示了II型狄拉克半金属PtTe$_2$与PdTe$_2$中的新型三维色散，通过圆二色性分析关联了其色散差异与偶极矩阵元对称性，为拓扑过渡金属二硫族化合物的电子结构表征提供了参考方法。
2024-05-16 cond-mat.mes-hall
Tunneling Tuned Spin Modulations in Ultrathin Topological Insulator Films
量子隧穿与费米表面自旋极化之间的定量关系是利用拓扑绝缘体表面态进行器件设计的关键。利用p偏振光自旋分辨光电子能谱研究了拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜的金属-绝缘体转变，发现在一定的薄膜厚度下，远离表面布里渊区中心的动量自旋极化较大.此外，极化显着降低，增强隧道系统实现在薄绝缘膜，而极化的幅度饱和到批量限制更快地在较大的波矢在较厚的金属膜。我们的理论模型计算捕捉到了量子隧穿和费米表面自旋极化之间的微妙关系。我们的研究结果表明，极化电流可以调谐到零，在薄绝缘膜形成的基础上，为未来的自旋开关纳米器件。
2013-07-21 cond-mat.mes-hall
Measuring the magnetization of three monolayer thick Co islands and films by X-ray dichroism
利用X射线磁圆二色性光电子显微镜（XMCD-PEEM）对Co岛和薄膜进行了表征。该技术的空间分辨率能力与原子生长控制一起允许获得具有给定厚度（3 ML）的完美平坦的三角形岛，非常接近突然的自旋重取向转变。的磁畴配置被发现依赖于岛的大小：而小岛可以磁化在一个单域状态，较大的岛屿显示更复杂的模式。此外，较大的岛的磁化模式呈现出共同的手性。通过在Co L吸收边的二向色光谱显微镜，获得了三个单层厚膜的自旋和轨道磁矩之比的实验估计。
2009-10-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Observation of Quantum-Tunneling Modulated Spin Texture in Ultrathin Topological Insulator Bi2Se3 Films
了解异质拓扑绝缘体薄膜中边界模的自旋织构行为对于设计和制备功能纳米器件至关重要。在这里，通过使用自旋分辨光电子能谱与p-偏振光在拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜，我们报告的隧穿依赖的拓扑绝缘体薄膜的自旋组态的演变跨越金属到绝缘体的转变。我们观察到强烈的结合能和波矢依赖的自旋极化的拓扑表面电子在超薄隙狄拉克锥极限。增强隧穿实现系统的薄绝缘膜的极化显着降低，而在较厚的金属膜在较大的波矢的极化饱和到批量限制更快的幅度。我们提出了一个理论模型，捕捉量子隧穿和费米表面自旋极化之间的这种微妙的关系。我们的高分辨率自旋为基础的光谱结果表明，极化电流可以调谐到零，在薄绝缘膜形成的基础上，为未来的自旋开关纳米器件。
2014-04-10 cond-mat.mes-hall
Layer and orbital interference effects in photoemission from transition metal dichalcogenides
在这项工作中，我们提供了一个有效的模型来评估单电子偶极矩阵元管理的光激发和光电发射过程的单层（SL）和双层（BL）过渡金属二硫族化物。通过利用$\vec{k} \cdot \vec{p}$哈密顿量，我们计算的光电发射强度，从周围的$_2$的$\bar{K}$ -谷的价带角分辨光电发射中观察到的。在SL MoS $_2$中，我们发现在第一布里渊区之外的强度的显著掩蔽，这源于从Mo $d$轨道发射的光电子之间的面内干涉效应。在BL MoS $_2$中，额外的层间干涉效应导致强度与光子能量的独特调制。最后，我们使用半导体布洛赫方程来模拟时间和角度分辨泵浦探测光电发射实验中的光激发。我们发现，导带中的光激发的人口的动量依赖性导致在SL和BL MOS $_2$可观察到的二向色性。
2019-10-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Experimental and Theoretical Electronic Structure and Symmetry Effects in Ultrathin NbSe2 Films
层状准二维过渡金属二硫属化物（TMDC），这可以很容易地在薄膜中，研究维度如何影响电子结构和物理性质提供了极好的机会。在所有的TMDC中，NbSe 2是特别感兴趣的;大块NbSe 2在低温下具有电荷密度波相，并且具有已知的最高超导转变温度，并且这些性质可以在超导膜极限下进行实质性修改。出于这些影响，我们在这里报告的几层NbSe 2薄膜，具有明确的单畴取向，外延生长在砷化镓（GaAs）的研究。角分辨光电子能谱（ARPES）被用来确定的电子能带结构和费米表面作为层厚度的函数，第一原理能带结构计算进行比较。结果表明，有趣的变化，作为膜厚度增加，从单层（ML）到几层。最显着的变化发生在ML和双层之间，其中散装NbSe 2中的反转对称性保留在双层中，但不在ML中。这些结果揭示了NbSe 2的一些基本的尺寸效应，为进一步探索和理解NbSe 2的性质提供了基础。
2018-06-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ultrafast time-evolution of chiral Néel magnetic domain walls probed by circular dichroism in x-ray resonant magnetic scattering
铁磁薄膜中的非共线自旋织构正吸引着新的兴趣，这是由于几种磁相互作用的可能的精细工程，特别是界面Dzyaloshinskiii-Moriya相互作用。这允许稳定复杂的手性自旋织构，例如手性磁畴壁（DW）、自旋螺旋和磁性skyrmion。我们在这里报告的超快行为的手性DW光泵后，在垂直磁化的非对称多层膜，探测使用时间分辨圆二色性X射线共振磁散射（CD-XRMS）。我们观察到皮秒瞬态减少的CD-XRMS，这是由于自旋电流引起的相干和非相干扭矩内的连续依赖的自旋纹理的DW。我们认为，一个特定的退磁的DW的内部结构诱导热自旋流从内部相邻的磁畴。我们确定这种随时间变化的DW纹理的激光脉冲后不久的同手性N 'eel形状的失真朝着瞬态混合布洛赫-Néel-Bloch纹理沿横向DW的方向。我们的研究强调了时间分辨CD-XRMS如何成为一种独特的工具，用于研究其他系统中的时间演化，这些系统显示出非共线的电/磁有序，如skyrmion晶格，圆锥/螺旋相，以及最近观察到的金属或绝缘材料中的反skyrmion晶格。
2021-02-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Observation of Gapped Topological Surface States and Isolated Surface Resonances in PdTe$_2$ Ultrathin Films
超导体PdTe $_2$是已知的主机体狄拉克带和拓扑表面状态。PdTe $_2$的超导性和拓扑表面态的共存使其成为探索拓扑超导性和Majorana束缚态的一个很有前途的平台。在这项工作中，我们报告的逐层分子束外延生长和光谱表征的高品质的PdTe $_2$膜的厚度下降到3个单层（ML）。在3 ML PdTe $_2$薄膜中，我们观察到自旋极化的表面共振态，由于量子尺寸效应，这些共振态与体能带隔离。此外，相对面上的表面态的杂化导致拓扑表面狄拉克带中的厚度依赖性间隙。我们的光电子能谱结果清楚地表明，随着薄膜厚度的减小，杂化带隙的大小增加。利用分子束外延技术成功地生长出高质量的PdTe $_2$薄膜，并观察到了PdTe $_2$量子薄膜的表面共振态和带隙拓扑表面态，为PdTe量子薄膜在自旋电子学和拓扑计算中的应用提供了新的思路。
2022-09-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Pd magnetism induced by indirect interlayer exchange coupling
我们发现，非常大的顺磁矩是通过间接层间交换耦合在Pd层中创建的。$L$ -边缘X射线磁性圆二色性测量显示[Pd（2.5nm）/Cu（3 nm）/Ni $_{81}$ Fe $_{19}$（5 nm）/Cu（3 nm）] $_{20}$超晶格中的Pd磁矩与所施加的场铁磁性地对准，并且显示在直接交换耦合的[Pd（2.5nm）/Ni $_{81}$ Fe $_{19}$（5 nm）] $_{20}$超晶格中产生的Pd磁矩的大小的近3%。感应力矩是两个数量级大于预期从RKKY交换作用于Pd的体顺磁磁化率。
2012-10-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Optical absorption measurement of spin Berry curvature and spin Chern marker
在Dirac模型描述的二维时间反演对称拓扑绝缘体中，${\mathbb Z}_{2}$拓扑不变量可以用自旋陈数来描述。我们提出了一个线性响应理论的自旋Berry曲率，集成到自旋陈数，并介绍其光谱功能，可以在有限的温度下测量的动量和自旋分辨圆二色性，这可能是通过泵探测类型的实验，使用自旋和时间分辨ARPES。结果，可以直接测量${\mathbb Z}_{2}$不变量的Pfweian的符号。在实空间中表示的自旋陈氏数产生自旋陈氏标记，其空间变化可以通过具有空间分辨率的圆二色性和自旋分辨光电发射来测量。进一步提出了自旋陈氏相关器和非定域自旋陈氏标记来表征拓扑相变附近的量子临界性，这些相变表现为自旋选择的Wannier态之间的重叠形式。
2022-07-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Scattering makes a difference in circular dichroic angle-resolved photoemission
Forschungszentrum Jülich GmbH（于利希研究中心）；RWTH Aachen University（亚琛工业大学）；Jagiellonian University（雅盖隆大学）；Johannes Gutenberg University Mainz（美因茨约翰内斯·古腾堡大学）
本文通过实验研究揭示圆二向角分辨光电子能谱在确定轨道角动量中的作用，分析了不同材料的电子结构及圆二向性对初始态自旋极化的研究潜力。
2024-10-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Direct observation of the electronic structure of even-layer puckered SnTe monolayer films on graphene
National Institute for Materials Science（物质材料研究机构）；Institute for Molecular Science（分子科学研究所）；Tohoku University（东北大学）
通过角分辨光电子能谱等手段直接观测石墨烯上单层SnTe的电子结构，证实其为褶皱型偶数层结构，并揭示石墨烯的主动界面作用及厚度演化趋势。
2026-09-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Sign-tunable anomalous Hall effect induced by two-dimensional symmetry-protected nodal structures in ferromagnetic perovskite oxide thin films
磁性和自旋-轨道耦合（SOC）是巡游铁磁体中新的拓扑输运现象的两个重要组成部分。当自旋极化能带支持可以被SOC提升的带简并的节点/线时，节点结构成为Berry曲率的来源;这导致大的异常霍尔效应（AHE）。与自然具有节点/线的三维系统相反，二维（2D）系统只有在存在适当的晶体对称性时才能具有稳定的节点结构。在这里，我们表明，2D自旋极化能带结构的钙钛矿氧化物通常支持的保护节点线和点，管理的符号和幅度的AHE。为了证明这一点，我们进行了角分辨光电子能谱研究SrRuO $_3$，一个代表性的金属铁磁体与SOC的SrRuO薄膜。我们表明，在膜的厚度，磁化强度和化学势的变化时，符号变化的AHE可以很好地解释理论模型。我们的研究是第一个直接表征的拓扑能带结构的二维自旋极化带和相应的AHE，这可能有助于新的开关器件的铁磁薄膜的基础上。
2021-07-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Few-layer Nanoplates of Bi2Se3 and Bi2Te3 with Highly Tunable Chemical Potential
拓扑绝缘体（TI）是一种具有绝缘体带隙和金属表面态的非传统量子相。最近的理论计算和光电子能谱测量表明，V-VI族材料Bi_2Se_3，Bi_2 Te_3和Sb_2 Te_3是表面具有单一狄拉克锥的TI。这些材料具有各向异性的层状结构，其中五个原子层共价键合形成五重层，五重层通过范德华相互作用弱相互作用形成晶体。预测这些材料的几个五重层表现出有趣的表面性质。不同于我们以前的纳米晶的研究，在这里，我们报告的合成和表征的Bi 2 Te 3和Bi 2Se 3纳米片的厚度下降到3 nm（3个五层），通过无催化剂的气-固（VS）生长机制。光学图像揭示了氧化硅（300 nm SiO2/Si）上生长的纳米片的厚度依赖的颜色和对比度。作为TI纳米材料的一个新成员，PTTI纳米片具有非常大的表面积与体积比，并且可以比块体形式更有效地进行电选通，从而潜在地增强输运测量中的表面态效应。一个单一的纳米板设备，具有高k电介质顶栅的低温传输测量，显示载流子浓度降低了几倍和大的化学势的调谐。
2010-04-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Preservation of Topological Surface States in Millimeter-Scale Transferred Membranes
本文将分子束外延生长的毫米级 Bi$_2$Se$_3$ 薄膜转移至薄达 3 个五重层，并用角分辨光电子能谱揭示拓扑表面态在转移后由顶层迁移至内层，为单层精度人工堆叠拓扑材料奠定基础。
2024-05-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Quasiparticle interference on the surface of 3D topological insulator Bi$_{2}$Se$_{3}$ induced by cobalt adatom in the absence of ferromagnetic ordering
用扫描隧道显微镜、角分辨光电子能谱和X射线磁圆二色性研究了钴原子在拓扑绝缘体Bi $_{2}$ Se $_{3}$表面引起的准粒子干涉.研究发现，Co原子被选择性地吸附在Se位的顶部，并在表面作为强散射体，产生各向异性的驻波。一个长程磁序被发现是缺席的，和表面状态狄拉克锥保持无隙。驻波的各向异性归因于未占据态的严重翘曲的等能轮廓，其中散射由于非零的面外自旋而被允许。
2011-12-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Insulator-to-Metal Transition via Magnetic Reconstruction at Oxide Interfaces
CAS Key Laboratory of Magnetic Materials and Devices, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences（中国科学院磁性材料与器件重点实验室，宁波材料技术与工程研究所）；Zhejiang Province Key Laboratory of Magnetic Materials and Application Technology, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences（浙江省磁性材料与应用技术重点实验室，宁波材料技术与工程研究所）；Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所）；Eastern Institute of Technology（东方理工学院）；International Research Centre Magtop, Institute of Physics, Polish Academy of Sciences（波兰科学院物理研究所磁顶国际研究中心）；CNR-SPIN, UOS Salerno（意大利国家研究委员会自旋中心萨莱诺联合实验室）；Photon Science Division, Paul Scherrer Institut（保罗谢尔研究所光子科学部）；Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学材料科学与光电工程技术中心）
通过氧化物界面的磁重构，研究揭示了绝缘体到金属转变的机制，为调控新兴电子特性提供了新途径。
2025-03-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
