Ferroic collinear multilayer magnon spin valve
利用绝缘体中的纯磁振子自旋电流进行信息传输和处理是传统电荷电流驱动自旋电子器件的一种很有前途的替代方案。焦耳加热的情况下，以及减少自旋波阻尼绝缘铁磁体已被建议，使有效的逻辑器件的实施。在基于自旋波叠加的逻辑多数门的概念验证成功之后，需要更多的组件来执行复杂的逻辑运算。一个关键的组成部分是一个开关，对应于一个传统的磁阻自旋阀。在这里，我们报告的磁化取向依赖的自旋信号检测共线磁性多层膜自旋输运的磁振子自旋电流。我们发现在Y3 Fe 5 O 12 |CoO| Co三层薄膜中，探测到的自旋信号依赖于Y3 Fe 5 O 12和Co的相对取向。这表明在我们的系统中存在自旋阀行为，其效应幅度为120%。我们证明了这种效应的可靠性，并通过温度和功率相关的测量来研究起源，表明自旋整流效应和磁性层取向相关的自旋输运效应导致测量信号。
2017-06-23 cond-mat.mtrl-sci
Light emitting diodes of inverse spin valves
我们建议用反自旋阀制造发光二极管。所提出的二极管依赖于反自旋阀的自旋相关的电子输运，反自旋阀是夹在两个非磁性金属之间的铁磁半金属的分层结构。在偏置下，在自旋向上和自旋向下的电子之间产生了一个巨大的自旋相关的化学电势差。因此，当处于较高化学势的电子进入较低化学势时，逆自旋阀可能发光。这种类型的发光二极管的优点包括可调谐性和对材料的要求较少。
2008-01-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Large magnetoresistance and spin-dependent output voltage in a lateral MnGa/GaAs/MnGa spin-valve device
我们研究了具有600 nm长的GaAs沟道和垂直磁化的铁磁MnGa电极的横向自旋阀器件的自旋相关输运性质。其电流-电压特性在低于50 K时表现出非线性行为，表明在低温下通过MnGa/GaAs肖特基势垒的隧道输运占主导地位。我们观察到明确的磁阻（MR）比高达12%，在4 K时，施加一个磁场垂直于膜平面。此外，获得了33 mV的大自旋相关输出电压。这些值是迄今为止报道的横向铁磁金属/半导体/铁磁金属自旋阀器件中最高的。
2019-11-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Quantum effects in atomically perfect specular spin valve structures
本文提出了一个简单的紧束缚理论模型，研究了镜面反射条件下高相干自旋阀结构中自旋相关的电流面内输运。使用量子力学相干和空间量子化的费米态在所考虑的多层系统中，部分玻尔兹曼动力学方程的系统是建立相关的子带产生的表达式的电导在平行或反平行自旋阀状态，从而为磁电导。结果表明，镜面反射有利于磁电阻达到其理论最大值，这种结构接近100%。这个结果实际上是独立的模型参数，特别是它甚至不需要多数和少数载流子的寿命是不同的（必要的准经典制度）。在所考虑的限制的主要MR效应是由于相干量子态的转换，在FM层中的磁化的相对旋转引起的。基于特定的玻尔兹曼方程与帐户的自旋相关的镜面反射在界面上的数值计算也进行了一个典型的材料参数的选择。
2007-11-27 cond-mat.mtrl-sci
Electronic and magnetic properties of $α$-FeGe$_2$ films embedded in vertical spin valve devices
我们研究了亚稳态的$α$ -FeGe $_2$，一种新型的层状四元材料，作为间隔层嵌入铁磁$_3$ Si和Co-$_2$-FeSi电极的自旋阀结构中。对于这两种类型的电极，自旋阀操作与$α$ $_2$间隔层的金属输运行为一起被证明。自旋阀信号被发现增加与温度和间隔物的厚度，这是讨论在铁磁底部和顶部电极之间的磁耦合强度降低。自旋阀结构的电阻随温度的变化表现出一些特征，这可以用55 ~ 110 K之间的铁磁相变来解释。金属输运特性和低温铁磁性与第一性原理计算的结果一致。
2020-10-27 cond-mat.mtrl-sci
Exchange coupling and magnetoresistance in CoFe/NiCu/CoFe spin-valves near the Curie point of the spacer
研究了两个强铁磁层之间通过弱铁磁Ni-Cu隔离层交换耦合的热控制及其相关的磁电阻效应。具有稍高于室温的居里点的间隔物可以通过改变外部温度或使用焦耳加热在其顺磁和铁磁状态之间循环。结果表明，巨磁电阻消失是由于在~ 30%Ni浓度以上的间隔中的平均自由程的强烈减少-在铁磁性开始之前。最后，提出并证明了一种装置，它结合了热控制的交换耦合和大磁阻分离的开关和读出元件。
2010-01-30 cond-mat.mtrl-sci
Giant Tunneling Electroresistance Effect Driven by an Electrically Controlled Spin Valve at a Complex Oxide Interface
利用铁电势垒与磁性La_（1-x）Sr_xMnO_3电极界面的磁电效应，在铁电隧道结中可以实现巨隧穿电阻效应。使用第一性原理密度泛函理论，我们证明了一些磁性单层的La 1-xSrxMnO 3的界面附近的行为，在响应铁电极化反转，作为一个原子尺度的自旋阀通过过滤自旋相关的电流。这种效应产生电导的一个数量级以上的变化，因此构成了巨大的阻变效应。
2011-04-01 cond-mat.mtrl-sci
Spin dependent transport characterization in metallic lateral spin valves using 1D and 3D modeling
本文分析了在NiFe基金属横向自旋阀中获得的自旋信号。我们利用自旋相关的扩散方程在传统的一维解析建模以及在三维有限元方法模拟。这两种方法都用于提取自旋扩散长度$l_{sf}^{N}$和有效自旋极化$P_{eff}$在Py/Al，Py/Cu和Py/Au基横向纳米结构在$300\,K$和$77\,K$。分析建模和三维有限元模拟给出了一致的结果。这两种模型的结合提供了一个强大的工具，在所有金属自旋阀的可靠的自旋输运特性，并给出了深入了解这些设备中的自旋/电荷电流和自旋积累的三维分布。我们提供了必要的成分，发展的三维有限元模型的扩散自旋输运。
2019-03-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Impact of in-plane currents on magnetoresistance properties of an exchange-biased spin-valve with insulating antiferromagnetic layer
研究了面内交变电流对CoFe/NiCoO/CoFe/Cu/CoFe自旋阀的交换偏置、电阻和磁阻的影响。随着电流的增加，电阻增加，而最大磁阻比减小。值得注意的是，钉扎层的反转在两个场扫描方向上都被系统地抑制。由于NiCoO氧化物是良好的绝缘体，预期交流电流仅在CoFe/Cu/CoFe顶层中流动，因此排除了作用于反铁磁层中自旋的任何自旋转移力矩的存在。相反，我们的测量显示了电流引起的焦耳加热的影响的明确证据。此外，从温度相关的测量结果非常相似的电流依赖性，表明焦耳加热的效果在电流平面自旋阀配置中起着重要作用。结果还表明，铁磁层之间的自旋转移力矩可能仍然存在，并在足够高的电流与交换偏置竞争。
2008-01-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Reversal mode instability and magnetoresistance in perpendicular (Co/Pd)/Cu/(Co/Ni) pseudo-spin-valves
在垂直排列的（Co/Pd）4/Co/Cu/（Co/Ni）4/Co赝自旋阀中，我们观察到了与温度相关的磁化反转模式，这与自旋输运性质有关.在300 K时，垂直相关畴发生磁化反转。低于200 K的磁滞回线变得分叉，由于横向相关的反转的个别堆栈。磁位形的改变也导致更高的自旋无序和巨磁电阻效应的显著增加。一阶反转曲线测量表明，耦合状态可以通过场循环重新建立，并允许直接确定作为温度的函数的层间耦合强度。
2013-07-02 cond-mat.mtrl-sci
Stress in Spin-Valve Nanopillars due to Spin Transfer
我们报告了自旋阀纳米柱由于自旋转移的机械效应。极化电流携带的电子自旋将力矩传递给局部磁化，导致自由层的磁开关。与经典的Einstein-de Haas效应一样，角动量守恒需要自由层抵消角动量的变化，然后发生机械旋转。自由层不是独立的，因此机械角动量将显示为应力和应变。我们研究了面内磁化纳米柱器件中自旋诱导应力的影响。计算结果表明，As器件的应力与频率和长厚比有关，在GHz处约为1 MPa。结果表明，自旋转移引起的应力远小于薄膜内应力，不会对器件造成损伤。
2012-02-20 cond-mat.mtrl-sci
Spin-transfer switching and low-field precession in exchange-biased spin valve nano-pillars
使用三维聚焦离子束光刻工艺，我们已经制作了纳米柱器件，显示自旋转移扭矩开关在零外部磁场。在一个小的面内外部偏置场下，观察到与非对称纳米柱器件中报道的类似的微分电阻与电流的场依赖性峰值。这被解释为低场激发自旋波的证据，在我们的情况下，这是由于自旋散射的不对称性增强的IrMn交换偏置层耦合到一个相对较薄的CoFe固定层。
2008-02-07 cond-mat.mtrl-sci
Resonant Spin-Dependent Tunneling in Spin-Valve Junctions in the Presence of Paramagnetic Impurities
本文研究了在势垒内存在磁性杂质的F/O/F磁性结（F是铁磁层，O是氧化物隔离层）的隧道磁电阻（TMR）。假设杂质自旋与相邻磁电极体磁化强度之间以及杂质自旋与隧穿电子自旋之间存在磁耦合，则隧穿电子与自旋S = 1的顺磁杂质形成的系统的共振能级为六重态.因此，共振隧穿依赖于隧穿电子自旋的方向。在低温和零偏置电压下，所考虑的系统的TMR可能大于相同结构的无顺磁杂质的TMR。据计算，温度的增加导致的TMR振幅的减少，由于自旋翻转过程的激发，导致自旋上下通道的混合。它还表明，在势垒内的杂质的位置的不对称性可以导致杂质辅助电流的$I(V)$特性的不对称性和负责这种效果的起源建立两种机制。第一个是由于在低电压下自旋翻转过程的激发，第二个是由于在高电压下绝缘体层内部的谐振能级的移位而产生的。
2000-04-13 cond-mat.mtrl-sci
Dynamical Mean-Field Theory for spin-dependent electron transport in spin-valve devices
本文将密度泛函理论（DFT）和动力学平均场论（DMFT）结合起来计算电子在双端纳米器件中的传输。该方法被应用到金属结呈现交替的铜和钴层，表现出自旋相关的电荷输运和巨磁电阻（GMR）效应。计算结果表明，电子关联极大地抑制了通过$3d$态的相干传输.这主要是由于电子-电子相互作用引起的有限寿命，并且与计算的多体DMFT自能的虚部直接相关。在费米能量下，根据费米液体行为，自能的虚部为零，透射的抑制完全是由于电子相关引起的能谱的移动。基于我们的研究结果，我们最后建议，在Cu/Co异质结中测量的GMR的能量约为1 eV以上的费米能量的电子是一个明确的表现动力学相关效应。
2022-07-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Quantitative and systematic analysis of bias dependence of spin accumulation voltage in a non-degenerate Si spin valve
通过系统的实验和模型计算，定量地讨论了非简并硅自旋阀中自旋积累电压与偏置电流的关系。作为半导体自旋电子学中的一个未解决的问题，本文从考虑了自旋相关的隧穿势垒界面电阻的影响的自旋漂移扩散方程的模型计算结果出发，阐明了在非简并Si自旋阀中实验测量的自旋积累电压偏差的来源。与金属自旋阀的情况不同，铁磁体/MgO/Si界面的电阻-面积积的偏压依赖性导致电导失配的再现，对诱导偏差起着核心作用。
2018-10-16 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Magneto-transport in impurity-doped few-layer graphene spin valve
利用Keldysh非平衡格林函数方法，研究了夹在两个相互磁化方向任意的磁引线之间的掺杂少层石墨烯的自旋相关输运.我们发现，平行电极磁化的微分电导具有两个共振峰，随着外加偏压的增加。这些峰可追溯到由于电极自旋极化而在杂质上积累的磁矩。当电极磁化方向夹角较大时，两个共振峰相互接近，并合并成一个峰，从而使电极磁化方向反平行。我们指出，隧道磁电阻（TMR）可能会改变相对较小的变化的极化参数的值的符号。此外，我们检查的微分电导和TMR的行为时，改变温度。
2010-10-15 cond-mat.mtrl-sci
An alternative to the spin-coupled interface resistance for describing heat generation
本文用宏观方法研究了具有有限厚度间隙壁的典型自旋阀的热产生。我们的分析表明，自旋相关的热产生不能解释为焦耳加热的自旋耦合界面电阻，除了一些特殊的部分。此外，自旋耦合界面电阻在某些情况下可以是负的，因此其“焦耳热”应理解为铁磁层中和自旋选择界面处的额外场所做的功。提出了有效电阻作为替代方案，使得自旋相关的热产生仍然可以以类似于焦耳定律的形式表示。
2017-02-17 cond-mat.mtrl-sci
Half-metallic magnetism and the search for better spin valves
我们使用先前提出的隧道磁电阻的温度依赖性的理论来阐明正在进行的努力，以优化自旋阀。首先，我们表明，在有限的温度下的自旋阀性能是有限的隧道结的相对两侧的磁化方向的不相关的热波动的机制是在最近的研究与MgO势垒的高品质隧道结的温度相关的磁阻很好的协议。利用这一见解，我们提出了一个简单的公式，它捕获的优势，自旋阀优化使用的材料具有高自旋极化的费米能级隧穿电子，并使用高铁磁转变温度的材料。我们的结论是，半金属铁磁体可以产生更好的自旋值性能比目前的元素过渡金属铁磁体/MgO系统，只有当它们的铁磁转变温度超过$\sim 950~\mathrm{K}$。
2014-07-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin-tunable thermoelectric performance in monolayer chromium pnictides
从历史上看，由于对热自旋波动的不稳定性，寻找二维（2D）磁体是一项困难的任务。金属通常也被认为是差热电（TE）材料。将二维的内禀磁性与导电性质相结合，人们可能会期望得到最差的热电材料。然而，我们将证明情况并非总是如此。在这里，我们研究自旋依赖TE性能的单层铬磷属元素化物（CrX，其中X = P，As，Sb和Bi）使用第一性原理计算的电子和声子，随着玻尔兹曼输运形式主义下的能量依赖的弛豫时间近似。所有的CrX单分子膜是动态稳定的，他们也表现出半金属铁磁有序。使用自旋阀设置与反平行自旋配置，在单层CrX的半金属性和铁磁性，使自旋自由度的操纵，以调整TE的优值（ZT）。在优化的化学势和工作温度为500 K，最大ZT值（= 0.22，0.12，和0.09）与反平行自旋阀设置CrAs，CrSb，和CrBi提高了几乎两倍的原始值（ZT = 0.12，0.08，和0.05）没有自旋阀配置。只有在CrX中自旋极化程度最低的CrP中，无自旋阀结构时的最大ZT（= 0.34）大于有自旋阀结构时的ZT（= 0.19）。我们还发现，在500 K，所有的CrX单层具有约0.02-0.08 W/m.K2，这可能是二维导体中的最佳值之一的特殊TE功率因数。
2022-06-17 cond-mat.mtrl-sci
Measurement of the Spin Absorption Anisotropy in Lateral Spin Valves
铁磁材料中的自旋吸收过程取决于相对于磁化强度的自旋取向。利用铁磁体吸收横向自旋阀中产生的纯自旋电流，我们证明并量化了Co，CoFe和NiFe中自旋吸收的相当大的取向依赖性。这些实验允许确定自旋混合电导，一个难以捉摸的，但基本参数的自旋相关的运输。我们表明，所获得的valuescannot被理解的模型只考虑拉莫尔，横向退相干和自旋扩散长度，而不是建议，自旋混合电导实际上是有限的Sharvin电导。
2020-07-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
CVD bilayer graphene spin valves with 26 $μ$m spin diffusion length at room temperature
我们提出了由CVD生长的双层石墨烯（BLG）制造的倒置自旋阀，其在室温下的器件性能与最先进的双层石墨烯自旋阀相比增加了一倍以上。这是可能的PDMS液滴辅助全干转移技术，弥补了以前的工艺缺陷，在设备制造。栅极相关的汉勒测量显示自旋寿命高达5.8 ns和自旋扩散长度高达26 $μ$ m在室温下结合的电荷载流子迁移率为$\approx$ 24 000 cm $^{2}$（Vs）$^{-1}$的最佳设备。我们的研究结果表明，CVD生长的BLG显示出与CVD-石墨烯甚至剥离的单层石墨烯同样良好的室温自旋输运性质。
2022-03-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Resistance switch in ferromagnet/spin glass/ferromagnet spin valves
在MnBi_2 Te_4单层范德华层中得到了类自旋阀铁磁/自旋玻璃（SG）/铁磁结构，其中类SG层中各个自旋态的开关表现为电阻开关行为。通过对SG层中Bi掺杂的精细控制，可以有效地调节SG的特征温度。建立了掺杂和温度依赖的相图。我们展示了远程操纵和检测的个别Mn层自旋的状态隧穿电子有利于电子-声子，自旋-声子，自旋转移力矩和自旋翻转之间的相互作用热电子，晶格和本地自旋，其中自旋阀层甚至被埋在下面的两个五层Bi 2 Te 3。将SG态集成到自旋阀中，通过在二维材料中集成不同的自由度，打开了实现原子尺度自旋电子学的机会。
2025-10-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Two-dimensional non-volatile valley spin valve
提出基于二维铁电半导体MoS2的非易失性谷自旋阀，通过铁电畴壁控制电阻，实现高达10^7的电阻变化，为高性能非易失性谷电子学开辟新途径。
2024-08-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
FeRhCrSi: A new spin semimetal with room temperature spin-valve behavior
自旋半金属是最近发现的一类新的自旋电子材料，其在一个自旋通道中表现出带隙，而在另一个自旋通道中表现出半金属特征，从而允许可调谐的自旋输运。在这里，我们提出的自旋半金属行为的实验验证FeRhCrSi，四元Heusler合金的饱和力矩2 $μ_B$和居里温度$>$ 400 K。它以L2 $_1$结构结晶，在Fe和Rh之间具有50 $\%$反位无序。在300 K以下，它表现出弱的温度依赖性的电阻率与负温度系数，表明正常的半金属或自旋半金属行为。反常的磁电阻数据揭示了占主导地位的贡献，从不对称的部分，一个明确的签名的自旋阀的性质，这是保留，即使在室温下。\textcolor{black}{The asymmetric part of magneto-resistance shows an unusual increase with increasing temperature.}霍尔测量证实了起源于本征Berry曲率的电导率的异常性质，空穴是大多数载流子。从头算模拟证实了一个独特的长程亚铁磁有序的基态，解释了背后的意外低饱和时刻的起源。亚铁磁无序结构证实了实验观察到的FeRhCrSi的自旋半金属特征。
2023-01-26 cond-mat.mtrl-sci
Current-in-plane spin-valve magnetoresistance in ferromagnetic semiconductor (Ga,Fe)Sb heterostructures with high Curie temperature
我们在（Ga，Fe）Sb / InAs（厚度$t_\mathrm{InAs}$ nm）/（Ga，Fe）Sb三层异质结构中，利用面内电流（CIP）组态，研究了自旋阀磁电阻效应，其中（Ga，Fe）Sb是具有高居里温度（$T_\mathrm{C}$）的铁磁半导体（FMS）.在$t_\mathrm{InAs}$ = 3 nm的样品中，在3.7 K下清晰地观察到具有开放小回路的MR曲线，其起源于（Ga，Fe）Sb层的平行-反平行磁化翻转和（Ga，Fe）Sb / InAs界面处的自旋相关散射。由于界面散射的增强，随着$t_\mathrm{InAs}$的减小（从9 nm到3 nm），MR比增加（从0.03%到1.6%）。这是铁掺杂FMS异质结构中自旋阀效应的首次演示，为这些高$T_\mathrm{C}$ FMS的器件应用铺平了道路。
2020-05-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin-transfer-torque resonant switching and injection locking in presence of a weak external microwave field for spin valves with perpendicular materials
采用全微磁学模拟方法系统研究了弱微波场对垂直材料自旋阀中自旋转移矩驱动磁化动力学的影响。在我们研究的系统中，根据动态稳定图中的工作点（偏置场和电流），我们观察到谐振开关和注入锁定。在切换区域中观察到的谐振切换发生在场频率接近主预切换模式的频率时，从而引起该模式在自由层的截面积中的不对称功率分布。在谐振频率下，开关时间弱地依赖于施加电流脉冲的时刻与微波场之间的相对相位。注入锁定，观察到的动力学区域，其特征在于由以下属性：（i）锁定带宽，这是线性依赖于力锁定，和（ii）的自振荡频率的整数谐波锁定。我们比较了我们的数值计算结果与非自治非线性系统的分析理论，在当前区域的振荡频率和输出功率的特点是从一个线性关系获得了很好的协议。
2010-08-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin-valve nature and giant coercivity of a ferrimagnetic spin semimetal Mn$_2$IrGa
本文通过实验与第一性原理计算，证明Mn$_2$IrGa是一种具有巨矫顽力和自旋阀特性的亚铁磁自旋半金属候选材料，并揭示了其磁输运与反常霍尔效应的物理机制。
2023-06-01 cond-mat.mtrl-sci
Time-Resolved Spin Torque Switching and Enhanced Damping in Py/Cu/Py Spin-Valve Nanopillars
我们报告了在温度T = 4.2 K到160 K的Py/Cu/Py椭圆纳米柱中电流诱导的自由磁性层反转的时间分辨测量。比较数据的Landau-Lifshitz-Gilbert宏观自旋模拟的自由层开关产生的自旋力矩和吉尔伯特阻尼参数的数值作为T的函数。阻尼是强烈的T依赖性，我们归因于反铁磁钉扎行为的薄坡莫合金氧化物层周围的自由层的周长。这种外来的反铁磁钉扎层可以对自旋扭矩现象产生重大影响。
2005-11-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetotransport through graphene spin valves
我们提出了一个理论研究自旋相关的输运通过自旋阀由石墨烯夹在两个磁性的铅与任意取向的铅磁化之间。不施加栅极电压。利用Keldysh的非平衡格林函数方法，我们表明，在没有外部磁场，电流-电压曲线是非线性的。在零偏置附近，微分电导与偏置电压的关系具有较强的下降。隧道磁电阻（TMR）中的零偏异常强烈地受到引线自旋极化的影响。根据偏置电压的值，TMR表现出从绝缘型到金属型的行为。在静态外部磁场的存在下，微分电导和TMR作为偏置电压和磁场的强度的函数显示由于朗道能级交叉的周期性振荡。我们还考察了温度和极化度对微分电导和TMR的影响。
2009-01-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin-current vortices in current-perpendicular-to-plane nanoconstricted spin-valves
采用有限元方法，在具有强非均匀电流的复杂非共线几何条件下，数值求解了考虑自旋翻转和自旋转移力矩的电荷和自旋扩散方程.作为示例，研究了通过分离两个磁性层的非磁性纳米收缩的自旋相关输运。获得了出乎意料的结果，例如在纳米收缩附近的自旋电流的涡旋。结构的几何形状强烈影响磁阻和自旋转移力矩的角度变化。
2011-07-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Thermal Spin-Transfer Torques in Magnetoelectronic Devices
我们预测，铁磁体的磁化方向可以被自旋转移力矩逆转伴随自旋极化热电热流。我们说明的概念，通过应用有限元理论的热电输运无序磁电子电路和设备的金属自旋阀。当热化不完全时，在正常金属间隔物中发现自旋热累积矢量，即，多数和少数自旋的温度方向不平衡。
2007-07-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Temperature dependent asymmetry of the nonlocal spin-injection resistance: evidence for spin non-conserving interface scattering
我们报道了介观Co-Al_2 O_3-Cu自旋阀的非局域自旋注入和探测实验。我们已经观察到的磁注入器和检测器的平行和反平行配置之间的非局部电阻的温度依赖的不对称性。这强烈支持存在的非平衡电阻，这取决于检测器的磁化和非平衡磁化的相对取向在正常的金属提供证据，增加界面自旋散射与温度。
2005-04-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
The spin-switch scanning tunneling microscopy: an architecture to probe electron-phonon interactions in the atomic scale
提出自旋开关扫描隧道显微镜架构，利用FM/SG/FM结构中的电阻开关行为，通过隧道电子诱导自旋转移力矩或自旋-声子相互作用，实现对任意材料原子尺度电子-声子相互作用的成像。
2025-10-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Particle-in-cell simulation of ultrafast hot-carrier transport in Fe/Au-heterostructures
我们描述了自旋极化热电子输运的理论方法，因为它发生后，由铁磁和正常金属形成的异质结构的超快光脉冲激发。我们制定了一个自旋相关的粒子在细胞模型，解决了玻尔兹曼方程的激发电子。它包括寿命和传输系数作为参数，可以从从头计算或实验，并可以很容易地扩展到多层系统。这种方法能够描述电子输运在弹道，超扩散和扩散制度，包括二次载流子的产生。我们将该模型应用于Fe/Au双层膜和Fe/Au/Fe自旋阀结构中的光激发载流子。我们获得微观洞察热电子输运动力学探测在最近的实验自旋阀。我们发现贡献的Fe/Au/Fe三层中诱导的退磁动力学，无论平行或反平行的Fe层的磁性排列。
2018-09-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
