Electronic excitations of potassium intercalated manganese phthalocyanine investigated by electron energy-loss spectroscopy
利用透射电子能量损失谱研究了钾掺杂对酞菁锰薄膜电子激发的影响。我们的数据揭示了掺杂引起的激发光谱的变化，它们提供了三个掺杂相的存在的证据：K $_1$ MnPc，K $_2$ MnPc，和K $_4$ MnPc。此外，电子的加入首先导致具有强Mn 3d特征的轨道的填充，这种情况也影响分子的磁矩。
2011-04-28 cond-mat.mtrl-sci
Phonons in potassium doped graphene: the effects of electron-phonon interactions, dimensionality and ad-atom ordering
石墨烯声子测量作为电子掺杂的函数，通过添加钾吸附原子。在低掺杂状态下，面内碳G峰随着掺杂的增加而变硬和变窄，类似于经由场效应掺杂的石墨烯中所见的趋势。在高掺杂下，超出场效应可达到的那些，G峰强烈软化和加宽。这被解释为声子自能的动态非绝热重整化。在轻掺杂和重掺杂制度之间的掺杂，我们发现一个强大的不均匀相，其中钾覆盖被隔离成高密度和低密度的区域。1-4层石墨烯的声子能量、线宽和可调谐性非常相似，但与掺杂的块状石墨显著不同。
2011-11-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Large positive magnetoresistance in photocarrier doping potassium tantalites in the extreme quantum limit
我们报告的高场磁输运研究KTaO 3单晶。这种材料是在极端量子极限（EQL）研究的一个有前途的候选者。通过光载流子掺杂与360 nm的光，我们已经观察到一个显着的积极的，非饱和的，和线性的磁阻在低温下伴随着消失的霍尔系数。当冷却到10 K时，在12 T的磁场作用下，KTaO 3（100）的磁电阻值增加了433%.这种行为可以归因于所有电子只占据EQL中最低的朗道能级。在这种状态下，产生量子磁阻。这一结果为基于复杂材料的下一代磁性器件提供了新的见解，并增加了具有正磁阻的新材料家族。
2021-10-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Superconductivity in Ba1-xKxTi2Sb2O (0 < x < 1) controlled by charge doping
采用固相反应法合成了锑氧化物Ba_（1-x）K_xTi_2Sb_2 O（0 < x < 1）固溶体，并用X射线粉末衍射法对其进行了表征（CeCr_2Si_2C型结构; P4/mmm，Z = 1）。晶体结构由沿c轴与钡原子层堆叠的Ti 2Sb 2 O层组成。BaTi 2Sb 2 O是一种已知的超导体，其临界温度（Tc）为1.2 K。通过钾取代钡使Tc在12%钾时提高到6.1 K，而在高于20%的浓度下没有超导电性出现。电输运和磁化率的异常表明电荷密度波（CDW）不稳定性。当钾取代量为10%时，CDW转变温度（Ta）从母体化合物的50 K降低到28 K.在较高浓度下没有检测到CDW转变，并且没有发现低于Ta的晶格对称性降低的证据。晶格参数线性变化，而晶胞体积随着钾浓度的增加而增加。Ba_（1-x）K_xTi_2Sb_2 O的相图Tc（x）和Ta（x）与已知系列的Ba_（1-x）Na_xTi_2Sb_2 O（0 < x < 0.33）非常相似，尽管存在反向体积效应。由此我们得出结论，电荷而不是体积决定了这些超导锑氧化物的相图。
2013-08-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Can Cu(II) ions be doped into the crystal structure of potassium hydrogen tartrate?
酒石酸氢钾配体（HC_4H_4O_6）的不同结合偏好--即对钾离子的μ_7-八齿模式和对铜离子的双齿模式--排除了任何Cu（II）离子掺杂（掺入）到酒石酸氢钾晶体结构中。因此，Mathivanan和Haris在Indian J Pure App Phys 51（2013）851-859中提出的生长铜掺杂酒石酸氢钾即K0.96Cu0.04C4H5O6的主张是站不住脚的。
2015-06-06 cond-mat.mtrl-sci
Band structure and charge doping effects of potassium-adsorbed FeSe/SrTiO3 system
采用密度泛函理论和展开技术相结合的方法，研究了在SrTiO 3（001）表面生长的多层FeSe薄膜中K的电子能带结构和电荷掺杂效应.这些结果为进一步研究FeSe薄膜的低温电子性质及其多路量子工程提供了理论基础。我们解释了实验中观察到的费米表面拓扑结构，并将掺杂电子的量作为原子K覆盖率的函数。我们表明，原子K沉积有效地掺杂电子的顶层FeSe。棋盘和对棋盘反铁磁（AFM）FeSe层显示电子口袋在M点和没有费米口袋在$Γ$点与适度的原子K覆盖。电子从K吸附质向FeSe薄膜的转移引入了一个强电场，导致棋盘式AFM FeSe布里渊区M点处出现双Weyl锥结构。我们证明了在实验上可实现的重电子掺杂下，在$Γ$点会出现类电子费米口袋，这将在调节FeSe薄膜的高温超导性中表现出来.
2015-12-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tuning Conductivity and Spin Dynamics in Few-Layer Graphene via In Situ Potassium Exposure
化学改性，如新型材料的插层或掺杂，对于探索材料科学和在物理和化学的各个领域的应用具有重要意义。在目前的工作中，我们报告了系统的化学剥离的少层石墨烯与钾的嵌入，同时使用微波电导率监测样品电阻。我们发现，样品的电导率增加约一个数量级后，钾暴露。由ESR强度推断的载流子数的增加也反映了这种增加。掺杂相在ESR中表现出两条不对称的Dysonian线，这是移动载流子存在的通常迹象。较宽组分的宽度随着掺杂步骤而增加，然而，窄组分似乎具有恒定的线宽。
2020-07-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Hybridized electronic states in potassium-doped picene probed by soft x-ray spectroscopies
用X射线吸收光谱和发射光谱的元素选择性和体敏光子探测方法，研究了钾掺杂和未掺杂的三甲苯晶体薄膜的空态和占据态的电子结构。我们观察到掺杂诱导的未占和占电子态的形成在K掺杂的picene。通过内壳层共振激发实验，我们观察到K与picene在费米能级附近的轨道杂化。此外，共振X射线发射实验表明，在K掺杂的picene的拉曼活性的电子振动相互作用的存在。这些实验证据在掺钾的picene的超导电性中起着至关重要的作用。
2012-10-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con physics.chem-ph
Microscopic mechanism of tunable band gap in potassium doped few-layer black phosphorus
二维材料的带隙调谐是当代材料科学的基础和实践方面的一个重要课题。最近，实验观察到由磷烯的堆叠层组成的黑磷（BP）通过在表面上沉积钾（K）原子而显示出宽可调的带隙，从而在电子和光电子器件的设计和优化中允许极大的灵活性。在这里，基于密度泛函理论的计算，我们证明了捐赠的电子从K掺杂剂主要是本地化在最顶层的BP层和这样的表面充电有效地屏蔽K离子电位。研究发现，随着K掺杂的增加，极端的表面充电及其对K原子的屏蔽使导带的能量降低，即，由于它们在表面附近具有更多的电荷，因此它们的结合能向更高的方向移动，而对在更深的层中具有更多电荷的价带的影响很小。与先前提出的巨斯塔克效应相比，该结果为观察到的可调带隙提供了不同的解释，其中从正离子化的K覆盖层到带负电的BP层的垂直电场使导带最小值$Γ_{\rm 1c}$（价带最小值$Γ_{\rm 8v}$）向下（向上）移动。本预测的$Γ_{\rm 1c}$和$Γ_{\rm 8v}$作为K掺杂的函数再现了宽可调的带隙，各向异性狄拉克半金属态，带反转半金属态，如角分辨光电子能谱实验所观察到的。我们的研究结果揭示了一种通过碱金属表面掺杂实现二维材料可调带隙工程的新途径。
2017-08-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Correlated electron-hole mechanism for molecular doping in organic semiconductors
结合考虑环境屏蔽效应的多体\emph{ab initio}方法和一个仔细参数化的模型哈密顿量，研究了低掺杂极限下典型F4 TCNQ掺杂并五苯的电子和光学性质.我们表明，虽然受体水平位于非常深的间隙，电子-空穴相互作用的列入强烈稳定掺杂剂半导体电荷转移状态，并与自旋统计和结构弛豫效应，合理化的可能性室温掺杂剂电离。我们的研究结果调和了现有的实验数据，阐明了文献中讨论的部分与完全电荷转移的情况，并质疑无机半导体普遍存在的浅或深杂质水平的标准分类的相关性。
2017-06-29 cond-mat.mtrl-sci
Iron pnictides: Single crystal growth and effect of doping on structural, transport and magnetic properties
我们证明了大的，独立的铁磷属元素化物单晶的制备与尺寸高达20 × 10 × 1毫米3，在氩气气氛下使用氧化锆坩埚中的溶剂。研究了钾掺杂对化合物结构和超导性能的影响。在BaFe_2As_2单晶中，由于Sn溶剂的生长，自熔性的自旋密度波（SDW）异常从Ts ~138 K移动到Ts ~85 K。我们表现出直接的证据，纳入锡的Fe网站。电阻率数据表明，Ba_（0.68）K_（0.32）Fe_（2As）_2单晶具有一个陡峭的超导转变温度Tc~38.5 K。磁化率数据证实了近100%的屏蔽分数和超导体的整体性质的单晶。Sr_（0.85）K_（0.15）Fe_（2As）_2单晶在Tc~25 K发生了一个急剧的相变。有直接的证据表明，在低掺杂制度的Sr 1-xKxFe 2As 2单晶的SDW和超导性的共存。掺杂效应以及两个序参量共存的结构影响进行了讨论。
2009-04-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Metallic behavior induced by potassium doping of the trigonal antiferromagnetic insulator EuMn2As2
本文报道了具有CaAl_2Si_2型三角结构的EuMn_2As_2、Eu_（0.96）K_（0.04）Mn_2As_2和Eu_（0.93）K_（0.07）Mn_2As_2单晶的磁化率χ、等温磁化强度M、热容C_p和电阻率ρ随温度T和磁场H的变化。EuMn_2As_2具有绝缘的基态，激活能为52 meV，由C_p（T）和χ（T）数据可知，在T_N1 = 15 K时，Eu ~（2+）自旋S=7/2，在T_N2 = 5.0 K时，可能发生自旋重取向转变. Mn+2 3d 5 spins-5/2在T_N = 142 K时表现出AFM有序性。M（H）等温线和χ（T）数据表明Eu原子力显微镜结构既不共线又不共面。Mn自旋的AFM结构也不清楚。在Eu_（0.96）K_（0.04）Mn_2As_2中，K对Eu的取代量为4%时，就足以产生金属基态。在金属晶体中Eu磁矩的AFM结构与未掺杂的EuMn 2As 2相对于T和H的AFM结构中发现了差异的证据。对于金属Eu_（0.96）K_（0.04）Mn_2As_2和Eu_（0.93）K_（0.07）Mn_2As_2，发现了与Mn磁性有关的反常的S形T关系，从200 K开始冷却后，ρ呈现出强烈的负曲率，在Mn T_N ~ 150 K达到最大正斜率，然后继续下降，但在T_N以下下降缓慢。这表明，在Mn T_N以上，Mn自旋的动态短程原子力显微镜序强烈地抑制了…
2016-08-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Structural and Optical Studies on Manganese doped, Modified Sodium Potassium Lithium Niobate Lead-free Piezoelectric Ceramics
用X射线衍射、Rietveld分析、紫外-可见光谱和Kubelka-Munk函数研究了（Na_（0.5）K_（0.5））y Li_（1-y）NbO_3（y = 0.934 & 0.936）陶瓷的结构和光学性质。Rietveld分析表明，这两种结构都是四面体，空间群为P4 mm。发现Li掺杂的增加增加了光学带隙。额外的硬化掺杂剂MnO 2的存在下，发现有一个统一的行为，这两个组合物。随着MnO 2浓度的增加，带隙减小，表明B位阳离子和O-p轨道增加。Mn离子的不同价态以及Mn离子和Nb离子的离子半径的相对差异最可能是这些光学性质的原因。
2013-10-26 cond-mat.mtrl-sci
Ab initio electronic and geometrical structures of tripotassium-intercalated phenanthrene
采用第一性原理密度泛函理论研究了三钾掺杂菲（\ce{K3C14H10}）的几何结构和电子结构.钾掺杂的主要作用是在窄的菲导带中注入电荷，使系统具有金属性。实验X射线单胞的费米面由两个分别具有显著一维和二维特征的薄片组成。
2011-11-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Electronic structure and correlations in pristine and potassium doped Cu-Phthalocyanine molecular crystals
我们研究了酞菁铜（CuPc）晶体的电子结构的变化，这是由于插入钾。这是通过这些分子晶体的电子结构的{ \it ab initio} LSDA和LSDA+U计算完成的。原始的CuPc被发现是一个绝缘体与本地磁矩和Pc衍生的价带的宽度为0.32 eV。在插层化合物$\rm K_2CuPc$中，由钾引入的额外电子完全转移到Pc环的$e_g$态。一个分子的低自旋状态的结果，但保留，局部磁矩的铜离子。的$e_g$水平的简并分裂的晶体场，猝灭的轨道简并，并引起110 meV的带分裂。分子电子库仑相互作用增强这种分裂在$\rm K_2CuPc$的电荷间隙为1.4 eV。导带的带宽为0.56 eV，这对于分子固体来说是惊人的大。这与实验观察一致，即具有额外的钾掺杂的系统$\rm K_{2.75}{CuPc}$是金属，因为异常大的带宽与大量的载流子浓度相结合，对局域化和极化子形成起作用，同时强烈地促进载流子的离域。
2006-09-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Doping of C$_{60}$-induced electronic states in BN nanopeapods
我们报告的\textit{ab initio}模拟的结果的电子性质的链的C $_{60}$分子封装在氮化硼纳米管-所谓的BN纳米豆荚。结果表明，这种结构可以通过在BN纳米管外壁上沉积钾原子来有效地掺杂。所得材料成为真正的金属一维晶体，其中传导状态仅由富勒烯链形成。在每个C $_{60}$分子一个K原子的掺杂率下，该系统在费米能级处显示出比目前制造的任何富勒烯晶体都高得多的态密度。这使得掺杂BN-peapod结构成为研究可能的超导态的有趣候选者。
2009-11-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Remarkable enhancement in crystalline perfection, Second Harmonic Generation Efficiency, Optical Transparency and laser damage threshold in KDP crystals by L-threonine doping
研究了L-苏氨酸（LT）掺杂对慢蒸发溶液法（SEST）生长的磷酸二氢钾（KDP）晶体的结晶完整性、二次谐波（SHG）效率、光学透过率和激光损伤阈值（LDT）的影响。研究了掺杂对晶体生长速率和形貌的影响。粉末X-射线衍射数据证实了KDP的晶体结构，并显示了由于不同的LT浓度与形态相关的衍射峰强度的系统变化。没有观察到额外的相形成，这通过傅里叶变换（FT）拉曼研究进一步证实。高分辨率的X射线衍射曲线表明，在低浓度下，晶体的完整性得到了很大程度的改善，在1摩尔%的掺杂最大的完善。在较高浓度（5至10摩尔%）下，由于在晶体基质的间隙位点处过量掺入掺杂剂，其略微降低。随着掺杂浓度的增加，LDT显著增加，而SHG效率在1 mol%时最大，与晶体相关。与纯KDP相比，掺杂晶体的光学透明度已增加，在1摩尔%掺杂时具有最大值。
2014-03-19 cond-mat.mtrl-sci
Influence of doping on non-equilibrium carrier dynamics in graphene
University of Regensburg（雷根斯堡大学）；Technical University Chemnitz（开姆尼茨工业大学）；Istituto Italiano di Tecnologia（意大利理工学院）
本文通过钾掺杂调控石墨烯的掺杂水平，利用trARPES研究其超快载流子动力学，发现掺杂增加会降低电子温度和冷却速率，为优化石墨烯光电器件提供新见解。
2025-04-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Doping-controlled transition from excitonic insulator to semimetal in Ta$_2$NiSe$_5$
激子绝缘体（EI）是一种有趣的物质绝缘相，其中电子和空穴成键成对，所谓的激子，并通过玻色-爱因斯坦凝聚（BEC）形成相位相干态。激子凝聚的理论概念早在几十年前就已提出，但由于激子凝聚在天然物质中的存在很少，以及缺乏对激子凝聚的调控方法，因此对其后续的研究非常有限。在本文中，我们报告的实现掺杂控制的EI到半金属过渡的Ta $_2$ NiSe $_5$使用$in$ - $situ$钾沉积。结合角分辨光电子能谱（ARPES），我们描绘了电子结构的演变，通过EI过渡前所未有的精度。结果表明，Ta $ _2 $ NiSe $ _5 $（TNS）是一种源于半金属非相互作用能带结构的电子轰击，同时也分辨出了两个连续的跃迁，分别归因于相位退相干和对破缺.我们的研究结果揭示了TNS的Bardeen-Cooper-Schrieffer（BCS）-BEC交叉行为，并表明其能带结构和激子结合能可以通过碱金属沉积精确调节。这为BCS-BEC交叉现象的研究提供了一条新的途径，它可以为凝聚态物质和其他多体系统的多体物理提供新的见解。
2020-10-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Correlation between molecular orbitals and doping dependence of the electrical conductivity in electron-doped Metal-Phthalocyanine compounds
我们对六种不同的电子掺杂金属酞菁（MPc）化合物（ZnPc，CuPc，NiPc，CoPc，FePc和MnPc）的电子性质进行了比较研究，其中电子密度是通过钾的嵌入来控制的。尽管这些系统的复杂性，我们发现，潜在的分子轨道的性质产生可观察到的影响，在掺杂的材料的电导率的依赖。对于所有的MPc的，其中所添加的电子预计将占据以配体（ZnPc，CuPc，和NiPc）为中心的轨道，掺杂的电导率的依赖性具有基本相同的形状。这种形状与MPc材料中观察到的不同，在MPc材料中，电子也被添加到以金属原子为中心的轨道（CoPc，FePc和MnPc）。所观察到的MPc化合物的宏观电子性质和组成分子的分子轨道的性质之间的关系，清楚地表明了丰富的碱金属掺杂的金属酞菁作为一类模型化合物的调查的分子系统的电子性质。
2006-02-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Electronic Structure of Epitaxial Single-Layer MoS$_2$
用角分辨光电子能谱研究了Au（111）衬底上单层MoS $_2$的电子结构。原始和钾掺杂层进行了研究，以获得进入导带。发现钾掺杂层在$\bar{K}$处具有（1.39 $\pm$ 0.05）~eV的直接带隙，其中在$\barΓ$处的价带顶具有比在$\bar{K}$处显著更高的结合能。外延系统的莫尔超结构不会导致可观察到的复制带或微型间隙的存在。自旋-轨道相互作用提高了$\bar{K}$的上价带简并度，导致（145 $\pm$ 4）~meV的分裂.这种分裂是各向异性的，并与最近的计算非常一致。最后，它表明，钾掺杂的强度是$k$依赖性的，从而导致在单层过渡金属二硫属化物的能带结构工程的可能性。
2014-10-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic structure of solid coronene: differences and commonalities to picene
我们已经获得了固体晕苯的第一原理电子结构，最近发现它具有钾掺杂的超导电性。由于晕苯和第一个芳香族超导体-二苯并吡喃，现在提供了一类芳香族化合物固体的超导体，在这里，我们比较了这两种情况下的电子结构。在未掺杂的晕苯晶体中，其中分子被布置在一个单位晶胞中具有两个分子的人字形结构中，绝缘间隙上方的导带被发现包括四个带，其基本上起源于孤立分子中最低的两个未被占据的分子轨道（双简并，反映了分子形状的高度对称性），但是这些带如在固体的picene中那样被纠缠。费米表面的候选人的结构K $_x$ coronene与$x=3$，其中超导性被发现，包括多个片，在掺杂的picene，但表现出较大的各向异性与不同的拓扑结构。
2011-06-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Geometrical and electronic structures of tripotassium-doped hydrocarbon superconductors: Density functional calculations
由于多环芳烃（PAHs）在钾离子掺杂下表现出超导电性，本文系统地研究了它们的晶体结构和电子性质，如固体菲、1，2; 8，9-二苯并五苯、7-并苯等。对于三钾掺杂的菲和芘，我们证明了K原子的位置来拟合实验晶格参数，并分析了最稳定构型与拟合的实验构型之间的区别。基于第一性原理计算，我们首次预测了1，2; 8，9-二苯并五苯和7-并苯的晶体构型.对于这四种多环芳烃，掺杂后的电子结构进行了详细的研究。结果表明，费米能级附近的电子特性对结构具有很高的敏感性。1，2; 8，9-二苯并五苯由于苯环排列的改变，其能带结构与其它三种多环芳烃明显不同。在这些金属多环芳烃中，有两个带穿过费米能级，这导致了费米面复杂的多带特征。有趣的是，我们发现钾的电子态对费米面有贡献，特别是对K-3 $d$电子，这改进了理解这种超导性的方法。结果表明，由于K原子与PAH分子的杂化以及PAH分子的重排和畸变，刚性带图像是无效的。
2015-12-09 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Intercalation induced quasi-freestanding layer in TiSe$_2$
本研究利用角分辨光电子能谱和密度泛函理论发现，钾插层可使TiSe2形成准独立层并完全抑制表面周期性晶格畸变，从而实现对其维度和电子性质的控制。
2025-11-05 cond-mat.mtrl-sci
Ternary iron selenide K$_{0.8}$Fe$_{1.6}$Se$_2$ is an antiferromagnetic semiconductor
采用第一性原理电子结构计算方法研究了K $_{0.8+x}$ Fe $_{1.6}$ Se $_2$的电子结构和磁性.铁空位有序的KPDMATHABMP Fe $_{1.6}$ Se $_2$的基态被发现是一个准二维块棋盘式反铁磁（AFM）半导体的能隙为594 meV和一个大的有序磁矩为3.37 $μ_B$为每个Fe原子，在良好的协议与中子散射测量。潜在的机制是化学键驱动的四聚体晶格畸变。K $_{0.8+x}$ Fe $_{1.6}$ Se $_2$ with finite $x$是一种掺杂的AFM半导体，具有低导电载流子浓度，其与过量的钾含量近似成比例，定性地与红外观察一致。我们的研究揭示了这些材料中反铁磁性和超导性之间相互作用的重要性。这表明$_{0.8}$ Fe $_{1.6}$ Se $_2$而不是KFe $_2$ Se $_2$应被视为母体化合物，在电子或空穴掺杂时从其出现超导性。
2011-03-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Visualizing Orbital Content of Electronic Bands in Anisotropic 2D Semiconducting ReSe$_{2}$
层状材料的许多性质随着它们从其块体形式减薄到单层而改变，其中实例包括2H半导体过渡金属二硫属化物中的间接到直接带隙转变以及后过渡金属单硫属化物和黑磷中的价带结构的厚度依赖性变化。在这里，我们使用角分辨光电子能谱研究单层ReSe $_{2}$的电子能带结构，一个扭曲的1T结构和面内各向异性的半导体。通过改变入射光子的偏振，我们表明，ReSe $_{2}$，在对比的2H材料，面外过渡金属$d_{z^{2}}$和硫属元素$p_{z}$轨道不显着贡献的顶部的价带，这解释了报告的弱变化，在这种化合物的电子结构作为层数的函数。我们估计的带隙为1.7 eV的原始ReSe $_{2}$使用扫描隧道光谱和探索的间隙后，表面掺杂钾的影响。估计在完全掺杂的情况下的间隙的下限为1.4 eV，这表明掺杂依赖的多体效应显着影响ReSe $_{2}$的电子性质。我们的研究结果，支持密度泛函理论计算，提供深入了解背后的偏振相关的光学性质的机制，并突出它们之间的二维晶体。
2020-05-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
