High-throughput screening of Heusler alloys for thermoelectrics combining machine-learned densities of states and first-principles transport
Sardar Vallabhbhai National Institute of Technology, Surat（印度苏拉特萨达尔·瓦拉巴伊国立理工学院）；Indian Institute of Technology Madras（印度马德拉斯理工学院）
本研究结合机器学习态密度与第一性原理输运，对DXMag数据库中10万余种Heusler合金进行高通量筛选，确认80种候选热电材料，验证了DOS衍生指标的筛选有效性。
2026-10-15 cond-mat.mtrl-sci
Magnetic instabilities in doped Fe$_2YZ$ full-Heusler thermoelectric compounds
热电是一种很有前途的能源收集途径，但大规模应用仍然受到缺乏高效低成本材料的阻碍。最近，理论上预测Fe $_2YZ$ Heusler化合物是具有大热电功率因子的有趣候选者。在这里，我们表明，在与热电应用兼容的掺杂条件下，这些材料容易出现意想不到的磁不稳定性，不利于其热电性能。我们合理化的物理在这种不稳定性的起源，提供避免它的指导方针，并讨论其对热电功率因数的影响。这样做，我们也指出了刚性带近似通常用于高通量的理论搜索新的热电的缺点。
2019-11-20 cond-mat.mtrl-sci
Predicted Janus monolayer ZrSSe with enhanced n-type thermoelectric properties compared with monolayer $\mathrm{ZrS_2}$
类似于在光电、压电和热电方面有广泛应用的过渡金属二硫属化物（TMD）单分子膜，通过用S原子取代$\mathrm{MoSe_2}$中的Se原子层，成功地合成了Janus MoSSe单分子膜。在这项工作中，Janus单层ZrSSe提出了从头计算。对于电子部分，采用广义梯度近似（GGA）加自旋轨道耦合（SOC）作为交换关联势，而对于晶格部分，采用GGA。计算结果表明，ZrSSe单分子膜是动态和机械稳定的，这表现出机械灵活性，由于小的杨氏模量。发现ZrSSe单层膜是一种间接带隙半导体，带隙为0.60 eV。用半经典Boltzmann输运理论研究了ZrSSe单分子膜的电子和声子输运。在n型掺杂中，由于导带的相似轮廓，ZrSSe和$\mathrm{ZrS_2}$单层之间的$ZT_e$几乎相同。ZrSSe单层的p型$ZT_e$低于$\mathrm{ZrS_2}$单层，这是由于ZrSSe的自旋轨道分裂比$\mathrm{ZrS_2}$单层大。ZrSSe单层的室温薄层热导率为33.6 $\mathrm{W K^{-1}}$，低于$\mathrm{ZrS_2}$单层的47.8 $\mathrm{W K^{-1}}$。与$\mathrm{ZrS_2}$单层膜相比，ZrSSe单层膜的低热导率主要是由于ZA模的群速度小和声子寿命短。综合考虑它们的$ZT_e$和晶格热导率，ZrSSe单层可能比$\mathrm…
2017-12-25 cond-mat.mtrl-sci
Theoretical study of thermoelectric properties of $\textrm{CeIr}_\textrm{4} \textrm{P}_\textrm{12}$ filled skutterudite for energy conversion
该研究首次通过密度泛函理论和玻尔兹曼模拟预测了CeIr4P12方钴矿的结构、弹性、热力学及热电性质，证实其机械、动力学和能量稳定性，并揭示其作为热电材料的潜力。
2025-03-29 cond-mat.mtrl-sci
Thermoelectric Performance of 2D Tellurium with Accumulation Contacts
碲（Te）是一种本征p型掺杂的窄带隙半导体，具有优异的导电性和低导热性。理论预测和实验证明，块体三角Te是一种具有高热电优值ZT的优秀热电材料。鉴于近年来二维碲薄膜的制备方法和纳米结构热电器件的发展趋势，本文首次报道了碲纳米薄膜优异的热电性能，其室温功率因数为31.7 μWcm-1 K-2，ZT值为0.63。为了进一步提高在纳米膜器件中收集热电功率的效率，利用激光作为加热源进行热电电流映射，并且我们发现高功函数金属（例如钯）可以形成与2D Te的稀有积累型金属-半导体接触，这允许更有效地收集热电产生的载流子。高性能热电2D Te器件在微系统中作为能量收集器件或纳米级Peltier冷却器具有广泛的应用。
2018-12-26 cond-mat.mtrl-sci
First-principles Modelling of SrTiO3 based Oxides for Thermoelectric Applications
采用第一性原理电子结构计算方法，研究了SrTiO_3基氧化物材料及其纳米结构的电子和热电性质，确定了具有高度各向异性电子能带的纳米结构。我们最近发现，高度各向异性的平坦色散带可以最大化热电功率因子，同时它们可以在体半导体中产生低维电子输运。虽然大多数考虑的纳米结构显示出这样的高度各向异性带，其预测的热电性能并没有改善的SrTiO 3。除了高度的各向异性特性，我们强调的重要性，参与运输的电子态的大重量和小的有效质量的载流子沿运输方向。这些要求在二元过渡金属氧化物中可能比在ABO 3钙钛矿氧化物材料中更好地实现。
2016-05-24 cond-mat.mtrl-sci
Outstanding figure of merit at high temperature for DFT-based predicted double perovskite oxides, Ba2GaXO6 (X = V, Nb, Ta)
Chittagong University of Engineering and Technology (CUET)（吉大港工程技术大学）
本研究基于DFT计算预测了三种新型双钙钛矿氧化物Ba2GaXO6 (X = V, Nb, Ta)，发现其在1500 K高温下因超低晶格热导率而具有2.36、1.78和1.91的优异热电优值，在废热管理方面潜力巨大。
2025-11-03 cond-mat.mtrl-sci
Tuning the carrier concentration to improve the thermoelectric performance of CuInTe2 compound
采用密度泛函方法结合玻尔兹曼理论研究了CuInTe2黄铜矿的电子和输运性质。杂化泛函理论预测的禁带宽度为0.92 eV，与实验数据吻合较好，并导致其Seebeck系数比窄禁带热电材料的Seebeck系数大.通过微调载流子浓度，可以显著优化系统的电导率和功率因数。再加上固有的低热导率，CuInTe2化合物的ZT值可以提高到高达1.72，在850 K，这是明显大于实验测量的，这表明仍有空间，以改善黄铜矿化合物的热电性能。
2015-08-25 cond-mat.mtrl-sci
Iron Intercalated Covalent-Organic Frameworks: First Crystalline Porous Thermoelectric Materials
共价有机骨架（COFs）是设计功能分子材料的有趣平台。在这里，我们提出了一个计算研究的基础上范德华色散校正的混合密度泛函理论计算分析的材料性能的环硼氧烷连接和三嗪连接插层COFs。研究了Fe原子对插层COFs费米能级附近电子能带结构的影响。通过态密度（DOS）计算分析了这类插层COFs的材料特性。我们预测，COFs的电子性质可以通过在其结构中的两个有机层之间添加Fe原子来微调。这种新型COFs有望成为热电材料。这些插层COF提供了一种新的策略，以高度可控和可预测的方式在刚性多孔网络内创建热电材料。
2017-03-07 cond-mat.mtrl-sci
Screening Promising Thermoelectric Materials in Binary Chalcogenides through High-Throughput Computations
高通量计算方法是筛选高性能功能材料的有效工具。在本工作中，使用单带模型下的变形势方法，我们评估的载流子弛豫时间，并建立一个电描述符（\c{hi}）的载流子有效质量的基础上简单的刚性带近似。该描述子（\c{hi}）可以用来合理地表示最大功率因数，而不需要求解电子玻尔兹曼输运方程。此外，Grüneisen参数（γ），晶格非谐性和晶格热导率的描述符，有效地使用弹性性质进行评估，省略了昂贵的声子计算。应用两个描述子（\c{hi}和γ）对二元硫族化合物进行了HT计算，计算了243种半导体材料，筛选出50种有希望的热电材料。对于这些理论上确定的化合物，我们成功地预测了一些以前的实验和理论研究有前途的热电材料。此外，9个p型和14个n型以前未报道的二元硫族化合物也被预测为有前途的热电材料。我们的工作不仅为未来的研究提供了具有完美晶体结构的热电候选材料，而且为HT筛选高性能热电材料提供了可靠的描述符。
2019-12-23 cond-mat.mtrl-sci
Optimizing thermoelectric properties of filled MPt$_4$Ge$_{12-x}$Sb$_x$ skutterudites by band engineering
利用密度泛函理论（DFT）计算了Sb掺杂方钴矿$_4$ Sb $_x$（M=Ba，La，Th）的热电性质.据预测，原来非常小的绝对值的塞贝克系数$|S|$的未掺杂的化合物增加了10倍或更多的合适的掺杂。最佳掺杂对应于一个“魔术”价电子数，所有的电子状态（伪）间隙被填充。对LaPt $_4$ Ge $_{12-x}$ Sb $_x$方钴矿的$S$测量结果证实了理论结果。DFT计算得到的LaPt $_4$ Ge $_{12}$的振动振颤模式表明晶格热导率很小，而$S^2$很大，这使得La基方钴矿成为一种很有前途的热电材料。
2012-07-05 cond-mat.mtrl-sci
Discarded gems: Thermoelectric performance of materials with band gap emerging at the hybrid-functional level
有限电子带隙是使用密度泛函理论（DFT）进行材料高通量筛选的标准滤波器。然而，由于在标准DFT近似中系统地低估了带隙，许多化合物可能被错误地预测为金属。在更准确的处理中，这样的材料可以替代地表现为低带隙材料，并且如果合适的掺杂是可行的，则可以例如具有良好的热电性质。为了探索这种可能性，我们进行了混合功能计算的1093立方材料中列出的MaterialsProjects数据库中的四个原子的原始晶胞，自旋中性基态，和形成能量在0.3 eV的凸包。在这些材料中，我们确定了八种化合物，其中出现了有限的带隙。评估这些化合物的电子和热传输性能，我们发现的组合物MgSc2汞和Li2 CaSi表现出有前途的热电性能。这些发现强调了重新评估化合物的带隙和能带结构以识别其他潜在热电材料的潜力。
2021-07-19 cond-mat.mtrl-sci
Crystal Structure and Thermoelectric Transport Properties of As-Doped Layered Pnictogen Oxyselenides NdO0.8F0.2Sb1-xAsxSe2
报道了As掺杂的层状磷族硒氧化合物NdO0.8F0.2Sb1-xAsxSe 2（x < 0.7）的合成和热电输运性质，基于第一性原理计算预测其具有高性能的热电性质.这些化合物的晶体结构在室温下属于四氢呋喃P4/nmm空间群（No.129）。晶格参数c随着x的增加而减小，而a在样品中几乎保持不变。尽管As等价取代Sb，电阻率随x的增加而显著增加。在300和673 K之间的温度下观察到小于0.8 W/mK的非常低的热导率为所有检查的样品。对于As掺杂的样品，热导率在600 K以上进一步降低。温度相关的同步辐射X射线衍射表明，也发生在c轴长度在600 K左右，这可能与热输运性质的异常。
2020-05-11 cond-mat.mtrl-sci
Effect of Bi Substitution on Thermoelectric Properties of SbSe2-based Layered Compounds NdO$_{0.8}$F$_{0.2}$Sb$_{1-x}$Bi$_x$Se$_2$
虽然SbSe 2基层状化合物被预测为高性能热电材料和拓扑材料，但迄今为止，实验获得的这些化合物大多是绝缘体。本文研究了Bi取代对SbSe_2基层状化合物Nd_（0.8）F_（0.2）Sb_（1-x）Bi_xSe_2（x = 0-0.4）热电性能的影响。当x = 0.4时，室温电阻率降低到8.0 * 10^-5 ohmm。在660 K时计算出的电功率因数为1.4 * 10^-4 W/mK^2，这与Jonker和Ioffe的综合分析结果相当吻合。室温晶格热导率小于1 W/mK几乎与x无关，与传统合金的点缺陷散射模型相反。目前的工作提供了一个途径，探索SbSe 2基绝缘和BiSe 2基导电系统。
2019-01-28 cond-mat.mtrl-sci
High Thermoelectric Performance and Defect Energetics of Multi-pocketed Full-Heusler Compounds
采用第一性原理密度泛函方法研究了全Heusler化合物Sr $_{2}$ BiAu和Sr $_{2}$ SbAu的电子-声子相互作用和热电输运性质.我们的研究结果表明，在很宽的温度范围内的非本征体热电性能是物理上可能的，并指出存在的多重简并和高度分散的载流子口袋作为实现它的关键因素。Sr $_{2}$ BiAu，它具有10个能量对准的低有效质量口袋（6个沿$Γ-X$和4个在$L$），预计提供$n$型$zT=0.4-4.9$在$T=100-700$ ~K。与先前研究的Ba $_{2}$ BiAu化合物的比较表明，在Sr $_{2}$ BiAu中的额外的$L$ -口袋显著地增加了其低温功率因数，在$T=300$ ~K附近达到最大值$12$ ~mW~m $^{-1}$ ~K $^{-2}$。然而，在高温下，Sr $_{2}$ BiAu的功率因数下降到Ba $_{2}$ BiAu的功率因数以下，因为$L$态较重并且受到声子变形的强散射，而不是受偏振光散射限制的较轻的$Γ-X$态。预测Sr $_{2}$ SbAu在$T=750$ ~K下递送较低的$n$型$zT=3.4$，这是由于$L$和$Γ-X$载体袋之间的明显未对准、通常较重的散射和略高的晶格热导率。负责低晶格热导率的软声模式也增加了Heusler化合物的振动熵和高温稳定性，这表明它们的实验合成可能是可行的。占主导地位的本征缺陷被发现是A…
2020-08-02 cond-mat.mtrl-sci
Thermoelectric properties of topological insulator $\mathrm{BaSn_2}$
最近，第一性原理计算预测$\mathrm{BaSn_2}$是一种强拓扑绝缘体。众所周知，拓扑绝缘体与热电材料，如$\mathrm{Bi_2Te_3}$族有着密切的联系。本文采用第一性原理结合玻尔兹曼输运理论研究了$\mathrm{BaSn_2}$的热电性质。电子部分通过修改的Becke和Johnson（mBJ）交换势进行，包括自旋轨道耦合（SOC），而声子部分使用广义梯度近似（GGA）进行。结果表明，电子输运系数在面内和跨面方向上表现出较强的各向异性，而晶格热导率几乎表现出各向同性。计算结果表明，$\mathrm{BaSn_2}$具有很低的晶格热导率，室温下平均晶格热导率为1.69 $\mathrm{W m^{-1} K^{-1}}$，与传统的铅硫族化合物和铋碲系热电材料相当或更低。由于散射机制的复杂性，散射时间$τ$的计算具有挑战性。通过使用经验$τ$ = $10^{-14}$ s，在宽温度范围内n型品质因数$ZT$大于0.40。在实验上，有可能获得更好的热电性能，或通过应变或调整尺寸参数来增强热电性能。这一工作表明$\mathrm{BaSn_2}$可能是一种潜在的热电材料，这可以激发进一步的理论和实验工作。
2016-08-20 cond-mat.mtrl-sci
Rubbing and Drawing: Generic Ways to Improve the Thermoelectric Power Factor of Organic Semiconductors?
高度取向的聚合物膜可以在热电性能中显示出相当大的各向异性，导致功率因子超出由广泛遵守的将热电$S$和电导率$σ$连接为$S\proptoσ^{-1/4}$的幂律预测的那些。尽管同时增强$σ$和$S$所需的条件尚不清楚，但这导致了关于电导率的令人鼓舞的实际结果。在这里，动力学蒙特卡罗模拟被用来研究无序有机半导体的热电性能的结构各向异性的影响。我们发现，拉伸是一个合适的策略，以提高沿应变方向的导电性，而对功率因数的影响取决于形态的聚合物结晶。通常，结晶聚合物显示出$σ$和$S$的同时增加，而非晶聚合物的情况并非如此。此外，我们表明，从模拟的基础上可变范围跳变的趋势是在良好的协议与实验，并可以描述不同的功能依赖关系的$S$与$σ$行为的不同方向。
2021-03-05 cond-mat.mtrl-sci
Electronic transport descriptors for the rapid screening of thermoelectric materials
用于热电能转换的新型材料的发现有可能通过数据驱动的筛选与高通量计算相结合来加速。提高成功选择候选材料的效率的一种方法是通过使用传输描述符对其进行评估。使用数据驱动的筛选，我们在三角ABX2家族中选择了12个潜在的候选者，然后从第一原理进行电荷传输性质模拟。结果表明，在这些材料中的载流子散射过程中占主导地位的电离杂质和极性光学声子，通常假设的声学声子为主的散射相反。结合基于三声子散射的热导率计算，我们预测p型AgBiS2和TlBiTe2作为潜在的高性能热电材料在中温范围内用于低品位废热收集，预测zT在500 K时大于1。使用这些数据，我们进一步推导出基态载流子迁移率和热电功率因子的传输描述符。除了低载流子质量之外，高介电常数被发现是实现高载流子迁移率的重要因素。建立了介电常数与传输性能之间的二次相关性，并与文献进一步验证。展望未来，介电常数可以作为一个独立的调谐旋钮，用于改善热电性能。
2021-01-09 cond-mat.mtrl-sci
Enhancing high-temperature thermoelectric properties of PtAs2 by Rh doping
通过电阻率ρ、Seebeck系数S和热导率kappa的测量，研究了Rh掺杂对Pt_（1-x）Rh_xAs_2（x = 0，0.005和0.01）热电性能的影响. x = 0.005的样品表现出大的S和低的ρ，导致在440 K时的最大功率因数（S^2/ρ）为65 μ W/cmK^2。预测的PtSb 2的特殊形状的“波纹状平带”可以解释掺杂PtAs 2的增强的热电性能。
2013-09-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
First-principles study of LaOPbBiS$_3$ and its analogous compounds as thermoelectric materials
LaOBiPbS $_3$是一种磷族-二硫族层状化合物，由于其导热系数低、组成元素可控性好，近年来被用作热电材料进行了实验研究。然而，LaOBiPbS $_3$的热电性能目前还不是很高，其类似化合物的热电性能仍是未知的。在这项研究中，我们从电子结构的角度理论上研究了LaOBiPbS $_3$中组成元素的24种可能变体的热电性质。我们发现，一些化合物可以有更好的热电性能比LaOBiPbS $_3$，特别是，LaOSbPbSe $_3$预计有一个功率因数五倍大的LaOBiPbS $_3$。在这里，氮族元素原子（As，Sb和Bi），其中低能量导带主要组成的选择，与计算的功率因数和无量纲的品质因数，$ZT$。这种相关性来自这样的事实，即电子结构的低维性，其增强了带边附近的态密度，强烈地依赖于氮族元素原子，例如，自旋轨道耦合的强度。此外，磷属元素-二硫属元素层中的波函数与岩盐层中的波函数的杂化在间隙打开中起关键作用，因此对于实现高热电性能是重要的。在LaOSbPbSe $_3$中，这种杂化还推高了导带底部，这增强了带边附近的态密度，从而提高了功率因数。
2019-06-27 cond-mat.mtrl-sci
Data analytics accelerates the experimental discovery of new thermoelectric materials with extremely high figure of merit
热电（TE）材料是目前极少数可持续但可行的能源解决方案之一。能量收集的巨大前景取决于识别/设计具有比目前可用的材料更高效率的材料。然而，由于材料的化学空间广阔，到目前为止，只有一小部分被实验和/或计算扫描。在主动学习框架中采用基于压缩传感的符号回归，我们不仅确定了材料成分的趋势，以获得优异的TE性能，而且还预测和实验合成了几种性能极高的新型TE材料。其中，我们发现Ag $_{0.55}$ Cu $_{0.45}$ GaTe $_2$在827 K下具有高达约2.8的实验优值，这是该领域的突破。所提出的方法证明了材料科学中物理信息描述符的重要性和巨大潜力，特别是对于通常在良好控制条件下从实验中获得的相对较小的数据集。
2021-04-16 cond-mat.mtrl-sci
Ensemble averages of ab initio optical, transport, and thermoelectric properties of hexagonal Si$_x$Ge$_{1-x}$ alloys
基于密度泛函理论计算、玻尔兹曼输运方程和广义准化学近似，我们对纯的和掺杂的六方Si $_x$ Ge $_{1-x}$合金的光学、输运和热电性质进行了全面的第一性原理研究，以获得合金平均的电子性质。在低温下，相分解成六方基本晶体是有利的，但周围和以上的室温随机合金预计是稳定的。虽然六方Si具有间接带隙，但六方Ge的带隙是直接的，在吸收边处具有非常弱的光学跃迁。当Si含量低于45%时，合金带隙保持直接，最低光学跃迁的振子强度通过合金化有效地增强。光学光谱显示出清晰的趋势，吸收边和突出的峰都可以与组合物进行调谐。在立方和六方合金中，输运系数对载流子浓度和温度的依赖性是相似的。然而，后者显示各向异性响应由于减少六边形对称性。特别是，运输质量表现出显着的方向依赖性。$n$掺杂合金的塞贝克系数和热电功率因数随Si含量的变化不随温度而单调变化。
2022-05-25 cond-mat.mtrl-sci
Thermoelectric properties of cement composite analogues from first principles calculations
建筑物每年造成全球能源浪费的相当大一部分，因此产生了过量的碳排放。虽然热量在寒冷的月份和气候中直接损失，导致热负荷增加，但在炎热的气候中需要冷却和通风。提高建筑物能源效率的一个途径是将热电设备和材料集成到建筑物的结构中，以利用内部和外部之间的温度梯度来做有用的工作。水泥基材料在现代建筑中无处不在，并提供了一个有趣的功能化机会。本文采用密度泛函理论和玻尔兹曼输运方法，系统地研究了水化硅酸钙（C-S-H）凝胶类似物雪硅钙石热电材料的电子输运系数。塞贝克系数的计算值在指示良好热电材料的典型量值（200 - 600 $μV/K$）内。雪硅钙石模型被预测为本质上是$p$型热电材料，因为存在大量的Si-O四面体网站。雪硅钙石模型的计算电子$ZT$的最佳值分别为0.983（400 $\mathrm{K}$和$10^{17}$ $\mathrm{cm^{-3}}$）（雪硅钙石9）、0.985（400 $\mathrm{K}$和$10^{17}$ $\mathrm{cm^{-3}}$）（雪硅钙石11）和1.20（225 $\mathrm{K}$和$10^{19}$ $\mathrm{cm^{-3}}$）（雪硅钙石14）。
2022-11-30 cond-mat.mtrl-sci
Theoretical investigation of electronic, optical and thermoelectric properties of tellurium doped barium titanate (BTO) through modified Becke Johnson exchange potential
采用基于密度泛函理论和玻尔兹曼输运理论的第一性原理计算方法，在WIEN 2K和BoltzTraP模拟程序中对Te掺杂BaTiO 3的稳定性、电子结构、光学和热电性质进行了研究。本研究采用LDA + TB-mBJ电位进行。计算了每种掺杂结构的形成能，以考察合成的稳定性和可行性。将Te掺杂到BaTiO 3中有效地降低了电子带隙，并且可以通过改变掺杂剂的量来控制带隙降低的水平。因此，提高了对可见光的吸收能力。我们的研究结果表明，所有的掺杂结构是显着的吸收性和生产性的光学吸收，超过105 cm-1的可见光范围内。此外，BaTiO 3在零频率下的介电常数比Te掺杂的BTO小：8.3%，而光学能隙通过增加Te浓度从3.692 eV减小到1.619 eV。然后，光学电导率和Urbach的参数进行了预测。的传输特性进行评估作为温度的函数。研究发现，随着材料的Seebeck系数和品质因数的增加，材料的电导率显著提高。我们的理论结果可用于热电和可见光光电器件的应用。
2022-02-15 cond-mat.mtrl-sci
Potential 2D thermoelectric materials ATeI (A=Sb and Bi) monolayers from a first-principles study
大量的二维材料在理论上得到了预测，并在实验中得到了进一步的证实，在纳米电子、光电和热电器件中有着广泛的应用。本文基于半经典玻尔兹曼输运理论，系统地研究了ATeI（A=Sb和Bi）单层膜的热电性质。研究发现，自旋轨道耦合（SOC）对p型掺杂的电子输运系数有重要影响，而对n型掺杂的电子输运系数影响不大。SbTeI的室温薄片热导率为14.2 $\mathrm{W K^{-1}}$，BiTeI的室温薄片热导率为12.6 $\mathrm{W K^{-1}}$，其低于最公知的2D材料之一，例如过渡金属二硫属化物、IV-VI族、VA族和IV族单层。通过对群速度和声子寿命的分析，发现ATeI（A=Sb和Bi）单层的薄层热导很低主要是由于群速度小。结果表明，高频光路对总热导率的贡献很大，这与通常的光路贡献很小的情况有明显的不同。根据声子平均自由程（MFP）的累积晶格热导率，很难通过纳米结构进一步降低晶格热导率。最后，计算了ATe I（A=Sb和Bi）单分子膜的热电优值$ZT$。结果表明，p型掺杂比n型掺杂具有更好的热电性能，室温下，SbTeI的峰值$ZT$可达1.11，BiTeI的峰值可达0.87。这些结果使我们相信，ATeI（A=Sb和Bi）单分子膜可能是潜在的二维热电材料，并可以刺激进一步的实验工作，以合成这些单分子膜。
2017-03-19 cond-mat.mtrl-sci
Looking for new thermoelectric materials among the TMX intermetallics using high-throughput calculations
在4种不同的晶体结构，2280三元金属间化合物的配置已通过高通量的密度泛函理论计算，以发现新的半导体材料进行了研究。筛选限于具有等摩尔组成TMX的金属间化合物，其中T是来自Ti、V、Cr列的过渡金属，Sr、Ba、Y和La，M是来自过渡金属的第一行的元素，X是sp元素（Al、P、Si、Sn和Sb），即24种可能元素的列表。由于计算是组合进行的，因此考虑了所有可能的三元组合物，即使是文献中没有报道的。所有这些TMX配置中的4个最报告的结构类型进行了研究：TiNiSi，MgAgAs，BeZrSi和ZrNiAl。与一个很好的协议之间的计算和文献报道的稳定相，我们确定了472个可能的稳定化合物，其中21个被预测为非金属。在这21种化合物中，有4种可以被认为是新的半导体。
2018-07-20 cond-mat.mtrl-sci
First-principles investigations of the electronic, magnetic and thermoelectric properties of VTiRhZ (Z= Al, Ga, In) Quaternary Heusler Alloys
采用密度泛函理论对VTiRhZ（Z = Al，Ga，In）合金的结构、动力学、力学、电学、磁学和热电性能进行了研究.这些合金的最稳定的结构被认为是I型配置。利用GGA-PBE泛函，预测VTiRhGa和VTiRhIn合金为半金属铁磁体，自旋极化率为100%，总磁矩为3μB，具有良好的自旋电子学应用前景.利用Boltzmann输运理论，在恒定弛豫时间和Slack方程下，分别计算了VTiRhZ合金的热电性能和晶格热导率。VTiRhAl，VTiRhGa和VTiRhIn合金的优值（ZT）值分别为0.96，0.88和0.64，这是有前途的未来热电应用。
2021-11-12 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Critical mode and band-gap-controlled bipolar thermoelectric properties of SnSe
电子结构的可靠计算和电学性质的理解依赖于晶体结构的精确模型。在这里，我们重新研究了高zT热电材料硒化锡，SnSe，在4和1000 K之间，使用高分辨率中子粉末衍射的晶体结构。对称性分析揭示了四种活跃的结构畸变模式的存在，其中一种被发现在800 K时在超过+/-200 K的相对较宽的范围内在Pnma-Cmcm的破缺转变附近是活跃的。密度泛函理论计算的基础上的实验结构参数表明，不寻常的，阶跃式的温度依赖性的电输运性质的SnSe是由本征双极导电性的开始，放大和转移到较低的温度之间的带隙的快速减少700和800 K。计算出的带隙是高度敏感的小出平面的Sn位移中观察到的衍射实验。预测具有充分控制的受主浓度的SnSe沿不同的晶体方向同时产生大的正和大的负Seebeck效应。
2018-08-03 cond-mat.mtrl-sci
Thermal and Thermoelectric Transport in Nanostructures and Low-Dimensional Systems
近年来，对纳米结构和低维体系中热输运和热电输运现象的研究取得了重大进展。本文综述了几个有趣的量子和经典尺寸效应的热和热电性能，已预测的理论计算或在实验中观察到。注意力集中在声子边界散射的卡西米尔极限和声子限制的影响，半导体纳米线（NW）和纳米网的晶格热导率;厚度，横向尺寸和界面相互作用对碳纳米管（CNT）和石墨烯的晶格热导率的影响;和声子拖曳热功率和量子尺寸对半导体纳米线的热电功率因子的影响。进一步的实验和理论研究，建议更好地了解这些纳米级的传输现象。
2014-08-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Thermoelectric and lattice dynamics properties of layered MX (M = Sn, Pb; X = S, Te) compounds
铅和锡硫族化合物由于具有良好的热电性能而得到了广泛的研究。进一步提高其TE效率已被报道后，减少的尺寸，这是一个重要的特点，在现代设备的制造。利用密度泛函理论结合半经典Boltzmann输运理论，研究了二维MX（M = Sn，Pb; X = S，Te）单分子膜的结构、电子和TE性质.自旋轨道耦合对它们的电子结构有显著的影响，特别是对于重质化合物。结构优化后的声子输运研究表明，矩形（γ-）相是能量上最有利的SnS和SnTe单层，而方形结构被发现是最稳定的PbS和PbTe单层。我们的研究结果与以前的研究结果是一致的。这些2D材料表现出高塞贝克系数和功率因数以及低晶格热导率，这是良好TE材料的基本特征。在700 K时，n型SnS、SnTe、PBS和p型PbTe单层膜的最大优值（ZT）分别为1.04、1.46、1.51和1.94，高于它们的体ZT值。因此，这些单层是TE应用的有希望的候选者。
2020-04-01 cond-mat.mtrl-sci
Thermoelectric effect in high mobility single layer epitaxial graphene
研究了碳化硅衬底上高迁移率单层外延石墨烯的热电响应随温度和磁场的变化关系。对于热电势的温度依赖性，即使当载流子密度很高时，也观察到与Mott关系的强烈偏离，这反映了屏蔽效应的重要性。在量子霍尔制度中，热电势峰的幅度低于理论预测的量子值，尽管样品的高迁移率。随着温度的降低，振幅的系统性降低表明热电势的抑制是石墨烯中狄拉克电子所固有的。
2011-04-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Quantized Thermoelectric Hall Effect Induces Giant Power Factor in a Topological Semimetal
热电学通过从废热直接发电而具有前景。然而，由于低温下电子熵的消失，（亚）室温热电一直是一个长期存在的挑战。拓扑材料为能量收集应用提供了新的途径。最近的理论预测，拓扑半金属在量子极限可以导致一个大的，非饱和的热电势和量子化的热电霍尔电导率接近普适值。在这里，我们实验证明了非饱和热电势和量子化热电霍尔效应的拓扑外尔半金属（WSM）的磷化钽（TaP）。在~ 40 K时观察到了纵向热电势Sxx= 1.1 × 10^3 μ V/K和巨大的功率因数~525 μ W/cm/K^2，这主要归因于量子化的热电霍尔效应。我们的工作突出了独特的量子化热电霍尔效应实现WSM对低温能量收集应用。
2020-10-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Strain effects to optimize the thermoelectric properties of hole-doped La$_2$NiO$_{4+δ}$ via ab initio calculations
系统La $_2$ NiO $_{4+δ}$的热电性质最近已经通过从头计算进行了讨论[Phys.Rev.B86，165114（2012）]。通过合理的热电势和热电优值计算，得到了最佳的空穴掺杂值。在这里，通过晶格应变和相应的原子弛豫的热电性能的大幅增加被预测。通过在不同的衬底上生长材料的薄膜，这种增加在实验上是可以实现的。小的拉伸应变将在高温下产生大的热电优值，$zT$ $\sim$ 1在氧过量$δ$ $\sim$ 0.05 - 0.10的范围内，并且面内晶格参数在3.95 - 4.05 Ω的范围内。在该相对宽的参数范围内，获得接近200 $μ$ V/K的热电势值。该化合物的最佳性能预计出现在高温极限。
2013-03-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
A Revisit to High Thermoelectric Performance of Single-layer MoS2
研究了单层MoS 2（SLMoS 2）的电子和声子输运性质。基于第一性原理计算，采用Boltzmann方程计算了SLMoS 2的电导率。通过分子动力学（MD）模拟计算，SLMoS 2的热导率高达116.8 Wm-1 K-1。在500 K时，ZT的预测值高达0.26。由于声子工程可以大大降低材料的热导率，因此SLMoS 2基材料的ZT值有很大的提高可能性。
2015-04-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Molecular dynamics simulations of the lattice thermal conductivity of CuInTe2
采用经典的分子动力学模拟，通过拟合第一性原理总能量计算，构造了一个简单有效的Morse型原子间相互作用势，预测了热电材料CuInTe 2的晶格热导率.在300 ~ 900 K的较宽温度范围内，我们的模拟结果与实验测量值以及由声子玻尔兹曼输运方程得到的结果吻合较好。通过引入Cd杂质和Cu空位，可以有效降低CuInTe 2的热导率，进一步提高该黄铜矿化合物的热电性能。
2016-06-29 cond-mat.mtrl-sci
Thermoelectric properties of marcasite-type compounds MSb$_2$ (M = Ta, Nb): A combined experimental and computational study
本研究结合实验与DFT计算，探究白铁矿型MSb$_2$（M=Ta,Nb）的热电性能，发现n型半金属行为，预测中等功率因子，验证理论方法有效性。
2024-03-19 cond-mat.mtrl-sci
Mapping the Configuration Space of Half-Heusler Compounds via Subspace Identification for Thermoelectric Materials Discovery
本研究通过子空间识别方法分析1126种半赫斯勒化合物，揭示高热电性能的关键元素子空间，并实验验证Sc0.5Lu0.5AuSn具有低热导率，为热电材料发现提供新策略。
2025-01-20 cond-mat.mtrl-sci
Prediction and accelerated laboratory discovery of previously unknown 18-electron ABX compounds
化学家和材料科学家经常关注以前报道的化合物的性质，而忽略了许多未报道但化学上可能具有有趣性质的化合物。例如，18价电子ABX族化合物包括半赫斯勒子群，并以拓扑绝缘体、热电体和超导体为特征，但在483种可能的化合物中，只有83种被制造出来。使用第一原理热力学，我们已经检查了400个未报告的成员的理论稳定性，并预测54个应该是稳定的。在这项研究中生长了15种以前缺失的材料，现在预测是稳定的; X射线研究与所有15种情况下的预测晶体结构一致。在这些失踪的化合物的特性中，有潜在的透明导体、热电材料和拓扑半金属。这一综合过程预测功能的未报道的化合物，然后实验室合成和表征，可能是一个路线，系统地发现迄今为止失踪，可实现的功能材料。
2014-12-07 cond-mat.mtrl-sci
Enhanced thermoelectric response of hole-doped La$_2$NiO$_{4+δ}$ by ab initio calculations
用从头算方法研究了$_2$-NiO-$_{4+δ}$体系的热电性质。大塞贝克系数值预测的母体化合物，并在一定程度上保持在空穴掺杂的金属相，伴随着电导率的增加。该系统，由于其分层结构，将是通过薄膜中的纳米结构化来改善其热电品质因数的合适候选者，这已经被证明可以增加电导率（$σ$）。我们的计算表明，在La $_2$ NiO $_{4.05}$附近的区域，该体系在高温下具有较大的热电势，并且$σ$也显著增加.用这种低掺杂浓度生长的膜将显示热电势和$σ$之间的最佳关系。这一结果是获得各种交换相关方案（相关的，不相关的和无参数），我们用来分析空穴掺杂化合物的电子结构。
2012-09-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
High-Performance Thermoelectric Oxides Based on Spinel Structure
高性能热电氧化物可以为传感和电子行业的集成和嵌入式应用提供很好的能源解决方案。然而，当与其他类别的热电材料相比时，氧化物通常具有低的塞贝克系数。在寻找高性能的热电氧化物，我们提出了一个全面的密度泛函调查，GGA $+U$形式主义的基础上，调查的3D和4D过渡金属含铁氧体的尖晶石结构。因此，我们预测MnFe $_2$ O $_4$和RhFe $_2$ O $_4$在近室温下具有$\sim \pm 600$ $μ$ V K $^{-1}$的Seebeck系数，通过轻空穴和电子掺杂实现。此外，CrFe $_2$ O $_4$和MoFe $_2$ O $_4$在$\sim \pm 700$ $μ$ V K $^{-1}$下具有甚至更高的环境塞贝克系数。在后一种化合物中，塞贝克系数近似为温度至$\sim 700$ K的平坦函数，提供了极大的操作便利。另外，掺杂有$10^{19}$空穴/cm $^3$的MoFe $_2$ O $_4$在$300$ K下具有计算的热电功率因子$689.81$ $μ$ W K $^{-2}$ m $^{-1}$，并且在$600$ K下具有计算的热电功率因子$455.67$ $μ$ W K $^{-2}$ m $^{-1}$。这里预测的热电性能可以使这些热电氧化物在较低温度下的应用，传统上由毒性更大和其他负担更重的材料来实现。
2020-08-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Screening of half-Heuslers with temperature-induced band convergence and enhanced thermoelectric properties
本文利用电子-声子重整化方法揭示半赫斯勒化合物温度诱导导带汇聚的关键因素，并据此从274种材料中筛选出TiRhBi、TiPtSn、NbPtTl，以TiPtSn为例验证了温度效应对塞贝克系数和热电性能预测的重要性。
2024-06-29 cond-mat.mtrl-sci
Effect of Bi-substitution on Structural Stability and Improved Thermoelectric Performance of p-type Half-Heusler TaSbRu: A First-principles Study
最近，Fang等人从第一性原理预测了TaSbRu合金在1200 K时的高ZT为1.54，而没有考虑自旋轨道相互作用、精确的电子结构、声子散射的细节和能量依赖的空穴弛豫时间。在这里，我们报告的Bi取代的p型TaSbRu的结构稳定性和热电性能的第一性原理计算考虑这些重要参数的细节。这种间接带隙半导体（由TB-mBJ+SOC得到Eg=0.8 eV）具有高度色散和简并的价带，这导致在300 K下的最大功率因数为3.8 mWm-1 K-2。由于Sb-5 p对带隙形成的贡献很小，因此Bi在Sb位置上的取代不会引起电子结构的显著变化。尽管由于带隙、电导率的轻微变化，塞贝克系数增加了Bi，因此功率因数在300 K（50%Bi）下降低到~3 mW m-1 K-2。另一方面，晶格热导率从20 W/m K有效地下降到5，因为Bi在声学声子区域中引入了显著的贡献并增强了声子散射。因此，通过Bi取代，ZT值得到改善，在1200 K下从仅0.45（纯TaSbRu）达到1.1（50%Bi）。因此，本研究提出了如何改善Sb基半Heusler化合物的TE性能，TaSbRu（含50% Bi）是一种有前途的高温应用材料。
2020-08-28 cond-mat.mtrl-sci
Ultra-low glassy thermal conductivity and controllable, promising thermoelectric properties in crystalline o-CsCu5S3
本研究结合第一性原理自洽声子计算与线性化维格纳输运方程，揭示晶态o-CsCu₅S₃超低玻璃态热导率的粒子-波动双重声子机制，并通过调控载流子浓度实现800K下18.4%的高热电转换效率，为铜基硫族热电材料设计提供新思路。
2024-04-15 cond-mat.mtrl-sci
MoS2 nanoribbons as promising thermoelectric materials
采用第一性原理计算和Boltzmann输运理论研究了不同宽度的MoS2扶手椅型纳米带的热电性能，其中弛豫时间由形变势理论预测.由于扶手椅边缘的悬挂键，纳米带具有明显的结构重构，这对控制电子和输运性质起着重要作用。所研究的扶手椅型纳米带被发现是半导体的间接间隙，表现出有趣的宽度依赖的振荡行为。具有宽度N = 4的纳米晶的较小间隙导致在300 K下大得多的电导率，当与N = 5、6的纳米晶相比时，其超过相对较大的电子热导率。结果，室温ZT值可以优化为2.7（p型）和2.0（n型），这显著超过了文献中报道的大多数实验室结果的性能。
2014-05-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Charge transport in doped conjugated polymers for organic thermoelectrics
近年来，共轭聚合物热电材料的研究取得了巨大的进展，人们对分子掺杂作为实现高电导率的手段的兴趣也随之高涨。对掺杂过程、聚合物薄膜的结构和能量特性以及由此产生的热电行为之间的复杂关系的详细理解正在慢慢出现。本文综述了近年来通过分子掺杂提高p型和n型共轭聚合物电导率的研究进展和策略。讨论了聚合物和掺杂剂的化学设计、加工条件以及所得纳米结构对掺杂效率和掺杂状态稳定性的影响。注意的是支付给半导体主机掺杂剂系统和塞贝克系数的电和热输运特性的相互依赖性。策略，允许提高热电性能，如在散装和薄膜的几何形状，聚合物的介电常数的操纵，和掺杂剂的大小的变化的聚合物主链的单轴对齐，进行了探讨。理论和实验的结合预计将产生新的化学设计原理和加工方案，最终将产生下一代有机热电材料。
2022-12-12 cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Kondo Impurities in Two Dimensional MoS2 for Achieving Ultrahigh Thermoelectric Powerfactor
局部磁性杂质所产生的原子空位在二维（2D）纳米片被预测有一个深刻的影响，电荷传输由于共振散射，并提供了一个处理通过近藤效应增强热电性能。然而，这些杂质的影响往往被掩盖的外部波动和乱层界面，因此，它是非常具有挑战性的实验探测磁性杂质和热电参数之间的相关性。在这项工作中，我们证明，通过将二硫化钼放置在六方氮化硼衬底上，在硫空位处观察到高达~50.0 meV的导子带的巨大自旋分裂，这表明这些是局部磁性状态。输运测量揭示了高导电n型MoS 2中的大的异常正塞贝克系数，其起源于由近藤效应描述的费米能级附近的准粒子共振。此外，通过调节化学势，在低维材料中获得了50 mW/mK ~ 2的记录功率因数。我们的工作表明，2D材料的缺陷工程提供了一种控制近藤杂质和调整热电输运的策略。
2019-01-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Promising High Temperature Thermoelectric Performance of Alkali Metal-based Zintl phases X$_2$AgY (X = Na, K; Y = Sb, Bi): Insights from First-Principles Studies
Indian Institute of Technology（印度理工学院）
本研究利用第一性原理方法发现碱金属基Zintl相X$_2$AgY (X = Na, K; Y = Sb, Bi)因晶格非简谐性等具有极低晶格热导率，在700 K下展现出高达2.1的热电优值，为高性能热电材料设计提供了新方向。
2025-02-19 cond-mat.mtrl-sci
Identifying Highly Deformable van der Waals Layered Chalcogenides with Superior Thermoelectric Performance Using Deformability Factors and Interpretable Machine Learning
本研究结合形变因子与机器学习模型，从1000余种范德华层状硫族化合物中筛选出兼具高形变性与优异热电性能的NbSe₂Br₂，其热电性能达柔性无机材料最优水平，有望推动柔性热电器件发展。
2024-10-08 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Thermoelectric transport trends in group 4 half-Heusler alloys
从第一性原理出发，研究了54种不同的4族半赫斯勒（HH）合金的热电性能。电子输运的研究与密度泛函理论使用混合泛函促进的$\mathbf{k} \cdot \mathbf{p}$方法，而温度依赖的有效势方法用于声子贡献的优值$ZT$。计算了声子热导率，包括非简谐声子-声子、同位素、合金和晶界散射。HH合金具有${\it XYZ}$组成，并且在此研究的合金在4-9-15族（Ti，Zr，Hf）（Co，Rh，Ir）（As，Sb，Bi）和4-10-14族（Ti，Zr，Hf）（Ni，Pd，Pt）（Ge，Sn，Pb）中。发现热导率的电子部分显著影响$ZT$，从而影响最佳掺杂水平。此外，功能的选择被发现显着影响热电性能，特别是对于表现出带对齐功能的结构。当考虑合金和晶界散射时，本征热导率显着降低，这也降低了热导率的分布。发现在${\it Z}$ -位点（即由第14或15族元素占据的位点）上的亚晶格无序比由第4族元素占据的${\it X}$ -位点取代更有效。计算结果证实了ZrNiSn、ZrCoSb和ZrCoBi基合金具有良好的热电性能。考虑到可以实现足够高的载流子浓度，一些其他n型和p型化合物也被预测为潜在的优异热电材料。这项研究提供了深入了解HH合金的热电势，并为优化多组分合金的热电性能提供了策略。
2019-07-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Strain tunable pudding-mold-type band structure and thermoelectric properties of SnP$_3$ monolayer
最近的研究表明，有趣的金属到半导体的转变时，层状体GeP 3和SnP 3被限制在单层或双层，和SnP 3单层已被预测具有高的载流子迁移率和有前途的热电性能。在这里，我们研究了双轴应变对SnP 3单层的电子和热电性能的影响。我们的第一性原理计算结合玻尔兹曼输运理论表明，SnP 3单层具有布丁模具型的价带结构，从而产生了一个大的p型塞贝克系数和一个高的p型功率因数。双轴压应变使能隙减小，导致金属化。与此相反，拉伸双轴应变增加的能隙，并增加了n型塞贝克系数，降低了n型电导率。尽管由于声学声子模式的最大频率增加和声子群速度增加，晶格热导率在拉伸双轴应变下变得更大，但它仍然很低，在室温下6%拉伸双轴应变下仅为例如3.1W/（mK）。因此，SnP 3单分子膜在6%的拉伸应变下仍具有较低的晶格热导率，是一种良好的热电材料，拉伸应变有利于n型Seebeck系数的提高。
2019-12-27 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Metal halide thermoelectrics: prediction of high-performance CsCu2I3
本文通过第一性原理方法预测具有一维 Cu-I 连接结构的铜卤化物 CsCu2I3 在 600 K 沿 b 轴可实现 ZT 高达 2.2 的 n 型热电性能，并揭示其强声子非谐性源于局域非中心对称结构的平均效应，为高性能金属卤化物热电材料设计提供了新思路。
2023-05-19 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Thermoelectric properties of Topological Weyl Semimetal Cu$_2$ZnGeTe$_4$
University of Warwick（华威大学）；Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research (JNCASR)（贾瓦哈拉尔·尼赫鲁高级科学研究中心）；National Sun Yat-sen University（国立中山大学）；S. N. Bose National Centre for Basic Sciences（S.N. 玻色基础科学国家中心）；Indian Institute of Technology Bombay（印度理工学院孟买分校）
本文结合第一性原理计算与输运测量，研究Cu₂ZnGeTe₄的热电性质，发现其为窄带隙半导体，晶格膨胀或Ge位Sn取代可使其转变为外尔半金属相，为拓扑量子材料的热电应用提供了新方向。
2026-08-20 cond-mat.mtrl-sci
Mechanical, optical, and thermoelectric properties of semiconducting ZnIn2X4 (X= S, Se, Te) monolayers
ZnIn 2X 4单层的机械稳定性。ZnIn 2S 4和ZnIn 2Se 4是直接带隙分别为3.94和2.77 eV的半导体，而ZnIn 2 Te 4在G 0 W 0能级处显示出1.84 eV的间接带隙。从Bethe-Salpeter方程的解决方案实现的光学性质预测的ZnIn 2S 4，ZnIn 2Se 4，和ZnIn 2 Te 4单层的激子结合能分别为0.51，0.41，和0.34 eV，这表明高稳定性的激子状态对热解离。使用机器学习原子间势加速的玻尔兹曼输运方程的迭代解，ZnIn 2S 4，ZnIn 2Se 4和ZnIn 2 Te 4单层的室温晶格热导率预测分别为5.8，2.0和0.4 W/mK。由于低的晶格热导率，高的热电势，和大的品质因数，我们提出的ZnIn 2Se 4和ZnIn 2 Te 4单层作为有前途的候选人的热电能量转换系统。这项研究提供了一个广泛的视野有关的内在物理性质的ZnIn 2X 4纳米片，并强调其特性的能量转换和光电子应用。
2022-02-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Stability, electronic, magnetic and thermoelectric properties of quaternary Heusler alloys CoX'ZrAl (X'=V, Fe, Ir): 3d vs 5d systems
该研究基于密度泛函理论与 Boltzmann 输运理论，比较 CoVZrAl、CoFeZrAl 和 CoIrZrAl 的电子、磁性及热电性质，指出 n 型 CoVZrAl 在 600 K 时 ZT 可达 1.4。
2025-06-11 cond-mat.mtrl-sci
